sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

这款碳化硅二极管拥有15安培的最大电流（IF）承载能力，以及650伏特的反向电压（VR）耐受度，能够在高压环境中稳定工作，确保电路的安全与可靠。其正向电压降（VF）仅为1.3伏特，在保证性能的同时，减少了能量损耗。此元件适用于需要高效率能量转换的场合，如高性能电源供应器、逆变器以及其他需要快速开关特性的电路设计中，能够提升系统的整体效率并减少发热。

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￥17.901 ￥21.06
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￥15.3 ￥18
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￥13.7615 ￥16.19
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￥12.1975 ￥14.35
500+
￥11.475 ￥13.5
800+
￥11.152 ￥13.12

有货

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型号：SIDW15G120C5BFKSA1 编号：C49450341

封装：TO-247-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥22.04
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￥18.82
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￥16.91

有货

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型号：SMSC015SDA120B 编号：C49450350

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥23.88
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￥20.39
30+
￥18.32

有货

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型号：SPCFFS15120AF 编号：C49450362

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥23.88
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￥20.39
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￥18.32

有货

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型号：SIDWD15G120C5XKSA1 编号：C49450343

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥23.88
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￥20.39
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￥18.32

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型号：KN3D30120H 编号：C5373186

封装：TO-247-2

品牌：KNSCHA(科尼盛)

碳化硅二极管 SiC SBD 管装应用于新能源、汽车、逆变、光伏、充电桩、储能

数据手册

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￥30.4285 ￥32.03
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￥26.182 ￥27.56
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￥23.655 ￥24.9
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￥21.0995 ￥22.21
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￥19.9215 ￥20.97
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￥19.3895 ￥20.41

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型号：GC6D30130D 编号：C7435102

封装：TO-247-3

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:155nC 总功率(Ptot):440W

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￥31.81
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￥30.37
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￥29.49
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￥28.75

有货

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型号：SC6D40065H 编号：C49450303

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 40A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥33.06
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￥28.23
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￥25.36

有货

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型号：HFFSH40120ADNF085 编号：C42389312

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备40A的正向电流(IF/A)，并且能够承受最高1200V的反向电压(VR/V)，适合应用于需要高电压和较大电流的场合。其正向电压(VF/V)为1.5V，有助于提升系统的整体效率。反向漏电流(IR/uA)为200微安，在正常工作条件下提供了可靠的绝缘性能。此外，该二极管还具有130A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)，能够在短时间内处理较高的电流冲击，适用于要求高性能和高可靠性的电路设计中。

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￥42.5832 ￥48.39
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￥36.74 ￥41.75
30+
￥33.176 ￥37.7
90+
￥30.1928 ￥34.31

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型号：HFFSH30120A 编号：C42389249

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有30安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V），保证了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.5伏特，在确保高效能的同时减少了能量损耗。此外，其反向漏电流（IR/uA）控制在250微安，表明即使在高压下也能维持较低的漏电水平。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到121安培，增强了处理瞬间大电流的能力，适用于需要高耐压与快速开关特性的场合。

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￥45.0824 ￥51.23
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￥38.896 ￥44.2
30+
￥35.1296 ￥39.92
90+
￥31.9616 ￥36.32

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型号：HC1D100065H 编号：C41428790

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有卓越的电气特性，整流电流IF最高可达100安培，反向耐压VR为650伏特，而正向电压VF低至1.3伏特。这些参数表明它能在大电流条件下工作，并且由于较低的VF值，可以有效降低导通时的能量损失。适用于需要处理高电流且要求高效能的应用场景，如高频电源转换或其它需要快速开关特性的电路设计中，能够提升系统的整体效率并保持良好的热稳定性。

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￥48.6904 ￥55.33
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￥41.5888 ￥47.26
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￥37.2592 ￥42.34
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￥33.6248 ￥38.21

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型号：IDWD10G200C5XKSA1 编号：C35575405

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：反向重复峰值电压（VRRM）：2000V。正向电流（IF）：10A。正向电压（VF）：1.5V。无反向恢复电流/无正向恢复。高浪涌电流能力。温度无关的开关特性。应用：串式三相逆变器。电动汽车充电

