意法半导体二极管_厂家_价格_品牌_库存

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型号：SPDCPOE12 编号：C19548840

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

SPDCPOE12是一款专为以太网供电应用设计的电源模块，提供隔离的低电压电源。它符合IEEE802.3af标准，从以太网电缆中提取电源，并具有PD检测和分类功能。模块还包含输入二极管桥和EMI滤波器。

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型号：A2P75S12M3 编号：C5268136

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

ACEPACK 2 Sixpack拓扑，1200 V、75 A，沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC

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型号：STM32F103C8T6 编号：C8734

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O

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型号：STM8S003F3P6TR 编号：C52717

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器

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型号：LM358DT 编号：C9418

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

这些电路由两个独立的、高增益的、内部频率补偿的运放组成，专门设计用于在宽电压范围内从单一电源供电。低功耗电源汲取与电源电压幅值无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运放电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由标准 5 V 供电，该电压用于逻辑系统，并且可以轻松提供所需的接口电子设备，而无需额外的电源。在线性模式下，输入共模电压范围包括地，并且输出电压也可以摆动至地，即使仅从单一电源电压供电。

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型号：M24C64-RMN6TP 编号：C79988

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：STM32G030F6P6TR 编号：C529330

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32F030C8T6 编号：C23922

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量

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型号：STM32F103RCT6 编号：C8323

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。存储器：256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM，带有4个片选的灵活静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器，LCD并行接口，8080/6800模式。

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型号：LM2904DT 编号：C105411

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

该电路由两个独立的高增益运算放大器组成，内部实现了频率补偿。它们专为汽车和工业控制系统设计。该电路可在宽范围电压的单电源下工作。低电源电流消耗与电源电压大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统运算放大器电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由逻辑系统中使用的标准5V电源供电，并且无需任何额外电源即可轻松提供所需的电子接口。在线性模式下，即使在单电源下工作，输入共模电压范围也包括地，输出电压也可以摆幅到地。

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型号：LM258DT 编号：C75472

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

这些电路由两个独立的、高增益的、内部频率补偿的运放组成，专门设计用于在宽电压范围内从单一电源供电。低功耗电源汲取与电源电压幅值无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运放电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由标准 5 V 供电，该电压用于逻辑系统，并且可以轻松提供所需的接口电子设备，而无需额外的电源。在线性模式下，输入共模电压范围包括地，并且输出电压也可以摆动至地，即使仅从单一电源电压供电。

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型号：STM8S003F3U6TR 编号：C35556

封装：UFQFPN-20(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC

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￥2.74
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型号：STM8L051F3P6TR 编号：C18088

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作条件：工作电源：1.8V至3.6V。温度范围： -40℃至85℃。低功耗特性：5种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停模式快速唤醒：5μs。先进的STM8内核：哈佛架构和3级流水线

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型号：STM32F103CBT6 编号：C8304

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

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￥7.67
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型号：STM32F407VET6 编号：C28730

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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￥14.37

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型号：STM32F405RGT6 编号：C15742

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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型号：LIS2DH12TR 编号：C110926

封装：LGA-12(2x2)

品牌：ST(意法半导体)

3轴MEMS加速度计，超低功耗，±2g/±4g/±8g/±16g满量程，高速I2C/SPI数字输出，内置FIFO和高性能加速度传感器，VFLGA封装

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￥2.22
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￥2.04

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型号：STM8S005K6T6C 编号：C37925

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。中密度闪存/EEPROM：程序存储器为32 KB闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年；数据存储器为128字节真正的数据EEPROM，可承受高达100k次写/擦除周期。 RAM为2 KB。 2.95V至5.5V工作电压。灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调节的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。带时钟监控的时钟安全系统

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￥3.62
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￥2.84
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￥2.75

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型号：STM8S903K3T6CTR 编号：C8257

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz 先进的 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，扩展指令集。程序存储器：8 Kbytes Flash，在 55℃ 下 10 kycles 后数据保留 20 年。数据存储器：640 bytes 真正的数据 EEPROM，耐久性 300 kycles。 RAM：1 Kbytes。 2.95 至 5.5V 工作电压。灵活的时钟控制，4 种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的 16 MHz RC、内部低功耗 128 kHz RC

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￥4.01
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型号：STM32G030K6T6 编号：C529331

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

数据手册

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￥5.67
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型号：STM32G031G8U6 编号：C432211

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围：1.7 V至3.6 V

数据手册

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￥5.93
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型号：STM32G070CBT6 编号：C529338

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃。存储器：128 KB带保护的闪存；36 KB SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

数据手册

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型号：STM32G070RBT6 编号：C529340

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃。存储器：128 KB带保护的闪存；36 KB SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

数据手册

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￥7.9
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￥5.22
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￥4.79

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型号：STM32F103RBT6 编号：C8735

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

数据手册

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￥14.91
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￥10.38
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￥9.58

有货

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型号：STM32F103RET6 编号：C8322

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

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￥17.41
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￥11.31

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型号：STM32F407ZGT6 编号：C19156

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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￥30.97
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￥21.89
360+
￥20.87
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￥20.44

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型号：M24C02-RMN6TP 编号：C83836

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

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5+
￥0.5889
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￥0.4075
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￥0.3567

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型号：LIS3DHTR 编号：C15134

封装：LGA-16(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

3轴MEMS加速度计，超低功耗，±2g/±4g/±8g/±16g满量程，高速I2C/SPI数字输出，内置FIFO和高性能加速度传感器，LLGA 16 3x3x1.0封装

数据手册

1+
￥4.84
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￥3.46
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￥2.99
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￥2.84
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￥2.75

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型号：STM32G030F6P6 编号：C724040

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

数据手册

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￥4.99
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￥2.77

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型号：STM32F030R8T6 编号：C39105

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量

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