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首页 > 热门关键词 > 英飞凌二极管
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该产品是智能高端功率开关,具备保护功能和诊断功能。
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  • 特性:N 通道。增强模式。AEC Q101 合格。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品(符合 RoHS)。100% 雪崩测试
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  • 有货
  • 特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用:能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器
    数据手册
    • 1+

      ¥75.69
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  • N沟道
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      ¥0.24
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  • N沟道,20V,4.1A,46mΩ@10V
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      ¥0.703
    • 6000+

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  • N沟道,55V,17A,75mΩ@10V
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    • 4000+

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  • 200V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • N沟道,55V,42A,27mΩ@10V
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  • 特性:优化用于同步整流。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道,逻辑电平。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤素。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    数据手册
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  • N沟道,55V,110A,8mΩ@10V
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  • 特性:针对同步整流进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    数据手册
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  • 特性:N 通道,正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。极低的导通电阻 RDS(on)。150℃工作温度。无铅镀铅;符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
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  • 特性:非常低的栅极电荷,适用于高频应用。 为直流-直流转换进行优化。 N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

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  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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      ¥3.53
    • 1000+

      ¥3.39
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

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      ¥4.1
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  • Vce=600V,Ic=20A,Vce(sat)=1.5V
    数据手册
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      ¥7.6
    • 30+

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      ¥4.97
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  • ICE3PCS01G 是一款用于有源功率因数校正转换器的 14 引脚宽输入范围控制 IC。它专为升压拓扑结构的转换器而设计,所需的外部元件极少。建议由外部辅助电源为其供电,该辅助电源可控制 IC 的开启和关闭
    数据手册
    • 1+

      ¥8.45
    • 10+

      ¥7.3
    • 30+

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      ¥5.96
    • 500+

      ¥5.64
    • 1000+

      ¥5.5
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵,接地参考的 CMOS 兼容输入,采用 Smart SIPMOS 技术单片集成,提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.25
    • 10+

      ¥8.51
    • 30+

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      ¥6.33
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      ¥5.85
    • 1000+

      ¥5.63
  • 有货
  • N沟道,80V,100A,3.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.33
    • 10+

      ¥9.46
    • 30+

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    • 100+

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    • 500+

      ¥5.75
    • 1000+

      ¥5.51
  • 有货
  • 特性:革命性的半导体材料:碳化硅。 针对反激拓扑进行优化。 12V/0V栅源电压,与大多数反激控制器兼容。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 完全可控的dV/dt,用于电磁干扰优化。应用:能源发电。 太阳能串式逆变器
    • 1+

      ¥19.23
    • 10+

      ¥16.55
    • 30+

      ¥14.95
    • 100+

      ¥12.09
    • 500+

      ¥11.35
    • 1000+

      ¥11.01
  • 有货
  • TLF35584 是一种多输出系统电源,适用于安全相关的应用,通过高效灵活的预/后稳压器概念,在宽输入电压范围内为微控制器、收发器和传感器提供5V或3.3V电压。宽范围的开关频率允许在效率和使用小型滤波元件方面进行优化。一个专用的参考稳压器独立于微控制器负载阶跃为ADC供电,并作为两个独立传感器电源的跟踪源。灵活的状态机、包括定时器在内的唤醒概念以及待机稳压器有利于其在多种应用中的使用。多种安全特性使其能够与各种HC一起轻松实现ASIL-D。TLF35584 可以采用支持自动光学检测的小型VQFN-48(QV版)封装,同时也有热增强的LQFP-64(QK版)封装可供选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.73
    • 10+

      ¥19.4
    • 30+

      ¥17.42
    • 100+

      ¥15.41
    • 500+

      ¥14.49
    • 1000+

      ¥14.07
  • 有货
  • N沟道,650V,47A,70mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥30.82
    • 10+

      ¥27
    • 30+

      ¥21.34
    • 90+

      ¥19.04
    • 480+

      ¥17.98
    • 960+

      ¥17.51
  • 有货
  • 特性:极低的开关损耗。 无阈值导通特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压。 完全可控的dv/dt。应用:能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器
    • 1+

      ¥37.46
    • 10+

      ¥32.22
    • 30+

      ¥29.11
    • 90+

      ¥25.96
    • 510+

      ¥24.51
    • 990+

      ¥23.85
  • 有货
    • 1+

      ¥48.32
    • 10+

      ¥41.86
    • 50+

      ¥36.02
    • 100+

      ¥32.72
  • 有货
  • 这些P沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件,可用于电池和负载管理应用。采用定制化引线框架的TSOP - 6封装所制造的HEXFET功率MOSFET,其导通电阻(RDS(on))比同等尺寸的SOT - 23封装低60%
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9425
    • 50+

      ¥0.9204
    • 150+

      ¥0.9056
    • 500+

      ¥0.8909
  • 有货
  • 是一款通用射频MOS功率开关,设计用于覆盖从0.05到6 GHz的广泛高功率应用,主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。芯片集成了片上CMOS逻辑,由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。与GaAs技术不同,仅当外部施加直流电压时,才需要在RF端口使用外部直流隔直电容。采用英飞凌专利的MOS技术制造,兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性,包括固有的更高ESD鲁棒性。尺寸非常小,仅为0.7×1.1 mm²,最大高度为0.31 mm。
    • 5+

      ¥1.8576
    • 50+

      ¥1.4561
    • 150+

      ¥1.284
    • 500+

      ¥1.0693
    • 2500+

      ¥0.9737
    • 5000+

      ¥0.9163
  • 有货
  • IRS2005是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥3
    • 10+

      ¥2.34
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.54
    • 1000+

      ¥1.45
  • 有货
  • N沟道 60V 43A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.8
    • 10+

      ¥3.12
    • 30+

      ¥2.78
    • 100+

      ¥2.44
    • 500+

      ¥1.78
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