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集成控制电源系统，三相桥600V/15A，单相PFC 650V/30A

型号：IFCM15P60GD 编号：C535974

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

CIPOsTM模块系列可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。它旨在通过单相PFC控制三相交流电机和永磁电机，适用于变速驱动器，如空调和低功率电机驱动器。其封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离、EMI安全控制和过载保护的电源应用。TRENCHSTOPTM IGBT3和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，具有出色的电气性能。

数据手册

1+
￥108.94
10+
￥105.54

有货

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IM12B10CC1XKMA1

型号：IM12B10CC1XKMA1 编号：C30101244

封装：插件

品牌：Infineon(英飞凌)

提供了集成各种功率和控制组件的机会，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动应用中的三相交流电机和永磁电机，如低功率电机驱动器（GPI、伺服驱动器）、泵、风扇驱动器和 HVAC（加热、通风和空调）的有源滤波器。产品概念特别适用于需要良好热性能和电气隔离以及 EMI 安全控制和过载保护的电源应用。三相逆变器采用 1200 V TRENCHSTOP IGBT 和发射极控制二极管，并与优化的 6 通道 SOI 栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

1+
￥242.19
10+
￥233.73

有货

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650V 74A

型号：IKW40N65H5FKSA1 编号：C3191662

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。应用：太阳能转换器。不间断电源

1+
￥17.63
10+
￥17.21
30+
￥16.05

有货

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单极和双极霍尔IC开关用于磁场应用

型号：TLE4945LHALA1 编号：C3716324

封装：SSO-3

品牌：Infineon(英飞凌)

电路包括霍尔发生器、放大器和施密特触发器在一个芯片上。内部参考为组件提供电源电压。垂直于芯片表面的磁场在霍尔探头处感应出电压。该电压被放大并切换一个具有集电极开路输出的施密特触发器。集成了一个防止反向电源的保护二极管。输出受到保护，免受电气干扰。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。当电流减小时，IC的输出关闭（释放点）。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。除非超过关闭磁感应强度 $B_{\mathrm{RP}}$ 的反向磁场，否则输出状态不会改变。在这种情况下，输出将关闭（释放点）。

1+
￥19.1
10+
￥16.3
30+
￥14.56

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVT412S-TPBF 编号：C538635

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专用的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为全球电信应用而设计。PVT412L采用有源限流电路，在提供过压保护时，能够满足FCC第68部分和其他监管机构的电流浪涌要求。PVT412未采用限流电路，具有较低的导通电阻。系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（“鸥翼”）端子。它有标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册

1+
￥35.95
10+
￥30.87
30+
￥27.77

有货

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1.2kV 30A

型号：IKW15N120H3FKSA1 编号：C3191702

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200V。 IC = 15A。极低的VCE,sat。低电磁干扰。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温Tvjmax = 175℃。应用：不间断电源。焊接转换器

单价：
￥44.8 / 个

有货

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1.2kV 25A

型号：IKW25N120H3FKSA1 编号：C17367001

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速DuoPack封装：采用沟槽和场截止技术的IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管，属于1200V高速开关系列第三代产品

1+
￥47.81
10+
￥41.48
30+
￥37.62

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVT212PBF 编号：C538617

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为工业控制和电信外围应用而设计，采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚可选，可采用标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册

1+
￥103.89
10+
￥103.88

有货

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控制集成电源系统，双列直插式智能功率模块，3Φ桥600V/15A

型号：IKCM15L60GAXKMA1 编号：C3615397

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。其封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离，以及EMI安全控制和过载保护的电源应用。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，具有出色的电气性能。

单价：
￥109.54 / 个

有货

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控制集成电源系统双列直插式智能功率模块 3Φ桥600V/30A

型号：IKCM30F60GDXKMA1 编号：C3615227

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的电源应用，同时具备EMI安全控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，可实现出色的电气性能。

1+
￥123.73
30+
￥117.22

有货

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降压型 30A 2V~17V

型号：IR3889MTRPBF 编号：C537726

封装：IQFN-36-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3889是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™ FET使IR3889成为小尺寸解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制响应。IR3889具有内部低压差稳压器，允许单电源供电。它也可以使用外部偏置电源工作，其工作输入电压（PVin）范围扩展至2.0 V至17 V。IR3889是一款多功能稳压器，提供600 kHz至2 MHz的可编程开关频率、四种可选电流限制、四种可选软启动时间、强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）操作。它还具备重要的保护功能，如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断功能，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

数据手册

单价：
￥11.2644 / 个

我要订货

600V 80A

型号：IKW50N60DTP 编号：C501514

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供极低的VCEsat。低关断损耗。短尾电流。低电磁干扰。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。应用：驱动器。太阳能逆变器

数据手册

480+
￥12.65
480+
￥12.42
1920+
￥12.19
4800+
￥11.96

我要订货

IMZ120R030M1HXKSA1

型号：IMZ120R030M1HXKSA1 编号：C3289091

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。用于硬换相的坚固体二极管。应用：能源生产。 -太阳能串式逆变器和太阳能优化器

