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首页 > 热门关键词 > 意法半导体二极管
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操作
特性:超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40 至 125℃温度范围。0.27 μA 待机模式(2 个唤醒引脚)。0.4 μA 停止模式(16 个唤醒线)。0.8 μA 停止模式 + RTC + 8 KB RAM 保留
数据手册
  • 1+

    ¥10.92
  • 10+

    ¥9.23
  • 30+

    ¥8.18
  • 100+

    ¥6.86
  • 500+

    ¥6.38
  • 1000+

    ¥6.16
  • 有货
  • 特性:32-bit Arm Cortex-M7核心,带双精度FPU和L1缓存:16KB数据缓存和16KB指令缓存,允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行;频率高达400MHz,具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 高达2MB的闪存,支持读时写。 1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序),864KB的用户SRAM,以及4KB备份域中的SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口,运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器,具有高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。 多达168个具有中断能力的I/O端口
    数据手册
    • 1+

      ¥61.25
    • 10+

      ¥50.3
    • 30+

      ¥45.26
    • 100+

      ¥41.04
  • 有货
  • 4 Kbit串行I2C总线EEPROM
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    • 5+

      ¥0.6462
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      ¥0.4844
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      ¥0.4035
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      ¥0.3429
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      ¥0.2943
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      ¥0.27
  • 有货
  • 低功耗四电压比较器 ,工作温度:-40~105℃
    数据手册
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      ¥0.9386
    • 50+

      ¥0.7586
    • 150+

      ¥0.6686
    • 500+

      ¥0.6011
    • 2500+

      ¥0.5471
    • 5000+

      ¥0.52
  • 有货
  • TL084、TL084A 和 TL084B 是高速 JFET 输入四通道运算放大器,集成了匹配良好的高电压 JFET 和双极型晶体管于单片集成电路中。这些器件具有高摆率、低输入偏置和失调电流以及低温漂失调电压的特点。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1378
    • 50+

      ¥0.9059
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      ¥0.8065
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      ¥0.6826
    • 2500+

      ¥0.5124
    • 5000+

      ¥0.4792
  • 有货
  • TS321器件适用于对成本敏感且对节省空间要求极高的应用场景。这款双极运算放大器(运放)采用SOT23 - 5封装,减小了元件尺寸,其规格参数与行业标准器件(如广受欢迎的LM358A、LM324及其他类似器件)相当甚至更优。TS321器件的输入共模范围(Vicm)包含地电位,因此可用于单电源应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2215
    • 50+

      ¥0.9487
    • 150+

      ¥0.8318
    • 500+

      ¥0.6859
    • 3000+

      ¥0.621
    • 6000+

      ¥0.582
  • 有货
  • STWD100看门狗定时器电路是独立设备,可防止由某些类型的硬件错误(外设无响应、总线争用等)或软件错误(错误的代码跳转、代码陷入循环等)导致的系统故障。STWD100看门狗定时器有一个输入引脚WDl和一个输出引脚WDO(上划线)。该输入引脚用于在指定的超时时间twd内定期清零内部看门狗定时器
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1788
    • 50+

      ¥1.6782
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      ¥1.4338
    • 500+

      ¥1.2158
  • 有货
  • VIPer22A-E在同一硅芯片上将专用的电流模式PWM控制器与高压功率MOSFET集成在一起。典型应用包括电池充电器适配器的离线电源、电视或显示器的待机电源、电机控制的辅助电源等。内部控制电路具有以下优点:VDD引脚的宽输入电压范围可适应辅助电源电压的变化,此特性非常适合电池充电器适配器配置。在低负载条件下自动进入间歇模式。在HICCUP模式下提供过压保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.39
    • 10+

      ¥2.68
    • 30+

      ¥2.32
    • 100+

      ¥1.96
    • 500+

      ¥1.75
    • 1000+

      ¥1.64
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源:VDD = 2.4V至3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.74
    • 10+

      ¥4.81
    • 30+

      ¥4.15
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      ¥3.6
    • 500+

      ¥3.43
    • 1000+

      ¥3.33
  • 订货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃至 125℃温度范围。 0.23μA 待机模式(2 个唤醒引脚)。 0.35μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.6μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留
    数据手册
    • 1+

