sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-227

该碳化硅二极管具备250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通效率与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）能力达600A，可有效应对瞬态过流条件。适用于高频开关电源、高功率密度变换器等对器件损耗、热稳定性和动态响应有严苛要求的电力电子系统。

1+
￥147.6
10+
￥142.99

有货

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型号：GD2X60MPS06N-HXY 编号：C53133715

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，具备优异的导通与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态耐受能力。器件适用于对效率、热性能及可靠性要求较高的高频电源转换场景，尤其在需要高功率密度与快速开关响应的电力电子系统中表现突出。

1+
￥159.9
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￥154.91

有货

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型号：APT2X21DC60J-HXY 编号：C53133711

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管额定正向电流为250A，反向重复峰值电压达650V，正向压降为1.4V，反向漏电流仅为100μA，表现出低导通损耗与高阻断能力。其浪涌正向电流承受能力高达600A，适用于高频、高效率的电力转换系统，在需要快速开关和良好热稳定性的场合中可有效提升整体性能。

1+
￥295.2
10+
￥285.98

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型号：ASZD008065A 编号：C50132433

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=8A@Tc=160℃,Vf=1.3V@8A

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￥1.8525 ￥1.95
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￥1.8145 ￥1.91
50+
￥1.786 ￥1.88
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￥1.7575 ￥1.85

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型号：RSS08065F 编号：C51904690

封装：TO-220F

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

OBC充电机,化成电源,医疗电源,金牌PC电源,服务器电源,TV电源,充电桩,通讯电源,谐振方案,工控

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￥2.071 ￥2.18
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￥2.0235 ￥2.13
50+
￥1.995 ￥2.1
100+
￥1.9665 ￥2.07

有货

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型号：RSS06065B 编号：C51904695

封装：TO-220-2

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

电机控制，电动工具，逆变器，同步整流，金牌电源，服务器电源，工业电源，储能BMS

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￥2.926 ￥3.08
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￥2.8595 ￥3.01
50+
￥2.812 ￥2.96
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￥2.774 ￥2.92

有货

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型号：AS3D006065A 编号：C19194414

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

ASZD006065A是原型号的迭代升级，商品编码C50132440

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￥3.31 ￥6.62
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￥2.725 ￥5.45
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￥2.4 ￥4.8
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￥2.035 ￥4.07
500+
￥1.875 ￥3.75
1000+
￥1.8 ￥3.6

有货

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型号：ASD865A 编号：C2688441

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

ASZD008065A是原型号的迭代升级，商品编码C50132433

数据手册

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￥3.395 ￥6.79
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￥2.835 ￥5.67
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￥2.525 ￥5.05
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￥2.115 ￥4.23
500+
￥1.965 ￥3.93
1000+
￥1.895 ￥3.79

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型号：BCB65S06D3 编号：C47715878

封装：D2PAK

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,6A

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￥3.64
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￥2.95
50+
￥2.6
100+
￥2.26

有货

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型号：YFWD306065FAC 编号：C50327290

封装：TO-220FAC

品牌：YFW(佑风微)

适用于表面安装应用、GPP芯片、高效、符合欧盟RoHS

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￥3.96
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￥3.87
50+
￥3.81

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型号：ASD465F 编号：C2688439

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压 650V、正向电流 4A、正向压降≤1.65V@4A、结温-55~175℃，零反向恢复电流，适合高温/高频运行；功能：高压整流/续流、PFC电路；应用：电机驱动器，太阳能应用，不间断电源系统，功率切换电路等

数据手册

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￥4.215 ￥8.43
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￥3.515 ￥7.03
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￥3.13 ￥6.26
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￥2.625 ￥5.25
500+
￥2.43 ￥4.86
1000+
￥2.34 ￥4.68

