sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SIC10120PTA-BP-HXY 编号：C52195012

封装：TO-247-2L

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压阻断与大电流导通场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.47V，结合碳化硅材料固有的低反向恢复电荷与高热导率特性，可显著减少开关过程中的能量损耗。器件支持高频开关工作模式，具备优良的高温工作稳定性。主要应用于高压直流电源、高效能电力变换系统、可再生能源逆变单元及高功率密度电源模块，适用于对系统效率、散热性能和长期可靠性要求较高的电力电子装置。

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￥63.8685 ￥67.23
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￥55.1095 ￥58.01
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￥49.761 ￥52.38
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￥45.2865 ￥47.67

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型号：SIC20120PTP-BP-HXY 编号：C52195044

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备20A的正向平均电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压阻断场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，可有效减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料特性，器件具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，支持高频工作模式。主要应用于高功率密度电源转换系统，如通信电源、储能逆变装置、高压直流变换器及太阳能发电系统中的整流与续流环节，可在高温、高应力环境下稳定运行，满足严苛的电力电子设计需求。

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￥63.8685 ￥67.23
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￥55.1095 ￥58.01
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￥49.761 ￥52.38
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型号：NVDSH50120C-HXY 编号：C52195055

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备50A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），在高功率条件下表现出优异的电气性能。其正向压降（VF）低至1.43V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持更高的工作温度和开关频率，适用于对功率密度和转换效率要求较高的电力转换场合，如大功率电源模块、可再生能源逆变系统及高频率直流变换装置，为复杂电路设计提供可靠的解决方案。

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￥67.07 ￥70.6
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￥57.8645 ￥60.91
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￥52.25 ￥55
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￥47.5475 ￥50.05

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型号：SD5012CTDL-HXY 编号：C52195035

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备50A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.43V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优异，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变装置及储能系统中的整流与续流环节，能够在较宽温度范围内可靠运行。

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￥70.3095 ￥74.01
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￥67.0795 ￥70.61
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￥61.484 ￥64.72
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￥56.601 ￥59.58

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型号：MSC050SDA120B-HXY 编号：C52195052

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备50A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下表现出优异的稳定性和可靠性。其正向导通压降（VF）低至1.43V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，同时具备出色的热稳定性，适用于高功率密度电源转换场景。典型应用包括高效开关电源、可再生能源逆变装置及高要求的电力调节单元，适合对效率和空间布局有严苛要求的设计需求。

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￥78.242 ￥82.36
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￥55.4705 ￥58.39

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型号：S1P20A120DDE 编号：C42456097

封装：SOT-227

品牌：SICHAIN(清纯)

SIC JBS MOUDLE 1200V200A

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￥138.13
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￥132.01
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￥121.4

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型号：BCM65S03D4 编号：C52269244

封装：DPAK

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,3A

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￥1.0378
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￥0.561
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￥0.5286

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型号：PNU65020EPX-HXY 编号：C52145207

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管额定正向电流为2A，反向重复耐压达650V，适用于中高电压功率电路。其正向导通压降为1.3V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提高能量转换效率。反向漏电流典型值为2μA，表现出良好的关断特性和高温稳定性。基于碳化硅材料的优异性能，该器件具备快速恢复能力与较小的结电容，适合应用于高效开关电源、高密度AC-DC/DC-DC转换模块以及对热管理要求较高的电力电子设备中，可支持高频运行并降低散热设计复杂度。

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￥1.85155 ￥1.949
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￥0.9424 ￥0.992

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型号：GK02D600E 编号：C52976460

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点，适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

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￥2.9735 ￥3.13
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￥2.09 ￥2.2
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￥1.52 ￥1.6

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型号：GK08D650E 编号：C53086337

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点，适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

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￥3.2395 ￥3.41
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￥2.622 ￥2.76
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￥2.014 ￥2.12
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￥1.7385 ￥1.83

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型号：RSS08065G 编号：C51904722

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS,电动工具

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￥3.3155 ￥3.49
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￥2.3275 ￥2.45
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￥1.691 ￥1.78

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型号：HC1D02065A 编号：C41428796

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备2A的最大电流（IF）承受能力，最高可承受650V的反向电压（VR），同时拥有较低的正向电压（VF）1.3V，这有助于降低导通时的功耗。该二极管适用于需要高效能和低损耗特性的小型电子产品中，例如在高频开关电源、消费类电子产品中的电源管理模块或是其他要求严苛的便携式电子装置里，能够提供可靠的整流作用，并确保电路在高压下的稳定性。

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￥3.753 ￥4.17
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￥3.024 ￥3.36
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￥2.655 ￥2.95
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￥1.971 ￥2.19

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型号：LXA10T600-HXY 编号：C53468156

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的最大反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A，凭借碳化硅材料特性，在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源、开关模式电源及高频整流等应用场合。

