sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-247-2L

这款碳化硅二极管具有30安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V），保证了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.5伏特，在确保高效能的同时减少了能量损耗。此外，其反向漏电流（IR/uA）控制在250微安，表明即使在高压下也能维持较低的漏电水平。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到121安培，增强了处理瞬间大电流的能力，适用于需要高耐压与快速开关特性的场合。

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￥43.9736 ￥49.97
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￥37.7784 ￥42.93
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￥34.012 ￥38.65
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￥30.8528 ￥35.06

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型号：SDT06S60-HXY 编号：C53468033

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为6A，最大反向重复电压达650V，正向压降典型值为1.68V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料特性，具备较低的导通损耗与优异的高频开关性能，适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换场景。器件结构设计支持快速恢复特性，有助于减少系统中的开关损耗与电磁干扰。

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￥47.842 ￥50.36
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￥46.74 ￥49.2
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￥46.018 ￥48.44
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￥45.2865 ￥47.67

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型号：LSIC2SD120A20A-HXY 编号：C52195021

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.45V。器件利用碳化硅材料特性，实现高频开关下的高效导通与快速恢复，反向漏电流小，耐高温性能优异。适用于高效率电源转换拓扑，如大功率开关电源、DC-DC变换器及光伏逆变电路，有助于减小系统体积并提升整体能效。其封装设计利于散热管理，满足严苛工作环境下的可靠性要求。

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￥47.9085 ￥50.43
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￥41.3345 ￥43.51
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￥37.3255 ￥39.29
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￥33.9625 ￥35.75

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型号：SIC20120B-BP-HXY 编号：C52195042

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.45V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间短，适用于高效率电源转换电路。典型应用场景包括大功率开关电源、光伏逆变系统、储能装置中的整流模块以及高密度DC-DC变换器，适合对热性能和空间布局有严苛要求的设计。

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￥51.1005 ￥53.79
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￥44.0895 ￥46.41
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￥39.8145 ￥41.91
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￥36.233 ￥38.14

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型号：E4D10120A-HXY 编号：C51896401

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流10A，反向耐压达1200V，正向导通压降为1.39V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温稳定性与抗冲击能力，反向漏电流小，恢复特性迅速，可显著减少能量损耗。适用于高电压、高频率的电源转换系统，如大功率开关电源、不间断电源、高压直流变换器及可再生能源发电中的逆变装置，有助于提升系统效率并减小散热设计负担。

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￥55.8885 ￥58.83
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￥48.222 ￥50.76
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￥43.548 ￥45.84
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￥39.6245 ￥41.71

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型号：CSIC10-1200SL-HXY 编号：C51896399

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压工作场景。其正向压降（VF）典型值为1.39V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。得益于碳化硅材料的优异特性，器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温稳定性。适用于高效率开关电源、大功率DC-DC变换器、光伏逆变模块及高密度电源供应系统，可满足对功率密度与转换效率有较高要求的电力电子应用场合。

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￥55.8885 ￥58.83
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￥39.6245 ￥41.71

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型号：CI50S170D3L2 编号：C52940992

封装：TO-247-2

品牌：Tokmas(托克马斯)

1700V50A

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￥57.824 ￥72.28
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￥49.888 ￥62.36
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￥45.048 ￥56.31
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￥40.992 ￥51.24

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型号：FFSH3065B-F085 编号：C605108

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性以及出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰以及更小的系统尺寸和成本。

数据手册

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￥59.79
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￥47.1289 ￥51.79
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￥37.9971 ￥46.91
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￥34.6842 ￥42.82

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型号：NDSH50120C-HXY 编号：C52195054

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）达50A，反向重复峰值电压（VR）为1200V，适用于高功率密度与大电流应用场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.43V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备优异的高温稳定性和快速反向恢复能力，可有效降低开关过程中的能量损耗。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、通信电源模块、可再生能源发电逆变单元及高要求的直流-交流变换装置。

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￥80.1515 ￥84.37
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￥76.475 ￥80.5
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￥70.091 ￥73.78
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￥64.524 ￥67.92

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型号：SICPT30120-BP-HXY 编号：C52195053

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.5V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效减少能量损耗与发热。适用于高功率密度电源转换设计，如开关模式电源、光伏逆变装置及高效率直流-直流转换器，满足对热性能与电气性能要求严苛的应用场景。

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￥88.5875 ￥93.25
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￥84.5215 ￥88.97
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￥77.4725 ￥81.55
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￥71.3165 ￥75.07

