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首页 > 热门关键词 > 英飞凌二极管
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N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
数据手册
  • 1+

    ¥4.41
  • 10+

    ¥3.66
  • 30+

    ¥3.14
  • 100+

    ¥2.7
  • 500+

    ¥2.57
  • 800+

    ¥2.48
  • 有货
  • N沟道,最大电流6.3A@VGS=4.5V,VDS=20V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6919
    • 50+

      ¥0.5407
    • 150+

      ¥0.4651
    • 500+

      ¥0.4084
    • 3000+

      ¥0.363
    • 6000+

      ¥0.3403
  • 有货
  • P沟道,55V ,11A,175mΩ
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4285
    • 50+

      ¥1.1146
    • 150+

      ¥0.9614
    • 500+

      ¥0.8247
    • 2000+

      ¥0.7283
    • 4000+

      ¥0.7058
  • 有货
  • N沟道,40V,90A,2.4mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.58
    • 10+

      ¥2.04
    • 30+

      ¥1.8
    • 100+

      ¥1.4345 ¥1.51
    • 500+

      ¥1.311 ¥1.38
    • 1000+

      ¥1.235 ¥1.3
  • 有货
  • 600V,单通道驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.45
    • 10+

      ¥4.54
    • 30+

      ¥3.89
    • 100+

      ¥3.36
    • 500+

      ¥3.19
    • 1000+

      ¥3.09
  • 有货
  • N沟道,200V,65A,25mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.31
    • 10+

      ¥8.8
    • 25+

      ¥7.85
    • 100+

      ¥6.536 ¥6.88
    • 500+

      ¥6.118 ¥6.44
    • 1000+

      ¥5.9375 ¥6.25
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。 雪崩额定。 逻辑电平。 dV/dt额定。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 5+

      ¥0.497
    • 50+

      ¥0.3906
    • 150+

      ¥0.3374
    • 500+

      ¥0.2975
    • 3000+

      ¥0.2656
    • 6000+

      ¥0.2496
  • 有货
  • 特性:4.5V VGS时极低的RDS(on)。 超低栅极阻抗。 完全表征的雪崩电压和电流。 无铅。 符合RoHS标准。应用:计算机处理器电源的高频同步降压转换器。 电信和工业用带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9476
    • 50+

      ¥0.7395
    • 150+

      ¥0.6503
    • 500+

      ¥0.52822 ¥0.539
    • 2000+

      ¥0.479612 ¥0.4894
    • 4000+

      ¥0.450506 ¥0.4597
  • 有货
  • 是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本,集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。比以前的IC提供更多功能且更易于使用。CT引脚设计了关断功能,可使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度相同,使启动时频率与时间的曲线更稳定。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt和将欠压锁定滞后增加到1V,显著提高了抗噪性。特别注重最大化器件的抗闩锁能力,并在所有引脚上提供全面的ESD保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.4
    • 10+

      ¥5.31
    • 30+

      ¥4.76
    • 100+

      ¥3.3345 ¥3.51
    • 500+

      ¥3.0305 ¥3.19
    • 1000+

      ¥2.869 ¥3.02
  • 有货
  • 汽车级智能高边开关(带诊断功能)
    数据手册
    • 1+

      ¥10.23
    • 10+

      ¥8.87
    • 30+

      ¥7.91
    • 100+

      ¥7.03
    • 500+

      ¥6.63
    • 1000+

      ¥6.46
  • 有货
  • N沟道,30V,5.3A,27mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6886
    • 50+

      ¥0.547
    • 150+

      ¥0.4762
    • 500+

      ¥0.401945 ¥0.4231
    • 3000+

      ¥0.36157 ¥0.3806
    • 6000+

      ¥0.341335 ¥0.3593
  • 有货
  • N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.82
    • 10+

      ¥3.27
    • 30+

      ¥2.88
    • 100+

      ¥2.4225 ¥2.55
    • 500+

      ¥1.8335 ¥1.93
    • 1000+

      ¥1.767 ¥1.86
  • 有货
  • IRS2092是一款带有PWM调制器和保护功能的高压、高性能D类音频放大器驱动器。结合两个外部MOSFET和少量外部元件,可实现一个完整的带保护功能的D类音频放大器。国际整流器公司(International Rectifier)的专有噪声隔离技术使大电流栅极驱动级和高速低噪声误差放大器能够集成在一块小型单硅芯片上
    数据手册
    • 1+

      ¥7.39
    • 10+

      ¥6.13
    • 30+

      ¥5.44
    • 100+

      ¥4.66
    • 500+

      ¥4.31
    • 1000+

      ¥4.15
  • 有货
  • 是一款小型化数字气压传感器,防水、防尘、防潮。具有高精度和低电流消耗的特点,能够测量压力和温度。压力传感器元件基于电容感应原理,可在温度变化时保证高精度。小尺寸封装使其适用于移动应用和可穿戴设备,且因其坚固性可在恶劣环境中使用。内部信号处理器将压力和温度传感器元件的输出转换为24位结果。每个单元都经过单独校准,校准系数存储在校准寄存器中,用于将测量结果转换为高精度的压力和温度值。结果FIFO最多可存储32个测量结果,可降低主处理器的轮询率。传感器测量值和校准系数可通过串行I²C或SPI接口获取,测量状态通过SDO引脚上的状态位或中断指示。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.8
    • 10+

