sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：F3C20065A 编号：C784609

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：650伏肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。应用：开关电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

数据手册

1+
￥13.208 ￥16.51
10+
￥11.4 ￥14.25
50+
￥9.456 ￥11.82
100+
￥8.296 ￥10.37
500+
￥7.776 ￥9.72
1000+
￥7.544 ￥9.43

有货

立即购买

型号：HC3D16065D 编号：C22449561

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管采用双路并联设计，每路耐压650V，合计可承载高达16A电流，特别适合需要高电流处理能力的应用。其正向压降仅为1.3V，有效提升了能效，减少了工作时的热损耗，是构建高效、紧凑型电源系统不可或缺的元件。

1+
￥14.868 ￥21.24
10+
￥12.712 ￥18.16
25+
￥11.431 ￥16.33
100+
￥10.136 ￥14.48
500+
￥9.534 ￥13.62
1000+
￥9.268 ￥13.24

有货

立即购买

型号：SFFSB0865B-F085 编号：C49450308

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥15.59
10+
￥13.18
30+
￥11.67
100+
￥10.12

有货

立即购买

型号：SNXPSC08650BJ 编号：C49450352

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥15.59
10+
￥13.18
30+
￥11.67
100+
￥10.12

有货

立即购买

型号：HSTPSC10H12BTR 编号：C42389196

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有10A的正向平均电流(IF)能力和高达1200V的反向耐压(VR)，适用于需要承受高电压的应用。其正向电压降(VF)为1.4V，有助于减少热损耗。该器件还表现出优秀的电性能，包括仅100μA的低反向漏电流(IR)以及90A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)能力，能够有效应对突发的大电流情况。它适合于那些要求高效能与稳定性的电力转换和管理电路中使用。

1+
￥17.3304 ￥20.88
10+
￥14.8736 ￥17.92
30+
￥13.4128 ￥16.16
100+
￥11.9354 ￥14.38
500+
￥11.2465 ￥13.55
1000+
￥10.9394 ￥13.18

有货

立即购买

型号：CI30S120D3 编号：C967732

封装：TO-247-3

品牌：Tokmas(托克马斯)

碳化硅SiC

数据手册

1+
￥17.49
10+
￥14.63
30+
￥13.41
90+
￥11.57
510+
￥10.74
1020+
￥10.39

有货

立即购买

型号：IDH10SG60C 编号：C535874

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复 / 无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用：开关电源（如连续导通模式功率因数校正）。电机驱动

数据手册

1+
￥21.63
10+
￥20.48
50+
￥19.8
100+
￥19.11
500+
￥18.8
1000+
￥18.65

有货

立即购买

型号：HC3D10120G 编号：C22449569

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款1200V碳化硅二极管，电流承载能力达10A，正向压降仅为1.4V，集高电压、大电流与低损耗特性于一身。它适合于高要求的电源转换与管理领域，能显著提升系统效率和长期运行的稳定性，是现代高效电子系统的关键组件。

1+
￥22.6922 ￥27.34
10+
￥19.3971 ￥23.37
30+
￥17.4383 ￥21.01
100+
￥15.4629 ￥18.63
500+
￥14.5499 ￥17.53
800+
￥14.1349 ￥17.03

有货

立即购买

型号：SFFSH20120A-F085 编号：C49450312

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥27.55
10+
￥23.53
30+
￥21.14

有货

立即购买

型号：HFFSH2065BDNF085 编号：C42389263

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能碳化硅二极管，具备优异的电学特性。最大正向电流（IF）可达20A，反向耐压（VR）高达650V，适用于高效率电源转换系统。其正向导通压降（VF）仅为1.3V，显著降低导通损耗，提升整体能效。在高温或高压环境下仍能保持稳定工作，反向漏电流（IR）低至100μA，确保器件在复杂电磁环境中具有良好的可靠性。此外，具备70A的浪涌电流（IFSM）承受能力，增强了对瞬态过流的适应性。广泛应用于高效开关电源、光伏逆变器及通信设备电源模块中，满足高频、高密度电源设计需求。

1+
￥30.1539 ￥36.33
10+
￥25.8711 ￥31.17
30+
￥23.323 ￥28.1
90+
￥20.75 ￥25
510+
￥19.5631 ￥23.57
990+
￥19.0319 ￥22.93