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型号：HFFSP1065B 编号：C42389218

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10安培的正向电流（IF/A），可承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.5伏特，有效降低了导通时的功耗。反向漏电流（IR/uA）控制在60微安，体现了良好的阻断特性。同时，该二极管能够承受高达90安培的瞬态峰值电流（IFSM/A），增强了在复杂环境中的可靠性。适用于高频开关及电源管理等精密电路设计中，提供稳定的表现。

1+
￥4.5056 ￥5.12
10+
￥4.4 ￥5
50+
￥4.3384 ￥4.93
100+
￥4.268 ￥4.85

有货

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型号：HSCS310AHGC9 编号：C42389302

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有10A的最大连续正向电流（IF），并在650V的反向电压（VR）下提供可靠的性能。其正向压降（VF）为1.5V，有助于降低能耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）控制在微安级（60μA），表明其拥有良好的阻断能力。瞬态正向电流峰值（IFSM）可达到90A，增强了其应对瞬间大电流冲击的能力。这些特性使其成为高频开关电源、DC-DC转换器等需要高效率和稳定性的应用的理想选择。

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￥4.6729 ￥5.63
10+
￥4.565 ￥5.5
50+
￥4.4239 ￥5.33
100+
￥4.3492 ￥5.24

有货

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型号：BCH65S10D3 编号：C46472737

封装：TO-220-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,10A

1+
￥4.68
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￥3.79
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￥3.35
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￥2.91

有货

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型号：IDK08G65C5XTMA2-HXY 编号：C52195010

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.42V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能和较高的工作温度能力。该器件适用于需要高效能功率转换的场合，可用于电源转换系统、可再生能源逆变装置以及高频率开关电路中，有助于提升系统整体效率并减小散热设计负担，是现代高功率密度电子设备中的关键元件。

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￥4.8545 ￥5.11
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￥4.7405 ￥4.99
30+
￥4.6645 ￥4.91
100+
￥4.598 ￥4.84

有货

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型号：SIC1060P-BP-HXY 编号：C52194983

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，支持更高的工作温度与开关频率，适用于要求严苛的电力转换环境。典型使用场景包括高效电源模块、可再生能源逆变装置及高可靠性储能系统的整流与续流环节，是实现紧凑型高频设计的理想选择之一。

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￥5.2155 ￥5.49
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￥5.092 ￥5.36
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￥5.016 ￥5.28
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￥4.94 ￥5.2

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型号：HC3D10065H 编号：C45896877

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF)能力，适用于对电流需求适中的高效能电路。它拥有650V的反向电压(VR)，确保在高压环境下仍能稳定工作。其正向电压(VF)为1.3V，有助于降低能耗，提升电能利用效率。漏电流(IR)控制在50微安(uA)，减少了不必要的能量损失。此外，该二极管可承受高达80A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，提供额外的安全边际以应对突发的大电流情况。它是电力转换和保护应用中追求高效率与可靠性的理想选择。

1+
￥6.0325 ￥6.35
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￥5.8995 ￥6.21
30+
￥5.8045 ￥6.11
90+
￥5.719 ￥6.02

有货

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型号：YFWD308065FAC 编号：C19273138

封装：TO-220FAC

品牌：YFW(佑风微)

特性：反向耐压650V。零反向恢复电流。高工作频率。开关特性不受温度影响。开关速度快。正向压降正温度系数。应用：开关电源，AC/DC转换器。功率因数校正

1+
￥6.312 ￥7.89
10+
￥5.032 ￥6.29
50+
￥4.336 ￥5.42
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￥3.544 ￥4.43

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型号：GC6D04065A 编号：C7435080

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:23nC 总功率(Ptot):73W

1+
￥6.32
10+
￥5.09
50+
￥4.48
100+
￥3.86
500+
￥3.5
1000+
￥3.31

有货

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型号：HC3D08065A 编号：C22449556

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管是高电压应用的理想选择，650V耐压保证了在高压环境下的稳定工作。它能处理8A大电流，配合低至1.3V的正向压降，显著提高了电路的能效，减少了发热问题，非常适合于高功率密度和高效能源转换的现代电子设计。

