平晶微二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2SA1013SQ-Y 编号：C2977366

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：高电压。大连续集电极电流能力

数据手册

10+
￥0.4113
100+
￥0.3297
300+
￥0.2889
1000+
￥0.2365
5000+
￥0.212
10000+
￥0.1998

有货

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型号：PJM30N30DL 编号：C50387319

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-40V ID=-45A, RDS(ON)<12mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<17mΩ@Vgs=-4.5V, 通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.4193
50+
￥0.4101
150+
￥0.4039

有货

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型号：PJM13N30PA 编号：C22438610

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个N沟道，VDS=30V,ID=13A, RDS(ON) <12mΩ@Vgs=10V,RDS(ON) <18mΩ@Vgs=4.5V PD(MAX):3.5W Trench工艺

5+
￥0.4224
50+
￥0.4126
150+
￥0.4061

有货

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型号：PJM07DN30PA 编号：C22438602

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

2个N沟道，VDS=30V,ID=7A,Trench工艺，低内阻，RDS(ON) <41mΩ@Vgs=10V，RDS(ON) <45mΩ@Vgs=4.5V ，PD(MAX.):2W

5+
￥0.4224
50+
￥0.4126
150+
￥0.4061

有货

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型号：TL431HSQ 编号：C42388538

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

Vref:2.5V(1%） VKA:2.5V~36V,IKA:0.5~100mA,工作温度范围：-40℃~125℃

10+
￥0.4308
100+
￥0.3405
300+
￥0.2954

有货

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型号：PJ54M33SQ 编号：C20618187

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

是一款高输入电压、低静态电流、低压差线性稳压器，能够提供 300mA 负载电流。该 LDO 对线路电压瞬变和负载电流瞬变具有非常快速的响应，并确保在 LDO 启动和短路恢复期间无过冲电压。该器件集成了短路和热关断保护功能。

5+
￥0.4472
50+
￥0.4369
150+
￥0.43

有货

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型号：PJ73HM50SQ 编号：C42436935

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

输入电压范围：3~20V,1Q:2uA(TYP.) ,VOUT:5V ,IOUT(MAX):500mA PD：0.66W.低压差，低功耗，快速瞬态反应，软启动，良好的负载及线性调整率，热关断保护

5+
￥0.4659
50+
￥0.4551
150+
￥0.4479

有货

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型号：PJM10N40PA 编号：C30187475

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=40V ID=10A ,PD:2.5W RDS(ON)<18mΩ@Vgs=10V

5+
￥0.4721
50+
￥0.4611
150+
￥0.4538

有货

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型号：PJM10P30PA 编号：C22438608

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个P沟道，VDS=-30V,ID=-10A, RDS(ON) <23mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON) <34mΩ@Vgs=-4.5V PD(MAX):3.7W Trench工艺

5+
￥0.482
50+
￥0.4708
150+
￥0.4634

有货

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型号：PJ56L33SE 编号：C41367949

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

耐压80V,1Q:2uA,VOUT:3.3V ,IOUT(MAX):150mA ,PSRR:70dB@1KHZ,压差：700mV@100mA.

5+
￥0.4845
50+
￥0.4733
150+
￥0.4658

有货

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型号：PJM70N30DL 编号：C50387322

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-30V ID=-40A ,RDS(ON)<13mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<20mΩ@Vgs=-4.5V，通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.4848
50+
￥0.4742
150+
￥0.4671

有货

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型号：PJ9500M33SQ 编号：C20618175

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

是高精度、极低静态电流、低压差线性稳压器，能够提供500mA负载电流。对线电压瞬变和负载电流瞬变具有非常快速的响应，并确保在LDO启动和短路恢复期间无过冲电压。集成了短路保护、限流保护和热保护功能。通过将EN引脚置低来开启关断模式。

5+
￥0.4857
50+
￥0.384
150+
￥0.3331

有货

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型号：PJ73AL36SQ 编号：C411729

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

PJ73ALXXSQ系列是采用CMOS技术实现的一组三端低功耗高压稳压器。它们允许高达20V的输入电压。

数据手册

5+
￥0.5042
50+
￥0.3986
150+
￥0.3458
1000+
￥0.3061
2000+
￥0.2744
5000+
￥0.2585

有货

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型号：PJ75CL90SQ 编号：C42436938

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

输入电压范围：3~40V,1Q:5uA(TYP.) ,VOUT:9V ,IOUT(MAX):150mA PD：0.6W.低压差，低功耗，电流限制，短路及过温保护

5+
￥0.527
50+
￥0.4166
150+
￥0.3614

有货

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型号：PJM40P30DL 编号：C50387326

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=30V ID=70A ,RDS(ON)<5mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<7mΩ@Vgs=4.5V，通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.5503
50+
￥0.5382
150+
￥0.5302

