sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：YFWD308065FAC 编号：C19273138

封装：TO-220FAC

品牌：YFW(佑风微)

特性：反向耐压650V。零反向恢复电流。高工作频率。开关特性不受温度影响。开关速度快。正向压降正温度系数。应用：开关电源，AC/DC转换器。功率因数校正

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￥6.312 ￥7.89
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￥5.032 ￥6.29
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￥4.336 ￥5.42
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￥3.544 ￥4.43

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型号：GC6D04065A 编号：C7435080

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:23nC 总功率(Ptot):73W

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￥6.32
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￥5.09
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￥4.48
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￥3.5
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￥3.31

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型号：LGE3D10065AF 编号：C51018420

封装：ITO-220AC

品牌：LGE(鲁光)

商品目录碳化硅二极管；二极管配置独立式；整流电流 10A；正向压降(Vf) 1.7V；直流反向耐压(Vr) 650V；反向电流(Ir) 18uA

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￥6.36
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￥4.55

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型号：HC3D08065A 编号：C22449556

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管是高电压应用的理想选择，650V耐压保证了在高压环境下的稳定工作。它能处理8A大电流，配合低至1.3V的正向压降，显著提高了电路的能效，减少了发热问题，非常适合于高功率密度和高效能源转换的现代电子设计。

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￥6.468 ￥7.35
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￥5.3416 ￥6.07
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￥4.7344 ￥5.38
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￥3.5904 ￥4.08

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型号：KN3D06065A 编号：C5373181

封装：TO-220-2

品牌：KNSCHA(科尼盛)

碳化硅二极管 SiC SBD 管装应用于电源、工控、空调等、电动工具、储能

数据手册

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￥6.543 ￥7.27
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￥5.445 ￥6.05
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￥4.842 ￥5.38
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￥4.167 ￥4.63
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￥3.861 ￥4.29
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￥3.726 ￥4.14

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型号：HTRS6E65FS1Q 编号：C42389232

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备6安培的正向电流（IF/A），可承受最高650伏特（VR/V）的反向电压。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，在确保导通性能的同时降低了能耗。反向漏电流（IR/uA）维持在50微安水平，展现了优异的绝缘特性。此外，该二极管能够处理高达48安培（IFSM/A）的瞬时峰值电流，适用于高频开关电路及精密设备中的高效能电力传输与控制，满足对可靠性和效率有较高要求的应用需求。

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￥6.5912 ￥7.49
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￥4.8224 ￥5.48
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￥4.1184 ￥4.68
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￥3.8016 ￥4.32
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￥3.6608 ￥4.16

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型号：HFFSP0665B 编号：C42389190

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有6安培的正向电流（IF/A），耐压值为650伏特（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有效降低了能量损失。反向漏电流（IR/uA）控制在50微安，显示出优良的隔离性能。瞬态正向电流峰值（IFSM/A）为48安培，表明它可以在极端条件下保持稳定。适用于要求高效能与快速响应的电路设计，如高性能开关模式电源转换器等场合。

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￥6.8595 ￥8.07
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￥5.678 ￥6.68
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￥5.0235 ￥5.91
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￥3.961 ￥4.66
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￥3.808 ￥4.48

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型号：HSTPSC8H065D 编号：C42389233

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有8安培的正向电流能力（IF/A），并能承受650伏特的最大反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能量损失。在反向偏置条件下，其漏电流（IR/uA）保持在50微安以下，表明了出色的隔离性能。此外，该二极管支持最高64安培（IFSM/A）的瞬间正向浪涌电流，适合应用于要求快速开关动作和高能效转换的场合，如高性能电源模块或消费电子产品的功率管理单元。

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￥7.0576 ￥8.02
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￥3.916 ￥4.45

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型号：AS3D010120C 编号：C19194202

封装：TO-247-2

品牌：AnBon(安邦)

