平晶微二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PJM80N68TE 编号：C36493749

封装：TO-252

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个N沟道，VDS=68V ID=80A ,PD:147W RDS(ON)<8.6mΩ@Vgs=10V

1+
￥2.51
10+
￥1.97
30+
￥1.74
100+
￥1.45

有货

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型号：PJM100P40DN 编号：C51908694

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-40V ID=-100A ,RDS(ON)<5.6mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<7.8mΩ@Vgs=-4.5V，通过 100% 雪崩测试

1+
￥2.57
10+
￥2.04
30+
￥1.81

有货

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型号：PJMG40P60TE 编号：C36493740

封装：TO-252

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个P沟道，VDS=60V ID=40A ,PD:65W RDS(ON)<28mΩ@Vgs=10V

1+
￥2.99
10+
￥2.34
30+
￥2.07

有货

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型号：PJMG200N60DN 编号：C51625745

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道增强型，SGT（屏蔽栅沟槽型）,VDS=60V ID=160A RDS(ON)<2.5mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<3.3mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试

1+
￥3.67
10+
￥2.98
30+
￥2.63
100+
￥2.29

有货

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型号：PJMG12H90HNDN 编号：C51625759

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道增强型，SGT（屏蔽栅沟槽型）,VDS=120V ID=90A RDS(ON)<8.5mΩ@Vgs=10V,雪崩测试

1+
￥4.28
10+
￥3.48
30+
￥3.07
100+
￥2.67

有货

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型号：PJ9193BM15SA 编号：C45406552

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

PSRR:75dB@1KHz ,静态电流：40uA, 压差600mV(TYP.)@IOUT=300mA ,超快的瞬态反应及超低输出Noise,关断电流0.01uA(TYP.)

10+
￥0.272
100+
￥0.2144
300+
￥0.1856

有货

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型号：TL431HA 编号：C42405718

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

Vref:2.5V(0.5%）输出电压范围:2.5V~36V,IKA:0.5~100mA,工作温度范围：-40℃-+125℃

10+
￥0.2864
100+
￥0.2264
300+
￥0.1964

有货

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型号：PJ71BK50SA 编号：C45406564

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

输入电压:24V(MAX.),1Q:1.5uA(TYP.) ,VOUT:5V ,IOUT(MAX):100mA PD：0.2W.低压差，低功耗，低温飘。

10+
￥0.2992
100+
￥0.2358
300+
￥0.2042

有货

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型号：TL431SC 编号：C41784062

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

Vref:2.495V.输出精度：±1%，工作温度范围：－40~+125℃

10+
￥0.3093
100+
￥0.2445
300+
￥0.2121

有货

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型号：TL431B 编号：C42405717

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

Vref:2.495V(0.4%）输出电压范围:2.495V~36V,IKA:1~100mA,工作温度范围：-40℃-+125℃

10+
￥0.3139
100+
￥0.2482
300+
￥0.2153

有货

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型号：PJ9193BM15SE 编号：C41367957

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

PSRR:75dB@1KHz ,静态电流：40uA, 压差600mV(TYP.)@IOUT=300mA ,超快的瞬态反应及超低输出Noise,关断电流0.01uA(TYP.),带EN脚

10+
￥0.3277
100+
￥0.259
300+
￥0.2247

有货

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型号：PJ9193M18SE 编号：C686640

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

是高度精确、低噪声的正电压LDO稳压器，采用CMOS工艺制造。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间。在关断模式下功耗小于1μA，开启时间小于50μs。其他特点包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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