      ¥17.78
    • 30+

      ¥15.98
    • 100+

      ¥13.49
    • 500+

      ¥12.65
    • 1000+

      ¥12.27
  • 有货
  • N沟道,40V,85A,2.4mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2682
    • 50+

      ¥1.7768
    • 150+

      ¥1.5662
    • 500+

      ¥1.3035
    • 2500+

      ¥1.1865
    • 4000+

      ¥1.1163
  • 有货
  • 特性:N- 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准,无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥4.42
    • 10+

      ¥3.63
    • 30+

      ¥3.23
    • 100+

      ¥2.6885 ¥2.83
    • 500+

      ¥2.2515 ¥2.37
    • 1000+

      ¥2.1375 ¥2.25
  • 有货
  • 特性:N- 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 150℃工作温度。 无铅负载电镀,符合 R_D / R_S 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥6.93
    • 10+

      ¥6.05
    • 30+

      ¥5.22
    • 100+

      ¥4.6
    • 500+

      ¥4.35
    • 1000+

      ¥4.22
  • 有货
  • 高电流 PN 半桥驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥16.26
    • 10+

      ¥13.64
    • 30+

      ¥12
    • 100+

      ¥10.32
    • 500+

      ¥9.56
    • 1000+

      ¥9.23
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET 与电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈集成在智能 SIPMOS 芯片上芯片技术中,提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.08
    • 10+

      ¥29.37
    • 30+

      ¥24.13
    • 100+

      ¥21.3
    • 500+

      ¥19.99
    • 1000+

      ¥19.4
  • 有货
  • N沟道,60V,2.7A,92mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8507
    • 50+

      ¥0.6966
    • 150+

      ¥0.6196
    • 500+

      ¥0.550564 ¥0.5618
    • 3000+

      ¥0.404152 ¥0.4124
    • 6000+

      ¥0.381514 ¥0.3893
  • 有货
  • 600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.2
    • 10+

      ¥2.5
    • 30+

      ¥2.16
    • 100+

      ¥1.7945 ¥1.85
    • 500+

      ¥1.5423 ¥1.59
    • 1000+

      ¥1.4938 ¥1.54
  • 有货
  • 特性:非常低的栅极电荷,适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥4.1
    • 10+

      ¥3.33
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.432 ¥2.56
    • 500+

      ¥2.2135 ¥2.33
    • 1000+

      ¥2.0995 ¥2.21
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥5.65
    • 10+

      ¥4.7
    • 30+

      ¥4.22
    • 100+

      ¥3.5625 ¥3.75
    • 500+

      ¥2.85 ¥3
    • 1000+

      ¥2.7075 ¥2.85
  • 有货
  • 特性:短路耐受时间:10μs。适用于1200V应用的第二代TrenchStop技术,提供非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。由于VCE(sat)的正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷。应用:变频器。不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥19.09
    • 10+

      ¥16.39
    • 30+

      ¥13.72
    • 90+

      ¥12.09
    • 480+

      ¥11.34
    • 960+

      ¥11
  • 有货
  • 特性:N沟道增强模式。逻辑电平(额定4.5V)。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。100%无铅;符合RoHS标准。根据IEC61249 2 21标准无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6795
    • 50+

      ¥0.5444
    • 150+

      ¥0.4769
    • 500+

      ¥0.364136 ¥0.3958
    • 3000+

      ¥0.326876 ¥0.3553
    • 6000+

      ¥0.3082 ¥0.335
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。 逻辑电平(额定4.5V)。 ESD保护。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6854
    • 50+

      ¥0.5429
    • 150+

      ¥0.4716
    • 500+

      ¥0.4182
    • 3000+

      ¥0.3324
    • 6000+

      ¥0.311
  • 有货
  • N沟道,200V,5A,600mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7718
    • 50+

      ¥1.4168
    • 150+

      ¥1.2647
    • 500+

      ¥0.888535 ¥0.9353
    • 2000+

      ¥0.80826 ¥0.8508
    • 4000+

      ¥0.76 ¥0.8
  • 有货
  • P沟道,-100V,-14A,200mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7915
    • 50+

      ¥1.407
    • 150+

      ¥1.2422
    • 500+

      ¥0.984675 ¥1.0365
    • 2000+

      ¥0.89775 ¥0.945
    • 5000+

      ¥0.8455 ¥0.89
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET,采用智能功率技术,通过嵌入式保护功能实现全面保护。是一款采用智能功率技术 (SPT) 的单片功率开关,具有逻辑电平输入、漏极开路 DMOS 输出级和集成保护功能,专为汽车和工业应用中的各种电阻性和电感性负载(继电器、螺线管)而设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.37
    • 10+

      ¥5.19
    • 30+

      ¥4.59
    • 100+

      ¥4
    • 500+

      ¥3.22
    • 1000+

      ¥3.04
  • 有货
  • 特性:N沟道,针对FOMoss进行优化。 极低导通电阻,可在175℃工作温度下使用。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 按照JEDC11标准进行认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥13.64
    • 10+

      ¥11.81
    • 50+

      ¥9.56
    • 100+

      ¥7.961 ¥8.38
    • 500+

      ¥7.4575 ¥7.85
    • 1000+

      ¥7.239 ¥7.62
  • 有货
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