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首页 > 热门关键词 > 萨科微二极管
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PPP(W) 350 VRWM(V) 3.3 VBR(V) 4 VC(V) 13 IPP(A) 20 IR(uA) 40 CJ(pF) 450
数据手册
  • 20+

    ¥0.17157 ¥0.1806
  • 200+

    ¥0.135565 ¥0.1427
  • 600+

    ¥0.115615 ¥0.1217
  • 3000+

    ¥0.0931 ¥0.098
  • 9000+

    ¥0.082745 ¥0.0871
  • 21000+

    ¥0.07714 ¥0.0812
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    • 20+

      ¥0.1759
    • 200+

      ¥0.1371
    • 600+

      ¥0.1155
    • 3000+

      ¥0.1025
    • 9000+

      ¥0.0913
    • 21000+

      ¥0.0852
  • 有货
  • ESD保护适用于高频应用(HDMI 1.3)。更小的外形尺寸,节省电路板空间。有助于保护电子电路免受静电放电(ESD)事件的损坏。协助设备通过IEC 61000-4-2 4级测试
    • 20+

      ¥0.176
    • 200+

      ¥0.1366
    • 600+

      ¥0.1147
    • 5000+

      ¥0.1015
    • 10000+

      ¥0.0901
    • 20000+

      ¥0.084
  • 有货
  • 特性:沟槽功率低压MOSFET技术。 高功率和电流处理能力。应用:负载/电源开关。 接口
    • 20+

      ¥0.1764 ¥0.2205
    • 200+

      ¥0.13712 ¥0.1714
    • 600+

      ¥0.11528 ¥0.1441
    • 3000+

      ¥0.10216 ¥0.1277
    • 9000+

      ¥0.0908 ¥0.1135
    • 21000+

      ¥0.08472 ¥0.1059
  • 有货
  • 采用领先的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压,是保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。具有低电容,典型值为1.0pF,符合IEC61000-4-2(ESD)标准,空气放电±30kV,接触放电±30kV。采用无铅SOD-323封装。小尺寸、低电容和高ESD浪涌保护特性使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。
    • 20+

      ¥0.1778
    • 200+

      ¥0.1394
    • 600+

      ¥0.1181
    • 3000+

      ¥0.1053
    • 9000+

      ¥0.0943
    • 21000+

      ¥0.0883
  • 有货
  • SLCESD3V3D3旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和其他许多电路板空间宝贵的便携式应用。此外,由于其电容低,还适用于高速线路等高频设计。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1785
    • 200+

      ¥0.1401
    • 600+

      ¥0.1188
    • 3000+

      ¥0.1011
    • 9000+

      ¥0.09
    • 21000+

      ¥0.084
  • 有货
  • SLNC363T5V5UB旨在保护电压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中ESD保护的理想选择。
    • 10+

      ¥0.17874 ¥0.2979
    • 100+

      ¥0.1413 ¥0.2355
    • 300+

      ¥0.12258 ¥0.2043
    • 3000+

      ¥0.10854 ¥0.1809
    • 6000+

      ¥0.09732 ¥0.1622
    • 9000+

      ¥0.09168 ¥0.1528
  • 有货
  • 特性:适用于中功率放大和开关。 高电流增益
    • 20+

      ¥0.18824 ¥0.2353
    • 200+

      ¥0.14768 ¥0.1846
    • 600+

      ¥0.12512 ¥0.1564
    • 3000+

      ¥0.1116 ¥0.1395
    • 9000+

      ¥0.09984 ¥0.1248
    • 21000+

      ¥0.09352 ¥0.1169
  • 有货
  • SLPE SD 专为保护一条双向数据线免受静电放电 (ESD) 损坏而设计。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.18976 ¥0.2372
    • 200+

      ¥0.14888 ¥0.1861
    • 600+

      ¥0.12608 ¥0.1576
    • 5000+

      ¥0.11248 ¥0.1406
    • 10000+

      ¥0.10064 ¥0.1258
    • 20000+

      ¥0.09424 ¥0.1178
  • 有货
  • PPP(W) 350 VRWM(V) 5 VBR(V) 6 VC(V) 18 IPP(A) 17 IR(uA) 10 CJ(pF) 200
    数据手册
    • 20+

