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价格(含税)

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操作

带DSP和DP-FPU的高性能ARM Cortex-M7 MCU，具有2 MB Flash、1 MB RAM、480 MHz CPU、ART加速器、一级缓存、外部存储器接口和大量外设

型号：STM32H743VIT6 编号：C114409

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），以及DSP指令。高达2MB的闪存，支持边读边写。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护。高达168个具有中断能力的I/O端口

数据手册

1+
￥45
10+
￥39.51
30+
￥36
100+
￥32.6

有货

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带DSP和DP-FPU的高性能ARM Cortex-M7 MCU，具有2 MB Flash、1 MB RAM、480 MHz CPU、ART加速器、一级缓存、外部存储器接口和大量外设

型号：STM32H743IIT6 编号：C89597

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含先进的专利技术。32 位 Arm Cortex-M7 内核，带双精度 FPU 和 L1 缓存：16 Kbytes 数据缓存和 16 Kbytes 指令缓存；频率高达 480 MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。高达 2 Mbytes 的闪存，支持读写操作。高达 1 Mbyte 的 RAM：192 Kbytes 的 TCM RAM（包括 64 Kbytes 的 ITCM RAM + 128 Kbytes 的 DTCM RAM 用于时间关键程序），高达 864 Kbytes 的用户 SRAM，以及 4 Kbytes 的备份域 SRAM。双模式 Quad-SPI 内存接口，运行频率高达 133 MHz。灵活的外部内存控制器，高达 32 位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND 闪存，同步模式下时钟频率高达 100 MHz。CRC 计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护

数据手册

1+
￥43.64
10+
￥38.91
40+
￥35.88
80+
￥32.95

有货

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730V 8V~38V

型号：VIPER22ADIP-E 编号：C5318

封装：DIP-8

品牌：ST(意法半导体)

VIPer22A-E在同一硅芯片上将专用的电流模式PWM控制器与高压功率MOSFET集成在一起。典型应用包括电池充电器适配器的离线电源、电视或显示器的待机电源、电机控制的辅助电源等。内部控制电路具有以下优点：VDD引脚的宽输入电压范围可适应辅助电源电压的变化，此特性非常适合电池充电器适配器配置。在低负载条件下自动进入间歇模式。在HICCUP模式下提供过压保护。

数据手册

1+
￥3.27
10+
￥2.71
30+
￥2.31
100+
￥1.99
500+
￥1.89
1000+
￥1.82

有货

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600V 15mA

型号：BTA16-600BRG 编号：C9100

封装：TO-220AB

品牌：ST(意法半导体)

16A标准和Snubberless 三端双向可控硅

数据手册

1+
￥5.16
10+
￥4.31
50+
￥3.72
100+
￥3.22
500+
￥3.07
1200+
￥2.97

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1个N沟道耐压:100V 电流:110A 停产

型号：STB15810 编号：C620154

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关性能。

数据手册

1+
￥5.63
10+
￥4.91
30+
￥4.24
100+
￥3.73
500+
￥3.53
1000+
￥3.42

有货

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主流增强型ARM Cortex-M3 MCU，具有64 KB Flash、72 MHz CPU、电机控制、USB和CAN

型号：STM32F103C8T6TR 编号：C2969777

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

数据手册

1+
￥8.59
10+
￥7.42
30+
￥6.59
100+
￥5.82
500+
￥5.47
1000+
￥5.33

有货

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Flash, USB, CAN, 11 定时器, 3 ADC, 13 通信接口

型号：STM32F103RCT6TR 编号：C39704

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。存储器：256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM，具有4个片选的灵活静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC带校准，32 kHz振荡器用于RTC带校准。低功耗：睡眠、停止和待机模式，V_BAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器，2个12位D/A转换器。 DMA：12通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、DAC、SDIO、I²Ss、SPIs、I²C和USART

数据手册

1+
￥14.52
10+
￥12.66
30+
￥11.34
100+
￥9.86
500+
￥9.3
1000+
￥9.08

有货

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带DSP和FPU的高性能基本型系列ARM Cortex-M4 MCU，具有256 KB Flash、84 MHz CPU和ART加速器

型号：STM32F401RCT6 编号：C74524

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带批量采集模式（BAM）。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心：带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，内存保护单元，105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达64 KB的静态随机存取存储器（SRAM）。时钟、复位和电源管理：1.7V至3.6V应用电源和I/O，POR、PDR、PVD和BOR，4至26 MHz晶体振荡器，内部16 MHz工厂校准RC，带校准的32 kHz RTC振荡器，带校准的内部32 kHz RC

数据手册

1+
￥14.59
10+
￥12.56
30+
￥11.13
100+
￥9.82
500+
￥9.22
1000+
￥8.97

有货

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主流增强型ARM Cortex-M3 MCU，具有64 KB Flash、72 MHz CPU、电机控制、USB和CAN

型号：STM32F103T8U6 编号：C19671

封装：VFQFPN-36(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

数据手册

1+
￥18.82
10+
￥16.36
30+
￥14.87
100+
￥13.19
490+
￥12.59
980+
￥12.33

有货

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3.3V 1.3A 15V

型号：LD1117S33CTR 编号：C35879

封装：SOT-223-4

品牌：ST(意法半导体)

