英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IKW40N65H5FKSA1 编号：C3191662

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。应用：太阳能转换器。不间断电源

1+
￥17.63
10+
￥17.21
30+
￥16.05

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型号：TLE4945LHALA1 编号：C3716324

封装：SSO-3

品牌：Infineon(英飞凌)

电路包括霍尔发生器、放大器和施密特触发器在一个芯片上。内部参考为组件提供电源电压。垂直于芯片表面的磁场在霍尔探头处感应出电压。该电压被放大并切换一个具有集电极开路输出的施密特触发器。集成了一个防止反向电源的保护二极管。输出受到保护，免受电气干扰。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。当电流减小时，IC的输出关闭（释放点）。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。除非超过关闭磁感应强度 $B_{\mathrm{RP}}$ 的反向磁场，否则输出状态不会改变。在这种情况下，输出将关闭（释放点）。

1+
￥19.1
10+
￥16.3
30+
￥14.56

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型号：PVT412S-TPBF 编号：C538635

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专用的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为全球电信应用而设计。PVT412L采用有源限流电路，在提供过压保护时，能够满足FCC第68部分和其他监管机构的电流浪涌要求。PVT412未采用限流电路，具有较低的导通电阻。系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（“鸥翼”）端子。它有标准塑料运输管或卷带包装。

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1+
￥35.95
10+
￥30.87
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￥27.77

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型号：IKW15N120H3FKSA1 编号：C3191702

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200V。 IC = 15A。极低的VCE,sat。低电磁干扰。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温Tvjmax = 175℃。应用：不间断电源。焊接转换器

单价：
￥44.8 / 个

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型号：IKW25N120H3FKSA1 编号：C17367001

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速DuoPack封装：采用沟槽和场截止技术的IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管，属于1200V高速开关系列第三代产品

1+
￥47.81
10+
￥41.48
30+
￥37.62

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型号：IKW40N65F5FKSA1 编号：C7466793

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

1+
￥55.65
10+
￥47.47
30+
￥42.48

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型号：PVT212PBF 编号：C538617

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为工业控制和电信外围应用而设计，采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚可选，可采用标准塑料运输管或卷带包装。

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1+
￥103.89
10+
￥103.88

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型号：IKCM30F60GDXKMA1 编号：C3615227

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的电源应用，同时具备EMI安全控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，可实现出色的电气性能。

1+
￥123.73
30+
￥117.22

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型号：IMZ120R030M1HXKSA1 编号：C3289091

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。用于硬换相的坚固体二极管。应用：能源生产。 -太阳能串式逆变器和太阳能优化器

5+
￥186.628005
10+
￥155.523338

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型号：IRFI4019H-117P 编号：C500535

封装：TO-220F-5(Forming)

品牌：Infineon(英飞凌)

专为D类音频放大器应用设计。由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。使用最新工艺以实现每单位硅面积的低导通电阻。优化了栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真 (THD) 和电磁干扰 (EMI)。这些特性使半桥成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

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10+
￥15.6
50+
￥13.8
100+
￥13.2
1000+
￥12.84

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型号：IPW65R110CFDA 编号：C537493

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥12.407174
50+
￥11.452776
100+
￥11.261896
500+
￥10.880137
1000+
￥10.689258

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型号：IPW95R060PFD7XKSA1 编号：C20191634

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的 950V CoolMOS PFD7 系列在超结 (SJ) 技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源应用的需求。与 CoolMOS P7 系列相比，PFD7 提供了一个集成的超快体二极管，可在谐振拓扑中使用，且具有市场上最低的反向恢复电荷 (Qrr)。

1+
￥80.53
10+
￥76.84
30+
￥70.45
90+
￥64.88

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型号：IKA08N65H5 编号：C536136

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥10.16
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￥9.94
50+
￥9.8
100+
￥9.65

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型号：IR3889MTRPBF 编号：C537726

封装：IQFN-36-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3889是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™ FET使IR3889成为小尺寸解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制响应。IR3889具有内部低压差稳压器，允许单电源供电。它也可以使用外部偏置电源工作，其工作输入电压（PVin）范围扩展至2.0 V至17 V。IR3889是一款多功能稳压器，提供600 kHz至2 MHz的可编程开关频率、四种可选电流限制、四种可选软启动时间、强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）操作。它还具备重要的保护功能，如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断功能，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

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100+
￥88
500+
￥86.9
1000+
￥83.46

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型号：IR3883MTRPBF 编号：C537723

封装：VQFN-16-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3883是一款高效、完全集成的单片DC/DC同步降压调节器,具有宽输入电压范围（2.5V-14V）,连续3A负载能力,800kHz开关频率,内置PWM控制器和MOSFET,支持强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）。

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1+
￥7.7857
50+
￥7.1868
100+
￥7.06702
500+
￥6.82746
1000+
￥6.70768

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型号：IKW40N120CH7XKSA1 编号：C19631203