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￥4.5125 ￥4.75
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￥4.408 ￥4.64
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￥4.3415 ￥4.57
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￥4.275 ￥4.5

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型号：HSTPSC4H065D 编号：C42389208

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF/A）和650V的反向电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向压降（VF/V）仅为1.3V，在保证性能的同时降低了能耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在50微安以下，显示出良好的阻断特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达23A，适合于需要承受短时大电流冲击的应用场合。此元件凭借其出色的电气特性，适用于多种电路保护及高效能转换场景中。

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￥4.9956 ￥5.43
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￥4.0204 ￥4.37
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￥3.5328 ￥3.84
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￥3.0544 ￥3.32
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￥2.7692 ￥3.01
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￥2.6128 ￥2.84

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型号：ASYD010120C 编号：C50132424

封装：TO-247-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=10A@Tc=152℃, Vf=1.5V@10A

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￥5.453 ￥5.74
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￥5.3295 ￥5.61
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￥5.2535 ￥5.53
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￥5.168 ￥5.44

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型号：SC4D05120A 编号：C49450287

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

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￥6.2
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￥5.12
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￥4.53
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￥3.86

有货

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型号：SPCDP0665G1 编号：C49450359

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥6.2
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￥4.53
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￥3.86

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型号：GC6D06065A 编号：C7435081

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:23nC 总功率(Ptot):73W

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￥6.32
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￥5.09
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￥4.48
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￥3.86
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￥3.5
1000+
￥3.31

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型号：SSTPSC10065DLF 编号：C49450374

封装：DFN-4L(8x8)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥7.1
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￥5.84
30+
￥5.15
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￥4.37

有货

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型号：SWNSC10650T6J 编号：C49450393

封装：DFN-4L(8x8)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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型号：SSTPSC10H065DI 编号：C49450376

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥7.13
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￥5.87
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￥5.18
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￥4.39

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型号：SSIC1060P-BP 编号：C49450373

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥7.23
10+
￥5.97
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￥5.28
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￥4.5

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型号：SC6D08065Q 编号：C49450297

封装：DFN-4L(8x8)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥7.23
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￥5.28

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型号：SWNSC08650T6J 编号：C49450391

封装：DFN-4L(8x8)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥8.27
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￥6.83
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￥6.04
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型号：SICF0860P-BP-HXY 编号：C52194987

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V。基于碳化硅材料，该二极管具有优异的高温稳定性与抗辐射能力，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。其特性适用于高效率、高频率的电力转换场景，如高性能电源模块、可再生能源逆变系统、服务器电源单元以及高密度DC-DC变换器。器件能有效降低开关损耗，提升系统功率密度与整体能效，满足严苛的电力电子设计需求。

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￥9.557 ￥10.06
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￥8.1225 ￥8.55
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￥7.2295 ￥7.61
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￥6.308 ￥6.64
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￥5.8995 ￥6.21
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￥5.719 ￥6.02

有货

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型号：FFSP1065A 编号：C464168

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术，能够提供卓越的开关性能，且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能，使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及减小的系统尺寸和成本。Llew

数据手册

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￥9.891 ￥15.7
10+
￥7.9235 ￥14.95
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￥6.2393 ￥14.51
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￥6.0458 ￥14.06
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￥5.9555 ￥13.85
1000+
￥5.9168 ￥13.76

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型号：FSU10D60-HXY 编号：C53468135

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其基于碳化硅材料的特性，具备优异的高频性能与热稳定性，适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换、高频整流及高密度电力电子系统中。

1+
￥9.918 ￥10.44
10+
￥9.6995 ￥10.21
50+
￥9.5475 ￥10.05
100+
￥9.3955 ￥9.89

有货

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型号：SCS308APC9 编号：C559678

封装：TO-220-2

品牌：ROHM(罗姆)

特性：较短的恢复时间。降低的温度依赖性。可进行高速开关。高浪涌电流能力

数据手册

1+
￥10.48
10+
￥9.54
30+
￥8.95
100+
￥8.35

有货

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型号：BSDL10S65E6-HXY 编号：C53467912

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.37V，导通损耗较低。其非重复浪涌正向电流（IFSM）为80A，具备良好的瞬态电流承受能力。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频工作条件下仍能保持高效性能和快速开关响应，适用于高效率电源转换、开关模式电源及高频整流等应用场合。

1+
￥10.8585 ￥11.43
10+
￥10.6115 ￥11.17
30+
￥10.45 ￥11
100+
￥10.2885 ￥10.83

有货

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型号：DSC06A065LP-13-HXY 编号：C53468012

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.32V，可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。得益于碳化硅材料的物理特性，器件具有快速开关响应、低导通损耗和良好的高温稳定性，适用于高效率电源转换及对热性能要求较高的电力电子系统。

1+
￥10.9345 ￥11.51
10+
￥10.6875 ￥11.25
30+
￥10.5165 ￥11.07
100+
￥10.355 ￥10.9

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