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￥71.78
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￥68.19
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￥61.96

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型号：NDSH50120C-HXY 编号：C52195054

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）达50A，反向重复峰值电压（VR）为1200V，适用于高功率密度与大电流应用场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.43V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备优异的高温稳定性和快速反向恢复能力，可有效降低开关过程中的能量损耗。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、通信电源模块、可再生能源发电逆变单元及高要求的直流-交流变换装置。

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￥80.1515 ￥84.37
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￥76.475 ￥80.5
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￥70.091 ￥73.78
90+
￥64.524 ￥67.92

有货

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型号：SICPT30120-BP-HXY 编号：C52195053

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.5V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效减少能量损耗与发热。适用于高功率密度电源转换设计，如开关模式电源、光伏逆变装置及高效率直流-直流转换器，满足对热性能与电气性能要求严苛的应用场景。

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￥88.5875 ￥93.25
10+
￥84.5215 ￥88.97
30+
￥77.4725 ￥81.55
90+
￥71.3165 ￥75.07

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型号：FFSH40120A-F155-HXY 编号：C52195049

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为40A，反向耐压（VR）达1200V，正向导通压降（VF）典型值为1.4V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温稳定性与极低的反向恢复电荷。其高电流承载能力与低导通损耗特性，适用于高功率密度电源系统、高效直流变换装置、不间断电源（UPS）中的整流与续流电路，以及新能源发电系统的功率转换模块。器件可在高频率、高结温环境下稳定工作，有助于提升系统整体能效与可靠性，减少散热设计复杂度。

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￥95.6175 ￥100.65
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￥91.2285 ￥96.03
30+
￥83.619 ￥88.02
90+
￥76.9785 ￥81.03

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型号：S1P12A120DDE 编号：C42456096

封装：SOT-227

品牌：SICHAIN(清纯)

SIC JBS MOUDLE 1200V120A

1+
￥107.9
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￥102.8
30+
￥93.96

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型号：RSS04065D 编号：C51904719

封装：TO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS

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￥1.05545 ￥1.111
50+
￥1.031985 ￥1.0863
150+
￥1.016215 ￥1.0697
500+
￥1.00054 ￥1.0532

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型号：HC1D02065E 编号：C41428787

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备2A的正向电流（IF），可在电路中承载稳定的电流负载。其设计支持最高650V的反向电压（VR），确保了在高压条件下的安全运行。同时，该二极管展示出1.3V的正向电压降（VF），这表明其在导通状态下的能量损失较小，有助于提高电路中的能量转换效率。此元件适用于高频开关电源以及其他对效率与可靠性有较高要求的应用中，是追求高性能电子设计的理想选择。

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￥2.0995 ￥2.47
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￥2.0485 ￥2.41
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￥2.023 ￥2.38
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￥1.989 ￥2.34

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型号：ASZD006065F 编号：C50132441

封装：TO-220-2F

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=6A@Tc=140℃, Vf=1.3V@6A

1+
￥2.85
10+
￥2.26
50+
￥2
100+
￥1.69

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型号：GK10D600G 编号：C53086338

封装：TO-263

品牌：GOODWORK(固得沃克)

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点，适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

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￥3.08
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￥3.01
30+
￥2.96
100+
￥2.92

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型号：BCM65S08D3 编号：C46472731

封装：DPAK

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,8A

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￥3.42
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￥2.71
50+
￥2.4
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￥2.02

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型号：HC1D02065A 编号：C41428796

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备2A的最大电流（IF）承受能力，最高可承受650V的反向电压（VR），同时拥有较低的正向电压（VF）1.3V，这有助于降低导通时的功耗。该二极管适用于需要高效能和低损耗特性的小型电子产品中，例如在高频开关电源、消费类电子产品中的电源管理模块或是其他要求严苛的便携式电子装置里，能够提供可靠的整流作用，并确保电路在高压下的稳定性。

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￥3.753 ￥4.17
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￥3.024 ￥3.36
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￥2.655 ￥2.95
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￥2.295 ￥2.55
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￥2.079 ￥2.31
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