特性：零反向恢复电流。零正向恢复电压。正向电压VF具有正温度系数。温度无关的开关特性。 175℃工作结温。应用：开关模式电源。功率因数校正

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￥7.296 ￥7.68
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￥6.061 ￥6.38
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￥5.3865 ￥5.67
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￥4.617 ￥4.86
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￥4.2845 ￥4.51
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￥4.123 ￥4.34

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型号：HFFSP1065B 编号：C42389218

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10安培的正向电流（IF/A），可承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.5伏特，有效降低了导通时的功耗。反向漏电流（IR/uA）控制在60微安，体现了良好的阻断特性。同时，该二极管能够承受高达90安培的瞬态峰值电流（IFSM/A），增强了在复杂环境中的可靠性。适用于高频开关及电源管理等精密电路设计中，提供稳定的表现。

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￥4.0744 ￥4.63

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型号：HSCS310AHGC9 编号：C42389302

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有10A的最大连续正向电流（IF），并在650V的反向电压（VR）下提供可靠的性能。其正向压降（VF）为1.5V，有助于降低能耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）控制在微安级（60μA），表明其拥有良好的阻断能力。瞬态正向电流峰值（IFSM）可达到90A，增强了其应对瞬间大电流冲击的能力。这些特性使其成为高频开关电源、DC-DC转换器等需要高效率和稳定性的应用的理想选择。

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￥7.6858 ￥9.26
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￥4.233 ￥5.1

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型号：HSTPSC10H065D 编号：C42389178

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）可达10安培，在反向电压（VR/V）为650伏特的情况下表现出色。该二极管在正向导通时的电压降（VF/V）仅为1.5伏特，有助于减少能量损耗。其反向漏电流（IR/uA）控制在60微安级别，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最高可承受90安培，适用于需要高可靠性和快速开关特性的场合。这些特点使得该二极管成为高性能电路设计中的理想选择。

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￥7.7273 ￥9.31
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￥6.3993 ￥7.71
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￥5.6025 ￥6.75
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￥4.4156 ￥5.32
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￥4.2496 ￥5.12

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型号：AS3D015120C 编号：C19194201

封装：TO-247-2

品牌：AnBon(安邦)

特性：零反向恢复电流。零正向恢复电压。正向电压（VF）具有正温度系数。温度无关的开关特性。 175℃工作结温。用单极器件替代双极器件。应用：开关模式电源。功率因数校正

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￥7.942 ￥8.36
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￥6.6025 ￥6.95
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￥5.871 ￥6.18
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￥5.0445 ￥5.31
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￥4.674 ￥4.92
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￥4.5125 ￥4.75

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型号：HFFSP1065A 编号：C42389198

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF），能够承受高达650V的反向电压（VR），确保了在高压环境下的可靠性。其正向压降（VF）仅为1.5V，在大电流工作条件下能够有效降低能耗。反向漏电流（IR）控制在60微安级别，在非导通状态下几乎不消耗能量。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达90A，表明该二极管可以应对短时电流峰值冲击，适用于需要高效率和稳定性的电子电路中。

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￥8.0925 ￥9.75
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￥6.7064 ￥8.08
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￥4.4488 ￥5.36

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型号：IDK08G65C5XTMA2-HXY 编号：C52195010

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.42V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能和较高的工作温度能力。该器件适用于需要高效能功率转换的场合，可用于电源转换系统、可再生能源逆变装置以及高频率开关电路中，有助于提升系统整体效率并减小散热设计负担，是现代高功率密度电子设备中的关键元件。

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￥8.113 ￥8.54
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￥5.1395 ￥5.41
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￥4.769 ￥5.02
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￥4.598 ￥4.84

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型号：HTRS8E65FS1Q 编号：C42389225

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有8安培的最大正向电流（IF/A），可承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，在反向应用时，其漏电流（IR/uA）限制在50微安。瞬态峰值电流（IFSM/A）可以达到64安培。这些特性使其非常适合应用于要求高效率与低能耗的高频开关电路及类似电子装置中，有助于提升系统的整体性能并保证稳定性。

