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首页 > 热门关键词 > 维攀微二极管
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SMF05C是一款5V瞬态电压抑制(TVS)阵列,采用领先的单片硅技术,响应速度快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。SMF05C符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±30 kV,接触放电±30 kV。该器件采用6引脚无铅SOT363封装。低钳位电压阵列使其非常适合用于手机、个人数字助理(PDA)和笔记本电脑等便携式电子产品。
  • 5+

    ¥0.5223
  • 50+

    ¥0.4071
  • 150+

    ¥0.3495
  • 500+

    ¥0.3063
  • 3000+

    ¥0.2717
  • 6000+

    ¥0.2544
  • 有货
  • 特性:NPN通用型。 SOT-23封装
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0732
    • 500+

      ¥0.0574
    • 3000+

      ¥0.0469
    • 6000+

      ¥0.0416
    • 24000+

      ¥0.0371
    • 51000+

      ¥0.0346
  • 有货
  • 特性:与S9012互补。 出色的hFE线性度
    数据手册
    • 50+

      ¥0.077
    • 500+

      ¥0.0608
    • 3000+

      ¥0.0481
    • 6000+

      ¥0.0427
    • 24000+

      ¥0.0381
    • 51000+

      ¥0.0355
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与SS8050互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0781
    • 500+

      ¥0.0618
    • 3000+

      ¥0.0484
    • 6000+

      ¥0.0429
    • 24000+

      ¥0.0382
    • 51000+

      ¥0.0357
  • 有货
  • 特性:与MMBT5551互补。 适用于中功率放大和开关。 SOT-23封装
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0815
    • 500+

      ¥0.0637
    • 3000+

      ¥0.0486
    • 6000+

      ¥0.0426
    • 24000+

      ¥0.0375
    • 51000+

      ¥0.0347
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型(MMBT2222A)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0943
    • 500+

      ¥0.0754
    • 3000+

      ¥0.0603
    • 6000+

      ¥0.054
    • 24000+

      ¥0.0485
    • 51000+

      ¥0.0456
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型(MMBT2907A)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1067
    • 500+

      ¥0.0838
    • 3000+

      ¥0.0685
    • 6000+

      ¥0.0609
    • 24000+

      ¥0.0543
    • 51000+

      ¥0.0508
  • 有货
  • WTM2302采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1092
    • 500+

      ¥0.087
    • 3000+

      ¥0.0627
    • 6000+

      ¥0.0553
    • 24000+

      ¥0.0489
    • 51000+

      ¥0.0454
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 ESD等级:HBM 2000V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1538
    • 100+

      ¥0.1164
    • 300+

      ¥0.0956
    • 3000+

      ¥0.093
    • 6000+

      ¥0.0821
    • 9000+

      ¥0.0763
  • 有货
  • WPE0561D3旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,防止由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1738
    • 200+

      ¥0.1344
    • 600+

      ¥0.1125
    • 3000+

      ¥0.095
    • 9000+

      ¥0.0836
    • 21000+

      ¥0.0774
  • 有货
  • WTM2306采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1991
    • 200+

      ¥0.1527
    • 600+

      ¥0.1269
    • 3000+

      ¥0.111
    • 9000+

      ¥0.0976
    • 21000+

      ¥0.0903
  • 有货
  • SDXX系列专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、医疗设备等应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2065
    • 200+

      ¥0.1638
    • 600+

      ¥0.1401
    • 3000+

      ¥0.1125
    • 9000+

      ¥0.1001
    • 21000+

      ¥0.0935
  • 有货
  • 特性:峰值功耗:在10 x 1000 μs脉冲下为200W。 薄型封装。 出色的钳位能力。 玻璃钝化结。 快速响应时间:通常从0V到最小击穿电压小于1ns。 当最小击穿电压高于15V时,典型反向电流小于1μA。 IEC 61000-4-2 ESD防护:空气放电30kV,接触放电30kV。 符合IEC 61000-4-2标准的数据线路ESD保护。 符合IEC 61000-4-4标准的数据线路EFT保护
    • 10+

      ¥0.2406
    • 100+

      ¥0.1902
    • 300+

      ¥0.165
    • 3000+

      ¥0.1461
    • 6000+

      ¥0.131
    • 9000+

      ¥0.1234
  • 有货
  • 特性:峰值功耗:在10 x 1000 μs脉冲下为200W。 薄型封装。 出色的钳位能力。 玻璃钝化结。 快速响应时间:通常从0V到最小击穿电压小于1ns。 当最小击穿电压高于15V时,典型反向电流小于1μA。 IEC 61000-4-2 ESD防护:空气放电30kV,接触放电30kV。 符合IEC 61000-4-2标准的数据线路ESD保护。 符合IEC 61000-4-4标准的数据线路EFT保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2464
    • 100+

      ¥0.196
    • 300+

      ¥0.1708
    • 3000+

      ¥0.133
    • 6000+

      ¥0.1179
    • 9000+

      ¥0.1103
  • 有货
  • 特性:峰值功耗:在10 x 1000 μs脉冲下为200W。 薄型封装。 出色的钳位能力。 玻璃钝化结。 快速响应时间:通常从0V到最小击穿电压小于1ns。 当最小击穿电压高于15V时,典型反向电流小于1μA。 IEC 61000-4-2 ESD防护:空气放电30kV,接触放电30kV。 符合IEC 61000-4-2标准的数据线路ESD保护。 符合IEC 61000-4-4标准的数据线路EFT保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2609
    • 100+

      ¥0.2105
    • 300+

      ¥0.1853
    • 3000+

      ¥0.1461
    • 6000+

      ¥0.131
    • 9000+

      ¥0.1234
  • 有货
  • 0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4583
    • 100+