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 25℃时，VCEsat = 1.7 V。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

1+
￥25.0182
20+
￥24.0012
100+
￥23.391
200+
￥22.7808
500+
￥22.374

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型号：PVA3354NPBF 编号：C538585

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVA33系列交流继电器（PVA）是一种单极常开固态继电器，可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离。PVA33系列克服了传统机电继电器和干簧继电器的局限性，具备固态继电器的诸多优势，如长寿命、快速操作速度、低吸合功率、无触点抖动、低热失调电压和小型封装等。这些优势使得该系列产品在许多应用领域（如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集）能够实现产品改进和设计创新。PVA33能够切换从热电偶电平到300V峰值交流或直流极性的模拟信号。可轻松控制高达射频范围的信号频率，且可实现高达500Hz的开关速率。极小的热生成失调电压可提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，有通孔或表面贴装（“鸥翼式”）引脚可供选择，采用塑料运输管包装。

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1+
￥70.53
10+
￥61.24
50+
￥53.17
100+
￥48.42

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型号：IPW60R024P7XKSA1 编号：C3278951

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者，它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥92.27
10+
￥87.72
30+
￥79.83
100+
￥72.96

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型号：ESD5V3U4RRS 编号：C157364

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

ESD二极管阵列

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1+
￥1.1951
10+
￥1.1747
30+
￥1.1611
100+
￥1.1474

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型号：IRF40B207 编号：C459967

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅。符合RoHS标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥11.04
10+
￥9.44
50+
￥8.43

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型号：TLE4205G 编号：C5157949

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE 4205G是一款适用于宽温度范围的集成式功率全桥直流电机驱动器，例如汽车应用中就有这样的需求。该电路包含两个功率比较器，可组合成一个全桥电路。对于感性负载，有集成的续流二极管连接到+ΔVS和地。输出端在高达18 V的电源电压下对地短路保护，并且在出现过热时会关闭。这款IC特别适用于汽车的前照灯光束调节。

1+
￥15.29
10+
￥12.9
30+
￥11.41
100+
￥9.88
500+
￥9.19
1000+
￥8.89

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型号：IKW15N120CS7XKSA1 编号：C3191655

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 15 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压，在 Tvj = 175℃ 时 VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。具有宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥23.06
10+
￥22.47
30+
￥22.08
100+
￥21.69

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型号：IPP65R110CFDA 编号：C537229

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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单价：
￥11.55 / 个

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型号：BSC0910NDIATMA1 编号：C3278738

封装：TISON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道。为高性能降压转换器优化。逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。集成单片肖特基二极管

1+
￥7.345
50+
￥6.78
100+
￥6.667
500+
￥6.441
1000+
￥6.328

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型号：PVA1354NSPBF 编号：C538575

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。利用HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该二极管与光伏发生器进行光隔离。克服了传统机电继电器和簧片继电器的局限性，具有长寿命、快速运行速度、低吸合功率、无弹跳运行、低热失调电压和微型封装等固态优势。可切换从热电偶电平到100V峰值交流或直流极性的模拟信号，能轻松控制进入射频范围的信号频率，可实现高达450Hz的开关速率，极小的热产生失调电压可提高测量精度。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（“鸥翼”）引脚，采用塑料运输管包装。

数据手册

1+
￥51.38
10+
￥50.12
30+
￥49.27
100+
￥48.43

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型号：IPBE65R075CFD7AATMA1 编号：C3279276

封装：TO-263-7-3-10

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS移相全桥、LLC等谐振开关拓扑。

单价：
￥10.5 / 个

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型号：IPP60R016CM8XKSA1 编号：C26312899

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗，使开关应用更加高效。

1+
￥73.16
10+
￥70.98

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型号：ESD144B1W0201E6327XTSA1 编号：C1975764

封装：0201

品牌：Infineon(英飞凌)

提供用于无线、计算和消费应用的静电放电 (ESD) 保护二极管。CSP 封装的 TVS 二极管可承受数千次超过 IEC61000-4-2 标准最严格等级的 ESD 冲击。低钳位电压和低至 0.09Ω 的超低动态电阻确保了卓越的系统保护。超低电容二极管是高速和 RF 接口应用中实现最佳信号完整性的首选解决方案。WLL-2 二极管封装厚度仅 0.15mm，适用于大多数贴片组装方式，且符合 RoHS 和无卤要求。CSP 封装的 TVS 二极管漏电流低至小于 1nA，有利于延长电池供电电子产品的电池续航时间。

数据手册

25+
￥0.282003
50+
￥0.272757
100+
￥0.268134
200+
￥0.254265

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型号：IRFS3107TRL7PP 编号：C538004

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥11.752
50+
￥10.848
100+
￥10.6672
500+
￥10.3056
1000+
￥10.1248

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型号：IPP60R160P7XKSA1 编号：C3278823

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7th generation platform 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。

1+
￥15.16
10+
￥14.84
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￥14.62
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￥13.73

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