sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

这款碳化硅二极管具备10A的正向平均电流(IF)和高达1200V的反向电压(VR)，适用于高电压环境。其正向电压(VF)为1.4V，有助于保持较低的导通损耗。该器件拥有100μA的反向漏电流(IR)，确保了良好的电性能。最大浪涌电流(IFSM)可达90A，提高了应对瞬态大电流的能力。这些特性使其成为电源转换、逆变器以及其他需要高效能与稳定性的电子设备的理想选择。

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￥26.352 ￥29.28
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￥22.734 ￥25.26
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￥17.406 ￥19.34
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￥16.947 ￥18.83

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型号：FFSH4065A-HXY 编号：C52195047

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备40A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率场合。其正向导通压降（VF）为1.47V，在高频工作条件下可有效降低导通损耗。基于碳化硅材料的特性，该二极管具有优异的反向恢复性能和高温工作能力，支持快速开关，减少能量损耗。常用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统的逆变与整流电路，以及对能效和散热设计有较高要求的电力变换装置中，有助于提升系统功率密度与运行稳定性。

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￥28.6995 ￥30.21
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￥22.2015 ￥23.37
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￥18.6295 ￥19.61
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￥18.1165 ￥19.07

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型号：HFFSH2065BDNF085 编号：C42389263

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能碳化硅二极管，具备优异的电学特性。最大正向电流（IF）可达20A，反向耐压（VR）高达650V，适用于高效率电源转换系统。其正向导通压降（VF）仅为1.3V，显著降低导通损耗，提升整体能效。在高温或高压环境下仍能保持稳定工作，反向漏电流（IR）低至100μA，确保器件在复杂电磁环境中具有良好的可靠性。此外，具备70A的浪涌电流（IFSM）承受能力，增强了对瞬态过流的适应性。广泛应用于高效开关电源、光伏逆变器及通信设备电源模块中，满足高频、高密度电源设计需求。

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￥29.4982 ￥35.54
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￥18.9157 ￥22.79
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￥18.3762 ￥22.14

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型号：FFSH2065A-HXY 编号：C45896871

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高效能应用设计，提供20A的正向电流（IF）和650V的反向电压（VR）能力，确保在高压环境下的稳定操作。其正向电压（VF）低至1.35V，有效降低能耗，同时反向漏电流（IR）仅为10uA，进一步提高了能源效率。瞬态正向浪涌电流（IFSM）高达150A，赋予产品卓越的抗冲击能力。此二极管非常适合需要高可靠性和高性能的电源转换系统，如可再生能源解决方案及高效电力供应架构中。