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首页 > 热门关键词 > 英飞凌二极管
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7 代平台是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的 ESD 能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更低温。
数据手册
  • 5+

    ¥119.37871
  • 50+

    ¥104.866003
  • 500+

    ¥96.556308
特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
  • 1+

    ¥42.31
  • 10+

    ¥41.36
  • 50+

    ¥40.72
  • 100+

    ¥40.08
  • 订货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。 具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。 增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 无卤。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥43.47
    • 10+

      ¥37.72
    • 30+

      ¥34.21
    • 100+

      ¥31.27
  • 订货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的稳健性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥44.69
    • 10+

      ¥43.68
    • 30+

      ¥43.01
    • 100+

      ¥42.33
  • 订货
  • 特性:VCE = 1200V。 IC = 75A。 最高结温 Tvjmax = 175℃。 同类最佳的高速IGBT与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7V(Tvj = 25℃时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 电动汽车充电
    • 单价:

      ¥56.52 / 个
  • 订货
  • 特性:高速S5技术。 用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。 极低的VCEsat。 650V击穿电压。 低QG。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用:驱动器。 工业电源
    • 1+

      ¥14.3
    • 10+

      ¥13.93
    • 30+

      ¥13.69
    • 100+

      ¥13.45
  • 订货
  • 特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。TRENCHSTOP™技术,具有以下特点:非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。低电磁干扰(EMI)。应用:感应烹饪。微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥17.1
    • 10+

      ¥16.7
    • 30+

      ¥16.43
    • 90+

      ¥16.17
  • 订货
  • CoolSET™- Q1系列(ICE2QRxx802)是第一代准谐振集成电源IC。它针对离线开关模式电源应用进行了优化,如液晶显示器、DVD读写机、DVD组合光驱、蓝光DVD、机顶盒等。通过使MOSFET开关工作在准谐振模式,开关电源有望实现更低的电磁干扰(EMI)、更高的效率以及降低次级二极管上的电压应力
    数据手册
    • 1+

      ¥25.75
    • 30+

      ¥24.42
  • 订货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。换向稳健的快速体二极管,低Qfr。低RDS(on)温度依赖性。基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V。推荐栅极驱动电压0 V至18 V。.XT互连技术,实现一流的热性能。应用:开关电源。太阳能光伏逆变器
    • 1+

      ¥49.09
    • 10+

      ¥47.84
    • 30+

      ¥47
    • 100+

      ¥46.17
  • 订货
  • 特性:VCE = 650 V。 IC = 120 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥53.97
    • 10+

      ¥52.59
    • 30+

      ¥51.67
    • 100+

      ¥50.76
  • 订货
  • PVG612系列光电继电器是一种单极常开固态继电器,可以在许多应用中替代机电继电器。它采用国际整流器公司的专有HEXFET功率MOSFET作为输出开关,并由一种新型结构的集成电路光伏发电机驱动。输出开关由一个GaAlAs发光二极管(LED)发出的辐射控制,该LED与光伏发电机光学隔离。这些装置在工作寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场不敏感和坚固性方面超过了机电继电器的性能能力。紧凑型PVG612特别适合于从12到48伏交流或直流电源的高电流隔离切换。PVG612系列继电器采用6引脚模塑DIP封装,具有通孔或表面贴装(鸥翼形)端子。它以标准塑料运输管或卷带包装形式提供。
    数据手册
    • 1+

      ¥76.34
    • 10+

      ¥66.12
    • 30+

      ¥59.9
    • 100+

      ¥54.68
  • 订货
  • 特性:VCE = 1200 V。 IC = 50 A。 最高结温 Tvjmax = 175°C。 同类最佳的高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25°C时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥104.63
    • 10+

      ¥101.52
  • 订货
  • 特性:VCE = 750 V。 IC = 200 A。 低饱和电压 VCEsat = 1.4 V。 低开关损耗。 短路耐受时间 3 μs。 IGBT 与全电流、软恢复和快速恢复二极管共封装。应用:CAV 动力总成控制模块。 通用驱动器 (GPD)
    • 1+

      ¥136.47
    • 10+

      ¥132.41
  • 订货
  • 特性:VDSS = 2000 V at Tvj = 25 °C。 ΔDCC = 48 A at Tc = 25 °C。 RDS(on) = 50 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25 °C。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V。 用于硬换向的坚固体二极管。应用:串式逆变器。 太阳能功率优化器
    • 1+

      ¥162.53
    • 30+

      ¥153.82
  • 订货
  • 提供了集成各种功率和控制组件的机会,以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动应用中的三相交流电机和永磁电机,如低功率电机驱动器(GPI、伺服驱动器)、泵、风扇驱动器和 HVAC(加热、通风和空调)的有源滤波器。产品概念特别适用于需要良好热性能和电气隔离以及 EMI 安全控制和过载保护的电源应用。三相逆变器采用 1200 V TRENCHSTOP IGBT 和发射极控制二极管,并与优化的 6 通道 SOI 栅极驱动器相结合,以实现出色的电气性能。
    • 1+

      ¥242.19
    • 10+

      ¥233.73
  • 订货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅。 无卤素。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 10+

      ¥5.2
    • 50+

      ¥4.6
    • 500+

      ¥4.48
    • 2000+

      ¥4.28
    硅瞬态电压抑制(TVS)二极管可为CAN/LIN总线网络电源线提供静电放电(ESD)/瞬态保护,符合以下标准:IEC61000 - 4 - 2(ESD):±30 kV(空气/接触)、IEC61000 - 4 - 4(电快速瞬变脉冲群,EFT):80 A(5/50 ns)、IEC61000 - 4 - 5(浪涌):5 A(8/20µs)、ISO7637 - 2:脉冲1(最大50 V)、脉冲2(最大125 V)、脉冲3a、3b(最大800 V)。
    数据手册
    • 50+

