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N沟道,75V,75A,13mΩ@10V
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    ¥4.79
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    ¥3.93
  • 50+

    ¥3.22
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    ¥2.79
  • 500+

    ¥2.54
  • 1000+

    ¥2.4
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥5.58
    • 10+

      ¥4.56
    • 30+

      ¥4.05
    • 100+

      ¥3.54
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      ¥2.84
    • 1000+

      ¥2.69
  • 有货
  • IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.43
    • 10+

      ¥6.89
    • 30+

      ¥6.12
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      ¥5.35
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      ¥4.25
    • 1000+

      ¥4.02
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥12.37
    • 10+

      ¥10.6
    • 30+

      ¥9.5
    • 100+

      ¥8.37
    • 500+

      ¥7.85
    • 1000+

      ¥7.63
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关进行优化。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准进行MSL 1分类
    • 1+

      ¥17.43
    • 10+

      ¥15
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      ¥13.48
    • 100+

      ¥11.92
  • 有货
  • 特性:N 通道增强模式。 逻辑电平(额定 4.5V)。 雪崩额定。 根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅;符合 RoHS 标准,无卤素
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4551
    • 100+

      ¥0.3672
    • 300+

      ¥0.3233
    • 3000+

      ¥0.2904
    • 6000+

      ¥0.264
    • 9000+

      ¥0.2508
  • 有货
  • N沟道,100V,10A,185mΩ@10V
    数据手册
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      ¥2.1052
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    • 500+

      ¥1.16
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      ¥1.0609
    • 4000+

      ¥1.0014
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  • N沟道,50V,3A,130mΩ@10V
    数据手册
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      ¥2.96
    • 10+

      ¥2.37
    • 30+

      ¥2.12
    • 100+

      ¥1.8
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      ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.4
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  • N沟道,220V,18A,150mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.27
    • 10+

      ¥3.5
    • 30+

      ¥3.11
    • 100+

      ¥2.72
    • 500+

      ¥2.12
    • 800+

      ¥2
  • 有货
  • N沟道,100V,97A,9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.79
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    • 100+

      ¥2.57
    • 500+

      ¥2.31
    • 1200+

      ¥2.17
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  • P沟道,-100V,-40A,60mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.28
    • 10+

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      ¥4.12
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      ¥3.98
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  • N沟道,75V,130A,7.8mΩ@10V
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  • 这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏中的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术,以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量(EpuLsE)额定值。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力
    数据手册
    • 1+

      ¥6.44
    • 10+

      ¥5.28
    • 30+

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  • N沟道,60V,210A,3mΩ@10V
    数据手册
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    • 10+

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  • N沟道
    数据手册
    • 1+

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    • 10+

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    • 100+

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    • 500+

      ¥4.57
    • 1000+

      ¥4.4
  • 有货
  • IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.62
    • 10+

      ¥6.96
    • 30+

      ¥6.13
    • 100+

      ¥5.02
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      ¥4.53
    • 1000+

      ¥4.27
  • 有货
  • N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

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    • 1000+

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  • P沟道,30V,100A,3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥12.07
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    • 1000+

      ¥7.48
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  • 1ED020I12 - F2是一款采用PG - DSO - 16 - 15封装的单通道IGBT电流隔离驱动器,其输出电流能力典型值为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容,可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输
    数据手册
    • 1+

      ¥17.72
    • 10+

      ¥15.09
    • 30+

      ¥13.45
    • 100+

      ¥11.77
    • 500+

      ¥11.01
    • 1000+

      ¥10.68
  • 有货
  • BTT6200 - 4ESA是一款200 mΩ四通道智能高端功率开关,采用PG - TSDSO - 24封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成
    数据手册
    • 1+

      ¥29.63
    • 10+

      ¥26.7
    • 30+

      ¥24.95
    • 100+

      ¥23.19
    • 500+

      ¥22.37
    • 1000+

      ¥22
  • 有货
  • N沟道,100V,31A,39mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.39
    • 10+

      ¥2.7
    • 30+

      ¥2.4
    • 100+

      ¥2.03
    • 500+

      ¥1.86
    • 1000+

      ¥1.76
  • 有货
  • P沟道,-100V,-13A,-205mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.4
    • 10+

      ¥2.79
    • 30+

      ¥2.53
    • 100+

      ¥2.2
    • 500+

      ¥1.78
    • 1000+

      ¥1.7
  • 有货
  • N沟道,55V,3.8A,40mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.6
    • 10+

      ¥2.9
    • 30+

      ¥2.61
    • 100+

      ¥2.23
    • 500+

      ¥1.57
    • 1000+

      ¥1.47
  • 有货
  • 特性:N- 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准,无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥4.43
    • 10+

      ¥3.63
    • 30+

      ¥3.24
    • 100+

      ¥2.84
    • 500+

      ¥2.38
    • 1000+

      ¥2.25
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了优化。 出色的栅极电荷×导通电阻(FOM)乘积。 卓越的热阻。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥5.22
    • 10+

      ¥4.3
    • 30+

      ¥3.83
    • 100+

      ¥3.37
    • 500+

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  • N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.36
    • 10+

      ¥4.44
    • 30+

      ¥3.99
    • 100+

      ¥3.53
    • 500+

      ¥2.6
    • 1000+

      ¥2.46
  • 有货
  • P沟道,-100V,-14A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.54
    • 10+

      ¥4.39
    • 30+

      ¥3.9
    • 100+

      ¥3.28
    • 500+

      ¥2.61
    • 800+

      ¥2.44
  • 有货
  • 600V,三相桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.25
    • 10+

      ¥5.17
    • 30+

      ¥4.63
    • 100+

      ¥3.17
    • 500+

      ¥2.85
    • 1000+

      ¥2.68
  • 有货
  • N沟道,30V,161A,4mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.54
    • 10+

      ¥5.33
    • 30+

      ¥4.72
    • 100+

      ¥4.12
    • 500+

      ¥3.76
    • 1000+

      ¥3.58
  • 有货
  • 特性:N- 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 150℃工作温度。 无铅负载电镀,符合 R_D / R_S 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥8.25
    • 10+

      ¥6.87
    • 30+

      ¥6.11
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