      ¥0.3623
    • 300+

      ¥0.3143
    • 3000+

      ¥0.2783
    • 6000+

      ¥0.2495
    • 9000+

      ¥0.235
  • 有货
  • 0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制
    数据手册
    • 5+

      ¥0.481
    • 50+

      ¥0.3803
    • 150+

      ¥0.3299
    • 500+

      ¥0.2921
    • 3000+

      ¥0.2619
    • 6000+

      ¥0.2467
  • 有货
  • 带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制
    • 5+

      ¥0.4902
    • 50+

      ¥0.3894
    • 150+

      ¥0.339
    • 500+

      ¥0.3012
  • 有货
  • WL9100系列是一款高压、微功耗、低压差稳压器。该器件可提供150mA的输出电流,压差为300mV,允许高达36V的输入电压。典型静态电流仅为1.5μA。该器件提供1.8、2.5、2.8、3.0、3.3、3.6、4.0、4.2、4.4和5.0V的固定输出电压。该器件具备集成的短路和热关断保护功能。虽然主要设计为固定电压稳压器,但该器件可与外部元件配合使用以获得可变电压。
    • 5+

      ¥0.5894
    • 50+

      ¥0.4597
    • 150+

      ¥0.3949
    • 500+

      ¥0.3463
    • 3000+

      ¥0.3074
    • 6000+

      ¥0.2879
  • 有货
  • 0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6009
    • 50+

      ¥0.4809
    • 150+

      ¥0.4209
    • 1000+

      ¥0.3226
    • 2000+

      ¥0.2866
    • 5000+

      ¥0.2686
  • 有货
  • 是一款高压、超低功耗、低压差稳压器。该器件可提供150mA输出电流,压差为300mV,并允许高达36V的输入电压。其典型静态电流仅为1.5µA。该器件提供1.8、2.5、2.8、3.0、3.3、3.6、4.0、4.2、4.4和5.0V的固定输出电压。该器件具有集成短路和热关断保护功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.635
    • 50+

      ¥0.5053
    • 150+

      ¥0.4405
    • 500+

      ¥0.3919
    • 3000+

      ¥0.3368
    • 6000+

      ¥0.3174
  • 有货
  • 1A输出 电压可调
    数据手册
    • 5+

      ¥0.751
    • 50+

      ¥0.6072
    • 150+

      ¥0.5353
    • 500+

      ¥0.4813
    • 2500+

      ¥0.3738
    • 5000+

      ¥0.3522
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片。 5000W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比)为 0.01%。 低泄漏。 单向和双向单元。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间
    数据手册
    • 1+

      ¥2.61
    • 10+

      ¥2.04
    • 30+

      ¥1.8
    • 100+

      ¥1.49
    • 500+

      ¥1.28
    • 1000+

      ¥1.2
  • 有货
  • N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 11A 功率(Pd): 78W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 380mΩ@10V,3.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@370uA
    • 1+

      ¥3.55
    • 10+

      ¥2.88
    • 30+

      ¥2.55
    • 100+

      ¥2.22
  • 有货
  • ESD9D5CB旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他电路板空间有限的便携式应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1424
    • 200+

      ¥0.1106
    • 600+

      ¥0.0929
    • 2000+

      ¥0.0822
    • 10000+

      ¥0.0675
    • 20000+

      ¥0.0626
  • 有货
  • WTM2301采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1569
    • 200+

      ¥0.1241
    • 600+

      ¥0.1058
    • 3000+

      ¥0.0866
    • 9000+

      ¥0.0771
    • 21000+

      ¥0.072
  • 有货
  • SDXXC旨在采用单片硅技术,替代手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中的多层压敏电阻(MLV),以实现快速响应时间和超低静电放电(ESD)钳位电压,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SDXXC符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,可承受±30 kV空气放电和±30 kV接触放电。SDXXC采用无铅SOD - 323封装,可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2323
    • 100+

      ¥0.1828
    • 300+

      ¥0.1581
    • 3000+

      ¥0.1304
    • 6000+

      ¥0.1156
    • 9000+

      ¥0.1082
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,提供优异的导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷,且栅极电压低至 1.8V。该器件适合用作负载开关或 PWM 应用。它具有 ESD 防护功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2324
    • 200+

      ¥0.1844
    • 600+

      ¥0.1604
  • 有货
  • 特性:峰值功耗:在10 x 1000 μs脉冲下为200W。 薄型封装。 出色的钳位能力。 玻璃钝化结。 快速响应时间:通常从0V到最小击穿电压小于1ns。 当最小击穿电压高于15V时,典型反向电流小于1μA。 IEC 61000-4-2 ESD防护:空气放电30kV,接触放电30kV。 符合IEC 61000-4-2标准的数据线路ESD保护。 符合IEC 61000-4-4标准的数据线路EFT保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2372
    • 100+

      ¥0.1868
    • 300+

      ¥0.1616
    • 3000+

      ¥0.133
    • 6000+

      ¥0.1179
    • 9000+

      ¥0.1103
  • 有货
  • 特性:峰值功耗:在10 x 1000 μs脉冲下为200W。 薄型封装。 出色的钳位能力。 玻璃钝化结。 快速响应时间:通常从0V到最小击穿电压小于1ns。 当最小击穿电压高于15V时,典型反向电流小于1μA。 IEC 61000-4-2 ESD防护:空气放电30kV,接触放电30kV。 符合IEC 61000-4-2标准的数据线路ESD保护。 符合IEC 61000-4-4标准的数据线路EFT保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2475
    • 100+

      ¥0.1971
    • 300+

      ¥0.1719
    • 3000+

      ¥0.134
    • 6000+

      ¥0.1189
    • 9000+

      ¥0.1113
  • 有货
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