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首页 > 热门关键词 > 平晶微二极管
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耐压:20V 电流:60A
型号：PJM60N20TE 编号：C41398498
封装：TO-252
品牌：PJSEMI(平晶微)
N沟道，VDS=20V ID=60A ,PD:37W RDS(ON)<6mΩ@Vgs=4.5V

  • 5+

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    ￥0.7482
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    耐压:30V 电流:12A
    型号：PJM12P30PA 编号：C22438609
    封装：SOP-8
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个P沟道，VDS=-30V,ID=-12A, RDS(ON) <10.5mΩ@Vgs=-10V, PD(MAX):3W，超低内阻

    • 5+

      ￥1.1146

    • 50+

      ￥0.8752

    • 150+

      ￥0.7726
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:40A
    型号：PJM40N40TE 编号：C36493738
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道，VDS=40V ID=40A ,PD:28W RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V

    • 5+

      ￥1.1146

    • 50+

      ￥0.8752

    • 150+

      ￥0.7726
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    P沟道 20V 55A
    型号：PJM55P20DL 编号：C50387330
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=20V ID=20A RDS(ON)<8mΩ@Vgs=4.5V,RDS(ON)<13mΩ@Vgs=2.5V, 通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.1396

    • 50+

      ￥0.9027

    • 150+

      ￥0.8012
  • 有货
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    P沟道 30V 50A
    型号：PJM50P30DL 编号：C50387328
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道增强型，SGT（屏蔽栅沟槽型），VDS=60V ID=35A ,RDS(ON)<18mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<23mΩ@Vgs=4.5V，通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.1517

    • 50+

      ￥0.9123

    • 150+

      ￥0.8097
  • 有货
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    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：PJM50N60DL 编号：C51908696
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=60V ID=50A ,RDS(ON)<16.5mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<19.5mΩ@Vgs=4.5V，通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.1638

    • 50+

      ￥0.9219

    • 150+

      ￥0.8182
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    耐压:60V 电流:5A
    型号：PJM05DN60PA 编号：C22438599
    封装：SOP-8
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    2个N沟道，VDS=60V,ID=5A,Trench工艺，超低内阻，RDS(ON) <40mΩ@Vgs=10V，PD:2W

    • 5+

      ￥1.1733

    • 50+

      ￥0.9213

    • 150+

      ￥0.8133
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    PJM30DN30DL
    型号：PJM30DN30DL 编号：C52117969
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    2个N沟道合封增强型MOSFET，Trench（沟槽型），VDS=30V,ID=28A ,RDS(ON)<9.5mΩ@Vgs=10V，通过 100% 雪崩测试，应用场景：负载开关，电池保护，UPS等

    • 5+

      ￥1.1808

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      ￥0.9353

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      ￥0.8301
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    N和P沟道互补功率MOSFET
    型号：PJM15C30DL 编号：C51908697
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N+P 沟道增强型，Trench（沟槽型），N-MOS:30V/18A,RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V;P-MOS:-30V/-13A,RDS(ON)<28mΩ@Vgs=-10V，通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.1881

    • 50+

      ￥0.9411

    • 150+

      ￥0.8353
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    PJM30C30DL
    型号：PJM30C30DL 编号：C52117968
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个N沟道+1个P沟道合封互补型MOSFET，Trench（沟槽型），N-MOS:30V/28A,RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V;P-MOS:-30V/-32A,RDS(ON)<18mΩ@Vgs=-10V，通过 100% 雪崩测试，应用场景：电源管理、无刷电机驱动、便携式电子产品等

    • 5+

      ￥1.2123

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      ￥0.9603

    • 150+

      ￥0.8523
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    N沟道 30V 80A
    型号：PJM80N30DL 编号：C50387323
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-30V ID=-30A , RDS(ON)<15mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<25.5mΩ@Vgs=-4.5V，通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.2123

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      ￥0.9603

    • 150+

      ￥0.8523
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    PJM65N40DN
    型号：PJM65N40DN 编号：C52117972
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=40V ID=65A ,RDS(ON)<9mΩ@Vgs=10V，通过 100% 雪崩测试，极低的导通阻抗和低栅极电荷（Qg),应用场景：电池保护、负载开关、UPS等

    • 5+

      ￥1.2123

    • 50+

      ￥0.9603

    • 150+

      ￥0.8523
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
    型号：PJM10H15NTE 编号：C36493751
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个N沟道，VDS=100V ID=15A ,PD:46W RDS(ON)<100mΩ@Vgs=10V

    • 5+

      ￥1.2812

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      ￥1.0061

    • 150+

      ￥0.8881
  • 有货
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    P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PJM60P30DL 编号：C51908698
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-30V ID=-60A ,RDS(ON)<13mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<20mΩ@Vgs=-4.5V，通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.285

    • 50+

      ￥1.0179

    • 150+

      ￥0.9034
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
    型号：PJM60H02NTE 编号：C36493739
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个N沟道，VDS=600V ID=2A ,PD:35W RDS(ON)<4.3mΩ@Vgs=10V,开关速度快，低的Qg，导通电阻小，反向传输电容小

