sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IDWD10G120C5-HXY 编号：C52195028

封装：TO-247-2L

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.47V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少能量损耗和热积累。适用于高功率密度电源转换系统，如高效开关电源、光伏逆变装置及储能系统的功率级设计，适合对热管理和空间布局有严格要求的应用场景。

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型号：NXPSC106506Q-HXY 编号：C52195019

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关速度和高温工作能力，适用于高频率、高效率的电源转换场景，如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度功率模块，能够满足对热性能和电气性能要求严苛的应用需求。

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型号：HIDWD15G120C5 编号：C42389183

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）为15A，在反向电压（VR/V）达到1200V的情况下仍能保持稳定性能。该二极管在正向电压（VF/V）仅为1.5V时，即可通过额定电流，表明其拥有较低的导通损耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在200微安，体现了良好的阻断能力。瞬态条件下，此元件可承受高达87A的正向浪涌电流（IFSM/A），适合高频开关应用，能在要求严苛的电路中实现高效能量转换。

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￥26.027 ￥30.62
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￥16.218 ￥19.08

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型号：LJ1D100J120 编号：C54426159

封装：TO-247-3L

品牌：luJing(鲁晶)

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￥26.904 ￥28.32
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￥16.986 ￥17.88

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型号：GC10MPS12-220-HXY 编号：C45896880

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高性能电力电子设计，提供12A的正向电流(IF)能力和1200V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)低至1.35V，有助于降低能量损耗，而反向漏电流(IR)仅为150uA，确保了在非导通状态下的高效率。瞬态正向电流(IFSM)高达130A，使其能够承受显著的峰值电流而不损坏。这些特性使它成为需要高效能和稳定性的电力转换应用的理想选择，适合于各种要求严格的电源管理系统中。

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型号：RSS30065W 编号：C7465283

封装：TO-247-2

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

应用：服务器，工业电源，UPS电源，仪器仪表，大功率植物照明，太阳能逆变器，工商储能，电机驱动，充电桩，OBC，家电,医疗，远洋设备；

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￥28.3955 ￥29.89
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￥19.133 ￥20.14

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型号：HC3D30065D1 编号：C22449564

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高效率电源转换设计，耐压650V，能承载30A稳定电流，其超低的正向压降仅1.3V，有助于减少能量损耗并提升系统整体性能。适合追求极致能效比的应用场景，是现代高效能电器及能源管理系统中的理想选择。

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￥22.4017 ￥26.99
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￥20.3184 ￥24.48

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型号：HC4D30120D 编号：C19723890

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装，提供1200V高反向耐压及30A连续正向电流能力，其正向导通电压VF为1.5V。专为高压、大电流应用设计，如电源转换器、新能源汽车充电系统和工业逆变器，实现高效能、高速度和高可靠性整流。

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￥29.505 ￥39.34
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￥20.7 ￥27.6

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型号：HGD30MPS06H 编号：C45896865

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备40A的正向连续电流(IF)能力和650V的反向电压(VR)耐受能力，确保在高电压应用中的稳定表现。其正向电压(VF)仅为1.35V，在保证效率的同时降低了能量损耗。该二极管的反向漏电流(IR)低至80微安，表现出卓越的反向阻断能力。瞬态正向电流(IFSM)高达270A，使其能够承受极端条件下的电流冲击。凭借快速恢复特性和出色的温度稳定性，这款碳化硅二极管是高效电源转换和控制系统的理想选择，适用于如UPS、开关电源等多种电力电子设备中。

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￥29.5856 ￥33.62
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￥20.9792 ￥23.84

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型号：HNVDSH20120C 编号：C42389185

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备优异的电气特性，其连续正向电流（IF/A）可达20A，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V）。在正向电压（VF/V）为1.5V时，器件表现出低导通损耗的特点。反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示了良好的隔离性能。此外，该二极管能够承受高达130A的瞬间正向浪涌电流（IFSM/A），适用于需要高频开关操作的应用场景，能够有效增强电路的动态响应及稳定性。

