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首页 > 热门关键词 > 意法半导体二极管
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操作
3轴MEMS磁场传感器,数字输出,I2C/SPI,低功耗模式,高性能
数据手册
  • 1+

    ¥26.7
  • 10+

    ¥22.81
  • 30+

    ¥20.5
  • 100+

    ¥18.17
  • 500+

    ¥17.09
  • 1000+

    ¥16.6
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0 V 至 3.6 V。 内存:128 至 256 KB 的闪存;高达 40 KB 的 SRAM,前 16 KB 实现硬件奇偶校验。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5 V 容忍。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥20.09
    • 10+

      ¥17.08
    • 30+

      ¥15.3
    • 250+

      ¥13.49
    • 500+

      ¥12.65
    • 1000+

      ¥12.28
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,MPU,DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC滤波器数学加速器。 512 Kbytes闪存,支持ECC,双存储体可读写,专有代码读取保护(PCROP),可保护存储区域,1 Kbyte OTP。 96 Kbytes SRAM,前32 Kbytes有硬件奇偶校验。 常规增强器:指令和数据总线上32 Kbytes SRAM,有硬件奇偶校验(CCM SRAM)。 外部静态存储器接口FSMC,支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 四路SPI存储器接口
    数据手册
    • 1+

      ¥34.85
    • 10+

      ¥30.93
    • 30+

      ¥28.93
    • 100+

      ¥26.26
    • 500+

      ¥25.29
    • 1000+

      ¥24.89
  • 有货
  • JFET输入,低输入偏置电流
    数据手册
    • 5+

      ¥1.120835 ¥1.1555
    • 50+

      ¥0.779433 ¥0.8959
    • 150+

      ¥0.604219 ¥0.7847
    • 500+

      ¥0.497343 ¥0.6459
    • 2500+

      ¥0.449757 ¥0.5841
    • 5000+

      ¥0.42119 ¥0.547
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源:VDD = 2.4V至3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.67
    • 10+

      ¥3.87
    • 30+

      ¥3.31
    • 100+

      ¥2.84
  • 有货
  • N沟道,80V,110A,6.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.86
    • 10+

      ¥4
    • 50+

      ¥3.32
    • 100+

      ¥2.89
    • 500+

      ¥2.64
    • 1000+

      ¥2.5
  • 有货
  • iNEMO惯性模块:3D加速度计和3D陀螺仪
    数据手册
    • 1+

      ¥17.81
    • 10+

      ¥15.2
    • 30+

      ¥13.57
    • 100+

      ¥10.05
    • 500+

      ¥9.29
    • 1000+

      ¥8.97
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 存储器:64 至 256 Kbytes 的闪存,64 Kbytes 的通用 SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),3 至 25 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC 带校准,32 kHz 振荡器用于 RTC 带校准。
    数据手册
    • 1+

      ¥26.88
    • 10+

      ¥23.14
    • 30+

      ¥20.92
  • 有货
  • 带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 1 MB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、外设子集
    数据手册
    • 1+

      ¥40.08
    • 10+

      ¥35.36
    • 30+

      ¥32.34
    • 90+

      ¥29.42
  • 有货
  • JFET输入,低输入偏置电流
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7846
    • 50+

      ¥0.6103
    • 150+

      ¥0.5232
    • 500+

      ¥0.4085
    • 2500+

      ¥0.3562
    • 5000+

      ¥0.33
  • 有货
  • LM124、LM224和LM324由四个独立的高增益、内部频率补偿运算放大器组成。它们可在宽电压范围内采用单电源供电工作,也可以采用双电源供电,且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9085
    • 50+

      ¥0.7044
    • 150+

      ¥0.6169
    • 500+

      ¥0.5078
    • 2500+

      ¥0.4592
    • 5000+

      ¥0.43
  • 有货
  • 特性:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和3级流水线,扩展指令集。 程序存储器:8 Kbyte Flash,在55℃下10 kcycle后数据保留20年。 数据存储器:640 byte真数据EEPROM,耐久性300 kcycle。 RAM:1 Kbyte。 2.95至5.5V工作电压。 灵活的时钟控制,4种主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥5.43
    • 10+

