英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > 英飞凌二极管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共208171件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

1个N沟道耐压:600V 电流:10A

型号：IPL60R365P7AUMA1 编号：C3279342

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和优异的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

1+
￥18.7
10+
￥15.98
30+
￥14.28
100+
￥12.54
500+
￥11.75
1000+
￥11.41

订货

我要订货

高压栅极驱动IC，600V半桥栅极驱动IC

型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

数据手册

2500+
￥10.00615
5000+
￥9.915185
7500+
￥9.82422

我要订货

1.2kV 80A

型号：IHW40N120R5 编号：C536127

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，低正向电压，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™技术，具有以下特点：非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性好。低集电极-发射极饱和电压（VCEsat）。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰（EMI）。应用：感应烹饪。微波炉

数据手册

5+
￥54.185456
10+
￥51.175153
100+
￥44.151113
1000+
￥40.639092

我要订货

耐压:60V 电流:270A

型号：IRFB3006PBF 编号：C513184

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1000+
￥5.4
3000+
￥5.3

我要订货

1.2kV 82A

型号：IKW40N120CS7XKSA1 编号：C3191658

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 IGBT与全电流、软恢复和低Qrr二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 175°C时，VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑进行了优化（2-L逆变器、3-L NPC T型等）。短路耐受时间为8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

10+
￥24
100+
￥19.8
1000+
￥18.36

我要订货

600V CoolMOSTM P7功率晶体管

型号：IPW60R045P7 编号：C537451

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

数据手册

1+
￥31.08
10+
￥30.28
30+
￥29.76
100+
￥29.23

订货

我要订货

1个N沟道耐压:650V 电流:32A

型号：IPP65R041CFD7XKSA1 编号：C7210887

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中具有最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性融为一体。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥36.21
10+
￥35.31
50+
￥34.72
100+
￥34.13

订货

我要订货

1个N沟道耐压:40V 电流:120A

型号：IRFSL7440PBF 编号：C481264

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，不含铅、溴和卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥6.81
10+
￥5.69
50+
￥5.08
100+
￥4.39
500+
￥4.08
1000+
￥3.94

订货

我要订货

1个N沟道耐压:600V 电流:9A

型号：IPD60R360P7ATMA1 编号：C3279046

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如低振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更低温。

50+
￥9.060414
200+
￥7.434185
500+
￥6.071252
1000+
￥5.20393

我要订货

950V 13.3A

型号：IPB95R450PFD7ATMA1 编号：C18213032

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS™ PFD7系列在超结（SJ）技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，可用于谐振拓扑，具有市场上最低的反向恢复电荷（Qrr）。

1+
￥12.29
10+
￥11.97
30+
￥11.76
100+
￥11.55

订货

我要订货

1.4kV 68A

型号：IHW25N140R5LXKSA1 编号：C20191003

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V，IC = 25A。强大的单片体二极管，正向电压低，仅适用于软换相。非常紧密的参数分布。高坚固性，温度稳定性能。极低的VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。应用：电磁炉。微波炉

1+
￥12.51
10+
￥12.2
30+
￥11.99
90+
￥11.79

订货

我要订货

650V 80A

型号：IHW50N65R5XKSA1 编号：C3191668

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -极低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

1+
￥16.67
10+
￥16.27
30+
￥15.19
90+
￥14.93

订货

我要订货

650V 80A

型号：IKW50N65WR5 编号：C536220

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片二极管，针对零电流开关（ZCS）应用进行了优化。TRENCHSTOP™ 5技术应用提供：高坚固性，温度稳定性能。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）和低E(max)。由于VCEsat的正温度系数，具有易于并联开关的能力。低电磁干扰（EMI）。电气参数对温度的依赖性低。应用：焊接。功率因数校正（PFC）

数据手册

240+
￥8.28
480+
￥7.92
960+
￥7.704

我要订货

650V,电流:7A,耐压:650V

型号：IPB65R230CFD7AATMA1 编号：C3279171

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥21.18
10+
￥20.64
30+
￥20.28
100+
￥19.92

订货

我要订货

1个N沟道耐压:650V 电流:23A

型号：IPZA60R080P7 编号：C537524

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

5+
￥116.389793
50+
￥102.240445
500+
￥94.138803

我要订货

单通道光伏隔离器，5 - 10 伏输出

型号：PVI5080NPBF 编号：C538609

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

生成电隔离的直流电压，能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。采用新型结构的单片集成电路光伏发生器作为输出。输出由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该二极管与光伏发生器进行了光隔离。适用于需要大电流和/或高电压开关的应用，在低电平驱动电路和高能量或高电压负载电路之间提供光隔离。可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。双通道器件允许其输出驱动独立的分立功率MOSFET，或并联或串联连接，为功率MOSFET提供更高的电流驱动，或为IGBT提供更高的电压驱动。采用快速关断电路。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚，包装在塑料运输管中。