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￥29.597 ￥34.82
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￥18.972 ￥22.32
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￥18.4365 ￥21.69

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型号：HSTPSC20H12WL 编号：C42389203

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流(IF)，并能承受高达1200伏特的反向电压(VR)，确保了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向电压(VF)仅为1.5伏特，在大电流通过时能保持较低的能量损耗。其反向漏电流(IR)控制在200微安，显示了出色的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流(IFSM)可达130安培，表明其能够应对短暂的电流峰值冲击。这些特性使其适用于多种需要高效能量转换与管理的应用场景中。

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￥29.832 ￥37.29
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￥20.088 ￥25.11

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型号：HSCS240AE2GC11Z 编号：C42389276

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款碳化硅二极管具备优异的电学性能和良好的热稳定性，适用于多种高效率电源系统。其最大正向电流（IF）为40A，反向耐压（VR）达650V，支持在较高电压条件下稳定工作。正向导通压降（VF）为1.35V，有效降低导通损耗，提升整体能效。反向漏电流（IR）低至40μA，表现出优异的阻断能力。同时，该器件可承受最高300A的浪涌电流（IFSM），具备较强的瞬态过流适应性。广泛应用于高频开关电源、光伏逆变系统及通信设备电源模块中，满足对效率、密度与可靠性有要求的应用场景。

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￥30.0784 ￥34.18
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￥21.1024 ￥23.98

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型号：LSIC2SD120A05-HXY 编号：C52195020

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备5A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压工作环境。其正向压降为1.38V，在高温与高电压条件下仍保持优异的导通性能，有助于降低能量损耗。得益于碳化硅材料的特性，该二极管具有极快的反向恢复速度和出色的热稳定性，支持高频开关应用。常用于高效能电源转换系统，如大功率开关电源、不间断电源、光伏逆变器及高密度功率因数校正电路，适用于对效率和可靠性要求较高的电力电子设备。

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￥20.3775 ￥21.45

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型号：HC6D20065H 编号：C45896866

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的正向连续电流(IF)和650V的反向电压(VR)耐压能力，适用于高要求的应用场景。其正向电压(VF)为1.35V，确保了低能耗和高效能。该二极管在反向漏电流(IR)方面表现出色，仅为10微安，减少了不必要的能量损耗。瞬态正向电流(IFSM)可达150A，提供了额外的安全余量以应对突发电流冲击。其快速恢复时间和优异的温度稳定性，使其成为电力电子系统中不可或缺的组件，如电源转换器、不间断电源系统等设备的理想选择，有助于提升整体系统的稳定性和效率。

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￥33.282 ￥36.98
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￥23.598 ￥26.22

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型号：HNDSH20120CDN 编号：C42389246

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有出色的电气性能，正向平均电流IF为20A，反向耐压VR高达1200V，适合在高电压应用中提供可靠保护。其正向电压降VF仅为1.5V，有助于减少能量损耗。该器件的反向漏电流IR控制在250μA以下，保证了低功耗运行；非重复峰值浪涌电流IFSM为71A，能够有效应对瞬态过载情况。它适用于需要高效、稳定电力转换的各种场合。

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￥34.21
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￥29.4
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￥26.47

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型号：HFFSH20120ADNF155 编号：C42389184

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有稳健的电气性能，其额定正向电流（IF/A）为20A，能够在高达1200V的反向电压（VR/V）下正常工作。器件在正向电压（VF/V）仅1.5V时展现高效导通特性，有助于减少系统功耗。反向漏电流（IR/uA）维持在250微安水平，确保了良好的绝缘性能。此外，它能够承受最高71A的瞬时正向峰值电流（IFSM/A），适用于需要快速开关特性的高性能电路设计中，有助于提升整体电路效率与可靠性。

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￥34.3
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￥29.47
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￥26.53

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型号：HSTPSC40H12CWL 编号：C42389250

