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首页 > 热门关键词 > 英飞凌二极管
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N沟道,Vdss=100V,Ic=42A
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  • 1+

    ¥4.54
  • 10+

    ¥3.86
  • 25+

    ¥3.21
  • 100+

    ¥2.81
  • 400+

    ¥2.68
  • 800+

    ¥2.6
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅镀锡,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.58
    • 500+

      ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
  • N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.54
    • 10+

      ¥4.83
    • 25+

      ¥3.52
    • 100+

      ¥3.11
    • 400+

      ¥2.98
    • 800+

      ¥2.9
  • 有货
  • IRS2092是一款带有PWM调制器和保护功能的高压、高性能D类音频放大器驱动器。结合两个外部MOSFET和少量外部元件,可实现一个完整的带保护功能的D类音频放大器。国际整流器公司(International Rectifier)的专有噪声隔离技术使大电流栅极驱动级和高速低噪声误差放大器能够集成在一块小型单硅芯片上
    数据手册
    • 1+

      ¥8.24
    • 10+

      ¥6.98
    • 30+

      ¥6.29
    • 100+

      ¥5.51
    • 500+

      ¥5.16
    • 1000+

      ¥5
  • 有货
  • N沟道,200V,65A,25mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.81
    • 10+

      ¥9.21
    • 25+

      ¥8.2
    • 100+

      ¥7.17
    • 500+

      ¥6.71
    • 1000+

      ¥6.5
  • 有货
  • 是一款小型化数字气压传感器,防水、防尘、防潮。具有高精度和低电流消耗的特点,能够测量压力和温度。压力传感器元件基于电容感应原理,可在温度变化时保证高精度。小尺寸封装使其适用于移动应用和可穿戴设备,且因其坚固性可在恶劣环境中使用。内部信号处理器将压力和温度传感器元件的输出转换为24位结果。每个单元都经过单独校准,校准系数存储在校准寄存器中,用于将测量结果转换为高精度的压力和温度值。结果FIFO最多可存储32个测量结果,可降低主处理器的轮询率。传感器测量值和校准系数可通过串行I²C或SPI接口获取,测量状态通过SDO引脚上的状态位或中断指示。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.98
    • 10+

      ¥21.62
    • 30+

      ¥19.63
    • 100+

      ¥16.86
    • 500+

      ¥15.92
    • 1000+

      ¥15.5
  • 有货
  • N沟道,100V,9.4A,210mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7017
    • 50+

      ¥1.3394
    • 150+

      ¥1.1625
    • 500+

      ¥0.8894
    • 2000+

      ¥0.8461
    • 4000+

      ¥0.82
  • 有货
  • P沟道,-30V,-10A,20mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.51
    • 10+

      ¥1.99
    • 30+

      ¥1.73
    • 100+

      ¥1.51
    • 500+

      ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • 采用智能SIPMOS技术单片集成的、带电荷泵和电流控制输入的N沟道垂直功率MOSFET。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.72
    • 10+

      ¥4.65
    • 30+

      ¥4.12
    • 100+

      ¥3.59
    • 500+

      ¥3.27
    • 1000+

      ¥3.1
  • 有货
  • IRS20957S是一款高压、高速MOSFET驱动器,具有浮动PWM输入,专为D类音频放大器应用而设计。双向电流检测可在正负载电流和负负载电流期间检测过流情况,无需任何外部分流电阻。内置保护控制模块针对过流情况提供安全的保护序列和可编程复位定时器。内部死区时间生成模块可实现精确的栅极开关和最佳死区时间设置,以获得更好的音频性能,如更低的总谐波失真(THD)和更低的音频本底噪声。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.84
    • 10+

      ¥10.18
    • 30+

      ¥9.14
    • 100+

      ¥7.1
    • 500+

      ¥6.61
    • 1000+

      ¥6.4
  • 有货
  • N沟道,150V,171A,5.9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥13.03
    • 10+

      ¥11.66
    • 25+

      ¥9.71
    • 100+

      ¥8.83
    • 500+

      ¥8.42
    • 1000+

      ¥8.25
  • 有货
  • 高电流 PN 半桥驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥18.05
    • 10+

