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首页 > 热门关键词 > 英飞凌二极管
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PVG612系列光电继电器是一种单极常开固态继电器,可以在许多应用中替代机电继电器。它采用国际整流器公司的专有HEXFET功率MOSFET作为输出开关,并由一种新型结构的集成电路光伏发电机驱动。输出开关由一个GaAlAs发光二极管(LED)发出的辐射控制,该LED与光伏发电机光学隔离。这些装置在工作寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场不敏感和坚固性方面超过了机电继电器的性能能力。紧凑型PVG612特别适合于从12到48伏交流或直流电源的高电流隔离切换。PVG612系列继电器采用6引脚模塑DIP封装,具有通孔或表面贴装(鸥翼形)端子。它以标准塑料运输管或卷带包装形式提供。
数据手册
  • 1+

    ¥76.34
  • 10+

    ¥66.12
  • 30+

    ¥59.9
  • 100+

    ¥54.68
  • 订货
  • 特性:- VDSS = 2000 V 在 TVj = 25℃时。IDCC = 26 A 在 Tc = 25℃时。RDS(on) = 100 mΩ 在 VGS = 18 V,TVj = 25℃时。极低的开关损耗。基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V。用于硬换相的坚固体二极管。应用:串式逆变器。 太阳能功率优化器
    • 1+

      ¥86.97
    • 10+

      ¥83.93
  • 订货
  • 特性:VCE = 1200 V。 IC = 50 A。 最高结温 Tvjmax = 175°C。 同类最佳的高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25°C时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥104.63
    • 10+

      ¥101.52
  • 订货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 10+

      ¥4.2714
    • 100+

      ¥4.1132
    • 200+

      ¥3.7968
    • 1000+

      ¥3.6386
    • 2000+

      ¥3.4804
    特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用:太阳能转换器。不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥15.16
    • 10+

      ¥14.84
    • 30+

      ¥14.62
    • 100+

      ¥13.72
  • 订货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 全面表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥10.283
    • 50+

      ¥9.492
    • 100+

      ¥9.0965
    • 500+

      ¥8.8592
    • 1000+

      ¥8.701
    光伏隔离器接收直流输入信号时会产生电隔离的直流电压,能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。采用新型单片集成电路光伏发生器作为输出。输出由GaAlAs发光二极管(LED)的辐射控制,该二极管与光伏发生器进行光隔离。适用于需要大电流和/或高压开关的应用,在低电平驱动电路与高能量或高压负载电路之间实现光隔离。可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。双通道器件允许其输出驱动独立的分立功率MOSFET,或并联或串联连接,为功率MOSFET提供更高的电流驱动,或为IGBT提供更高的电压驱动。采用快速关断电路。采用8引脚模制DIP封装,有通孔或表面贴装(鸥翼式)引脚,采用塑料运输管包装。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.12
    • 10+

      ¥30.95
    • 30+

      ¥27.87
    • 100+

      ¥24.76
    • 500+

      ¥23.33
    • 1000+

      ¥22.68
  • 订货
  • IRS254(01/11)系列是由高压、高频降压调节器控制IC组成的,适用于AC-DC离线、非隔离应用,这些应用需要多个发光二极管(LED)电路或需要DC-DC混色功能。应用包括室内和室外标识以及建筑、娱乐、设计和装饰照明。该系列的工作电压为200V或600V,采用连续模式、延时迟滞降压调节器,利用精确的片上带隙电压参考,在5%的容差范围内控制平均负载电流。外部高压自举电路可在高达500kHz的高频下驱动降压开关元件。还提供低端驱动器用于同步整流设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.72
    • 10+

      ¥31.42
    • 30+

      ¥27.08
    • 100+

      ¥23.9
    • 500+

      ¥22.43
    • 1000+

      ¥21.76
  • 订货
  • CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时具有出色的稳健性以及出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.01
    • 10+

      ¥31.94
    • 30+

      ¥28.84
    • 100+

      ¥26.25
  • 订货
  • 7 代平台是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的 ESD 能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更低温。
    数据手册
    • 1+

      ¥40.98
    • 200+

      ¥15.86
    • 500+

      ¥15.31
    • 1000+

      ¥15.03
  • 订货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    • 1+

      ¥42.31
    • 10+

      ¥41.36
    • 50+

      ¥40.72
    • 100+

      ¥40.08
  • 订货
  • CoolSET™- Q1系列(ICE2QRxx802)是第一代准谐振集成电源IC。它针对离线开关模式电源应用进行了优化,如液晶显示器、DVD读写机、DVD组合光驱、蓝光DVD、机顶盒等。通过使MOSFET开关工作在准谐振模式,开关电源有望实现更低的电磁干扰(EMI)、更高的效率以及降低次级二极管上的电压应力
    数据手册
    • 1+

      ¥25.75
    • 30+

      ¥24.42
  • 订货
  • 特性:VCE = 650 V。 IC = 75 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。 非常软且快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥37.6
    • 10+

      ¥36.78
    • 30+

      ¥36.23
    • 100+

      ¥35.69
  • 订货
  • 特性:VCE = 650 V。 IC = 150 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥72.93
    • 10+

      ¥70.58
  • 订货
  • 特性:高速H3技术提供:硬开关和谐振拓扑中的高效率。在Tv = 175℃时具有10μs的短路耐受时间。由于VcEsat中的正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用:工业UPS。充电器
    • 240+

      ¥21.45
    • 960+

      ¥20.865
    特性:VCE = 1200 V。 IC = 120 A。 最高结温 Tvjmax = 175℃。 同类最佳的高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25℃时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥90.47
    • 10+