有货

立即购买

型号：SP30D120CTF 编号：C49257266

封装：TO-247

品牌：Siliup(矽普)

碳化硅二极管产品，耐压：1200V，电流：30A,Vf：1.42V@30A， Qc：158nC

1+
￥33.6775 ￥35.45
10+
￥28.7945 ￥30.31
30+
￥25.8875 ￥27.25
90+
￥22.9425 ￥24.15
510+
￥21.5935 ￥22.73
990+
￥20.976 ￥22.08

有货

立即购买

型号：HC1D20120G 编号：C41428785

封装：TO-263-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有20安培的最大工作电流IF，反向电压VR高达1200伏特，同时其正向电压VF为1.4伏特。其高性能特点适合应用于需要高电压隔离和快速开关特性的电子设备中，可以广泛支持从电源适配到能量转换的各种非工业标准电路配置，确保了电能转换过程中的效率与可靠性。

1+
￥33.8712 ￥38.49
10+
￥29.1104 ￥33.08
30+
￥26.1976 ￥29.77
100+
￥23.7688 ￥27.01

有货

立即购买

型号：CI50S170D3L2 编号：C52940992

封装：TO-247-2

品牌：Tokmas(托克马斯)

1700V50A

1+
￥66.752 ￥83.44
10+
￥63.6 ￥79.5
30+
￥58.136 ￥72.67
90+
￥53.36 ￥66.7

有货

立即购买

型号：FFSH50120A-HXY 编号：C52195050

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备50A的正向电流（IF）和1200V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）低至1.43V，表现出优异的导通性能与能效特性。其基于碳化硅材料的特性，具备出色的开关速度与高温工作稳定性，可有效降低系统中的能量损耗并提升功率密度。适用于高效率电源转换装置，如大功率开关电源、不间断电源系统及可再生能源逆变设备，能够在高频、高压工作环境下保持可靠运行，是现代电力电子系统中实现高效能量管理的关键元件。

1+
￥97.0235 ￥102.13
10+
￥92.568 ￥97.44
30+
￥84.8445 ￥89.31
90+
￥78.109 ￥82.22

有货

立即购买

型号：UJ3D1250K2-HXY 编号：C52195048

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备50A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高功率条件下表现出优异的稳定性。其正向导通压降（VF）低至1.43V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的工作温度和开关频率，适用于对功率密度和转换效率要求较高的电力转换场景。其独立式设计便于集成与散热，适合用于复杂电力电子系统中的整流与续流环节，满足高性能电源架构对可靠性和紧凑性的需求。

1+
￥112.499 ￥118.42
10+
￥107.331 ￥112.98
30+
￥98.3725 ￥103.55
90+
￥90.5635 ￥95.33

有货

立即购买

型号：MB480U12F2 编号：C22468373

封装：F2

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：SiC肖特基二极管。零反向恢复。零正向恢复。与温度无关的开关特性。正向电压VF具有正温度系数。极低的杂散电感。应用：焊接设备。不间断电源（UPS）

1+
￥843.36
30+
￥811.71

有货

立即购买

型号：BCH65S04D4 编号：C49195243

封装：TO-220-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,4A

5+
￥2.2137
50+
￥1.75
150+
￥1.5513
500+
￥1.3034

有货

立即购买

型号：HC1D04065F 编号：C41428795

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有4A的最大电流（IF）承载能力，以及650V的反向电压（VR），适用于需要高效率及高频操作的应用场景。其正向电压降（VF）仅为1.3V，在保证性能的同时，能有效减少能量损耗。此元件特别适合用于需要快速开关特性和恶劣环境下稳定工作的电路设计中，如高性能电源转换系统或便携式设备充电解决方案等。选用该碳化硅二极管，可以显著提升电子设备的工作效率与可靠性。

1+
￥5.808 ￥7.26
10+
￥4.824 ￥6.03
50+
￥4.232 ￥5.29
100+
￥3.624 ￥4.53
500+
￥3.36 ￥4.2
1000+
￥3.232 ￥4.04

有货

立即购买

型号：SC4D05120A 编号：C49450287

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥6.2
10+
￥5.12
50+
￥4.53
100+
￥3.86