数据手册

单价：
￥28.6092 / 个

我要订货

1个N沟道耐压:650V 电流:31.2A

型号：IPB65R110CFDA 编号：C536636

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥44.69
10+
￥43.68
30+
￥43.01
100+
￥42.33

订货

我要订货

IMT40R025M2HXTMA1

型号：IMT40R025M2HXTMA1 编号：C32444517

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。换向稳健的快速体二极管，低Qfr。低RDS(on)温度依赖性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V。推荐栅极驱动电压0 V至18 V。.XT互连技术，实现一流的热性能。应用：开关电源。太阳能光伏逆变器

1+
￥49.09
10+
￥47.84
30+
￥47
100+
￥46.17

订货

我要订货

IMBG120R060M1HXTMA1

型号：IMBG120R060M1HXTMA1 编号：C3279261

封装：TO-263-7-12

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换流的强健体二极管。应用：驱动器。基础设施-充电器

1+
￥52.24
10+
￥44.42
30+
￥39.65
100+
￥35.65

订货

我要订货

降压型 40A 2V~17V

型号：TDA38840AUMA1 编号：C3167432

封装：IQFN-36

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA38840是一款易于使用的完全集成的直流-直流降压调节器。其板载PWM控制器和OptiMOSTM FET以及集成的自举二极管使TDA38840成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间（CoT）控制方案,简化设计并实现快速控制响应。

1+
￥52.45
10+
￥45.15
30+
￥40.7
100+
￥36.97

订货

我要订货

1.2kV 82A

型号：IKW50N120CS7XKSA1 编号：C3191676

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。IC = 50 A。IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压：在 Tvj = 175°C 时，VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

240+
￥15.235
960+
￥14.8195

我要订货

1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVA3354NPBF 编号：C538585

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVA33系列交流继电器（PVA）是一种单极常开固态继电器，可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离。PVA33系列克服了传统机电继电器和干簧继电器的局限性，具备固态继电器的诸多优势，如长寿命、快速操作速度、低吸合功率、无触点抖动、低热失调电压和小型封装等。这些优势使得该系列产品在许多应用领域（如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集）能够实现产品改进和设计创新。PVA33能够切换从热电偶电平到300V峰值交流或直流极性的模拟信号。可轻松控制高达射频范围的信号频率，且可实现高达500Hz的开关速率。极小的热生成失调电压可提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，有通孔或表面贴装（“鸥翼式”）引脚可供选择，采用塑料运输管包装。

数据手册

1+
￥70.53
10+
￥61.24
50+
￥53.17
100+
￥48.42

订货

我要订货

750V 200A

型号：IKQB200N75CP2AKSA1 编号：C20191518

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 750 V。 IC = 200 A。低饱和电压 VCEsat = 1.4 V。低开关损耗。短路耐受时间 3 μs。 IGBT 与全电流、软恢复和快速恢复二极管共封装。应用：CAV 动力总成控制模块。通用驱动器 (GPD)

1+
￥136.47
10+
￥132.41

订货

我要订货

IMYH200R050M1HXKSA1

型号：IMYH200R050M1HXKSA1 编号：C20191546

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VDSS = 2000 V at Tvj = 25 °C。 ΔDCC = 48 A at Tc = 25 °C。 RDS(on) = 50 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25 °C。极低的开关损耗。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V。用于硬换向的坚固体二极管。应用：串式逆变器。太阳能功率优化器

1+
￥162.53
30+
￥153.82

订货

我要订货

650V 62A

型号：IKP39N65ES5XKSA1 编号：C42433311

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术。用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的VCEsat。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：驱动器。工业电源

1+
￥14.3
10+
￥13.93
30+
￥13.69
100+
￥13.45

订货

我要订货

1.2kV 60A

型号：IHW30N120R5XKSA1 编号：C2997919

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。TRENCHSTOP™技术，具有以下特点:非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰（EMI）。应用：感应烹饪。微波炉

数据手册

1+
￥17.1
10+
￥16.7
30+
￥16.43
90+
￥16.17

订货

我要订货

耐压:60V 电流:210A

型号：IRFB3206GPBF 编号：C537855

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥43.47
10+
￥37.72
30+
￥34.21
100+
￥31.27

订货

我要订货

650V 140A

型号：IKZA100N65EH7XKSA1 编号：C20191531

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 100 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥51.85
10+
￥50.52
30+
￥49.64
100+
￥48.76

订货

我要订货

650V 160A

型号：IKQ120N65EH7XKSA1 编号：C20191011

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 120 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥53.97
10+
￥52.59
30+
￥51.67
100+
￥50.76

订货

我要订货

650V CoolMOSTM CFD7A超结功率器件

型号：IPW65R050CFD7A 编号：C42257636

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

480+
￥18.7
480+
￥18.36
1920+
￥18.02
4800+
￥17.68

我要订货

共6940页，208171条记录到页

<上一页
1
...
42
43
44
45
46
...
6940
下一页

立创商城为您提供英飞凌二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买英飞凌二极管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB
立创ERP

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content