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首页 > 热门关键词 > 英飞凌二极管
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N沟道,100V,1.6A,220mΩ@10V
数据手册
  • 5+

    ¥0.7695
  • 50+

    ¥0.6257
  • 150+

    ¥0.5537
  • 500+

    ¥0.47481 ¥0.4998
  • 3000+

    ¥0.371355 ¥0.3909
  • 6000+

    ¥0.350835 ¥0.3693
  • 有货
  • N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1591
    • 50+

      ¥1.7635
    • 150+

      ¥1.5939
    • 500+

      ¥1.073215 ¥1.1297
    • 2500+

      ¥0.983725 ¥1.0355
    • 4000+

      ¥0.929955 ¥0.9789
  • 有货
  • P沟道,-100V,-13A,-205mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.17
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.3
    • 100+

      ¥1.8715 ¥1.97
    • 500+

      ¥1.482 ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.3965 ¥1.47
  • 有货
  • N沟道,100V,97A,9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.79
    • 10+

      ¥3.89
    • 50+

      ¥3.02
    • 100+

      ¥2.5186 ¥2.57
    • 500+

      ¥2.2638 ¥2.31
    • 1200+

      ¥2.1266 ¥2.17
  • 有货
  • 采用电荷泵、接地参考且与CMOS兼容的输入以及诊断反馈的N沟道垂直功率MOSFET,通过智能SIPMOs技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.04
    • 10+

      ¥11.74
    • 30+

      ¥10.3
    • 100+

      ¥8.61
    • 500+

      ¥7.94
    • 1000+

      ¥7.65
  • 有货
  • BTT6030 - 2ERA是一款导通电阻为32 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成
    数据手册
    • 1+

      ¥18.75
    • 10+

      ¥15.86
    • 30+

      ¥14.05
    • 100+

      ¥12.2
    • 500+

      ¥11.37
    • 1000+

      ¥11
  • 有货
  • 40A1200V 英飞凌IGBT,广泛应用于电磁炉,电机,电焊机行业。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.5
    • 10+

      ¥16.99
    • 30+

      ¥13.65
    • 90+

      ¥12.04
    • 480+

      ¥11.32
    • 960+

      ¥11
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 10+

      ¥0.5018
    • 100+

      ¥0.4048
    • 300+

      ¥0.3564
    • 3000+

      ¥0.246905 ¥0.2599
    • 6000+

      ¥0.21926 ¥0.2308
    • 9000+

      ¥0.20539 ¥0.2162
  • 有货
  • P沟道,-30V,-3A,98mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7692
    • 50+

      ¥0.6112
    • 150+

      ¥0.5322
    • 500+

      ¥0.44935 ¥0.473
    • 3000+

      ¥0.40432 ¥0.4256
    • 6000+

      ¥0.381805 ¥0.4019
  • 有货
  • N沟道,100V,17A,90mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3073
    • 50+

      ¥1.7953
    • 150+

      ¥1.5919
    • 500+

      ¥1.27129 ¥1.3382
    • 2000+

      ¥1.16394 ¥1.2252
    • 5000+

      ¥1.09953 ¥1.1574
  • 有货
  • BTT6050 - 2ERA是一款导通电阻为50 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - TDSO - 14露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成
    • 1+

      ¥17.07
    • 10+

      ¥14.4
    • 30+

      ¥12.73
    • 100+

      ¥11.01
    • 500+

      ¥10.24
    • 1000+

      ¥9.9
  • 有货
  • 英飞凌智能高边开关
    数据手册
    • 1+

      ¥20.49
    • 10+

      ¥17.62
    • 30+

      ¥15.83
    • 100+

      ¥12.69
    • 500+

      ¥11.86
    • 1000+

      ¥11.5
  • 有货
  • 是一款通用射频MOS功率开关,设计用于覆盖从0.05到6 GHz的广泛高功率应用,主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。芯片集成了片上CMOS逻辑,由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。与GaAs技术不同,仅当外部施加直流电压时,才需要在RF端口使用外部直流隔直电容。采用英飞凌专利的MOS技术制造,兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性,包括固有的更高ESD鲁棒性。尺寸非常小,仅为0.7×1.1 mm²,最大高度为0.31 mm。
    • 5+

      ¥1.7983
    • 50+

      ¥1.3967
    • 150+

      ¥1.2246
    • 500+

      ¥0.989702 ¥1.0099
    • 2500+

      ¥0.896014 ¥0.9143
    • 5000+

      ¥0.839762 ¥0.8569
  • 有货
  • N沟道,30V,18A,4.8mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0211
    • 50+

