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首页 > 热门关键词 > 萨科微二极管
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符合条件商品:共192603
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描述
价格(含税)
库存
操作
特性:高电压和高电流。 高hFE:hFE = 70~400。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。 与2SC2712互补
  • 50+

    ¥0.0788
  • 500+

    ¥0.0604
  • 3000+

    ¥0.0502
  • 6000+

    ¥0.0441
  • 24000+

    ¥0.0388
  • 51000+

    ¥0.0359
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与SS8550W互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.08216 ¥0.1027
    • 500+

      ¥0.0644 ¥0.0805
    • 3000+

      ¥0.05456 ¥0.0682
    • 6000+

      ¥0.04872 ¥0.0609
    • 24000+

      ¥0.0436 ¥0.0545
    • 51000+

      ¥0.0408 ¥0.051
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0831
    • 500+

      ¥0.0648
    • 3000+

      ¥0.0546
    • 6000+

      ¥0.0484
    • 24000+

      ¥0.0431
    • 51000+

      ¥0.0403
  • 有货
  • 特性:电容:15pF(典型值)。 反向工作电压:5V。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±25kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±25kV。 IEC 61000-4-5(雷电 8/20µs):5A。应用:智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0872
    • 500+

      ¥0.0677
    • 1500+

      ¥0.0569
    • 10000+

      ¥0.0483
    • 20000+

      ¥0.0427
    • 50000+

      ¥0.0396
  • 有货
  • 特性:典型电容值:15pF。小尺寸外形。低漏电流。人体模型3级ESD等级(>16kV)。符合RoHS标准的环保产品。电磁兼容性良好。哑光镀锡(Sn)引脚表面处理
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0876 ¥0.1095
    • 500+

      ¥0.06904 ¥0.0863
    • 1500+

      ¥0.05872 ¥0.0734
    • 10000+

      ¥0.05008 ¥0.0626
    • 20000+

      ¥0.04472 ¥0.0559
    • 50000+

      ¥0.04184 ¥0.0523
  • 有货
  • 用于开关和放大应用
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0877
    • 500+

      ¥0.0688
    • 3000+

      ¥0.0562
    • 6000+

      ¥0.0499
    • 24000+

      ¥0.0444
    • 51000+

      ¥0.0415
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补NPN类型(MMBT2222)
    数据手册
    • 3000+

      ¥0.0438
    • 9000+

      ¥0.041975
    • 27000+

      ¥0.04088
    • 36000+

      ¥0.04015
    特性:集电极电流能力:20mA。 集电极发射极电压:30V
    • 50+

      ¥0.0958
    • 500+

      ¥0.0746
    • 3000+

      ¥0.0629
    • 6000+

      ¥0.0558
    • 24000+

      ¥0.0497
    • 51000+

      ¥0.0464
  • 有货
  • SL6206系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差,具有过流和短路保护的CMOS降压型电压稳压器。这些器件具有很低的静态偏置电流(70μA Typ.),它们能在输入、输出电压差极小的情况下提300mA的输出电流,并且仍能保持良好的调整率。由于输入输出间的电压差很小和静态偏置电流很小,这些器件特别适用于希望延长有用电池寿命的电池供电类产品,如计算机、消费类产品和工业设备等。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0976
    • 500+

      ¥0.076
    • 3000+

      ¥0.0616
    • 6000+

      ¥0.0544
    • 24000+

      ¥0.0482
    • 51000+

      ¥0.0448
  • 有货
  • PPP(W) - VRWM(V) 24 VBR(V) 140 VC(V) 100 IPP(A) - IR(uA) 0.5 CJ(pF) 1.5
    数据手册
    • 50+

      ¥0.10016 ¥0.1252
    • 500+

      ¥0.07856 ¥0.0982
    • 1500+

      ¥0.06656 ¥0.0832
    • 4000+

      ¥0.05936 ¥0.0742
    • 24000+

      ¥0.05312 ¥0.0664
    • 48000+

      ¥0.04976 ¥0.0622
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 有互补NPN类型。 有无铅版本
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1002
    • 500+

      ¥0.0786
    • 3000+

      ¥0.0642
    • 6000+

      ¥0.057
    • 24000+

      ¥0.0507
    • 51000+

      ¥0.0474
  • 有货
  • SOT23-6 塑封封装锂电池保护 IC。Battery Protection IC in a SOT23-6 Plastic Package.。
    • 50+

      ¥0.10108 ¥0.1064
    • 500+

      ¥0.07904 ¥0.0832
    • 1500+

      ¥0.066785 ¥0.0703
    • 10000+

      ¥0.059375 ¥0.0625
    • 20000+

      ¥0.05301 ¥0.0558
    • 50000+

      ¥0.04959 ¥0.0522
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与S9012互补。 出色的hFE线性度。 无卤
    • 20+

      ¥0.11416 ¥0.1427
    • 200+

      ¥0.08864 ¥0.1108
    • 600+

      ¥0.07448 ¥0.0931
    • 3000+

      ¥0.066 ¥0.0825
    • 9000+

      ¥0.05864 ¥0.0733
    • 21000+

      ¥0.05464 ¥0.0683
  • 有货
  • 这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    • 20+

      ¥0.1212 ¥0.1515
    • 200+

      ¥0.0944 ¥0.118
    • 600+

      ¥0.07952 ¥0.0994
    • 3000+

      ¥0.07064 ¥0.0883
    • 9000+

      ¥0.06288 ¥0.0786
    • 21000+

      ¥0.05872 ¥0.0734
  • 有货
  • 这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    • 20+

