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封装：VSON-4

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和优异的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

1+
￥18.7
10+
￥15.98
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￥14.28
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￥12.54
500+
￥11.75
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￥11.41

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型号：IKW30N65H5 编号：C536214

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥31.77
10+
￥27.4
30+
￥24.8
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￥22.18
510+
￥20.97
990+
￥20.42

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型号：IPA60R180P7 编号：C536359

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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15+
￥20.803302
100+
￥17.947945
1000+
￥16.520269

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型号：PVT212S-TPBF 编号：C538618

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。专为工业控制和电信外围应用而设计。采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚。有标准塑料运输管或卷带包装。

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1+
￥59.74
10+
￥57.72

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型号：PVA3354NSPBF 编号：C538586

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVA33系列交流继电器（PVA）是一种单极常开固态继电器，可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离。PVA33系列克服了传统机电继电器和干簧继电器的局限性，具备固态继电器的诸多优势，如长寿命、快速操作速度、低吸合功率、无触点抖动、低热失调电压和小型封装等。这些优势使得该系列产品在许多应用领域（如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集）能够实现产品改进和设计创新。PVA33能够切换从热电偶电平到300V峰值交流或直流极性的模拟信号。可轻松控制高达射频范围的信号频率，且可实现高达500Hz的开关速率。极小的热生成失调电压可提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，有通孔或表面贴装（“鸥翼式”）引脚可供选择，采用塑料运输管包装。

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1+
￥86.05
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￥82.21
30+
￥75.56
100+
￥69.75

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型号：IRFB7540PBF 编号：C537872

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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10+
￥3.7125
100+
￥3.575
200+
￥3.3
1000+
￥3.1625
2000+
￥3.08

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型号：IPD60R360P7ATMA1 编号：C3279046

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如低振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更低温。

50+
￥9.653418
200+
￥7.920754
500+
￥6.468615
1000+
￥5.544528

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型号：IRFH4253DTRPBF 编号：C537886

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：控制和同步MOSFET集成在一个封装中。低电荷控制MOSFET（典型值10nC）。低RDSON同步MOSFET（<1.45mΩ）。 Q2上具有低正向电压的本征肖特基二极管。符合RoHS标准，无卤素。 MSL1，工业级认证。应用：同步降压转换器的控制和同步MOSFET

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305+
￥1.77422
610+
￥1.74363
915+
￥1.71304

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型号：IRFB3006PBF 编号：C513184

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥10.101
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￥9.324
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￥9.1686
500+
￥8.8578
1000+
￥8.7024

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型号：IKW08N120CS7XKSA1 编号：C3191651

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 8 A-IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V（Tvj = 175℃ 时）。针对硬开关拓扑进行优化（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）。短路耐受时间 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥24.35
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￥23.77
30+
￥22.17
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￥21.79

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型号：IKW25N120CS7XKSA1 编号：C17443267

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 25 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V（Tvj = 175℃ 时）。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥27.53
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￥26.83
30+
￥26.36
90+
￥25.89

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型号：IKWH100N65EH7XKSA1 编号：C20191521

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 100 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

单价：
￥28.34 / 个

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型号：IR3887MTRPBF 编号：C537724

封装：IQFN-29-EP(4x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3887是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™ FET使IR3887成为一种占位面积小的解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制响应。IR3887具有内部低压差稳压器，允许单电源供电运行。它也可以使用外部偏置电源运行，将工作输入电压（PVin）范围从2.0 V扩展到17 V。IR3887是一款多功能稳压器，提供600 kHz至2 MHz的可编程开关频率、四种可选电流限制、四种可选软启动时间、强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）运行。它还具备重要的保护功能，如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断功能，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

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单价：
￥49.44 / 个

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型号：IPW65R050CFD7A 编号：C42257636

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

480+
￥18.7
480+
￥18.36
960+
￥17.85

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型号：IKQ50N120CH3XKSA1 编号：C3191732

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供:硬开关和谐振拓扑中的高效率。在Tv = 175℃时具有10μs的短路耐受时间。由于VcEsat中的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。充电器

240+
￥23.87
960+
￥23.219

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型号：IPP80R750P7XKSA1 编号：C3288938

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,in，降低了 Ωg * Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。产品组合经过全面优化。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激式拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

1+
￥7.68
10+
￥7.51
30+
￥7.4
100+
￥7.28

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型号：IPB95R450PFD7ATMA1 编号：C18213032

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS™ PFD7系列在超结（SJ）技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，可用于谐振拓扑，具有市场上最低的反向恢复电荷（Qrr）。

