sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BCM120S05D3 编号：C52269245

封装：TO252NC

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,1200V,5A

1+
￥2.97
10+
￥2.34
30+
￥2.07
100+
￥1.73
500+
￥1.58
1000+
￥1.49

有货

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型号：GK08D650FT 编号：C52976456

封装：TO-220F

品牌：GOODWORK(固得沃克)

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点，适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

1+
￥4.3225 ￥4.55
10+
￥3.496 ￥3.68
50+
￥3.0875 ￥3.25
100+
￥2.679 ￥2.82
500+
￥2.432 ￥2.56
1000+
￥2.3085 ￥2.43

有货

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型号：BCL65S10D3 编号：C46472735

封装：DFN-8(8x8)

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,10A

1+
￥4.47
10+
￥3.61
30+
￥3.18
100+
￥2.75

有货

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型号：HC3D04065E 编号：C22449553

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此碳化硅二极管特为高效电源方案打造，耐压达650伏特，支持4安培持续电流，加之仅1.3伏特的低正向压降，有效提升了电能使用效率，减少了热量输出，是构建高能效、紧凑型电子设备的优选元件。

1+
￥5.6357 ￥6.79
10+
￥4.7144 ￥5.68
30+
￥4.1998 ￥5.06
100+
￥3.6271 ￥4.37
500+
￥3.3698 ￥4.06
1000+
￥3.2536 ￥3.92

有货

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型号：SC6D08065A 编号：C49450296

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥5.833 ￥6.14
10+
￥4.807 ￥5.06
50+
￥4.2465 ￥4.47
100+
￥3.61 ￥3.8
500+
￥3.325 ￥3.5
1000+
￥3.192 ￥3.36

有货

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型号：S1D020120C 编号：C22451355

封装：TO-247-2L

品牌：SICHAIN(清纯)

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流/零正向恢复。高频操作。与温度无关的开关特性。低正向电压。正向电压VF具有正温度系数。应用：开关电源。功率因数校正

1+
￥7.0295 ￥8.27
10+
￥5.8055 ￥6.83
30+
￥5.1765 ￥6.09
90+
￥4.42 ￥5.2
510+
￥4.08 ￥4.8
990+
￥3.927 ￥4.62

有货

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型号：STPSC4G065UFY-HXY 编号：C52145209

封装：SMBF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于高效率电源转换场景。其正向导通压降（VF）为1.3V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。反向漏电流（IR）典型值为10μA，具备良好的阻断特性与高温稳定性。得益于碳化硅材料的特性，该器件可在较高结温下稳定工作，适用于开关电源、光伏逆变、高密度适配器等对功率密度和热性能有较高要求的电力电子装置中，实现快速开关与低损耗运行。

1+
￥7.0965 ￥7.47
10+
￥5.8995 ￥6.21
30+
￥5.244 ￥5.52
100+
￥4.503 ￥4.74
500+
￥4.1705 ￥4.39
1000+
￥4.0185 ￥4.23

有货

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型号：SSCS310AHGC9 编号：C49450370

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥7.23
10+
￥5.97
50+
￥5.28
100+
￥4.5

有货

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型号：SNXPSC106506Q 编号：C49450353

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥7.23
10+
￥5.97
50+
￥5.28

有货

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型号：S1D020120G 编号：C22451356

封装：TO-263-2L

品牌：SICHAIN(清纯)

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复。高频操作。与温度无关的开关特性。低正向电压。应用：开关模式电源。功率因数校正

1+
￥7.677 ￥8.53
10+
￥6.372 ￥7.08
30+
￥5.661 ￥6.29
100+
￥5.13 ￥5.7
500+
￥4.77 ￥5.3
1000+
￥4.608 ￥5.12

有货

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型号：SP20D120CTR 编号：C22466834

封装：TO-220-2L

品牌：Siliup(矽普)

碳化硅二极管产品，耐压：1200V，电流：20A,Vf：1.42V@20A， Qc：116nC

1+
￥8.12
10+
￥6.72
50+
￥5.94
100+
￥5.07

有货

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型号：YFWD310065FAC 编号：C22459213

封装：TO-220FAC

品牌：YFW(佑风微)

特性：反向耐压650V。零反向恢复电流。高工作频率。开关特性不受温度影响。快速开关速度。正向压降正温度系数。应用：开关电源，AC/DC转换器。功率因数校正

1+
￥9.5475 ￥10.05
10+
￥7.8565 ￥8.27
50+
￥7.1535 ￥7.53
100+
￥6.1085 ￥6.43
500+
￥5.6335 ￥5.93
1000+
￥5.4245 ￥5.71

有货

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型号：YFWD308065FCT 编号：C41382615

封装：TO-220F

品牌：YFW(佑风微)

碳化硅二极管

1+
￥9.994 ￥10.52
10+
￥8.4075 ￥8.85
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￥7.5715 ￥7.97
100+
￥6.555 ￥6.9
500+
￥6.099 ￥6.42
1000+
￥5.8995 ￥6.21

有货

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型号：SNXPSC10650DJ 编号：C49450354