      ¥0.190855 ¥0.2009
    • 200+

      ¥0.1539 ¥0.162
    • 600+

      ¥0.13338 ¥0.1404
    • 3000+

      ¥0.114855 ¥0.1209
    • 9000+

      ¥0.104215 ¥0.1097
    • 21000+

      ¥0.09842 ¥0.1036
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料外壳材料具有UL阻燃等级94V-O
    数据手册
    • 10+

      ¥0.19386 ¥0.3231
    • 100+

      ¥0.15636 ¥0.2606
    • 300+

      ¥0.13764 ¥0.2294
    • 1800+

      ¥0.11052 ¥0.1842
    • 5400+

      ¥0.0993 ¥0.1655
    • 10800+

      ¥0.09366 ¥0.1561
    • 19800+

      ¥0.09252 ¥0.1542
    • 39600+

      ¥0.09174 ¥0.1529
  • 有货
  • 是用于高速接口静电放电保护的单片专用设备,适用于USB 2.0、以太网链路和视频线路等。极低的线路电容可确保高水平的信号完整性,同时保护敏感芯片免受最严格的静电放电冲击。
    • 20+

      ¥0.1953
    • 200+

      ¥0.1532
    • 600+

      ¥0.1298
    • 3000+

      ¥0.1157
    • 9000+

      ¥0.1036
    • 21000+

      ¥0.097
  • 有货
    • 20+

      ¥0.19624 ¥0.2453
    • 200+

      ¥0.15392 ¥0.1924
    • 600+

      ¥0.1304 ¥0.163
    • 3000+

      ¥0.11632 ¥0.1454
    • 9000+

      ¥0.10408 ¥0.1301
    • 21000+

      ¥0.09752 ¥0.1219
  • 有货
  • 特性:Trench Power MV MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:DC-DC转换器。 电源管理功能
    • 10+

      ¥0.20952 ¥0.2619
    • 100+

      ¥0.16688 ¥0.2086
    • 300+

      ¥0.1456 ¥0.182
    • 3000+

      ¥0.1296 ¥0.162
    • 6000+

      ¥0.1168 ¥0.146
    • 9000+

      ¥0.1104 ¥0.138
  • 有货
  • 特性:适用于开关和音频放大器应用。 推荐作为 PNP 晶体管 FMMT593 的互补类型
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2096 ¥0.262
    • 100+

      ¥0.16736 ¥0.2092
    • 300+

      ¥0.14624 ¥0.1828
    • 3000+

      ¥0.1224 ¥0.153
    • 6000+

      ¥0.10976 ¥0.1372
    • 9000+

      ¥0.10344 ¥0.1293
  • 有货
    • 20+

      ¥0.2181
    • 200+

      ¥0.1707
    • 600+

      ¥0.1444
  • 有货
  • SLESDLC3V0L4旨在保护电压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中ESD保护的理想选择。
    • 10+

      ¥0.2241 ¥0.3735
    • 100+

      ¥0.17712 ¥0.2952
    • 300+

      ¥0.15366 ¥0.2561
    • 3000+

      ¥0.13608 ¥0.2268
    • 6000+

      ¥0.12198 ¥0.2033
    • 9000+

      ¥0.11496 ¥0.1916
  • 有货
  • SLESDBL7V0D3系列专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。该系列专门用于保护连接到电源、数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    • 20+

      ¥0.2259
    • 200+

      ¥0.1768
    • 600+

      ¥0.1495
    • 3000+

      ¥0.1331
    • 9000+

      ¥0.1189
    • 21000+

      ¥0.1112
  • 有货
  • 特性:PWM应用。 负载开关。 电源管理
    数据手册
    • 10+

      ¥0.226575 ¥0.2385
    • 100+

      ¥0.17917 ¥0.1886
    • 300+

      ¥0.15542 ¥0.1636
    • 3000+

      ¥0.131765 ¥0.1387
    • 6000+

      ¥0.117515 ¥0.1237
    • 9000+

      ¥0.11039 ¥0.1162
  • 订货
  • 特性:适用于中功率放大和开关。 高电流增益
    • 20+

      ¥0.2297
    • 200+

      ¥0.1789
    • 600+

      ¥0.1507
    • 3000+

      ¥0.1338
    • 9000+

      ¥0.1191
    • 21000+

      ¥0.1113
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料外壳材料具有UL阻燃等级94V-O
    数据手册
    • 10+