      ¥6.79
    • 10+

      ¥5.93
    • 30+

      ¥5.12
    • 100+

      ¥4.52
    • 490+

      ¥4.27
  • 有货
  • 特性:核心最大CPU频率:16 MHz。采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。扩展指令集。中密度闪存/EEPROM。程序存储器:32 KB闪存,在55℃下经过100个周期后数据保留20年。数据存储器:128字节真实数据EEPROM,耐久性高达100k次写入/擦除周期
    数据手册
    • 1+

      ¥7.35
    • 10+

      ¥6.16
    • 30+

      ¥5.5
    • 250+

      ¥4.76
    • 500+

      ¥4.43
    • 1000+

      ¥4.28
  • 有货
  • 超紧凑型压阻式绝对压力传感器、260-1260 hPa、数字输出气压计、全压塑、穿孔LGA封装(HLGA)
    数据手册
    • 1+

      ¥14.57
    • 10+

      ¥12.28
    • 30+

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    • 100+

      ¥9.37
    • 500+

      ¥8.71
    • 1000+

      ¥8.42
  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA,为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA,带RTC时为1.28μA
    数据手册
    • 1+

      ¥14.87
    • 10+

      ¥12.55
    • 30+

      ¥11.1
    • 250+

      ¥9.13
    • 500+

      ¥8.46
    • 1000+

      ¥8.17
  • 有货
  • 超低功耗,采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU
    • 1+

      ¥32
    • 10+

      ¥30.5
    • 30+

      ¥28.03
    • 90+

      ¥27.26
  • 有货
  • 特性:核心:采用带有FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU,具备自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存的零等待状态执行,频率高达170 MHz,具有213 DMIPS,配备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围:1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速。FMAC:滤波数学加速器。存储器:128 Kbytes闪存,支持ECC,具备专有代码读取保护(PCROP)和可安全存储区域,1 Kbyte OTP。22 Kbytes SRAM,前16 Kbytes实现硬件奇偶校验。程序加速:指令和数据总线上有10 Kbytes SRAM,具备硬件奇偶校验(CCM SRAM)。复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR/BOR)
    数据手册
    • 1+

      ¥35.21
    • 10+

      ¥30.06
    • 30+

      ¥26.93
    • 100+

      ¥23.18
  • 有货
  • 4 Kbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册
    • 5+

      ¥0.397
    • 50+

      ¥0.345
    • 150+

      ¥0.319
    • 500+

      ¥0.2995
    • 2500+

      ¥0.2839
    • 5000+

      ¥0.276
  • 有货
  • 该器件由两个独立的低功耗电压比较器组成,专门设计用于在宽电压范围内由单电源供电运行。也可以采用双电源供电。 此外,该器件具有一个独特的特性,即即使采用单电源电压供电,其输入共模电压范围也包含负电源轨。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3991
    • 100+

      ¥0.3126
    • 300+

      ¥0.2694
    • 2500+

      ¥0.237
    • 5000+

      ¥0.211
    • 10000+

      ¥0.198
  • 有货
  • 该器件由四个独立的精密电压比较器组成,专为在宽电压范围内使用单电源供电而设计,也可使用双电源供电。 这些比较器还具有一个独特的特性,即即使采用单电源供电,其输入共模电压范围也包含负电源轨。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7081
    • 50+

      ¥0.5569
    • 150+

      ¥0.4813
    • 500+

      ¥0.4246
    • 2500+

      ¥0.3792
    • 5000+

      ¥0.3565
  • 有货
  • 8 Kbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7962
    • 50+

      ¥0.6412
    • 150+

      ¥0.5637
    • 500+

      ¥0.5056
    • 2500+

      ¥0.4591
    • 5000+

      ¥0.4359
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源:VDD = 2.4V至3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.43
    • 10+

