意法半导体二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：M24M02-DRMN6TP 编号：C115042

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Mbit串行I2C总线EEPROM

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1+
￥6.39
10+
￥5.6
30+
￥4.86
100+
￥4.3
500+
￥4.08
1000+
￥3.96

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型号：STB15810 编号：C620154

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关性能。

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￥6.5
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￥5.37
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￥4.75
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￥4.06
500+
￥3.74
1000+
￥3.6

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型号：STM32G030K8T6 编号：C431631

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：Arm 32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃。存储器: 高达64 KB的带保护的闪存。 8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理: 电压范围：2.0 V至3.6 V

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1+
￥7.05
10+
￥5.8
30+
￥5.11
250+
￥4.34
500+
￥3.99
1000+
￥3.83

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型号：STM8L052C6T6TR 编号：C279570

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作条件:工作电源：1.8V至3.6V。温度范围：-40℃至85℃。低功耗特性:五种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带完整RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。功耗：195μA/MHz + 440μA。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停模式快速唤醒：4.7μs

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1+
￥7.99
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￥6.66
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￥5.93
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￥5.11
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￥4.74
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￥4.58

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型号：VL6180V1NR/1 编号：C2655167

封装：SMD-12P

品牌：ST(意法半导体)

飞行时间接近传感器

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￥10
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￥8.5
30+
￥7.56
100+
￥6.13
500+
￥5.69
1000+
￥5.51

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型号：STM32F051K8U6 编号：C72339

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。数字和I/O电源：VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源：VDDA = 从VDD到3.6V

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1+
￥10.44
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￥8.92
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￥7.97
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￥6.64
490+
￥6.2
980+
￥6.01

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型号：STM32F334R8T6 编号：C80577

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）的32位ARM Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，支持DSP指令。存储器：高达64 KB的闪存；高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM；4 KB带硬件奇偶校验的SRAM（CCM），用于指令和数据总线。 CRC计算单元。复位和电源管理：VDD、VDDA电压范围：2.0至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；为RTC和备份寄存器提供VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，可校准；内部8 MHz RC（通过PLL选项最高可达64 MHz）；内部40 kHz振荡器。多达51个快速I/O端口，均可映射到外部中断向量，部分可承受5 V电压。互连矩阵。 7通道DMA控制器

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1+
￥19.79
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￥16.81
30+
￥14.95
100+
￥13.04
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￥12.18
1000+
￥11.81

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型号：LIS2MDLTR 编号：C919695

封装：LGA-12(2x2)

品牌：ST(意法半导体)

磁传感器、数字输出、50高斯磁场动态范围、超低功耗、高性能、3轴磁力计

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1+
￥25.39
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￥21.9
30+
￥19.83
100+
￥17.74
500+
￥16.77
1000+
￥16.33

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型号：STM32U575VGT6 编号：C5270988

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

1+
￥32
10+
￥30.5
30+
￥28.03
90+
￥27.26

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型号：STM32F427ZGT6 编号：C117816

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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1+
￥38.24
10+
￥33.02
60+
￥29.84
120+
￥27.18

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型号：STM32F722RET6 编号：C118207

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位ARM Cortex M7 CPU，带FPU、自适应实时加速器和8KB数据缓存与8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达512KB的闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护）。 528字节的OTP内存。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据TCM RAM）+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM。灵活的外部存储器控制器，具备高达32位数据总线：支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。双模式Quad-SPI。时钟、复位和电源管理。 1.7V至3.6V应用电源和I/O

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1+
￥40.37
10+
￥34.83
30+
￥31.46
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￥28.63

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型号：STM32H743XIH6 编号：C114407

封装：TFBGA-265

品牌：ST(意法半导体)

特性：32-bit Arm Cortex-M7核心，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存，允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行；频率高达400MHz，具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，支持读时写。 1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。多达168个具有中断能力的I/O端口

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1+
￥81.48
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￥70.13
30+
￥64.98
100+
￥60