    • 5+

      ￥1.2906

    • 50+

      ￥1.0134

    • 150+

      ￥0.8946
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
    型号：PJM65H02CNTE 编号：C36493744
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个N沟道，VDS=650V ID=2A ,PD:35W RDS(ON)<5.3Ω@Vgs=10V

    • 5+

      ￥1.3376

    • 50+

      ￥1.0503

    • 150+

      ￥0.9272
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 40V 80A
    型号：PJM80N40DN 编号：C51908695
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=40V ID=80A ,RDS(ON)<33mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<45mΩ@Vgs=4.5V，通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.382

    • 50+

      ￥1.0947

    • 150+

      ￥0.9716
  • 有货
    • 立即购买
    双N沟道增强型功率MOSFET
    型号：PJM30DN60DN 编号：C51625755
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    2个N沟道，Trench（沟槽型），VDS=60V ID=30A RDS(ON)<28m@Vgs=10V,RDS(ON)<37mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.382

    • 50+

      ￥1.0947

    • 150+

      ￥0.9716
  • 有货
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    N和P通道互补功率MOSFET 1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:8A
    型号：PJM08C40PA 编号：C30187478
    封装：SOP-8
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个N沟道+1个P沟道，N沟道:VDS=±40V ID=8A/-7A ,PD:2W,RDS(ON)<19/35mΩ@Vgs=10V

    • 5+

      ￥1.3845

    • 50+

      ￥1.0871

    • 150+

      ￥0.9597
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 60V 60A
    型号：PJM60N60DN 编号：C50424294
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=30V ID=70A RDS(ON)<5.1mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<7.7mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.4547

    • 50+

      ￥1.1523

    • 150+

      ￥1.0227
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:15A
    型号：PJM15P40TE 编号：C36493752
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个P沟道，VDS=40V ID=15A ,PD:35W RDS(ON)<35mΩ@Vgs=10V

    • 5+

      ￥1.4643

    • 50+

      ￥1.1498

    • 150+

      ￥1.015
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V
    型号：PJM08C60PA 编号：C22438604
    封装：SOP-8
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个N沟道+1个P沟道，N沟道：VDS=60V,ID=8A,，RDS(ON) <50mΩ@Vgs=10V;P沟道：VDS=-60V,ID=-8A,，RDS(ON) <70mΩ@Vgs=-10V,，Trench工艺，低内阻,开关速度快

    • 5+

      ￥1.5018

    • 50+

      ￥1.1793

    • 150+

      ￥1.041
  • 有货
    • 立即购买
    双N沟道增强型功率MOSFET
    型号：PJM65DN30DN 编号：C51625752
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    2个N沟道，Trench（沟槽型），VDS=30V ID=65A RDS(ON)<8.5m@Vgs=10V,RDS(ON)<14.5mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.5032

    • 50+

      ￥1.1908

    • 150+

      ￥1.0568
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PJM50P40DN 编号：C51625748
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-40V ID=-50A ,RDS(ON)<11.5mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<7.5mΩ@Vgs=-4.5V，通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.5154

    • 50+

      ￥1.2004

    • 150+

      ￥1.0654
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PJM30P60DN 编号：C51625746
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-60V ID=-30A ,RDS(ON)<25mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<33mΩ@Vgs=-4.5V，通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.7942

    • 50+

      ￥1.4212

    • 150+

      ￥1.2614
  • 有货
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    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：PJMG100N40DN 编号：C51625758
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道增强型，SGT（屏蔽栅沟槽型）,VDS=40V ID=95A RDS(ON)<3.9mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<5mΩ@Vgs=4.5V 通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.8815

    • 50+

      ￥1.4904

    • 150+

      ￥1.3227
  • 有货
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    N沟道 30V 150A
    型号：PJM150N30DN 编号：C50424293
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道增强型，SGT（屏蔽栅沟槽型），VDS=30V ID=150A ,RDS(ON)<1.9mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<3.5mΩ@Vgs=4.5V，通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥1.8912

    • 50+

      ￥1.498

    • 150+

      ￥1.3296
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
    型号：PJM150N30TE 编号：C36493753
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个N沟道，VDS=30V ID=150A ,PD:72W RDS(ON)<3.4mΩ@Vgs=10V

    • 5+

      ￥2.1049

    • 50+

      ￥1.6528

    • 150+

      ￥1.459
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：PJM180N30DN 编号：C51625753
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=30V ID=180A RDS(ON)<2m@Vgs=10V,RDS(ON)<3mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥2.2185

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      ￥1.7573

    • 150+

      ￥1.5597
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
    型号：PJMG10H45NTE 编号：C36493750
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    1个N沟道，VDS=100V ID=45A ,PD:72W RDS(ON)<17mΩ@Vgs=10V

    • 1+

      ￥2.45

    • 10+

      ￥1.92

    • 30+

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