      ¥0.1212 ¥0.1515
    • 200+

      ¥0.0944 ¥0.118
    • 600+

      ¥0.07952 ¥0.0994
    • 3000+

      ¥0.07064 ¥0.0883
    • 9000+

      ¥0.06288 ¥0.0786
    • 21000+

      ¥0.05872 ¥0.0734
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.12216 ¥0.1527
    • 200+

      ¥0.09576 ¥0.1197
    • 600+

      ¥0.08112 ¥0.1014
    • 3000+

      ¥0.0724 ¥0.0905
    • 9000+

      ¥0.0648 ¥0.081
    • 21000+

      ¥0.06064 ¥0.0758
    • 39000+

      ¥0.05992 ¥0.0749
    • 81000+

      ¥0.05944 ¥0.0743
  • 有货
  • SLCESDB5V0D5旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他电路板空间有限的便携式应用。此外,由于其电容低,还适用于高频设计,如USB 2.0高速、VGA、DVI、SDI和其他高速线路应用。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1271
    • 200+

      ¥0.1
    • 600+

      ¥0.085
    • 3000+

      ¥0.0714
    • 9000+

      ¥0.0636
    • 21000+

      ¥0.0594
  • 有货
  • SLESD5Z3.3C旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    • 20+

      ¥0.1271
    • 200+

      ¥0.099
    • 600+

      ¥0.0834
    • 3000+

      ¥0.074
    • 9000+

      ¥0.0659
    • 21000+

      ¥0.0616
  • 有货
  • SLESD0301L是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。SLESD0301L典型电容为0.4pF,用于保护对寄生效应敏感的系统,使其免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变脉冲群 - EFT)(40A,5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。SLESD0301L采用超小型DFN1006封装。每个SLESD0301L器件可保护一条高速数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。低电容、超小尺寸和高ESD耐受性等特性的结合,使SLESD0301L非常适合高速数据端口和高频线路应用,如手机和高清视觉设备。
    • 20+

      ¥0.1283
    • 200+

      ¥0.0986
    • 600+

      ¥0.0821
    • 2000+

      ¥0.0722
    • 10000+

      ¥0.0637
    • 20000+

      ¥0.059
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低轮廓封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 10/1000μs波形下200W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比)为0.01%。 保证高温焊接:260°C/10秒,在引脚处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1396
    • 200+

      ¥0.1078
    • 600+

      ¥0.0901
    • 3000+

      ¥0.0759
    • 9000+

      ¥0.0667
    • 21000+

      ¥0.0618
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    • 20+

      ¥0.1442
    • 200+

      ¥0.1123
    • 600+

      ¥0.0946
    • 3000+

      ¥0.084
    • 9000+

      ¥0.0748
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    • 20+

      ¥0.1442
    • 200+

      ¥0.1123
    • 600+

      ¥0.0946
    • 3000+

      ¥0.084
    • 9000+

      ¥0.0748
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1483
    • 200+

      ¥0.1164
    • 600+

      ¥0.0987
    • 3000+

      ¥0.084
    • 9000+

      ¥0.0748
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1541
    • 200+

      ¥0.1222
    • 600+

      ¥0.1045
    • 3000+

      ¥0.084
    • 9000+

      ¥0.0748
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • SLESD5471S旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他电路板空间宝贵的便携式应用。此外,由于其电容低,还适用于高速线路等高频设计。该器件专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    • 20+

      ¥0.15624 ¥0.1953
    • 200+

      ¥0.12256 ¥0.1532
    • 600+

      ¥0.10384 ¥0.1298
    • 3000+

      ¥0.09256 ¥0.1157
    • 9000+

      ¥0.08288 ¥0.1036
    • 21000+

      ¥0.0776 ¥0.097
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1567
    • 200+

      ¥0.1249
    • 600+

      ¥0.1072
    • 3000+

      ¥0.0909
    • 9000+

      ¥0.0817
    • 21000+

      ¥0.0768
  • 有货
  • SLPTVS5V5D1BL旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他电路板空间有限的便携式应用。此外,由于其电容低,还适用于高速线路应用等高频设计。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1577
    • 200+

      ¥0.1237
    • 600+

      ¥0.1048
    • 2000+

      ¥0.0935
    • 10000+

      ¥0.0837
    • 20000+

      ¥0.0784
  • 有货
  • SLESDA6V1L是一款瞬态电压抑制器阵列,旨在保护连接到数据和传输线路的组件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击的影响。使用IEC61000 - 4 - 2空气放电方法时,所有引脚均能承受30kV的ESD脉冲。
    • 20+

      ¥0.1588
    • 200+

      ¥0.1237
    • 600+

      ¥0.1042
    • 3000+

      ¥0.0925
    • 9000+

      ¥0.0824
    • 21000+

      ¥0.0769
  • 有货
  • 场效应管
    • 20+

      ¥0.1588
    • 200+

      ¥0.1237
    • 600+

      ¥0.1042
    • 3000+

      ¥0.0925
    • 9000+

      ¥0.0824
    • 21000+

      ¥0.0769
  • 有货
  • SLLC23T5V2U是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器)阵列,旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。
    • 20+

      ¥0.1588
    • 200+

      ¥0.1237
    • 600+

      ¥0.1042
    • 3000+

      ¥0.0925
    • 9000+

      ¥0.0824
    • 21000+

      ¥0.0769
  • 有货
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