      ¥85.91
    • 30+

      ¥78.01
    • 90+

      ¥71.12
  • 订货
  • CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册
    • 10+

      ¥3.402
    • 100+

      ¥3.276
    • 200+

      ¥3.024
    • 1000+

      ¥2.898
    • 2000+

      ¥2.772
    硅瞬态电压抑制(TVS)二极管可为CAN/LIN总线网络电源线提供静电放电(ESD)/瞬态保护,符合以下标准:IEC61000 - 4 - 2(ESD):±30 kV(空气/接触)、IEC61000 - 4 - 4(电快速瞬变脉冲群,EFT):80 A(5/50 ns)、IEC61000 - 4 - 5(浪涌):5 A(8/20µs)、ISO7637 - 2:脉冲1(最大50 V)、脉冲2(最大125 V)、脉冲3a、3b(最大800 V)。
    数据手册
    • 50+

      ¥1.0125
    • 500+

      ¥0.9375
    • 1000+

      ¥0.9
    • 5000+

      ¥0.8625
    • 10000+

      ¥0.825
    这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术,以实现单位硅面积的低导通电阻。此外,对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化,以改善D类音频放大器的关键性能指标,如效率、总谐波失真(THD)和电磁干扰(EMI)
    数据手册
    • 10+

      ¥4.05
    • 100+

      ¥3.9
    • 200+

      ¥3.6
    • 1000+

      ¥3.45
    • 2000+

      ¥3.3
    线性LED控制器适用于驱动大功率发光二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥6.23
    • 10+

      ¥4.64
    • 30+

      ¥3.77
    • 100+

      ¥2.79
    • 500+

      ¥2.35
    • 1000+

      ¥2.15
  • 订货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥11.752
    • 50+

      ¥10.848
    • 100+

      ¥10.396
    • 500+

      ¥10.1248
    • 1000+

      ¥9.944
    特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥12.623
    • 50+

      ¥11.652
    • 100+

      ¥11.1665
    • 500+

      ¥10.8752
    • 1000+

      ¥10.681
    特性:针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on),在 VGS = 4.5 V 时。 100% 雪崩测试。 N 沟道。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    • 1+

      ¥11.75
    • 10+

      ¥11.5
    • 30+

      ¥10.82
    • 100+

      ¥10.65
  • 订货
  • 光伏继电器是单极常开固态继电器,可在许多应用中取代机电继电器。它采用专用的HEXFET功率MOSFET作为输出开关,由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为全球电信应用而设计。PVT412L采用有源限流电路,在提供过压保护时,能够满足FCC第68部分和其他监管机构的电流浪涌要求。PVT412未采用限流电路,具有较低的导通电阻。系列继电器采用6引脚模制DIP封装,具有通孔或表面贴装(“鸥翼”)端子。它有标准塑料运输管或卷带包装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥31.55 / 个
  • 订货
  • 最新的 950V CoolMOS PFD7 系列在超结 (SJ) 技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合,满足照明和工业开关电源应用的需求。与 CoolMOS P7 系列相比,PFD7 提供了一个集成的超快体二极管,可在谐振拓扑中使用,且具有市场上最低的反向恢复电荷 (Qrr)。
    • 1+

      ¥245.66
    • 200+

      ¥98.02
    • 500+

      ¥94.75
  • 有货
  • IR3853是一款高效、易于使用的全集成同步降压调节器。它具有宽输入电压范围(1.5V至21V)和宽输出电压范围(0.7V至0.9*Vin),最大效率超过95%,连续负载能力为4A。该芯片集成了自举二极管和内部PWM控制器,提供高带宽误差放大器,确保良好的瞬态性能。此外,还具有可编程开关频率、过流保护、过压保护和欠压锁定等功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.97
    • 200+

      ¥3.09
    • 500+

      ¥2.98
    • 1000+

      ¥2.92
  • 订货
  • IR3826A是一款易于使用的、完全集成且高效的直流-直流调节器。内置PWM控制器和OptiMOS™ FET以及集成的自举二极管,使其成为小型解决方案,提供高效电源传输。该调节器具有宽输入和输出电压范围,提供300kHz至1.5MHz的可编程开关频率,并提供三种可选的过流限制设置。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.72
    • 200+

      ¥9.57
    • 500+

      ¥9.23
    • 1000+

      ¥9.07
  • 订货
  • IR3891是一款高效、高集成度的双路4A同步降压调节器。它支持5V到21V的输入电压范围,输出电压范围为0.5V到0.86*Vin。该芯片具有内部MOSFET、驱动器和启动二极管,提供精确的输出电压调节和多种保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.28
    • 200+

      ¥14.04
    • 500+

      ¥13.55
    • 1000+

      ¥13.31
  • 订货
  • IR3447A是一款易于使用的完全集成的DC-DC降压调节器。其板载PWM控制器和MOSFET以及集成的bootstrap二极管使其成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间(CoT)控制方案,简化设计并提供快速的控制响应。
    • 1+

      ¥41.69
    • 200+

      ¥16.14
    • 500+

      ¥15.57
    • 1000+

      ¥15.29
  • 订货
  • N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V。该型号中,“XTSA1”那是原厂的内部型号。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6182
    • 50+

      ¥0.4913
    • 150+

      ¥0.4261
    • 500+

      ¥0.361131 ¥0.3723
    • 3000+

      ¥0.342992 ¥0.3536
    • 6000+

      ¥0.330673 ¥0.3409
  • 有货
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