有货

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型号：PJM12P30PA 编号：C22438609

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个P沟道，VDS=-30V,ID=-12A, RDS(ON) <10.5mΩ@Vgs=-10V, PD(MAX):3W，超低内阻

5+
￥0.5853
50+
￥0.5717
150+
￥0.5625

有货

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型号：PJM40N40TE 编号：C36493738

封装：TO-252

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=40V ID=40A ,PD:28W RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V

5+
￥0.5853
50+
￥0.5717
150+
￥0.5625

有货

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型号：PJM20P30TE 编号：C36493745

封装：TO-252

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个P沟道，VDS=30V ID=20A ,PD:29W RDS(ON)<20mΩ@Vgs=10V

5+
￥0.5853
50+
￥0.5717
150+
￥0.5625

有货

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型号：PJM20DN30DN 编号：C51625750

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

2个N沟道，Trench（沟槽型），VDS=30V ID=20A RDS(ON)<15mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<20mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.6027
50+
￥0.5895
150+
￥0.5807

有货

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型号：PJM05DN60PA 编号：C22438599

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

2个N沟道，VDS=60V,ID=5A,Trench工艺，超低内阻，RDS(ON) <40mΩ@Vgs=10V，PD:2W

5+
￥0.6161
50+
￥0.6017
150+
￥0.5921

有货

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型号：PJM50P30DL 编号：C50387328

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道增强型，SGT（屏蔽栅沟槽型），VDS=60V ID=35A ,RDS(ON)<18mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<23mΩ@Vgs=4.5V，通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.6224
50+
￥0.6087
150+
￥0.5996

有货

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型号：PJM50P30DN 编号：C51625747

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-30V ID=-50A ,RDS(ON)<7.5mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<12mΩ@Vgs=-4.5V，通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.6224
50+
￥0.6087
150+
￥0.5996

有货

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型号：PJM50N60DL 编号：C51908696

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=60V ID=50A ,RDS(ON)<16.5mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<19.5mΩ@Vgs=4.5V，通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.6289
50+
￥0.6151
150+
￥0.6059

有货

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型号：PJM30DN30DL 编号：C52117969

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

2个N沟道合封增强型MOSFET，Trench（沟槽型），VDS=30V,ID=28A ,RDS(ON)<9.5mΩ@Vgs=10V，通过 100% 雪崩测试，应用场景：负载开关，电池保护，UPS等

5+
￥0.6381
50+
￥0.6241
150+
￥0.6147

有货

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型号：PJM15C30DL 编号：C51908697

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

N+P 沟道增强型，Trench（沟槽型），N-MOS:30V/18A,RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V;P-MOS:-30V/-13A,RDS(ON)<28mΩ@Vgs=-10V，通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.642
50+
￥0.6279
150+
￥0.6185

有货

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型号：PJM30C30DL 编号：C52117968

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个N沟道+1个P沟道合封互补型MOSFET，Trench（沟槽型），N-MOS:30V/28A,RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V;P-MOS:-30V/-32A,RDS(ON)<18mΩ@Vgs=-10V，通过 100% 雪崩测试，应用场景：电源管理、无刷电机驱动、便携式电子产品等

5+
￥0.6551
50+
￥0.6407
150+
￥0.6311

有货

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型号：PJM80N30DL 编号：C50387323

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-30V ID=-30A , RDS(ON)<15mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<25.5mΩ@Vgs=-4.5V，通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.6551
50+
￥0.6407
150+
￥0.6311

有货

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型号：PJM65N40DN 编号：C52117972

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=40V ID=65A ,RDS(ON)<9mΩ@Vgs=10V，通过 100% 雪崩测试，极低的导通阻抗和低栅极电荷（Qg),应用场景：电池保护、负载开关、UPS等

5+
￥0.6551
50+
￥0.6407
150+
￥0.6311

有货

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型号：PJM10H15NTE 编号：C36493751

封装：TO-252

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个N沟道，VDS=100V ID=15A ,PD:46W RDS(ON)<100mΩ@Vgs=10V

5+
￥0.6728
50+
￥0.6571
150+
￥0.6466

有货

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型号：PJM60H02NTE 编号：C36493739

封装：TO-252

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个N沟道，VDS=600V ID=2A ,PD:35W RDS(ON)<4.3mΩ@Vgs=10V,开关速度快，低的Qg，导通电阻小，反向传输电容小

5+
￥0.6778
50+
￥0.6619
150+
￥0.6514

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