sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220C-2L

该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压工作场景。其正向压降（VF）典型值为1.39V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。得益于碳化硅材料的优异特性，器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温稳定性。适用于高效率开关电源、大功率DC-DC变换器、光伏逆变模块及高密度电源供应系统，可满足对功率密度与转换效率有较高要求的电力电子应用场合。

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￥41.857 ￥44.06
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￥40.261 ￥42.38
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￥39.6245 ￥41.71

有货

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型号：SD5012CTDL-HXY 编号：C52195035

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备50A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.43V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优异，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变装置及储能系统中的整流与续流环节，能够在较宽温度范围内可靠运行。

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￥70.3095 ￥74.01
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￥67.0795 ￥70.61
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￥61.484 ￥64.72
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￥56.601 ￥59.58

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型号：MSC050SDA120B-HXY 编号：C52195052

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备50A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下表现出优异的稳定性和可靠性。其正向导通压降（VF）低至1.43V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，同时具备出色的热稳定性，适用于高功率密度电源转换场景。典型应用包括高效开关电源、可再生能源逆变装置及高要求的电力调节单元，适合对效率和空间布局有严苛要求的设计需求。

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￥78.242 ￥82.36
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￥60.9615 ￥64.17
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￥55.4705 ￥58.39

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型号：GK02D600E 编号：C52976460

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点，适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

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￥1.68
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￥1.65
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￥1.62
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￥1.6

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型号：H1D02065AF-HXY 编号：C52145206

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有2A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.3V，可有效减少导通损耗，提升系统整体能效。在关断状态下，反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的阻断特性与稳定性。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备快速开关能力和良好的热性能，适合用于高频率开关电源、高效DC-DC转换器及要求紧凑设计的电力变换模块，有助于减小被动元件体积并提升功率密度。

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￥1.92014 ￥2.0212
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￥1.34558 ￥1.4164
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￥1.03474 ￥1.0892
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￥0.977265 ￥1.0287

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型号：GK08D650E 编号：C53086337

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点，适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

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￥1.93
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￥1.83

有货

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型号：GK08D650G 编号：C52976461

封装：TO-263

品牌：GOODWORK(固得沃克)

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点，适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

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￥2.57
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￥2.51
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￥2.47
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￥2.43

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型号：CI04S65C3 编号：C967704

封装：TO-220

品牌：Tokmas(托克马斯)

650V 4A

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￥2.646 ￥2.94
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￥2.079 ￥2.31
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￥1.53 ￥1.7
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￥1.395 ￥1.55
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￥1.314 ￥1.46

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型号：BCS65S06D3 编号：C46472729

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,,6A

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￥3.45
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￥2.73
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￥2.42
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￥2.03

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型号：S3D08065E-HXY 编号：C51896309

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.4V，有助于提升能效并减少热损耗。其基于碳化硅材料的特性，支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器以及高密度电源模块，适合对散热性能和空间布局有较高要求的高性能电子设备。

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￥3.477 ￥3.66
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￥3.3915 ￥3.57
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￥3.287 ￥3.46

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型号：HC6D04065E 编号：C42389271

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有4安培的最大正向电流（IF/A），能承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能耗并提高效率。在反向偏置状态下，其漏电流（IR/uA）不超过50微安，显示了良好的阻断性能。该二极管还具备36安培的峰值浪涌电流（IFSM/A），能够在极端情况下提供额外的安全裕量。这些特性使其非常适合应用于需要快速切换及稳定性能的电路中，如高频开关电源转换和逆变技术等领域。

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￥2.5696 ￥2.92

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型号：GC3D06065A 编号：C7435064

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:23nC 总功率(Ptot):73W

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￥4.88
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型号：HNXPSC04650D6J 编号：C42389307

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向击穿电压（VR），能够在高功率密度设计中提供可靠的性能。其正向电压降（VF）仅为1.3V，在大电流工作条件下能有效降低功耗。反向漏电流（IR）控制在50微安，在非导通状态下确保了低功耗。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达36A，适用于需要承受短时电流峰值的应用环境。此二极管的特性使其成为需要高效能和稳定性的电路设计中的理想选择。

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￥2.8072 ￥3.19
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￥2.6664 ￥3.03

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型号：BCL65S08D3 编号：C46472732

封装：DFN-8(8x8)

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,8A

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￥5.17
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￥3.21

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型号：SSTPSC4H065DI 编号：C49450382

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥4.42
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￥3.88
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￥3.34

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型号：BCD120S10D2 编号：C46472743

封装：DPAK

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,1200V,10A

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￥5.769 ￥6.41
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￥4.797 ￥5.33
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￥4.257 ￥4.73
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￥3.654 ￥4.06

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型号：S1D015120A 编号：C22451354

封装：TO-220-2L

品牌：SICHAIN(清纯)