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￥8.4743 ￥10.21
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￥4.98 ￥6

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型号：HSTPSC6C065Y 编号：C42389209

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有优异的电气特性，其正向平均电流IF为6A，反向电压VR达到650V，确保了在高压环境下的稳定工作。正向电压VF仅为1.3V，有助于减少系统功耗。此外，该器件具备50μA的低反向漏电流IR，提高了系统的整体效率。最大浪涌电流IFSM可达48A，增强了对瞬间大电流冲击的耐受能力。适用于需要高效能、高可靠性的电源转换及逆变器等场景。

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￥8.5324 ￥10.28
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￥7.055 ￥8.5
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￥6.2416 ￥7.52
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￥4.9219 ￥5.93
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￥4.7393 ￥5.71

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型号：HFFSD0665BF085 编号：C42389210

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备6A的正向电流（IF/A）承载能力，同时支持高达650V的反向电压（VR/V），使其适用于高电压要求的电路设计。它拥有低至1.3V的正向压降（VF/V），有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）不超过50微安，表现出优秀的隔离性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最高可达48A，表明它能够处理瞬间的大电流事件。这些特性使得该元件非常适合用于需要高性能与可靠性的开关电源以及其他对效率要求较高的电子设备中。

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￥8.5324 ￥10.28
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￥7.2293 ￥8.71
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￥6.4159 ￥7.73
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￥4.98 ￥6

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型号：SIC1060P-BP-HXY 编号：C52194983

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，支持更高的工作温度与开关频率，适用于要求严苛的电力转换环境。典型使用场景包括高效电源模块、可再生能源逆变装置及高可靠性储能系统的整流与续流环节，是实现紧凑型高频设计的理想选择之一。

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￥8.721 ￥9.18
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￥7.2485 ￥7.63
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￥6.441 ￥6.78
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￥5.529 ￥5.82
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￥5.1205 ￥5.39
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￥4.94 ￥5.2

有货

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型号：HIDH08G65C5XKSA2 编号：C42389192

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备8A的最大正向电流（IF/A），能够承受高达650V的反向电压（VR/V），适合用于高压环境中的电路设计。其正向电压（VF/V）为1.3V，在确保导通的同时降低了能量损失。反向漏电流（IR/uA）为50μA，显示了其优秀的阻断性能。此外，该二极管能承受最高64A的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），这使得它在应对短时电流峰值方面表现优异。这些特性使其成为高频开关电源和精密电源管理系统中的理想选择，有助于提升整体系统的效率与可靠性。

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￥8.881 ￥10.7
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￥7.5115 ￥9.05
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￥6.6566 ￥8.02
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￥5.7851 ￥6.97
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￥5.3867 ￥6.49
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￥5.2207 ￥6.29

有货

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型号：HFFSP0865B 编号：C42389229

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有出色的电气特性，额定正向电流IF为8安培，反向峰值电压VR高达650伏特。其正向压降VF为1.3伏特，有助于减少能耗并提高效率。反向漏电流IR低至50微安，确保在极端条件下的稳定性。最大非重复正向浪涌电流IFSM为64安培，表明该二极管拥有良好的瞬态保护能力。适用于高频开关电源、可再生能源转换系统等复杂电路中，能够有效提升系统的整体表现和可靠性。

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￥8.9142 ￥10.74
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￥7.5447 ￥9.09
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￥5.4116 ￥6.52
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￥5.2373 ￥6.31

有货

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型号：HFFSP0665A 编号：C42389256

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的平均正向电流（IF/A），能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在50微安。此二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达48安培。适用于高频开关电源、逆变器及其它需要高效能转换的应用中，提供卓越的导电性能与可靠性。

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￥9.0553 ￥10.91
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￥5.3203 ￥6.41

有货

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型号：SCS308APC9-HXY 编号：C52194980