1+
￥16.3116
1000+
￥14.283

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型号：TDA21535AUMA1 编号：C7360784

封装：IQFN-25

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型DC - DC转换器；用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器；TDA21535集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，它与控制和同步MOSFET以及一个有源二极管结构共同封装，该有源二极管结构可实现类似于肖特基二极管的低Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比，可实现卓越的电流感测精度。保护功能包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV和自举欠压保护。TDA21535还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21535包含一个改进的高速MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可在高达1.5 MHz的频率下驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET。使用传统电流感测方法（如DCR感测和Rdson感测）的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson电流感测不依赖于电感器，但MOSFET的rdson存在温度系数。此外，很难对高端MOSFET实施rdson电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21535中的先进电流镜感测，消除了所有这些局限性，同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像，该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分，因此具有固有的温度补偿，无需额外的电路。两个MOSFET上的真实电流感测确保了系统。

1+
￥14.95
10+
￥14.57
30+
￥14.32
100+
￥14.06

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型号：IKP20N65H5 编号：C536195

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥15.16
10+
￥14.84
30+
￥14.62
100+
￥13.72

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型号：IHW50N65R5XKSA1 编号：C3191668

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -极低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

1+
￥16.67
10+
￥16.27
30+
￥15.19
90+
￥14.93

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型号：IPB65R150CFD 编号：C536639

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos Tm是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。650V CoolMOsTM CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管

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单价：
￥26.912645 / 个

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型号：IRFS3207TRLPBF 编号：C538007

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥11.752
50+
￥10.848
100+
￥10.6672
500+
￥10.3056
1000+
￥10.1248

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型号：IPB65R230CFD7AATMA1 编号：C3279171

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥21.18
10+
￥20.64
30+
￥20.28
100+
￥19.92

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型号：IPZA60R080P7 编号：C537524

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥375.551393
10+
￥312.959495

我要订货

型号：IPW60R045P7 编号：C537451

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

数据手册

1+
￥31.08
10+
￥30.28
30+
￥29.76
100+
￥29.23

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型号：IPP65R150CFD 编号：C537231

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos Tm是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。650V CoolMOsTM CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管

数据手册

1+
￥32.39
10+
￥27.94
50+
￥25.29
100+
￥22.62
500+
￥21.38
1000+
￥20.82

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型号：PVI1050NSPBF 编号：C538603

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏隔离器接收直流输入信号时会产生电隔离的直流电压，能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。采用新型单片集成电路光伏发生器作为输出。输出由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该二极管与光伏发生器进行光隔离。适用于需要大电流和/或高压开关的应用，在低电平驱动电路与高能量或高压负载电路之间实现光隔离。可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。双通道器件允许其输出驱动独立的分立功率MOSFET，或并联或串联连接，为功率MOSFET提供更高的电流驱动，或为IGBT提供更高的电压驱动。采用快速关断电路。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚，采用塑料运输管包装。

数据手册

1+
￥36.12
10+
￥30.95
30+
￥27.87
100+
￥24.76
500+
￥23.33
1000+
￥22.68

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型号：IRS25411STRPBF 编号：C538342

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS254(01/11)系列是由高压、高频降压调节器控制IC组成的，适用于AC-DC离线、非隔离应用，这些应用需要多个发光二极管（LED）电路或需要DC-DC混色功能。应用包括室内和室外标识以及建筑、娱乐、设计和装饰照明。该系列的工作电压为200V或600V，采用连续模式、延时迟滞降压调节器，利用精确的片上带隙电压参考，在5%的容差范围内控制平均负载电流。外部高压自举电路可在高达500kHz的高频下驱动降压开关元件。还提供低端驱动器用于同步整流设计。

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10+
￥47.855243
100+
￥41.286878
1000+
￥38.002693

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型号：IPAW60R180P7S 编号：C536456

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时具有出色的稳健性以及出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

数据手册

1+
￥37.01
10+
￥31.94
30+
￥28.84
100+
￥26.25

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型号：PVI5080NPBF 编号：C538609

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

生成电隔离的直流电压，能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。采用新型结构的单片集成电路光伏发生器作为输出。输出由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该二极管与光伏发生器进行了光隔离。适用于需要大电流和/或高电压开关的应用，在低电平驱动电路和高能量或高电压负载电路之间提供光隔离。可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。双通道器件允许其输出驱动独立的分立功率MOSFET，或并联或串联连接，为功率MOSFET提供更高的电流驱动，或为IGBT提供更高的电压驱动。采用快速关断电路。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚，包装在塑料运输管中。

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单价：
￥28.5476 / 个

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