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备40安培的正向电流（IF/A），同时支持高达1200伏特的反向电压（VR/V），使其能够在高压环境下稳定工作。其正向电压（VF/V）为1.5伏特，有助于降低能耗。反向漏电流（IR/uA）保持在200微安水平，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为130安培，意味着可以在短时间内承受较大的电流冲击。这些特性使得它非常适合应用于需要快速切换及高电压稳定性的电路设计中。

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￥35.4288 ￥40.26
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￥30.448 ￥34.6
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￥27.4032 ￥31.14
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￥24.86 ￥28.25

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型号：HC6D10170H 编号：C42389280

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF/A），可承受最高1700V的反向电压（VR/V），确保了其在高电压应用中的稳定性。其正向电压（VF/V）为1.5V，在导通状态下能减少能量损耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）维持在60微安水平，体现了出色的隔离性能。同时，它能够承受峰值为55A的瞬时正向电流（IFSM/A），适合用于需要高可靠性的电路保护及高效能的电源管理解决方案中。

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￥35.4288 ￥40.26
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￥27.4032 ￥31.14
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￥24.86 ￥28.25

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型号：WNSC201200WQ-HXY 编号：C52195030

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向重复耐压（VR），适用于高电压、中等电流的电力转换环境。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有效降低导通损耗，提升能量转换效率。基于碳化硅材料的特性，该二极管具有优异的高温稳定性和快速开关能力，反向恢复电荷极低，可减少开关过程中的能量损耗。典型应用包括高效开关电源、不间断电源系统、可再生能源发电逆变器及高密度功率因数校正电路，适合对热性能与效率有严格要求的场景。

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￥38.323 ￥40.34
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￥33.0695 ￥34.81
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￥29.8585 ￥31.43
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￥27.17 ￥28.6

有货

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型号：MSC015SDA120B-HXY 编号：C51896378

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，具备15A的正向平均电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压、大电流工作环境。其正向导通压降（VF）为1.5V，在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗。得益于碳化硅材料特性，器件具有极快的反向恢复速度和出色的热稳定性，支持高频开关应用。典型使用场景包括高压电源模块、大功率开关电源、太阳能逆变系统及高效率能量转换装置，适用于对系统效率、功率密度和热管理有较高要求的电路设计。

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￥27.17 ￥28.6

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型号：HWNSC401200CWQ 编号：C42389296

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有40A的额定正向电流（IF/A），并支持高达1200V的反向电压（VR/V），适用于要求严苛的高电压应用环境。其正向电压降（VF/V）为1.5V，在大电流操作下可维持较低的功率损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，展示出较强的绝缘性能。瞬时峰值电流（IFSM/A）可达130A，确保了在突发电流情况下的安全性和可靠性，适用于要求快速开关特性和高能效的设计中。

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￥39.6176 ￥45.02
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￥34.0384 ￥38.68
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￥30.6416 ￥34.82
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￥27.7904 ￥31.58

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型号：STPSC10H12CWL 编号：C2971539

封装：TO-247-3

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、10 A双路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

数据手册

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￥39.7152 ￥63.04
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￥28.938 ￥54.6
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￥21.2678 ￥49.46
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￥19.4145 ￥45.15

有货

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型号：HMSC030SDA120B 编号：C42389315

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管提供30安培的正向电流能力（IF/A），并能承受最高1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.5伏特，有助于提升电路的效率并减少热损耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在250微安以内，保证了其在反向偏置状态下的可靠性。此外，该二极管可承受高达121安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），这使其成为需要快速开关和高可靠性的电路设计中的理想选择，适用于要求高性能的电子设备中。

1+
￥39.9828 ￥51.26
10+
￥34.4604 ￥44.18
30+
￥30.3576 ￥38.92
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￥27.534 ￥35.3

有货

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型号：HIDWD30G120C5 编号：C42389205