      ¥3.05
    • 30+

      ¥2.86
    • 250+

      ¥2.62
    • 500+

      ¥2.51
    • 1000+

      ¥2.46
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥6.35
    • 10+

      ¥5.14
    • 30+

      ¥4.54
    • 100+

      ¥3.75
    • 500+

      ¥3.39
    • 1000+

      ¥3.21
  • 有货
  • 特性:工作电源:1.8V 至 3.6V,温度范围:-40℃ 至 85℃。 低功耗特性: 5 种低功耗模式:等待、低功耗运行(5.9μA)、低功耗等待(3μA)、带完整 RTC 的活动暂停(1.4μA)、暂停(400nA)。 动态功耗:200μA/MHz + 330μA。 每个 I/O 的超低泄漏:50nA。 从暂停模式快速唤醒:4.7μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.29
    • 10+

      ¥5.95
    • 30+

      ¥5.21
    • 100+

      ¥4.38
    • 500+

      ¥4.01
    • 1000+

      ¥3.84
  • 有货
  • 特性:Dynamic Eficiency Line with BAM (Batch Acquisition Mode)-1.7V to 3.6V power supply - -40°C to 85/105/125°C temperature range。 核心:ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTm)允许从闪存零等待状态执行,频率高达 100 MHz,内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),和 DSP 指令。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.77
    • 10+

      ¥11.78
    • 30+

      ¥11.16
    • 100+

      ¥9.12
    • 500+

      ¥8.83
    • 1000+

      ¥8.71
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65V 至 3.6V 电源。40°C 至 105°C 温度范围。0.28μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。1.11μA 待机模式 + RTC。0.44μA 停止模式(16 个唤醒线)
    数据手册
    • 1+

      ¥16.55
    • 10+

      ¥13.95
    • 30+

      ¥12.32
    • 250+

      ¥10.66
    • 500+

      ¥9.91
    • 1000+

      ¥9.58
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上,带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥18.03
    • 10+

      ¥15.66
    • 30+

      ¥14.45
    • 250+

      ¥12.83
    • 500+

      ¥12.25
    • 1000+

      ¥12
  • 订货
  • 特性:核心:Arm 32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存的零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC为滤波器数学加速器。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.65
    • 10+

      ¥18.43
    • 30+

      ¥16.52
    • 100+

      ¥14.58
    • 500+

      ¥13.69
    • 1000+

      ¥13.29
  • 有货
  • 特性:动态效率线,带BAM(批量采集模式)内核:ARM 32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM),允许从闪存零等待状态执行,频率高达100 MHz,内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1 Mbyte闪存;256 Kbyte SRAM;灵活的外部静态存储器控制器,数据总线高达16位,支持SRAM、PSRAM、NOR闪存;双模式Quad-SPI接口;LCD并行接口,支持8080/6800模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.86
    • 10+

      ¥19.82
    • 30+

      ¥18.02
    • 100+

      ¥16.2
    • 500+

      ¥15.36
    • 1000+

      ¥14.98
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32位CPU,带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS(来自CCM)、DSP指令和MPU(内存保护单元)。 VDD、VDA电压范围:2.0V至3.6V。 高达512 Kbytes的闪存,64 Kbytes的SRAM,前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器:指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM,带硬件奇偶校验(CCM)。 用于静态存储器的灵活内存控制器(FSMC),带有四个片选。 CRC计算单元。 上电/掉电复位(POR/PDR)。 可编程电压检测器(PVD)
    数据手册
    • 1+

      ¥31.04
    • 10+

      ¥26.67
    • 30+

      ¥22.45
    • 100+

      ¥19.82
    • 500+

      ¥18.61
    • 1000+

      ¥18.07
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl:电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为300nA,为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA(5个唤醒引脚)。待机模式120nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。运行模式(LDO模式)100μA/MHz,运行模式(@3.3V SMPS模式)39μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥34.13
    • 10+

      ¥29.58
    • 30+

      ¥24.4
    • 100+

      ¥22.07
  • 有货
  • 特性:内核:带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器(ART加速器)、主频高达180MHz,MPU,能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)的性能,具有DSP指令集。 高达2MB Flash,组织为两个区,可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM,包括64-KB的CCM(内核耦合存储器)数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口,兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率,具有专用的Chrom-ART Accelerator,用于增强的图形内容创建(DMA2D)。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR
    数据手册
    • 1+

      ¥36.7
    • 10+

      ¥31.42
    • 60+

      ¥28.2
    • 120+

      ¥25.5
  • 有货
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