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型号：TL082IDT 编号：C107647

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

JFET输入，低输入偏置电流

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5+
￥0.7021
50+
￥0.5592
150+
￥0.4877
500+
￥0.3935
2500+
￥0.3506
5000+
￥0.3292

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型号：LM258ADT 编号：C80937

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

这些电路由两个独立的、高增益的、内部频率补偿的运放组成，专门设计用于在宽电压范围内从单一电源供电。低功耗电源汲取与电源电压幅值无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运放电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由标准 5 V 供电，该电压用于逻辑系统，并且可以轻松提供所需的接口电子设备，而无需额外的电源。在线性模式下，输入共模电压范围包括地，并且输出电压也可以摆动至地，即使仅从单一电源电压供电。

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5+
￥0.8256
50+
￥0.649
150+
￥0.5606
500+
￥0.4944
2500+
￥0.4414
5000+
￥0.4149

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型号：TL084CDT 编号：C11130

封装：SOIC-14

品牌：ST(意法半导体)

TL084、TL084A 和 TL084B 是高速 JFET 输入四通道运算放大器，集成了匹配良好的高电压 JFET 和双极型晶体管于单片集成电路中。这些器件具有高摆率、低输入偏置和失调电流以及低温漂失调电压的特点。

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5+
￥1.4032
50+
￥1.1194
150+
￥0.9977
500+
￥0.846
2500+
￥0.6376
5000+
￥0.597

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型号：STM8S001J3M3TR 编号：C124291

封装：SOIC-8-150mil

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，3个主时钟源

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1+
￥3.61
10+
￥2.87
30+
￥2.55
100+
￥2.15
500+
￥1.97
1000+
￥1.86

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型号：ST26C31BDR 编号：C94192

封装：SOIC-16

品牌：ST(意法半导体)

ST26C31B是一款四通道差分线驱动器，适用于平衡线上的数字数据传输，并满足EIA标准RS-422的所有要求。

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1+
￥3.87
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￥3.2
30+
￥2.91
100+
￥2.55
500+
￥2.39
1000+
￥2.3

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型号：STM32F030F4P6 编号：C32908

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量

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1+
￥6.43
10+
￥5.45
30+
￥4.76
100+
￥4.19
500+
￥4.01
1000+
￥3.9

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型号：STM8S103K3T6C 编号：C8309

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，具备扩展指令集。存储器:程序存储器：8 Kbytes Flash，在55℃下10 kycles后数据保留20年。数据存储器：640 bytes真数据EEPROM，耐久性300 kycles。RAM：1 Kbytes。时钟、复位和电源管理:2.95至5.5V工作电压。灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC

数据手册

1+
￥7.52
10+
￥6.24
30+
￥5.54
250+
￥4.43
500+
￥4.08
1000+
￥3.92

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型号：STM32L011F4U6TR 编号：C329283

封装：UFQFPN-20(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.29μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.54μA 停止模式 + RTC + 2KB RAM 保留

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1+
￥8.24
10+
￥7.3
30+
￥6.42
100+
￥5.21
500+
￥4.94
1000+
￥4.8

有货

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型号：STM8S207R8T6 编号：C8256

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心: -最大CPU频率：高达24 MHz，在CPU频率 ≤ 16 MHz时无等待状态。 -采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。 -扩展指令集。 -在24 MHz下最大20 MIPS。存储器: -程序：高达128 KB Flash，在56℃下经过10k周期后数据保留20年。 -数据：高达2 KB真正的数据EEPROM，耐久性300k周期

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1+
￥13.05
10+
￥11.12
30+
￥9.92
100+
￥8.68
500+
￥8.13
1000+
￥7.89

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型号：STM32L431CBT6 编号：C277951

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

数据手册

1+
￥16.8
10+
￥14.18
30+
￥12.54
250+
￥10.31
500+
￥9.56
1000+
￥9.23

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型号：LIS2DUX12TR 编号：C17548754

封装：LGA-12(2x2)

品牌：ST(意法半导体)