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型号：H1D02065AF-HXY 编号：C52145206

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有2A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.3V，可有效减少导通损耗，提升系统整体能效。在关断状态下，反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的阻断特性与稳定性。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备快速开关能力和良好的热性能，适合用于高频率开关电源、高效DC-DC转换器及要求紧凑设计的电力变换模块，有助于减小被动元件体积并提升功率密度。

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￥1.03094 ￥1.0852
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￥1.00795 ￥1.061
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￥0.992655 ￥1.0449
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￥0.977265 ￥1.0287

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型号：ASZD006065F 编号：C50132441

封装：TO-220-2F

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=6A@Tc=140℃, Vf=1.3V@6A

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￥2.7075 ￥2.85
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￥2.147 ￥2.26
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￥1.9 ￥2
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￥1.387 ￥1.46

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型号：BCD65S10D3 编号：C53368045

封装：DPAK

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,10A

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￥3.47
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￥2.01
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￥1.84
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￥1.73

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型号：HC1D02065E 编号：C41428787

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备2A的正向电流（IF），可在电路中承载稳定的电流负载。其设计支持最高650V的反向电压（VR），确保了在高压条件下的安全运行。同时，该二极管展示出1.3V的正向电压降（VF），这表明其在导通状态下的能量损失较小，有助于提高电路中的能量转换效率。此元件适用于高频开关电源以及其他对效率与可靠性有较高要求的应用中，是追求高性能电子设计的理想选择。

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￥3.791 ￥4.46
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￥3.0515 ￥3.59
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￥2.686 ￥3.16
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￥2.3205 ￥2.73
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￥2.0995 ￥2.47
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￥1.989 ￥2.34

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型号：GK08D650F 编号：C52976453

封装：ITO-220AC

品牌：GOODWORK(固得沃克)

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点，适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

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￥4.3225 ￥4.55
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￥3.496 ￥3.68
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￥3.0875 ￥3.25
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￥2.679 ￥2.82
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￥2.432 ￥2.56
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￥2.3085 ￥2.43

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型号：GK08D650G 编号：C52976461

封装：TO-263

品牌：GOODWORK(固得沃克)

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点，适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

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￥4.3225 ￥4.55
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￥2.3085 ￥2.43

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型号：GK06D650A 编号：C52976454

封装：ITO-220AC

品牌：GOODWORK(固得沃克)

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点，适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

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型号：GK08D650A 编号：C52976455

封装：ITO-220AC

品牌：GOODWORK(固得沃克)

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点，适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

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￥3.496 ￥3.68
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型号：GK10D650B 编号：C52976457

封装：TO-220

品牌：GOODWORK(固得沃克)

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点，适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

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￥2.3085 ￥2.43

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型号：GC3D06065A 编号：C7435064

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:23nC 总功率(Ptot):73W

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￥4.88
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￥3.93
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￥3.46
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￥2.98
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￥2.7
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￥2.56

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型号：ASYD010120C 编号：C50132424

封装：TO-247-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=10A@Tc=152℃, Vf=1.5V@10A

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￥5.453 ￥5.74
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￥5.3295 ￥5.61
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￥5.2535 ￥5.53
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￥5.168 ￥5.44

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型号：SSTPSC4H065DI 编号：C49450382

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥5.5
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￥4.42
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￥3.88
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￥3.34

有货

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型号：RSS08065B 编号：C51904701

封装：TO-220-2

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

OBC充电机,化成电源,医疗电源,金牌PC电源,服务器电源,TV电源,充电桩,通讯电源,谐振方案,工控

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￥5.719 ￥6.02
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￥4.636 ￥4.88
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￥4.085 ￥4.3
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￥3.553 ￥3.74
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￥3.23 ￥3.4
1000+
￥3.059 ￥3.22

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型号：SIDH04G65C6XKSA1 编号：C49450324

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥6.04
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￥4.83
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￥4.23
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￥3.63

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型号：HC1D04065F 编号：C41428795

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有4A的最大电流（IF）承载能力，以及650V的反向电压（VR），适用于需要高效率及高频操作的应用场景。其正向电压降（VF）仅为1.3V，在保证性能的同时，能有效减少能量损耗。此元件特别适合用于需要快速开关特性和恶劣环境下稳定工作的电路设计中，如高性能电源转换系统或便携式设备充电解决方案等。选用该碳化硅二极管，可以显著提升电子设备的工作效率与可靠性。