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首页 > 热门关键词 > 英飞凌二极管
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N沟道,55V,17A,65mΩ@10V
数据手册
  • 5+

    ¥1.5311
  • 50+

    ¥1.1883
  • 150+

    ¥1.0415
  • 500+

    ¥0.8582
  • 2000+

    ¥0.7855
  • 4000+

    ¥0.7365
  • 有货
  • N沟道,100V,10A,185mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.712
    • 50+

      ¥1.3783
    • 150+

      ¥1.2352
    • 500+

      ¥0.906395 ¥0.9541
    • 2000+

      ¥0.83087 ¥0.8746
    • 4000+

      ¥0.785555 ¥0.8269
  • 有货
  • MOS全桥
    数据手册
    • 1+

      ¥2.61
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.5675 ¥1.65
    • 500+

      ¥1.2825 ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.216 ¥1.28
  • 有货
  • N沟道 55V 3.1A
    数据手册
    • 1+

      ¥2.67
    • 10+

      ¥2.14
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.539 ¥1.62
    • 500+

      ¥1.3015 ¥1.37
    • 1000+

      ¥1.235 ¥1.3
  • 有货
  • N沟道,75V,75A,13mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.08
    • 10+

      ¥3.18
    • 50+

      ¥2.53
    • 100+

      ¥2.05
    • 500+

      ¥1.83
    • 1000+

      ¥1.7
  • 有货
  • IRS2186(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.1
    • 10+

      ¥3.28
    • 30+

      ¥2.87
    • 100+

      ¥2.46
    • 500+

      ¥2.22
    • 1000+

      ¥2.09
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行了优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤
    • 1+

      ¥4.9
    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.53
    • 100+

      ¥2.9165 ¥3.07
    • 500+

      ¥2.66 ¥2.8
    • 1000+

      ¥2.527 ¥2.66
  • 有货
  • 特性:N 沟道,标准电平。 出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥9.7
    • 10+

      ¥8.21
    • 30+

      ¥7.28
    • 100+

      ¥6.32
    • 500+

      ¥5.89
    • 1000+

      ¥5.7
  • 有货
  • N沟道,80V,100A,3.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥14.18
    • 10+

      ¥11.83
    • 30+

      ¥10.55
    • 100+

      ¥9.09
    • 500+

      ¥7.19
    • 1000+

      ¥6.9
  • 有货
  • 特性:N 通道。增强模式。AEC Q101 合格。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品(符合 RoHS)。100% 雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥20.18
    • 10+

      ¥17.29
    • 30+

      ¥15.49
    • 100+

      ¥13.64
    • 500+

      ¥12.8
    • 1000+

      ¥12.44
  • 有货
  • 特性:VDSS = 1200 V,TVj = 25℃。 IDDC = 55 A,Tc = 25℃。 RDSS(on) = 39 mΩ,VGS = 18 V,TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 短路耐受时间3 μs。 基准栅极阈值电压,VGDD(th) = 4.2 V。应用:通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥33.03
    • 10+

      ¥28.02
    • 30+

      ¥25.04
    • 90+

      ¥22.03
    • 510+

      ¥20.64
  • 有货
  • BFP420是一款基于接地发射极(SIEGET™)的低噪声器件,属于英飞凌成熟的第四代射频双极晶体管系列。其25 GHz的特征频率fₜ、高增益和低电流特性,使该器件适用于高达10 GHz的振荡器。它在保证易用性的同时,还具有成本竞争力
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6904
    • 50+

      ¥0.5536
    • 150+

      ¥0.4852
    • 500+

      ¥0.4339
    • 3000+

      ¥0.3312
    • 6000+

      ¥0.3107
  • 有货
  • 射频三极管 NPN
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2185
    • 50+

      ¥1.0802
    • 150+

      ¥1.021
    • 500+

      ¥0.947
    • 3000+

      ¥0.7198
    • 6000+

      ¥0.7
  • 有货
  • P沟道,-55V,-18A,110mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1865
    • 50+

      ¥1.6949
    • 150+

      ¥1.4842
    • 500+

      ¥1.2213
    • 2000+

      ¥1.1042
    • 4000+

      ¥1.034
  • 有货
  • N沟道,60V,50A,6.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.68
    • 10+