是一款低压降电压调节器，能够提供高达800 mA的输出电流，也有可调版本（VREF = 1.25V）。固定版本提供以下输出电压：1.2V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V和5.0V。采用SOT-223、DPAK、SO-8和TO-220封装。SOT-223和DPAK表面贴装封装优化了热特性，还节省了空间。NPN传输晶体管确保了高效率。

数据手册

5+
￥0.7094
50+
￥0.5618
150+
￥0.4858
500+
￥0.4233
2500+
￥0.4015
5000+
￥0.3867

有货

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VL53L0CXV0DH/1

型号：VL53L0CXV0DH/1 编号：C91199

封装：SMD-12P,4.4x2.4mm

品牌：ST(意法半导体)

世界上最小的飞行时间（ToF）测距传感器

数据手册

1+
￥15.29
10+
￥13.3
30+
￥11.89
100+
￥10.6
500+
￥10
1000+
￥9.77

有货

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主流增强型ARM Cortex-M3 MCU，具有128 KB Flash、72 MHz CPU、电机控制、USB和CAN

型号：STM32F103VBT6 编号：C8314

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

数据手册

1+
￥16.19
10+
￥14.13
30+
￥12.68
100+
￥10.23
500+
￥9.62
1000+
￥9.37

有货

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主流增强型ARM Cortex-M3 MCU，具有512 KB Flash、72 MHz CPU、电机控制、USB和CAN

型号：STM32F103ZET6 编号：C8287

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex™-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，带有4个片选，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电

数据手册

1+
￥37.51
10+
￥33.68
30+
￥31.22
100+
￥28.85

有货

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带DSP和DP-FPU的高性能ARM Cortex-M7 MCU，具有2 MB Flash、1 MB RAM、480 MHz CPU、ART加速器、一级缓存、外部存储器接口和大量外设

型号：STM32H743ZIT6 编号：C114408

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32-bit Arm Cortex-M7核心，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存，允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行；频率高达400MHz，具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，支持读时写。 1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。多达168个具有中断能力的I/O端口

数据手册

1+
￥52.19
10+
￥45.9
30+
￥41.87
100+
￥37.99

有货

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5V 1.5A 35V

型号：L7805CV 编号：C111887

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

该系列三端正电压调节器有TO-220、TO-220FP、D²PAK和DPAK封装，以及多种固定输出电压，适用于广泛的应用领域。这些调节器可提供板载本地调节，消除单点调节带来的分配问题。每种类型都内置了内部电流限制、热关断和安全区域保护，基本不会损坏。如果提供足够的散热，它们可以输出超过1A的电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件也可以与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

5+
￥1.3471
50+
￥1.0412
150+
￥0.8918
500+
￥0.7586
2000+
￥0.722
5000+
￥0.7

有货

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主流Arm Cortex-M0+ MCU，具有128 KB Flash存储器、36 KB RAM、64 MHz CPU、4x USART、定时器、ADC、DAC和通信接口，1.7-3.6V

型号：STM32G071GBU6 编号：C529347

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

数据手册

1+
￥11.14
10+
￥9.35
30+
￥8.22
100+
￥7.07
490+
￥6.55
980+
￥6.33

有货

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超低功耗平台，丰富模拟外设

型号：STM32L151C8T6A 编号：C95578

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65V 至 3.6V 电源。40°C 至 105°C 温度范围。0.28μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.11μA 待机模式 + RTC。0.44μA 停止模式（16 个唤醒线）

数据手册

1+
￥14.54
10+
￥12.25
30+
￥10.82
250+
￥9.34
500+
￥8.68
1000+
￥8.39

有货

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600V 80mA

型号：BTA41-600BRG 编号：C9103

封装：TOP-3

品牌：ST(意法半导体)

40A标准三端双向可控硅

数据手册

1+
￥21.4
10+
￥18.8
30+
￥17.48
90+
￥15.71
510+
￥15.07
1200+
￥14.8

有货

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带DSP和FPU的高性能高级系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash、180 MHz CPU、ART加速器、Chrom-ART加速器、TFT、带SDRAM的FMC和TFT

型号：STM32F429ZGT6 编号：C46525

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达 180 MHz，具备 MPU、225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。存储器：高达 2 MB 的闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行；高达 256 + 4 KB 的 SRAM，包括 64 KB 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；灵活的外部存储器控制器，具备高达 32 位数据总线，支持 SRAM、PSRAM、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND 存储器。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

数据手册

1+
￥29.38
30+
￥28.13

有货

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5V 1.5A 35V

型号：L7805ABD2T-TR 编号：C86206

封装：TO-263-2

品牌：ST(意法半导体)

该系列三端正电压调节器有 TO-220、TO-220FP、D²PAK 和 DPAK 封装以及几种固定输出电压，适用于广泛的应用领域。这些调节器可提供板载局部调节，消除了单点调节带来的分配问题。每种类型都内置了内部电流限制、热关断和安全区域保护，基本不会损坏。如果提供足够的散热，它们可以提供超过 1A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件也可以与外部组件一起使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