有货

立即购买

型号：GC6D08065A 编号：C7435082

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:20nC 总功率(Ptot):92.6W

1+
￥6.32
10+
￥5.09
50+
￥4.48
100+
￥3.86
500+
￥3.5
1000+
￥3.31

有货

立即购买

型号：YJD106506PQG2 编号：C20605563

封装：TO-220-2

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：正温度系数。温度无关的开关特性。最高工作温度175℃。单极器件，零反向恢复电流。零正向恢复电压。基本无开关损耗。应用：功率因数校正（PFC）。太阳能逆变器

1+
￥7.03
10+
￥5.75
50+
￥5.11
100+
￥4.47

有货

立即购买

型号：SSTPSC8H065DI 编号：C49450386

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥7.1
10+
￥5.84
50+
￥5.15
100+
￥4.37

有货

立即购买

型号：SIDH10G65C6XKSA1 编号：C49450331

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥7.1
10+
￥5.84
50+
￥5.15
100+
￥4.37

有货

立即购买

型号：S1D020120G 编号：C22451356

封装：TO-263-2L

品牌：SICHAIN(清纯)

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复。高频操作。与温度无关的开关特性。低正向电压。应用：开关模式电源。功率因数校正

1+
￥7.308 ￥8.12
10+
￥6.012 ￥6.68
30+
￥5.292 ￥5.88
100+
￥4.761 ￥5.29
500+
￥4.401 ￥4.89
1000+
￥4.239 ￥4.71

有货

立即购买

型号：F4C05120A 编号：C784610

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：1.2kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关。极快的开关速度。反向电压（Vr）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管

数据手册

1+
￥8.505 ￥9.45
10+
￥7.209 ￥8.01
50+
￥5.481 ￥6.09
100+
￥4.68 ￥5.2
500+
￥4.32 ￥4.8
1000+
￥4.158 ￥4.62

有货

立即购买

型号：F4C10120A 编号：C784611

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：1.2kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关的开关特性。极快的开关速度。正向电压（VF）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC 或 DC/DC 阶段的升压二极管

数据手册

1+
￥8.768 ￥10.96
10+
￥7.352 ￥9.19
50+
￥6.576 ￥8.22
100+
￥5.704 ￥7.13

有货

立即购买

型号：YFWD310065CT 编号：C41382617

封装：TO-220AB

品牌：YFW(佑风微)

碳化硅二极管

1+
￥10.4025 ￥10.95
10+
￥8.778 ￥9.24
50+
￥7.923 ￥8.34
100+
￥6.8875 ￥7.25
500+
￥6.4125 ￥6.75
1000+
￥6.213 ￥6.54

有货

立即购买

型号：SCS308APC9 编号：C559678

封装：TO-220-2

品牌：ROHM(罗姆)

特性：较短的恢复时间。降低的温度依赖性。可进行高速开关。高浪涌电流能力

数据手册

1+
￥11.61
10+
￥10.66
30+
￥10.08
100+
￥9.47
500+
￥9.2

有货

立即购买

型号：HSCS210KE2C 编号：C42389201

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF/A）承载能力，同时支持最高达1200V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.4V，表明在导通状态下能有效减少电力损耗。该二极管的反向恢复电流（IR/uA）为150μA，确保了在非导通状态下的低漏电特性。瞬态正向峰值电流（IFSM/A）可以达到46A，使其适合应用于要求高效能与快速响应的电路设计中，例如在精密仪器或消费电子产品中的电源管理模块，能够显著提升系统的整体性能与稳定性。

1+
￥12.5664 ￥14.28
10+
￥10.6832 ￥12.14
30+
￥9.416 ￥10.7
90+
￥8.2104 ￥9.33
510+
￥7.6648 ￥8.71
990+
￥7.4272 ￥8.44

有货

立即购买

型号：HC4D20120A 编号：C19723895

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具有1200V高反向耐压及高达20A的连续正向电流能力，其正向导通电压VF为1.5V。专为高性能电源转换、电动汽车充电和工业逆变器设计，提供卓越的高温稳定性、超低损耗及快速开关特性。

1+
￥13.223 ￥18.89
10+
￥11.221 ￥16.03
50+
￥9.772 ￥13.96
100+
￥8.484 ￥12.12
500+
￥7.903 ￥11.29
1000+
￥7.658 ￥10.94

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示