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥11.5
10+
￥9.7
30+
￥8.57
100+
￥7.41

有货

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型号：SC6D10065G 编号：C49450300

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥11.69
10+
￥9.88
30+
￥8.75
100+
￥7.59

有货

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型号：SIDK08G65C5XTMA2 编号：C49450334

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥11.69
10+
￥9.88
30+
￥8.75
100+
￥7.59

有货

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型号：SMSC010SDA120K 编号：C49450349

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥11.69
10+
￥9.88
50+
￥8.75
100+
￥7.59

有货

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型号：SC4D10120A 编号：C49450289

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥11.69
10+
￥9.88
50+
￥8.75
100+
￥7.59

有货

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型号：SDSC08065D1 编号：C49450306

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥11.69
10+
￥9.88
30+
￥8.75
100+
￥7.59

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型号：HC4D20120A 编号：C19723895

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具有1200V高反向耐压及高达20A的连续正向电流能力，其正向导通电压VF为1.5V。专为高性能电源转换、电动汽车充电和工业逆变器设计，提供卓越的高温稳定性、超低损耗及快速开关特性。

1+
￥13.223 ￥18.89
10+
￥11.221 ￥16.03
50+
￥9.772 ￥13.96
100+
￥8.484 ￥12.12
500+
￥7.903 ￥11.29
1000+
￥7.658 ￥10.94

有货

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型号：SFFSM1065B 编号：C49450316

封装：DFN-4L(8x8)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥13.64
10+
￥11.53
30+
￥10.21
100+
￥8.86

有货

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型号：GC4D12120A 编号：C7435077

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:52nC 总功率(Ptot):158W

1+
￥17.11
10+
￥14.4
50+
￥12.7
100+
￥10.96
500+
￥10.18
1000+
￥9.84

有货

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型号：CI60S65D3L2 编号：C53457892

封装：TO-247-2

品牌：Tokmas(托克马斯)

碳化硅二极管650V60A

1+
￥18.1
10+
￥15.39
30+
￥13.69
90+
￥11.95

有货

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型号：SSTPSC15H12WL 编号：C49450379

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥20.2
10+
￥17.25
30+
￥15.5

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型号：SIDW15G120C5BFKSA1 编号：C49450341

封装：TO-247-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥21.56
10+
￥18.34
30+
￥16.43

有货

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型号：C4D08120E-TR-HXY 编号：C51896377

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，正向压降（VF）为1.45V。基于碳化硅材料，具备出色的耐高压与高温性能，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。适用于高电压、高效率的电力转换场景，如大功率开关电源、光伏逆变器、储能系统中的DC-DC变换模块以及高可靠性不间断电源（UPS）等，可有效提升系统开关频率与能量转换效率，同时降低热管理复杂度。

1+
￥25.1085 ￥26.43
10+
￥21.546 ￥22.68
30+
￥19.4275 ￥20.45
100+
￥17.29 ￥18.2
500+
￥16.302 ￥17.16
1000+
￥15.8555 ￥16.69

有货

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型号：SICU0860P-HXY 编号：C51896315

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率应用。其正向压降（VF）为1.4V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该二极管具有快速反向恢复能力，可有效减少开关损耗，支持高频工作模式。器件热稳定性良好，适合在高功率密度电源系统中运行。主要应用于高效开关电源、DC-DC变换器、有源功率因数校正电路等对效率与可靠性要求较高的电子设备中。

1+
￥26.904 ￥28.32
10+
￥23.085 ￥24.3
30+
￥20.8145 ￥21.91
100+
￥18.525 ￥19.5
500+
￥17.461 ￥18.38
1000+
￥16.986 ￥17.88

有货

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型号：HC4D40120D 编号：C19723892

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款采用TO-247封装的碳化硅肖特基二极管，拥有1200V超高反向耐压和40A强大正向电流能力，其正向导通电压VF为1.5V。专为高功率、高频开关及高效能电力电子系统设计，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等严苛环境下的整流与续流应用。

1+
￥29.4138 ￥37.71
10+
￥25.272 ￥32.4
30+
￥22.7526 ￥29.17
90+
￥20.631 ￥26.45

有货

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型号：GC6D30130D 编号：C7435102

封装：TO-247-3

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:155nC 总功率(Ptot):440W

1+
￥31.81
10+
￥30.37
30+
￥29.49
90+
￥28.75

有货

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型号：HFFSH40120ADNF085 编号：C42389312

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备40A的正向电流(IF/A)，并且能够承受最高1200V的反向电压(VR/V)，适合应用于需要高电压和较大电流的场合。其正向电压(VF/V)为1.5V，有助于提升系统的整体效率。反向漏电流(IR/uA)为200微安，在正常工作条件下提供了可靠的绝缘性能。此外，该二极管还具有130A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)，能够在短时间内处理较高的电流冲击，适用于要求高性能和高可靠性的电路设计中。

1+
￥41.536 ￥47.2
10+
￥35.684 ￥40.55
30+
￥32.1288 ￥36.51
90+
￥29.1368 ￥33.11

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