单价：
￥79.38 / 个

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双向ESD 18V截止峰值浪涌电流：3.5A@8/20us

型号：ESD144B1W0201E6327XTSA1 编号：C1975764

封装：0201

品牌：Infineon(英飞凌)

提供用于无线、计算和消费应用的静电放电 (ESD) 保护二极管。CSP 封装的 TVS 二极管可承受数千次超过 IEC61000-4-2 标准最严格等级的 ESD 冲击。低钳位电压和低至 0.09Ω 的超低动态电阻确保了卓越的系统保护。超低电容二极管是高速和 RF 接口应用中实现最佳信号完整性的首选解决方案。WLL-2 二极管封装厚度仅 0.15mm，适用于大多数贴片组装方式，且符合 RoHS 和无卤要求。CSP 封装的 TVS 二极管漏电流低至小于 1nA，有利于延长电池供电电子产品的电池续航时间。

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5+
￥0.3333
50+
￥0.325
150+
￥0.3195

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:18A

型号：IPB60R180P7 编号：C536619

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。该产品结合了快速开关SJ MOSFET的优点与出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

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1+
￥9.75
50+
￥9
100+
￥8.625
500+
￥8.4
1000+
￥8.25

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耐压:75V 电流:130A

型号：IRFB3307PBF 编号：C520671

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

10+
￥5.03415
100+
￥4.8477
200+
￥4.4748
1000+
￥4.28835
2000+
￥4.1019

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1个N沟道耐压:75V 电流:260A

型号：IRFS3107TRL7PP 编号：C538004

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

5+
￥55.518938
10+
￥52.434553
100+
￥45.237653
1000+
￥41.639203

我要订货

IMBG120R220M1HXTMA1

型号：IMBG120R220M1HXTMA1 编号：C5342192

封装：TO-263-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换流的稳健体二极管。应用：驱动器。基础设施-充电器

单价：
￥23.628914 / 个

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降压型 2.5V~14V

型号：IR3883MTRPBF 编号：C537723

封装：VQFN-16-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3883是一款高效、完全集成的单片DC/DC同步降压调节器,具有宽输入电压范围（2.5V-14V）,连续3A负载能力,800kHz开关频率,内置PWM控制器和MOSFET,支持强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）。

数据手册

1+
￥7.7857
50+
￥7.1868
100+
￥6.88735
500+
￥6.70768
1000+
￥6.5879

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600V 20A

型号：IKP20N60H3 编号：C116435

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速DuoPack：采用沟槽和场截止技术的IGBT，具有软恢复、快速恢复的反并联二极管

数据手册

1+
￥13.96
10+
￥11.89
50+
￥10.59
100+
￥9.27

有货

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耐压:700V 电流:22.4A

型号：IPP65R150CFD 编号：C537231

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos Tm是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。650V CoolMOsTM CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管

数据手册

500+
￥7.601
1000+
￥7.3937

我要订货

1.2kV 216A

型号：IKQ120N120CS7XKSA1 编号：C20191010

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 120 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压：在 Tvj = 175℃ 时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。完整的产品系列和 PSpice 模型。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥88.88
10+
￥84.5
30+
￥76.91
90+
￥70.28

订货

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1.2kV 188A

型号：IKQ100N120CS7XKSA1 编号：C20191008

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A，IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 175℃时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑进行优化（2-L逆变器、3-L NPC T型等）。短路耐受时间8 μs。宽范围的dv/dt可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥92.93
10+
￥88.38
30+
￥80.49
90+
￥73.62

订货

我要订货

单向ESD

型号：ESD5V3U4RRS 编号：C157364

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

ESD二极管阵列

数据手册

1+
￥1.1951
10+
￥1.1747
30+
￥1.1611
100+
￥1.1474

订货

我要订货

1个N沟道耐压:60V 电流:110A

型号：IRFB7540PBF 编号：C537872

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

2000+
￥3.01484
4000+
￥2.96286
6000+
￥2.8589

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1个N沟道耐压:600V 电流:6A

型号：IPD60R600P7ATMA1 编号：C3289116

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥10.97
10+
￥9.18
30+
￥8.19
100+
￥7.07
500+
￥6.57
1000+
￥6.35

订货

我要订货

650V CoolMOS CFD2功率晶体管

型号：IPB65R150CFD 编号：C536639

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos Tm是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。650V CoolMOsTM CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管

数据手册

单价：
￥26.66574 / 个

我要订货

高压栅极驱动IC，600V半桥栅极驱动IC

型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

数据手册

2500+
￥10.00615
5000+
￥9.915185
7500+
￥9.82422

我要订货

1.2kV 80A

型号：IHW40N120R5 编号：C536127

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，低正向电压，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™技术，具有以下特点：非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性好。低集电极-发射极饱和电压（VCEsat）。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰（EMI）。应用：感应烹饪。微波炉

数据手册

5+
￥54.185456
10+
￥51.175153
100+
￥44.151113
1000+
￥40.639092

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耐压:60V 电流:270A

型号：IRFB3006PBF 编号：C513184

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1000+
￥5.4
3000+
￥5.3

我要订货

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