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流8A，反向重复峰值电压650V，正向压降为1.38V，具备低导通损耗和高效能转换特性。基于碳化硅材料，该器件支持高频、高温工作环境，反向恢复特性优异，可有效减少开关过程中的能量损耗。适用于高效率开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统中的直流变换电路，以及对功率密度和热管理要求较高的紧凑型电力电子设备，有助于提升系统整体能效与可靠性。

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￥9.329 ￥9.82
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￥7.752 ￥8.16
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￥6.8875 ￥7.25
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￥5.909 ￥6.22
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￥5.4815 ￥5.77
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￥5.282 ￥5.56

有货

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型号：LSIC2SD065A10A-HXY 编号：C52194976

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向耐压（VR）达650V，适用于中高功率密度的电力转换设计。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性，具备优异的高温稳定性与快速开关响应能力，可减少反向恢复损耗，适用于高频开关电源、高效直流-直流变换器、高密度电源模块及可再生能源逆变装置等应用，满足对效率、热性能和功率密度有较高要求的电路设计需求。

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￥9.557 ￥10.06
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￥8.1225 ￥8.55
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￥5.719 ￥6.02

有货

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型号：HC3D10065H 编号：C45896877

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF)能力，适用于对电流需求适中的高效能电路。它拥有650V的反向电压(VR)，确保在高压环境下仍能稳定工作。其正向电压(VF)为1.3V，有助于降低能耗，提升电能利用效率。漏电流(IR)控制在50微安(uA)，减少了不必要的能量损失。此外，该二极管可承受高达80A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，提供额外的安全边际以应对突发的大电流情况。它是电力转换和保护应用中追求高效率与可靠性的理想选择。

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￥5.719 ￥6.02

有货

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型号：HC6D10065G 编号：C42389267

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计精良，具备10安培的额定正向电流IF和650伏特的反向峰值电压VR，满足高功率应用需求。其正向压降VF仅为1.3伏特，有助于降低功耗并提高效率。反向漏电流IR控制在50微安，确保设备在高温工作环境中的稳定性。最大非重复正向浪涌电流IFSM为80安培，增强了器件的抗冲击能力。适用于高频开关电源、光伏逆变器等高效率、高可靠性要求的电路设计中。

1+
￥10.035 ￥11.15
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￥8.496 ￥9.44
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￥7.524 ￥8.36
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￥6.534 ￥7.26
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￥6.093 ￥6.77
800+
￥5.895 ￥6.55

有货

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型号：STPSC4H065B-TR 编号：C191032

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

650 V、4 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

数据手册

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￥10.23
10+
￥10.01
30+
￥9.86

有货

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型号：RSS20065A 编号：C7465281

封装：TO-220-2

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

应用：服务器，工业电源，UPS电源，仪器仪表，大功率植物照明，太阳能逆变器，工商储能，电机驱动，充电桩，OBC，家电,医疗，远洋设备；

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￥10.4215 ￥10.97
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￥9.025 ￥9.5
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￥8.151 ￥8.58
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￥7.2485 ￥7.63
500+
￥6.8495 ￥7.21
1000+
￥6.669 ￥7.02

有货

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型号：HC1D08065F 编号：C41428794

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有8A的电流承载能力（IF），并能承受650V的反向电压（VR），适用于多种高频率、低损耗的电力转换应用场景。其正向电压降（VF）为1.3V，在确保高效转换的同时，减少了能量损失。碳化硅材料赋予了该二极管优异的热性能和可靠性，使其成为高性能电子设备中不可或缺的组件，特别适用于需要紧凑设计与高效率的工作环境。

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型号：DDF3D15065A 编号：C51901951

封装：TO-220AC-2

品牌：DDF(鼎德丰)

整流电流IF(AV): 15A@TC=150℃ 反向电压VRRM： 650V 正向压降VF： 1.8V@20A 反向电流IR： 60uA 结温TJ：-55~+175℃

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