sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SFFSP0665A 编号：C49450318

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥6.2
10+
￥5.12
50+
￥4.53
100+
￥3.86

有货

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型号：SC4D05120A 编号：C49450287

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥6.2
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￥5.12
50+
￥4.53
100+
￥3.86

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型号：SIDH08G65C6XKSA1 编号：C49450328

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥7.1
10+
￥5.84
50+
￥5.15
100+
￥4.37

有货

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型号：SSCS308APC9 编号：C49450369

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥7.1
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￥5.84
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￥5.15
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￥4.37

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型号：SSTPSC10065DY 编号：C49450375

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥7.1
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￥5.84
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￥5.15
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￥4.37

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型号：YFWD308065AC 编号：C25836774

封装：TO-220AC

品牌：YFW(佑风微)

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￥7.6095 ￥8.01
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￥6.251 ￥6.58
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￥5.6145 ￥5.91
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￥4.7785 ￥5.03
500+
￥4.3985 ￥4.63
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￥4.2275 ￥4.45

有货

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型号：HIDM02G120C5 编号：C42389291

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有2A的正向电流（IF），并支持高达1200V的反向电压（VR），适用于需要高电压隔离的应用。其正向电压（VF）为1.4V，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR）仅为8微安，在确保低功耗的同时提供了优异的绝缘性能。瞬态正向电流能力（IFSM）为24A，使其能够在遭遇短暂电流波动时依然保持稳定。这些特点使得该二极管在高电压、小封装尺寸且需低能耗的解决方案中尤为适用。

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￥7.77 ￥10.36
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￥6.4275 ￥8.57
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￥5.685 ￥7.58
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￥4.8525 ￥6.47
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￥4.485 ￥5.98
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￥4.3125 ￥5.75

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型号：F4C05120A 编号：C784610

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：1.2kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关。极快的开关速度。反向电压（Vr）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管

数据手册

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￥8.505 ￥9.45
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￥7.209 ￥8.01
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￥5.481 ￥6.09
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￥4.68 ￥5.2
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￥4.32 ￥4.8
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￥4.158 ￥4.62

有货

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型号：F4C10120A 编号：C784611

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：1.2kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关的开关特性。极快的开关速度。正向电压（VF）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC 或 DC/DC 阶段的升压二极管

数据手册

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￥8.648 ￥10.81
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￥7.232 ￥9.04
50+
￥6.464 ￥8.08
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￥5.584 ￥6.98
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￥5.192 ￥6.49
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￥5.016 ￥6.27

有货

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型号：SPCDD1065G1 编号：C49450356

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥9.59
10+
￥8.08
30+
￥7.14
100+
￥6.17

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型号：SIDL10G65C5XUMA2 编号：C49450340

封装：DFN-4L(8x8)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥9.59
10+
￥8.08
30+
￥7.14
100+
￥6.17

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型号：SSTPSC10H065G-TR 编号：C49450377

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥9.59
10+
￥8.08
30+
￥7.14
100+
￥6.17

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型号：SIDH08SG60CXKSA2 编号：C49450329

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥9.74
10+
￥8.24
50+
￥7.3
100+
￥6.33

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型号：HC4D05120E 编号：C42389273

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200V的反向电压（VR/V），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.4V，在保证高效能的同时减少了能量损耗。其反向漏电流（IR/uA）控制在100微安以内，显示出良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达45A，表明该二极管能够在短时间内处理较大的电流波动，适用于需要高效率及高可靠性的电路设计中。

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￥10.5648 ￥11.36
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￥9.0303 ￥9.71
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￥8.0631 ￥8.67
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￥7.068 ￥7.6
500+
￥6.6216 ￥7.12
1000+
￥6.4263 ￥6.91

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型号：IDH06SG60C 编号：C3758214

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关性能基准。无反向恢复 / 无正向恢复。与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。应用：SMPS（例如CCM PFC）。电机驱动

1+
￥12.81
10+
￥12.11
30+
￥11.7
100+
￥11.28

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型号：LGE3D10120A 编号：C53405423

封装：TO-220AC

品牌：LGE(鲁光)

正向压降(VF):1.45V@10A；最大反向耐压(VR)：1200V；最大整流电流(IF)：10A；最大正向浪涌电流(IFSM)：96A；反向电流(IR)： 5uA；电荷(QC)：61nC

1+
￥13.07
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￥11.11
50+
￥9.89
100+
￥8.63

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型号：HC4D10120D 编号：C19723885

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装，具有1200V高反向耐压和高达10A的连续正向电流能力，其正向导通电压VF低至1.4V。专为高效、高压环境设计，应用于电力转换器、新能源汽车充电系统以及工业级电源设备中，实现快速恢复与低损耗的高性能整流功能。

1+
￥14.8104 ￥16.83
10+
￥12.5312 ￥14.24
30+
￥11.1056 ￥12.62
90+
￥9.6448 ￥10.96
510+
￥8.9848 ￥10.21
990+
￥8.7032 ￥9.89

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型号：SSCS220AE2HRC 编号：C49450366

封装：TO-247-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥15.35
10+
￥12.94
30+
￥11.43

有货

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型号：DSC10065D1-HXY 编号：C53468124

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为10A，最大反向重复电压达650V，正向压降低至1.3V，反向漏电流仅为50μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复峰值正向浪涌电流能力为80A，适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势，在保持低损耗的同时提升系统整体响应速度与稳定性，适合用于高密度电源转换及高性能电力电子模块中。

