sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

这款碳化硅二极管具备15A的正向电流（IF/A）承载能力，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V），适合用于高电压需求的场合。其正向电压（VF/V）为1.27V，有助于减少工作时的能量损失。反向漏电流（IR/uA）为200微安，在非导通状态下提供良好的隔离性。瞬态峰值电流（IFSM/A）为100A，意味着它可以承受短时间内的电流冲击，增强了其在不稳定条件下的可靠性。这些特性使其成为需要稳健性能与高效工作的电子设计的理想选择。

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型号：S1D040120D 编号：C22451359

封装：TO-247-3L

品牌：SICHAIN(清纯)

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复。高频操作。与温度无关的开关特性。低正向电压。应用：开关电源。功率因数校正

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型号：HC4D20120H 编号：C19723889

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装，具有1200V高反向耐压和20A大电流承载能力，其正向导通电压VF为1.5V。专为高端电源转换、电动汽车充电系统及工业应用打造，提供卓越的高温稳定性和快速恢复性能，实现高效能电力整流解决方案。

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型号：HC4D10120D 编号：C19723885

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装，具有1200V高反向耐压和高达10A的连续正向电流能力，其正向导通电压VF低至1.4V。专为高效、高压环境设计，应用于电力转换器、新能源汽车充电系统以及工业级电源设备中，实现快速恢复与低损耗的高性能整流功能。

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型号：IDH04SG60C 编号：C5361092

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复/无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用：SMPS（如CCM PFC）。电机驱动器

数据手册

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型号：SSCS220AE2HRC 编号：C49450366

封装：TO-247-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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型号：GC4D15120A 编号：C7435078

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:77.5nC 总功率(Ptot):192W

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型号：GC4D15120D 编号：C7435098

封装：TO-247-3

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:37nC 总功率(Ptot):270W

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型号：C4D08120E-TR-HXY 编号：C51896377

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，正向压降（VF）为1.45V。基于碳化硅材料，具备出色的耐高压与高温性能，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。适用于高电压、高效率的电力转换场景，如大功率开关电源、光伏逆变器、储能系统中的DC-DC变换模块以及高可靠性不间断电源（UPS）等，可有效提升系统开关频率与能量转换效率，同时降低热管理复杂度。

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型号：GC3D16065D 编号：C7435093

封装：TO-247-3

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:110nC 总功率(Ptot):250W

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型号：SICU0860P-HXY 编号：C51896315

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率应用。其正向压降（VF）为1.4V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该二极管具有快速反向恢复能力，可有效减少开关损耗，支持高频工作模式。器件热稳定性良好，适合在高功率密度电源系统中运行。主要应用于高效开关电源、DC-DC变换器、有源功率因数校正电路等对效率与可靠性要求较高的电子设备中。

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￥17.9455 ￥18.89
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型号：HIDH20G65C5XKSA2 编号：C42389300

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管提供20安培的正向电流（IF），并支持最高650伏特的反向电压（VR），适用于需要处理较高电压的应用场景。其正向电压降（VF）为1.5伏特，有助于减少能量损失。在反向偏置条件下，漏电流（IR）维持在100微安水平，显示了良好的阻隔能力。此外，该二极管可以承受高达123安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM），增强了在非稳态条件下的耐用性。这些技术规格使其成为高频开关和其他需要快速响应与低损耗电子装置的理想组件。

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型号：HFFSH10120ADNF155 编号：C42389181

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管提供10安培的最大连续正向电流（IF/A），并具备高达1200伏特的反向重复电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.4伏特，在大电流通过时保持较低的能量损耗。反向漏电流（IR/uA）控制在150微安，确保了在无正向偏压时的良好隔离性。此外，该二极管支持最高46安培的正向浪涌电流（IFSM/A），适合用于需要处理瞬时电流峰值的电路设计中。其优异的性能使其成为高频开关电路及需提升效率与可靠性的电子装置的理想选择。

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￥12.2508 ￥14.76

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型号：SSTPSC15H12WL 编号：C49450379

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥20.2
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￥15.5

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型号：SCS220AGC17-HXY 编号：C51896360

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.4V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，能量损耗显著低于传统硅基器件。该器件适用于高效率电源转换场合，如大功率开关电源、服务器电源模块、光伏逆变系统及储能设备中的整流与续流单元，有助于提升系统整体能效并减少散热设计负担。

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￥20.71 ￥21.8
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￥20.3775 ￥21.45

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型号：HC4D40120D 编号：C19723892

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款采用TO-247封装的碳化硅肖特基二极管，拥有1200V超高反向耐压和40A强大正向电流能力，其正向导通电压VF为1.5V。专为高功率、高频开关及高效能电力电子系统设计，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等严苛环境下的整流与续流应用。

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￥21.84 ￥28
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￥20.982 ￥26.9
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￥20.631 ￥26.45

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型号：SWNSC101200Q 编号：C49450392

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥22.04
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型号：SP40D120CTT 编号：C49257267

封装：TO-247-2L

品牌：Siliup(矽普)

碳化硅二极管产品，耐压：1200V，电流：40A,Vf：1.45V@40A， Qc：217nC

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￥20.862 ￥21.96
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￥18.7625 ￥19.75
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￥15.6465 ￥16.47
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￥15.2 ￥16

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型号：HSCS230AE2GC11 编号：C42389293

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能碳化硅二极管，具备优异的电学特性。最大正向电流（IF）可达32A，反向耐压（VR）高达650V，适用于高效率电源转换系统。其正向导通压降（VF）仅为1.3V，显著降低导通损耗，提升整体能效。在高温或高压环境下仍能保持稳定工作，反向漏电流（IR）低至100μA，确保器件在复杂电磁环境中具有良好的可靠性。此外，具备250A的浪涌电流（IFSM）承受能力，增强了对瞬态过流的适应性。广泛应用于高效开关电源、光伏逆变器及通信设备电源模块中，满足高频、高密度电源设计需求。

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￥20.3235 ￥23.91

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型号：LSIC2SD120A20A-HXY 编号：C52195021

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.45V。器件利用碳化硅材料特性，实现高频开关下的高效导通与快速恢复，反向漏电流小，耐高温性能优异。适用于高效率电源转换拓扑，如大功率开关电源、DC-DC变换器及光伏逆变电路，有助于减小系统体积并提升整体能效。其封装设计利于散热管理，满足严苛工作环境下的可靠性要求。

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￥35.8815 ￥37.77
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￥35.055 ￥36.9
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￥33.9625 ￥35.75

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型号：SIC20120B-BP-HXY 编号：C52195042

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.45V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间短，适用于高效率电源转换电路。典型应用场景包括大功率开关电源、光伏逆变系统、储能装置中的整流模块以及高密度DC-DC变换器，适合对热性能和空间布局有严苛要求的设计。

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￥38.2755 ￥40.29
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￥37.392 ￥39.36
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￥36.8125 ￥38.75
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￥36.233 ￥38.14

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型号：E4D10120A-HXY 编号：C51896401

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流10A，反向耐压达1200V，正向导通压降为1.39V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温稳定性与抗冲击能力，反向漏电流小，恢复特性迅速，可显著减少能量损耗。适用于高电压、高频率的电源转换系统，如大功率开关电源、不间断电源、高压直流变换器及可再生能源发电中的逆变装置，有助于提升系统效率并减小散热设计负担。

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￥41.857 ￥44.06
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