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复。高频操作。与温度无关的开关。低正向电压。应用：开关模式电源。功率因数校正

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￥5.769 ￥6.41
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￥4.158 ￥4.62
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￥3.285 ￥3.65
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￥3.159 ￥3.51

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型号：HC6D06065E 编号：C42389270

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流（IF/A），并且能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.3伏特，在确保高效导电的同时，有效降低了能量损耗。该二极管在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在50微安以下，表明其在关闭状态下的漏电极低。此外，它拥有高达48安培的瞬态浪涌电流能力（IFSM/A），能够在短时间内处理较大的电流波动而不损坏。这些特性使得它适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效率和可靠性的电子设备中。

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￥6.012 ￥6.68
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￥4.995 ￥5.55
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￥4.437 ￥4.93
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￥3.402 ￥3.78

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型号：SPCDP0665G1 编号：C49450359

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥6.2
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￥5.12
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￥3.86

有货

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型号：FG3S06506C 编号：C42387307

封装：TO-252

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：低反向电流。良好的浪涌电流能力。低电容电荷。无反向恢复电流。无卤，符合RoHS标准。与Si二极管相比，提高系统效率。应用：开关模式电源 (SMPS)。不间断电源

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￥6.21
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￥5
30+
￥4.4

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型号：GC6D06065A 编号：C7435081

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:23nC 总功率(Ptot):73W

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￥6.32
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￥5.09
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￥4.48
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￥3.86
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￥3.5
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￥3.31

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型号：HFFSD0665A 编号：C42389257

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备6A的正向电流承载能力（IF/A），并能承受高达650V的反向电压（VR/V）。其工作时产生的正向电压（VF/V）仅为1.3V，且在反向状态下，其漏电流（IR/uA）保持在50μA。该二极管还具有48A的瞬态正向浪涌电流处理能力（IFSM/A）。这些特性使其非常适合应用于要求高效率和可靠性的开关电路及能量转换系统中。

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￥6.5208 ￥7.41
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￥5.4208 ￥6.16
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￥4.8136 ￥5.47
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￥4.136 ￥4.7
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￥3.828 ￥4.35
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￥3.696 ￥4.2

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型号：SSTPSC10065DLF 编号：C49450374

封装：DFN-4L(8x8)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥7.1
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￥5.84
30+
￥5.15
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￥4.37

有货

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型号：SWNSC10650T6J 编号：C49450393

封装：DFN-4L(8x8)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥7.1
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￥5.84
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￥5.15
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￥4.37

有货

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型号：SSIC1060P-BP 编号：C49450373

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥7.23
10+
￥5.97
50+
￥5.28
100+
￥4.5

有货

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型号：SC6D08065Q 编号：C49450297

封装：DFN-4L(8x8)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥7.23
10+
￥5.97
30+
￥5.28

有货

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型号：C6D08065E-TR-HXY 编号：C51896303

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中高电压功率转换应用。其正向导通压降（VF）为1.4V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，器件具有优异的高温工作能力和快速开关性能，可支持高频运行。独立封装设计便于电路集成与热管理，适用于高效率开关电源、储能系统、通信电源及可再生能源发电设备中的整流与续流环节，满足对功率密度、转换效率和长期稳定性有较高要求的电力电子场景。

1+
￥7.239 ￥7.62
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￥7.0775 ￥7.45
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￥6.973 ￥7.34
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￥6.859 ￥7.22

有货

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型号：IDM05G120C5XTMA1-HXY 编号：C52194990

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备5A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降（VF）为1.38V。依托碳化硅材料优势，具备出色的耐高压性能、高温稳定性和极快的开关速度，反向恢复电荷极低。适用于高电压、高效率要求的电源系统，如大功率开关电源、不间断电源、光伏逆变器以及高密度电源模块等，可有效降低开关损耗，提升系统功率密度与整体能效水平。

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￥7.0775 ￥7.45
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￥6.973 ￥7.34
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￥6.859 ￥7.22

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型号：SWNSC08650T6J 编号：C49450391

封装：DFN-4L(8x8)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥8.27
10+
￥6.83
30+
￥6.04
100+
￥5.14

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型号：HC4D10120E 编号：C42389275

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够承受高达1200V的反向电压（VR/V），适用于要求严苛的高电压和大电流场合。其正向电压降（VF/V）为1.4V，有助于降低导通损耗，提升整体效率。反向漏电流（IR/uA）为100微安，显示了良好的阻断能力。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到90A，表明该二极管可以应对短时间内的电流峰值，适用于高频开关和其他需要快速响应与高可靠性的电路设计。

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￥10.5512 ￥11.99
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￥10.3136 ￥11.72
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￥10.1552 ￥11.54
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￥9.9968 ￥11.36

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