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备30安培的正向电流(IF)承载能力，同时支持高达1200伏特的反向电压(VR)，适合用于需要高压稳定性的电路设计。其正向电压(VF)为1.5伏特，有助于降低能量损失。反向漏电流(IR)为250微安，展示了良好的阻断特性。此外，该二极管能够承受121安培的瞬态正向浪涌电流(IFSM)，表明其在面对电流峰值时依然可靠。这些特性使其成为追求高效能与低功耗应用的理想选择。

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￥40.9275 ￥48.15
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￥35.1645 ￥41.37
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￥31.654 ￥37.24
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￥28.713 ￥33.78

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型号：IDK10G65C5XTMA2 编号：C3759094

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺，已经在第三代中引入，现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列：这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

1+
￥41.47
30+
￥41.46
100+
￥27.3636 ￥41.46

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型号：HSTPSC30H12CWL 编号：C42389204

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有30安培的最大正向电流(IF)，并且能够承受1200伏特的反向电压(VR)，确保在高电压条件下稳定工作。它拥有1.5伏特的正向电压降(VF)，有助于减少运行时的电力损耗。二极管的反向电流(IR)被限制在200微安，表明其具有良好的绝缘性能。瞬态正向电流(IFSM)最高可达100安培，这表明它具备处理短时电流激增的能力。这些技术规格使其非常适合应用于要求高性能和低能耗的系统中。

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￥43.197 ￥50.82
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￥37.1195 ￥43.67
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￥33.4135 ￥39.31
90+
￥30.3025 ￥35.65

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型号：C6D05170H-HXY 编号：C51896391

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为5A，反向重复电压（VR）高达1700V，正向压降（VF）为1.32V。依托碳化硅材料的高击穿电场强度，器件具备优异的耐高压性能和热导率，同时展现出极短的反向恢复时间与低开关损耗。适用于高电压、高频率的电力转换场合，如高压电源模块、大功率整流电路、不间断电源系统及可再生能源逆变装置。其高温工作能力与高可靠性支持紧凑型电源设计，有助于提升整体能效与系统稳定性，尤其适合对功率密度和长期运行性能有要求的应用场景。

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￥44.7165 ￥47.07
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￥38.5795 ￥40.61
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￥34.8365 ￥36.67
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￥31.7015 ￥33.37

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型号：FFSH1065B-F085-HXY 编号：C45896867

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备卓越的电性能参数，正向电流IF可达10A，反向耐压VR高达650V，使其在高电压应用中表现优异。正向导通电压VF仅为1.3V，有效降低了能耗，同时反向漏电流IR低至50uA，减少了不必要的能量损耗。其峰值非重复正向浪涌电流IFSM为80A，确保了设备在瞬时过载情况下的可靠性。这些特性使它成为高效能电力转换系统中的关键组件，适用于各种需要提高能源效率和系统稳定性的场合。

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￥34.8365 ￥36.67
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￥31.7015 ￥33.37

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型号：HNDSH40120CF155 编号：C42389251

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备40A的正向平均电流(IF)和1200V的反向耐压(VR)，能够满足高功率应用需求。其正向电压降(VF)仅为1.5V，确保了较低的能量损耗；在额定温度下的反向漏电流(IR)控制在300μA以内，保证了良好的电气隔离性能。此外，该二极管支持高达161A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)，增强了应对瞬态过载的能力。这些特性使其适用于需要高效能、可靠性的电源转换及保护电路中。

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型号：HIDW40G65C5BXKSA2 编号：C42389292

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款碳化硅二极管具有优异的电气性能与高可靠性，适用于多种高效能电源系统。其最大正向电流（IF）为40A，反向耐压（VR）达650V，可稳定运行于较高电压环境。正向压降（VF）为1.35V，在导通状态下能量损耗较低，有助于提升系统效率。反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出良好的阻断特性。器件还具备300A的浪涌电流（IFSM）承受能力，能够应对瞬态过流情况。该产品广泛适用于高频电源转换器、太阳能逆变装置及通信基础设施中的电源模块，满足对效率、密度与稳定性有较高要求的应用场景。

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