1+
￥16.7485 ￥17.63
10+
￥16.359 ￥17.22
30+
￥16.112 ￥16.96
100+
￥15.8555 ￥16.69

有货

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型号：HSCS220AE2C 编号：C42389227

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的最大连续正向电流（IF/A），并在650V的反向电压（VR/V）下提供稳定的阻断能力。其正向电压（VF/V）为1.3V，有效降低了导通时的电力损耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）为40微安，保证了在非导通状态下的低功耗表现。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达150A，使其成为高频开关电源和其他要求苛刻的电子设备中的关键组件，适用于需要快速切换与高可靠性的电路设计。

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￥17.2304 ￥19.58
10+
￥14.5992 ￥16.59
30+
￥12.8216 ￥14.57
90+
￥11.1408 ￥12.66
510+
￥10.3752 ￥11.79
990+
￥10.0496 ￥11.42

有货

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型号：SPCDP10120G1 编号：C49450361

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥17.97
10+
￥15.29
50+
￥13.69

有货

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型号：CI30S120D3 编号：C967732

封装：TO-247-3

品牌：Tokmas(托克马斯)

碳化硅SiC

数据手册

1+
￥18.04
10+
￥15.18
30+
￥13.96
90+
￥12.12
510+
￥11.29
1020+
￥10.94

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型号：SP50D120CTT 编号：C49257269

封装：TO-247-2L

品牌：Siliup(矽普)

碳化硅二极管产品，耐压：1200V，电流：50A,Vf：1.45V@50A， Qc：268nC

1+
￥18.2495 ￥19.21
10+
￥15.599 ￥16.42
30+
￥14.022 ￥14.76
90+
￥12.4355 ￥13.09
510+
￥11.6945 ￥12.31
990+
￥11.362 ￥11.96

有货

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型号：STPSC10H12B2-TR-HXY 编号：C52195027

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、高效率的电力电子电路。其正向导通压降（VF）为1.39V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提升系统能效。依托碳化硅材料的高热导率与高击穿场强特性，该器件支持高频工作，反向恢复特性优良，适用于开关电源、不间断电源及可再生能源发电系统中的整流与续流环节，尤其适合对功率密度和热性能有较高要求的紧凑型电源设计。

1+
￥19.7315 ￥20.77
10+
￥16.929 ￥17.82
30+
￥15.2665 ￥16.07
100+
￥13.585 ￥14.3
500+
￥12.806 ￥13.48
1000+
￥12.4545 ￥13.11

有货

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型号：RURD660S9A-F085P-HXY 编号：C53468007

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为6A，反向重复峰值电压为650V，正向压降典型值为1.3V，反向漏电流为50μA，非重复浪涌正向电流可达48A。凭借碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作条件下仍保持较低的导通损耗和稳定的反向阻断能力，适用于高效率电源转换系统，如开关电源、功率因数校正模块及高频整流电路等场景。

1+
￥21.527 ￥22.66
10+
￥18.468 ￥19.44
30+
￥16.6535 ￥17.53
100+
￥14.82 ￥15.6
500+
￥13.9745 ￥14.71
1000+
￥13.585 ￥14.3

有货

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型号：SWNSC101200Q 编号：C49450392

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥22.04
10+
￥18.82
50+
￥16.91

有货

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型号：GC3D30065A 编号：C7435073

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:44.5nC 总功率(Ptot):300W

1+
￥23.27
10+
￥19.9
50+
￥17.89
100+
￥15.86
500+
￥14.92
1000+
￥14.5

有货

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型号：HSCS230AE2GC11 编号：C42389293

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能碳化硅二极管，具备优异的电学特性。最大正向电流（IF）可达32A，反向耐压（VR）高达650V，适用于高效率电源转换系统。其正向导通压降（VF）仅为1.3V，显著降低导通损耗，提升整体能效。在高温或高压环境下仍能保持稳定工作，反向漏电流（IR）低至100μA，确保器件在复杂电磁环境中具有良好的可靠性。此外，具备250A的浪涌电流（IFSM）承受能力，增强了对瞬态过流的适应性。广泛应用于高效开关电源、光伏逆变器及通信设备电源模块中，满足高频、高密度电源设计需求。

1+
￥27.9565 ￥32.89
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￥24.021 ￥28.26
30+
￥21.624 ￥25.44
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￥19.6095 ￥23.07

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型号：SCS220AGC17-HXY 编号：C51896360

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.4V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，能量损耗显著低于传统硅基器件。该器件适用于高效率电源转换场合，如大功率开关电源、服务器电源模块、光伏逆变系统及储能设备中的整流与续流单元，有助于提升系统整体能效并减少散热设计负担。

1+
￥32.281 ￥33.98
10+
￥27.702 ￥29.16
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￥24.9755 ￥26.29
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￥22.2205 ￥23.39
500+
￥20.957 ￥22.06
1000+
￥20.3775 ￥21.45

有货

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型号：HC1D20120G 编号：C41428785

封装：TO-263-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有20安培的最大工作电流IF，反向电压VR高达1200伏特，同时其正向电压VF为1.4伏特。其高性能特点适合应用于需要高电压隔离和快速开关特性的电子设备中，可以广泛支持从电源适配到能量转换的各种非工业标准电路配置，确保了电能转换过程中的效率与可靠性。

1+
￥33.8712 ￥38.49
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￥29.1104 ￥33.08
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￥26.1976 ￥29.77
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￥23.7688 ￥27.01

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