5+
￥1.5975
50+
￥1.2252
150+
￥1.0434
1000+
￥0.8813
2000+
￥0.8368
5000+
￥0.81

有货

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NPN 100V 5A

型号：TIP122 编号：C16283

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

互补功率达林顿晶体管

数据手册

5+
￥1.8564
50+
￥1.4276
150+
￥1.2183
500+
￥1.0316
2500+
￥0.9803
5000+
￥0.9495

有货

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256 Kbit 串行 I2C 总线 EEPROM

型号：M24256-BRMN6TP 编号：C79984

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.8804
50+
￥1.578
150+
￥1.4484
500+
￥1.2867
2500+
￥1.0813
5000+
￥1.038

有货

立即购买

8V~35V

型号：SG3525AP013TR 编号：C68323

封装：SOIC-16

品牌：ST(意法半导体)

SG3525A系列脉宽调制集成电路设计用于提高性能并减少外部元件数量,适用于各种开关电源设计。芯片具有8至35V的工作电压范围,5.1V的参考电压精度为±1%,振荡器频率范围为100Hz至500kHz,支持可调死区时间控制和内部软启动功能。

数据手册

1+
￥3.14
10+
￥2.6
30+
￥2.22
100+
￥1.91
500+
￥1.81
1000+
￥1.75

有货

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1 Mbit串行I²C总线EEPROM

型号：M24M01-RMN6TP 编号：C79990

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.88
30+
￥2.47
100+
￥2.13
500+
￥2.02
1000+
￥1.96

有货

立即购买

主流超值系列8位MCU，具有8 KB Flash、16 MHz CPU和集成EEPROM

型号：STM8S003K3T6C 编号：C27142

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz先进的STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。程序存储器：8 Kbytes Flash，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbytes。数据存储器：128 bytes的真实数据EEPROM，耐久性高达100000次写/擦除周期。 2.95至5.5V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC

数据手册

1+
￥5.32
10+
￥4.28
30+
￥3.76
250+
￥3.25
500+
￥2.94
1000+
￥2.79

有货

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超低功耗8位MCU，具有32 KB Flash、16 MHz CPU和集成EEPROM

型号：STM8L052C6T6TR 编号：C279570

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作条件:工作电源：1.8V至3.6V。温度范围：-40℃至85℃。低功耗特性:五种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带完整RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。功耗：195μA/MHz + 440μA。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停模式快速唤醒：4.7μs

数据手册

1+
￥7.11
10+
￥5.83
30+
￥5.12
100+
￥4.33
500+
￥3.98
1000+
￥3.82

有货

立即购买

主流基本型系列8位MCU，具有16 KB Flash、16 MHz CPU和集成EEPROM

型号：STM8S105K4T6C 编号：C8736

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz先进的STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，指令集扩展。中密度闪存/EEPROM：程序存储器高达32 Kbytes；在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年，数据存储器高达1 Kbytes真正的数据EEPROM，耐久性为300 kcycles。 RAM：高达2 Kbytes。 2.95V至5.5V工作电压。灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。带时钟监控的时钟安全系统

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主流ARM Cortex-M0超值系列MCU，具有256 KB Flash和48 MHz CPU

型号：STM32F030RCT6 编号：C81046

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理。数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V

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Arm Cortex-M4 32位MCU+FPU，多通信接口、定时器及ADC

型号：STM32F402RCT6 编号：C2915304

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F402XC器件基于高性能的Arm® Cortex® -M4 32位RISC内核，工作频率高达84 MHz。Cortex®-M4内核带有单精度浮点运算单元（FPU），支持所有ARM®单精度数据处理指令和数据类型。具备DSP指令集和增强应用安全的内存保护单元（MPU）。STM32F402xC器件整合了高速内置存储器，Flash存储器和SRAM的容量分别高达256K字节和64K字节，以及大量连至2条APB总线、2条AHB总线和1个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O与外设。所有器件均带有1个12位ADC、1个低功耗RTC、6个通用16位定时器（包括1个用于电机控制的PWM定时器）、2个通用32位定时器。它们还带有标准与高级通信接口：高达三个I2C高达四个SPI两个全双工I2S。为达到音频级的精度，I2S外设可通过专用内部音频PLL提供时钟，或使用外部时钟以实现同步。三个USARTSDIO接口USB 2.0 OTG全速接口。STM32F402xC器件的工作温度范围是 - 40至 + 85 ℃，供电电压范围是1.7（PDR OFF）至3.6 V。适合低功耗应用设计的一组完整的节电模式。

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主流互连型ARM Cortex-M3 MCU，具有128 KB Flash、72 MHz CPU、CAN和USB 2.0 OTG

型号：STM32F105RBT6 编号：C8349

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。存储器：64 至 256 Kbytes 的闪存，64 Kbytes 的通用 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），3 至 25 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC 带校准，32 kHz 振荡器用于 RTC 带校准。

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