是一款智能数字 3 轴线性加速度计，其 MEMS 和 ASIC 专门设计用于将尽可能低的电源电流与始终开启的抗混叠滤波、有限状态机 (FSM) 和具有自适应自配置 (ASC) 的机器学习核心 (MLC) 等功能相结合。FSM 和具有 ASC 的 MLC 为其提供了出色的始终开启的边缘处理能力。MIPI I3C 从接口和嵌入式 128 级 FIFO 缓冲区完善了一系列特性，使其在物料清单、处理或功耗方面成为系统集成的参考。具有用户可选的满量程范围 ±2g / ±4g / ±8g / ±16g，能够以 1.6Hz 至 800Hz 的输出数据速率测量加速度

1+
￥18.12
10+
￥15.64
30+
￥14.08
100+
￥12.49
500+
￥11.77
1000+
￥11.46

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型号：STM32F205RET6 编号：C66278

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存执行零等待状态性能，具备MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达1 Mbyte的闪存；512字节的OTP存储器；高达128 + 4 Kbytes的SRAM；灵活的静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器；LCD并行接口，8080/6800模式。

数据手册

1+
￥29.13
10+
￥24.76
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￥21.49
100+
￥18.87
500+
￥17.66

有货

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型号：LM2903DT 编号：C98194

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

该器件由两个独立的低功耗电压比较器组成，专门设计用于在宽电压范围内由单电源供电运行。也可以采用双电源供电。此外，该器件具有一个独特的特性，即即使采用单电源电压供电，其输入共模电压范围也包含负电源轨。

数据手册

10+
￥0.4443
100+
￥0.3578
300+
￥0.3146
2500+
￥0.2821
5000+
￥0.2562
10000+
￥0.2432

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型号：LM239DT 编号：C99576

封装：SOIC-14

品牌：ST(意法半导体)

低功耗四电压比较器，工作温度：-40~105℃

数据手册

5+
￥1.0173
50+
￥0.8378
150+
￥0.7481
500+
￥0.6808
2500+
￥0.627
5000+
￥0.6

有货

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型号：LM2903YPT 编号：C163547

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

该器件由两个独立的低功耗电压比较器组成，专门设计用于低电压工作。也可采用分离电源供电。此外，该器件具有独特的特性，其输入共模电压范围包含负电源。

数据手册

5+
￥1.2638
50+
￥0.987
150+
￥0.8683
500+
￥0.7203
2500+
￥0.6544
4000+
￥0.6148

有货

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型号：TS321ILT 编号：C38380

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

TS321器件适用于对成本敏感且对节省空间要求极高的应用场景。这款双极运算放大器（运放）采用SOT23 - 5封装，减小了元件尺寸，其规格参数与行业标准器件（如广受欢迎的LM358A、LM324及其他类似器件）相当甚至更优。TS321器件的输入共模范围（Vicm）包含地电位，因此可用于单电源应用

数据手册

5+
￥1.3236
50+
￥1.0548
150+
￥0.9396
500+
￥0.7959
3000+
￥0.7319
6000+
￥0.6934

有货

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型号：TL074CDT 编号：C6963

封装：SOIC-14

品牌：ST(意法半导体)

JFET输入，低输入偏置电流

数据手册

5+
￥1.3571
50+
￥1.0699
150+
￥0.9468
500+
￥0.7933
2500+
￥0.7249
5000+
￥0.6839

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型号：LDK320AM33R 编号：C136156

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

是一款低压差电压调节器，可在2.5V至18V的输入电压范围内提供最大200mA的输出电流，典型压差为100mV。输出端使用陶瓷电容进行稳定。良好的动态特性，结合低压降和低静态电流，使其适用于低功耗电池供电应用。使能逻辑控制功能允许其在关机模式下消耗的总电流低于1μA。该器件还包括短路限流、热保护和安全工作区（SOA）保护。

数据手册

5+
￥1.6124
50+
￥1.2899
150+
￥1.1517
500+
￥0.9792
3000+
￥0.8261
6000+
￥0.78

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