      ¥4.36
    • 30+

      ¥3.82
    • 100+

      ¥3.17
    • 500+

      ¥2.86
    • 1000+

      ¥2.69
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.23μA 待机模式(2 个唤醒引脚)。 0.29μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.54μA 停止模式 + RTC + 2KB RAM 保留
    数据手册
    • 1+

      ¥6.4
    • 10+

      ¥5.81
    • 30+

      ¥5.49
    • 100+

      ¥4.59
    • 500+

      ¥4.43
    • 1000+

      ¥4.36
  • 有货
  • L5973D 是一款降压型单片式功率开关稳压器,其开关电流限制最小值为 2.5 A,因此根据应用条件,它能够向负载提供超过 2 A 的直流电流。输出电压可在 1.235 V 至 35 V 之间进行设置。得益于带有散热片的 SO8 封装,该器件还能实现高电流水平,这种封装可将热阻 Rth(j-amb) 降低至约 40℃/W
    数据手册
    • 1+

      ¥6.49
    • 10+

      ¥5.33
    • 30+

      ¥4.7
    • 100+

      ¥3.99
    • 500+

      ¥3.67
    • 1000+

      ¥3.52
  • 有货
  • 特性:核心:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和三级流水线,具备扩展指令集。存储器:程序存储器:8 Kbytes Flash,在55℃下10 kycles后数据保留20年。数据存储器:640 bytes真数据EEPROM,耐久性300 kycles。RAM:1 Kbytes。时钟、复位和电源管理:2.95至5.5V工作电压。灵活的时钟控制,4个主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥7.22
    • 10+

      ¥6
    • 30+

      ¥5.32
    • 250+

      ¥4.26
    • 500+

      ¥3.92
    • 1000+

      ¥3.77
  • 有货
  • 特性:16MHz 先进 STM8 内核,采用哈佛架构和 3 级流水线,指令集扩展。 程序存储器:高达 32 Kbyte Flash;在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器:高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM;耐久性 300 k 周期。 RAM:高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制,4 个主时钟源:低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥8.08
    • 10+

      ¥6.75
    • 30+

      ¥6.02
    • 250+

      ¥4.61
    • 500+

      ¥4.25
    • 1000+

      ¥4.08
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源:VDD = 2.4V至3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.53
    • 10+

      ¥8.75
    • 30+

      ¥7.78
    • 250+

      ¥6.68
    • 500+

      ¥6.19
    • 1000+

      ¥5.97
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式(3个唤醒引脚)。0.43 μA停止模式(16个唤醒线)。0.86 μA停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM保留
    数据手册
    • 1+

      ¥13.03
    • 10+

      ¥11.14
    • 30+

      ¥9.95
    • 100+

      ¥8.73
    • 500+

      ¥8.18
    • 1000+

      ¥7.94
  • 有货
  • LM193、LM293和LM393器件由两个独立的低压比较器组成,专门设计用于在宽电压范围内的单电源下工作,也可采用双电源供电。这些比较器还具有独特的特性,即使在单电源电压下工作,其输入共模电压范围也包含地电位。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3378
    • 50+

      ¥0.2977
    • 150+

      ¥0.2776
    • 500+

      ¥0.2626
  • 有货
  • 这些电路由两个独立的、高增益的、内部频率补偿的运放组成,专门设计用于在宽电压范围内从单一电源供电。低功耗电源汲取与电源电压幅值无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运放电路,现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如,这些电路可以直接由标准 5 V 供电,该电压用于逻辑系统,并且可以轻松提供所需的接口电子设备,而无需额外的电源。在线性模式下,输入共模电压范围包括地,并且输出电压也可以摆动至地,即使仅从单一电源电压供电。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5611
    • 50+

      ¥0.4449
    • 150+

      ¥0.3867
    • 500+

      ¥0.3431
    • 2500+

      ¥0.2792
    • 5000+

      ¥0.2618
  • 有货
  • 512 Kbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0889
    • 50+

      ¥1.6201
    • 150+

      ¥1.4193
    • 500+

      ¥1.1686
    • 2500+

      ¥1.057
    • 5000+

      ¥0.99
  • 有货
  • 特性:核心:Arm 32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40℃至85℃。 存储器: 高达64 KB的带保护的闪存。 8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理: 电压范围:2.0 V至3.6 V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.17
    • 10+