      ¥2.94
    • 30+

      ¥2.62
    • 100+

      ¥2.1185 ¥2.23
    • 500+

      ¥1.824 ¥1.92
    • 1000+

      ¥1.729 ¥1.82
  • 有货
  • IRS2104是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.78
    • 10+

      ¥3.05
    • 30+

      ¥2.74
    • 100+

      ¥2.34
    • 500+

      ¥1.71
    • 1000+

      ¥1.6
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了优化。 出色的栅极电荷×导通电阻(FOM)乘积。 卓越的热阻。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥4.2
    • 10+

      ¥3.42
    • 30+

      ¥3.03
    • 100+

      ¥2.65
    • 500+

      ¥2.41
    • 1000+

      ¥2.3
  • 有货
  • P沟道,-100V,-14A
    数据手册
    • 1+

      ¥4.28
    • 10+

      ¥3.39
    • 30+

      ¥3.01
    • 100+

      ¥2.54
    • 500+

      ¥2.02
    • 800+

      ¥1.89
  • 有货
  • N沟道,40V,250A,2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.63
    • 10+

      ¥3.77
    • 50+

      ¥3.34
    • 100+

      ¥2.91
    • 500+

      ¥2.65
    • 1000+

      ¥2.52
  • 有货
  • N沟道,55V,110A,8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.81
    • 10+

      ¥3.98
    • 30+

      ¥3.57
    • 100+

      ¥3.16
    • 500+

      ¥2.45
    • 800+

      ¥2.33
  • 有货
  • N沟道,30V,161A,4mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.91
    • 10+

      ¥3.92
    • 30+

      ¥3.42
    • 100+

      ¥2.93
    • 500+

      ¥2.64
    • 1000+

      ¥2.48
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥5.65
    • 10+

      ¥4.53
    • 30+

      ¥3.97
    • 100+

      ¥3.41
    • 500+

      ¥3.08
  • 有货
  • N沟道 200V 24A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.68
    • 10+

      ¥4.73
    • 30+

      ¥4.25
    • 100+

      ¥3.78
    • 500+

      ¥2.88
    • 1000+

      ¥2.74
  • 有货
  • 特性:非常低的栅极电荷,适用于高频应用。 为直流-直流转换进行优化。 N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥5.96
    • 10+

      ¥4.85
    • 30+

      ¥4.29
    • 100+

      ¥3.553 ¥3.74
    • 500+

      ¥3.2395 ¥3.41
    • 1000+

      ¥3.078 ¥3.24
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥6.12
    • 10+

      ¥4.97
    • 30+

      ¥4.4
    • 100+

      ¥3.6385 ¥3.83
    • 500+

      ¥3.3155 ¥3.49
    • 1000+

      ¥3.154 ¥3.32
  • 有货
  • IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本,它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比,IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同,从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V,抗噪性能得到了显著改善。最后,特别关注了最大化器件的抗闩锁能力,并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。
    • 1+

      ¥6.31
    • 10+

      ¥5.17
    • 30+

      ¥4.54
    • 100+

      ¥3.83
    • 500+

      ¥3.52
    • 1000+

      ¥3.37
  • 有货
  • N沟道,55V,110A,8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.32
    • 10+

      ¥5.28
    • 25+

      ¥3.91
    • 100+

      ¥3.39
    • 400+

      ¥3.08
    • 800+

      ¥2.92
  • 有货
  • IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.64
    • 10+

      ¥5.43
    • 30+

      ¥4.83
    • 100+

      ¥4.23
    • 500+

      ¥3.36
    • 1000+

      ¥3.18
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET,带有电荷泵、接地参考 CMOS 兼容输入和诊断反馈,采用 Smart SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.78
    • 10+

      ¥8.06
    • 30+

      ¥7.11
    • 100+

      ¥5.76
    • 500+

      ¥5.28
    • 1000+

      ¥5.07
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥11.32
    • 10+

      ¥9.66
    • 30+

      ¥8.63
    • 100+

      ¥7.56
    • 500+

      ¥7.08
    • 1000+

      ¥6.88
  • 有货
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