      ¥0.22971 ¥0.2418
    • 100+

      ¥0.18411 ¥0.1938
    • 300+

      ¥0.16131 ¥0.1698
    • 1800+

      ¥0.14421 ¥0.1518
    • 5400+

      ¥0.130435 ¥0.1373
    • 10800+

      ¥0.123595 ¥0.1301
  • 有货
  • 特性:高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 出色的散热封装。应用:电源开关应用
    • 5+

      ¥0.23616 ¥0.3936
    • 50+

      ¥0.20736 ¥0.3456
    • 150+

      ¥0.19296 ¥0.3216
    • 500+

      ¥0.18216 ¥0.3036
    • 3000+

      ¥0.17352 ¥0.2892
    • 6000+

      ¥0.1692 ¥0.282
  • 有货
  • 场效应管
    • 10+

      ¥0.2406
    • 100+

      ¥0.1902
    • 300+

      ¥0.165
    • 3000+

      ¥0.1461
    • 6000+

      ¥0.131
    • 9000+

      ¥0.1234
  • 有货
    • 10+

      ¥0.2407
    • 100+

      ¥0.1917
    • 300+

      ¥0.1672
  • 有货
  • 硅外延平面晶体管
    • 10+

      ¥0.243
    • 100+

      ¥0.1936
    • 300+

      ¥0.1689
    • 3000+

      ¥0.1503
    • 6000+

      ¥0.1355
    • 9000+

      ¥0.1281
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料外壳材料具有UL阻燃等级94V-O
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2436
    • 200+

      ¥0.1939
    • 600+

      ¥0.1663
    • 1800+

      ¥0.1348
    • 10800+

      ¥0.1205
    • 19800+

      ¥0.1128
  • 有货
  • 类型 P VDSS(V) -12 ID@TC=25?C(A) -6 PD@TC=25?C(W) 1.2 VGS(V) ±8 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.5V 40
    数据手册
    • 10+

      ¥0.26672 ¥0.3334
    • 100+

      ¥0.21296 ¥0.2662
    • 300+

      ¥0.18608 ¥0.2326
    • 3000+

      ¥0.15584 ¥0.1948
    • 6000+

      ¥0.13968 ¥0.1746
    • 9000+

      ¥0.1316 ¥0.1645
  • 有货
  • 这款三输入与门专为1.65 V至5.5 V的VCC电源电压工作而设计。74LVC1G11器件具有一个三输入与门
    • 10+

      ¥0.28592 ¥0.3574
    • 100+

      ¥0.22608 ¥0.2826
    • 300+

      ¥0.19608 ¥0.2451
    • 3000+

      ¥0.1736 ¥0.217
    • 6000+

      ¥0.15568 ¥0.1946
    • 9000+

      ¥0.14664 ¥0.1833
  • 有货
  • GBLC03C系列是超低电容瞬态电压抑制器阵列,旨在保护便携式电子设备和智能手机等应用。该系列提供单向和双向两种配置,对于8/20μs波形的额定功率为350瓦。GBLC03C系列符合IEC 61000-4-2(静电放电)和IEC 61000-4-4(电快速瞬变脉冲群)要求。在更高的工作频率或更快的边沿速率下,插入损耗和信号完整性是主要关注点。该系列在微型SOD-323封装中提供超低电容和低漏电流。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.295925 ¥0.3115
    • 100+

      ¥0.236645 ¥0.2491
    • 300+

      ¥0.207005 ¥0.2179
    • 3000+

      ¥0.171855 ¥0.1809
    • 6000+

      ¥0.15409 ¥0.1622
    • 9000+

      ¥0.14516 ¥0.1528
  • 有货
  • SLPESD2 4VL2BT系列专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。该系列专门用于保护连接到电源、数据和传输线路的敏感元件,使其免受由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    • 10+

      ¥0.2979
    • 100+

      ¥0.2355
    • 300+

      ¥0.2043
    • 3000+

      ¥0.1809
    • 6000+

      ¥0.1622
    • 9000+

      ¥0.1528
  • 有货
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