      ¥15.42
    • 30+

      ¥13.78
    • 100+

      ¥12.09
    • 500+

      ¥11.33
    • 1000+

      ¥11
  • 有货
  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.94
    • 10+

      ¥2.28
    • 30+

      ¥1.96
    • 100+

      ¥1.68
    • 500+

      ¥1.6
    • 1000+

      ¥1.55
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥7.37
    • 10+

      ¥6.26
    • 30+

      ¥5.64
    • 100+

      ¥4.95
    • 500+

      ¥4.64
    • 1000+

      ¥4.5
  • 有货
  • 汽车级智能高边开关(带诊断功能)
    数据手册
    • 1+

      ¥13.07
    • 10+

      ¥11.02
    • 30+

      ¥9.73
    • 100+

      ¥8.41
    • 500+

      ¥7.81
    • 1000+

      ¥7.55
  • 有货
  • 特性:短路耐受时间:10μs。适用于1200V应用的第二代TrenchStop技术,提供非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。由于VCE(sat)的正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷。应用:变频器。不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥19.27
    • 10+

      ¥16.54
    • 30+

      ¥13.88
    • 90+

      ¥12.14
    • 480+

      ¥11.35
    • 960+

      ¥11
  • 有货
  • N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.396
    • 50+

      ¥1.1335
    • 150+

      ¥1.0209
    • 500+

      ¥0.8805
    • 3000+

      ¥0.818
    • 6000+

      ¥0.7805
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。 逻辑电平(额定4.5V)。 ESD保护。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4681
    • 50+

      ¥1.2142
    • 150+

      ¥1.1054
    • 500+

      ¥0.9697
    • 3000+

      ¥0.8363
    • 6000+

      ¥0.8
  • 有货
  • N沟道,20V,4.2A,45mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6082
    • 10+

      ¥2.1796
    • 30+

      ¥1.996
    • 100+

      ¥1.7668
    • 500+

      ¥1.6648
    • 1000+

      ¥1.1
  • 有货
  • N沟道,150V,104A,11mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.34
    • 10+

      ¥5.27
    • 30+

      ¥4.73
    • 100+

      ¥3.39
    • 500+

      ¥3.07
    • 1000+

      ¥2.9
  • 有货
  • 角度传感器
    数据手册
    • 1+

      ¥12.82
    • 10+

      ¥10.88
    • 30+

      ¥9.66
    • 100+

      ¥8.41
    • 500+

      ¥7.85
    • 1000+

      ¥7.6
  • 有货
  • 采用电荷泵、接地参考且与CMOS兼容的输入以及诊断反馈的N沟道垂直功率MOSFET,通过智能SIPMOs技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.66
    • 10+

      ¥12.44
    • 30+

      ¥11.05
    • 100+

      ¥9.42
    • 500+

      ¥8.78
    • 1000+

      ¥8.5
  • 有货
  • 40A1200V 英飞凌IGBT,广泛应用于电磁炉,电机,电焊机行业。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.16
    • 10+

      ¥18.23
    • 30+

      ¥14.3
    • 90+

      ¥12.42
    • 480+

      ¥11.57
    • 960+

      ¥11.2
  • 有货
  • N沟道,240V,110mA,14Ω@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.606
    • 50+

      ¥0.5073
    • 150+

      ¥0.4579
    • 500+

      ¥0.4209
    • 3000+

      ¥0.3913
    • 6000+

      ¥0.3765
  • 有货
  • N沟道,最大电流6.3A@VGS=4.5V,VDS=20V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8115
    • 50+

      ¥0.6542
    • 150+

      ¥0.5756
    • 500+

      ¥0.5166
    • 3000+

      ¥0.4694
    • 6000+

      ¥0.4458
  • 有货
  • 特性:4.5V VGS时极低的RDS(on)。 超低栅极阻抗。 完全表征的雪崩电压和电流。 无铅。 符合RoHS标准。应用:计算机处理器电源的高频同步降压转换器。 电信和工业用带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0608
    • 50+

      ¥0.8429
    • 150+

      ¥0.7496
    • 500+

      ¥0.6331
    • 2000+

      ¥0.5812
    • 4000+

      ¥0.55
  • 有货
  • N沟道,40V,85A,2.4mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.7225
    • 10+

      ¥2.2437
    • 30+

      ¥2.0385
    • 100+

      ¥1.7825
    • 500+

      ¥1.6685
    • 800+

      ¥1.6
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥7.58
    • 10+

      ¥6.41
    • 30+

      ¥5.77
    • 100+

      ¥5.04
    • 500+

      ¥4.03
    • 1000+

      ¥3.88
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。 雪崩额定。 逻辑电平。 dV/dt额定。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5335
    • 50+

      ¥0.4271
    • 150+

      ¥0.3739
    • 500+

      ¥0.334
    • 3000+

      ¥0.3021
    • 6000+

      ¥0.2861
  • 有货
  • P沟道,-12V,-4.3A,50mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8168
    • 50+

      ¥0.6536
    • 150+

      ¥0.572
    • 500+

      ¥0.5108
    • 3000+

      ¥0.4618
    • 6000+

      ¥0.4373
  • 有货
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