      ¥4.65
    • 30+

      ¥4.37
    • 250+

      ¥4.04
    • 500+

      ¥3.9
    • 1000+

      ¥3.83
  • 有货
  • 支持预热和调光的CFL/TL镇流器驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.38
    • 10+

      ¥4.83
    • 30+

      ¥4.53
    • 100+

      ¥4.19
    • 500+

      ¥4.03
    • 1000+

      ¥3.97
  • 有货
  • STM32F051X 系列集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32 位 RISC 内核,工作频率为 48 MHz,高速嵌入式存储器(闪存最高达 64 KB,SRAM 最高达 8 KB),以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备都提供标准通信接口(最多两个 I2C、两个 SPI、一个 I2S、一个 HDMI CEC 和最多两个 USART),一个 12 位 ADC,一个 12 位 DAC,最多五个通用 16 位定时器,一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F051X 系列的工作温度范围为 -40 至 +85 ℃ 和 -40 至 +105 ℃,电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F051X 系列包括四种不同封装的设备,从 32 引脚到 64 引脚不等。根据所选设备的不同,包含不同的外设组合。以下描述提供了该系列提供的完整外设概述。这些特性使得 STM32F051X 微控制器系列适用于广泛的应用领域,如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收机和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和 HVAC 等。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.14
    • 10+

      ¥8.34
    • 30+

      ¥7.36
    • 160+

      ¥6.24
    • 480+

      ¥5.75
    • 960+

      ¥5.52
  • 有货
  • STM32F051X 系列集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32 位 RISC 内核,工作频率为 48 MHz,高速嵌入式存储器(闪存最高达 64 KB,SRAM 最高达 8 KB),以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备都提供标准通信接口(最多两个 I2C、两个 SPI、一个 I2S、一个 HDMI CEC 和最多两个 USART),一个 12 位 ADC,一个 12 位 DAC,最多五个通用 16 位定时器,一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F051X 系列的工作温度范围为 -40 至 +85 ℃ 和 -40 至 +105 ℃,电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F051X 系列包括四种不同封装的设备,从 32 引脚到 64 引脚不等。根据所选设备的不同,包含不同的外设组合。以下描述提供了该系列提供的完整外设概述。这些特性使得 STM32F051X 微控制器系列适用于广泛的应用领域,如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收机和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和 HVAC 等。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.2
    • 10+

      ¥8.41
    • 30+

      ¥7.43
    • 250+

      ¥6.31
    • 500+

      ¥5.82
    • 1000+

      ¥5.6
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台,1.65V至3.6V电源,-40℃至125℃温度范围。 0.29μA待机模式(3个唤醒引脚)。 0.43μA停止模式(16个唤醒线)。 0.86μA停止模式+RTC+20KB RAM保留。 运行模式下低至93μA/MHz。 5μs唤醒时间(从闪存)
    数据手册
    • 1+

      ¥12.81
    • 10+

      ¥10.87
    • 30+

      ¥9.65
    • 250+

      ¥7.93
    • 500+

      ¥7.37
    • 1000+

      ¥7.12
  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA,为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA,带RTC时为1.28μA
    数据手册
    • 1+

      ¥13.19
    • 10+

      ¥11.42
    • 30+

      ¥10.17
  • 有货
  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达512KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥16.93
    • 10+

      ¥14.48
    • 30+

      ¥12.45
    • 160+

      ¥10.88
    • 480+

      ¥10.17
    • 960+

      ¥9.86
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上,带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥18.84
    • 10+

      ¥16.03
    • 30+

      ¥14.36
    • 100+

      ¥12.67
    • 500+

      ¥11.89
    • 1000+

      ¥11.54
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。32位Arm Cortex-M7内核,具有双精度FPU和L1缓存:16KB数据缓存和16KB指令缓存;频率高达480MHz,具备MPU,1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。高达2MB的闪存,支持读写操作。高达1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序),高达864KB的用户SRAM,以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口,运行速度高达133MHz。灵活的外部内存控制器,具有高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护
    数据手册
    • 1+

      ¥52.33
    • 10+

      ¥44.74
    • 30+

      ¥40.11
    • 100+

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