      ¥1.215
    • 500+

      ¥1.125
    • 1000+

      ¥1.08
    • 5000+

      ¥1.035
    • 10000+

      ¥1.008
    CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册
    • 10+

      ¥3.402
    • 100+

      ¥3.276
    • 200+

      ¥3.024
    • 1000+

      ¥2.898
    • 2000+

      ¥2.8224
    特性:改善的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅,符合RoHS标准,无卤素。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    • 10+

      ¥30.639949
    • 100+

      ¥26.434467
    • 1000+

      ¥24.331725
    线性LED控制器适用于驱动大功率发光二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥6.23
    • 10+

      ¥4.64
    • 30+

      ¥3.77
    • 100+

      ¥2.79
    • 500+

      ¥2.35
    • 1000+

      ¥2.15
  • 订货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥9.9892
    • 50+

      ¥9.2208
    • 100+

      ¥9.06712
    • 500+

      ¥8.75976
    • 1000+

      ¥8.60608
    特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥12.623
    • 50+

      ¥11.652
    • 100+

      ¥11.4578
    • 500+

      ¥11.0694
    • 1000+

      ¥10.8752
    特性:针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on),在 VGS = 4.5 V 时。 100% 雪崩测试。 N 沟道。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    • 1+

      ¥11.75
    • 10+

      ¥11.5
    • 30+

      ¥10.82
    • 100+

      ¥10.65
  • 订货
  • IR11688是一款双路智能次级侧控制器IC,针对驱动两个配置用于谐振转换器应用中同步整流的N沟道功率MOSFET进行了优化。每个通道可驱动一个或多个并联的MOSFET,以模拟肖特基二极管整流器的行为,在每个导通周期的大部分时间内绕过体二极管,以最大限度地降低功耗,并在阻断期间保持关断状态。通过感测每个整流MOSFET的漏源电压来确定源漏电流,并在每个导通周期开始时迅速开启每个栅极,并在输出整流电路各支路的电流接近零转换时关断。采用先进的消隐方案和双脉冲抑制技术,可确保在固定和可变频率应用中可靠运行,实现了高耐用性和抗噪性。可编程最小导通时间(MOT)功能提供了在宽范围开关频率下工作的灵活性。逐周期MOT保护电路能够自动检测轻载或空载状态,以便禁用栅极驱动,避免不必要的反向电流流过MOSFET。IR11688的Vcc电源电压范围为4.75V至18V,使其电源可从输出端获取,从而在输出电压低至5V的系统中无需辅助电源电路。当栅极驱动不进行开关操作时,IR11688的静态电流非常低,可在待机模式下实现最低功耗。
    数据手册
    • 50+

      ¥15.235296
    • 200+

      ¥12.784106
    • 500+

      ¥10.617309
    • 1000+

      ¥8.93804
    光伏继电器是单极常开固态继电器,可在许多应用中取代机电继电器。它采用专用的HEXFET功率MOSFET作为输出开关,由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为全球电信应用而设计。PVT412L采用有源限流电路,在提供过压保护时,能够满足FCC第68部分和其他监管机构的电流浪涌要求。PVT412未采用限流电路,具有较低的导通电阻。系列继电器采用6引脚模制DIP封装,具有通孔或表面贴装(“鸥翼”)端子。它有标准塑料运输管或卷带包装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥31.55 / 个
  • 订货
  • 最新的 950V CoolMOS PFD7 系列在超结 (SJ) 技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合,满足照明和工业开关电源应用的需求。与 CoolMOS P7 系列相比,PFD7 提供了一个集成的超快体二极管,可在谐振拓扑中使用,且具有市场上最低的反向恢复电荷 (Qrr)。
    • 1+

      ¥245.66
    • 200+

      ¥98.02
    • 500+

      ¥94.75
  • 有货
  • IR3853是一款高效、易于使用的全集成同步降压调节器。它具有宽输入电压范围(1.5V至21V)和宽输出电压范围(0.7V至0.9*Vin),最大效率超过95%,连续负载能力为4A。该芯片集成了自举二极管和内部PWM控制器,提供高带宽误差放大器,确保良好的瞬态性能。此外,还具有可编程开关频率、过流保护、过压保护和欠压锁定等功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.97
    • 200+

      ¥3.09
    • 500+

      ¥2.98
    • 1000+

      ¥2.92
  • 订货
  • IR3826A是一款易于使用的、完全集成且高效的直流-直流调节器。内置PWM控制器和OptiMOS™ FET以及集成的自举二极管,使其成为小型解决方案,提供高效电源传输。该调节器具有宽输入和输出电压范围,提供300kHz至1.5MHz的可编程开关频率,并提供三种可选的过流限制设置。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.72
    • 200+

      ¥9.57
    • 500+

      ¥9.23
    • 1000+

      ¥9.07
  • 订货
  • IR3891是一款高效、高集成度的双路4A同步降压调节器。它支持5V到21V的输入电压范围,输出电压范围为0.5V到0.86*Vin。该芯片具有内部MOSFET、驱动器和启动二极管,提供精确的输出电压调节和多种保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.28
    • 200+

      ¥14.04
    • 500+

      ¥13.55
    • 1000+

      ¥13.31
  • 订货
  • IR3447A是一款易于使用的完全集成的DC-DC降压调节器。其板载PWM控制器和MOSFET以及集成的bootstrap二极管使其成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间(CoT)控制方案,简化设计并提供快速的控制响应。
    • 1+

      ¥41.69
    • 200+

      ¥16.14
    • 500+

      ¥15.57
    • 1000+

      ¥15.29
  • 订货
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