      ¥1.5842
    • 150+

      ¥1.397
    • 500+

      ¥1.10523 ¥1.1634
    • 2500+

      ¥1.006335 ¥1.0593
    • 4000+

      ¥0.947055 ¥0.9969
  • 有货
  • N沟道,80V,100A,5.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.5
    • 30+

      ¥3.13
    • 100+

      ¥2.622 ¥2.76
    • 500+

      ¥2.147 ¥2.26
    • 1000+

      ¥2.0425 ¥2.15
  • 有货
  • 600V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.53
    • 10+

      ¥4.52
    • 30+

      ¥4.02
    • 100+

      ¥3.52
    • 500+

      ¥2.69
    • 1000+

      ¥2.54
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥6.69
    • 10+

      ¥5.57
    • 30+

      ¥4.95
    • 100+

      ¥4.26
    • 500+

      ¥3.95
    • 1000+

      ¥3.81
  • 有货
  • N沟道,100V,8.8A,16mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.87
    • 10+

      ¥5.66
    • 30+

      ¥5.05
    • 100+

      ¥4.2275 ¥4.45
    • 500+

      ¥3.496 ¥3.68
    • 1000+

      ¥3.325 ¥3.5
  • 有货
  • Vce=600V,Ic=20A,Vce(sat)=1.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.37
    • 10+

      ¥7.69
    • 30+

      ¥5.75
    • 90+

      ¥5.0635 ¥5.33
    • 510+

      ¥4.8925 ¥5.15
    • 990+

      ¥4.807 ¥5.06
  • 有货
  • 采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),集成于智能SIPMOS芯片堆叠技术中,具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.12
    • 10+

      ¥15.22
    • 30+

      ¥13.4
    • 100+

      ¥11.55
    • 500+

      ¥10.71
    • 1000+

      ¥10.34
  • 有货
  • 采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),集成于智能SIPMOS芯片上芯片技术中,具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥28.25
    • 10+

      ¥24.11
    • 30+

      ¥21.66
    • 100+

      ¥19.17
    • 500+

      ¥18.02
    • 1000+

      ¥17.5
  • 有货
  • N沟道,30V,5A,29mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4271
    • 50+

      ¥1.1365
    • 150+

      ¥1.0119
    • 500+

      ¥0.8565
    • 3000+

      ¥0.6616
    • 6000+

      ¥0.62
  • 有货
  • P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.16
    • 50+

      ¥2.42
    • 100+

      ¥1.976 ¥2.08
    • 500+

      ¥1.786 ¥1.88
    • 1000+

      ¥1.691 ¥1.78
  • 有货
  • 特性:优化用于同步整流。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道,逻辑电平。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤素。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥4.11
    • 10+

      ¥3.34
    • 30+

      ¥2.95
    • 100+

      ¥2.432 ¥2.56
    • 500+

      ¥2.2135 ¥2.33
    • 1000+

      ¥2.0995 ¥2.21
  • 有货
  • P沟道,-100V,-40A,60mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.17
    • 10+

      ¥4.64
    • 50+

      ¥4.35
    • 100+

      ¥4.02
    • 500+

      ¥3.87
    • 1000+

      ¥3.8
  • 有货
  • N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.39
    • 10+

      ¥4.37
    • 30+

      ¥3.85
    • 100+

      ¥3.35
    • 500+

      ¥3.04
    • 1000+

      ¥2.88
  • 有货
  • 双N沟道,60V,8A,17.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.55
    • 10+

      ¥4.56
    • 30+

      ¥4.06
    • 100+

      ¥3.56
    • 500+

      ¥2.73
    • 1000+

      ¥2.58
  • 有货
  • N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.91
    • 10+

      ¥5.82
    • 30+

      ¥5.23
    • 100+

      ¥4.12
    • 500+

      ¥3.83
    • 1000+

      ¥3.69
  • 有货
  • 特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用:能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器
    数据手册
    • 1+

      ¥40.08
    • 10+

      ¥34.16
    • 30+

      ¥30.55
    • 90+

      ¥27.52
  • 有货
  • P沟道,30V,3.6A,64mΩ@3.6A,10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6138
    • 50+

      ¥0.4784
    • 150+

      ¥0.4107
    • 500+

      ¥0.36
    • 3000+

      ¥0.3193
    • 6000+

      ¥0.299
  • 有货
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