1+
￥6.468 ￥7.35
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￥5.3416 ￥6.07
50+
￥4.7344 ￥5.38
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￥4.0392 ￥4.59
500+
￥3.7312 ￥4.24
1000+
￥3.5904 ￥4.08

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型号：BCH120S20D2 编号：C47715875

封装：TO-220-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,1200V,20A

1+
￥7.042 ￥10.06
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￥5.992 ￥8.56
50+
￥5.327 ￥7.61
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￥4.655 ￥6.65

有货

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型号：AS3D010120C 编号：C19194202

封装：TO-247-2

品牌：AnBon(安邦)

特性：零反向恢复电流。零正向恢复电压。正向电压VF具有正温度系数。温度无关的开关特性。 175℃工作结温。应用：开关模式电源。功率因数校正

1+
￥7.296 ￥7.68
10+
￥6.061 ￥6.38
30+
￥5.3865 ￥5.67
90+
￥4.617 ￥4.86
510+
￥4.2845 ￥4.51
990+
￥4.123 ￥4.34

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型号：HSTPSC12065GTR 编号：C42389261

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管提供12A的正向平均电流(IF)和650V的反向电压(VR)，适用于高效能电源设计。其正向电压降(VF)仅为1.3V，有助于降低系统能耗。在标准工作条件下，该二极管的反向漏电流(IR)保持在50μA以下，确保了优异的电气隔离性能。此外，它能够承受90A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)，提高了对瞬态过载的防护能力。这些特性使其成为电源转换、逆变器以及需要高效率与可靠性的电子电路的理想选择。

1+
￥8.5272 ￥9.69
10+
￥8.3336 ￥9.47
30+
￥8.2104 ￥9.33
100+
￥8.0784 ￥9.18

有货

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型号：HIDK10G120C5 编号：C42389236

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有10安培的正向电流（IF/A），并能承受高达1200伏特的反向电压（VR/V），适用于需要坚固电气性能的应用场景。其正向电压降（VF/V）为1.4伏特，有效降低了能量损失。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）限制在100微安，体现了出色的绝缘特性。此外，此元件支持最高90安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），能够在复杂的工作环境中提供可靠的过流保护。这些技术规格使其成为构建高性能电力转换系统及其他对效率与稳定性有要求的解决方案的理想选择。

1+
￥8.9672 ￥10.19
10+
￥8.7648 ￥9.96
30+
￥8.624 ￥9.8
100+
￥8.3864 ￥9.53

有货

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型号：HC6D10065G 编号：C42389267

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计精良，具备10安培的额定正向电流IF和650伏特的反向峰值电压VR，满足高功率应用需求。其正向压降VF仅为1.3伏特，有助于降低功耗并提高效率。反向漏电流IR控制在50微安，确保设备在高温工作环境中的稳定性。最大非重复正向浪涌电流IFSM为80安培，增强了器件的抗冲击能力。适用于高频开关电源、光伏逆变器等高效率、高可靠性要求的电路设计中。

1+
￥10.188 ￥11.32
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￥8.64 ￥9.6
30+
￥7.677 ￥8.53
100+
￥6.687 ￥7.43
500+
￥6.246 ￥6.94
800+
￥6.048 ￥6.72

有货

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型号：ASD30120P2 编号：C2688448

封装：TO-247-3

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压1200V、正向电流30A、正向压降≤1.7V@15A、结温-55~175℃，零反向恢复电流，适合高温/高频运行；共阴极；功能：高压整流/续流、PFC电路；应用：电机驱动器，太阳能应用，不间断电源系统，功率切换电路等

数据手册

1+
￥15.365 ￥30.73
10+
￥13.2 ￥26.4
30+
￥11.105 ￥22.21
100+
￥9.805 ￥19.61
500+
￥9.2 ￥18.4
1000+
￥8.93 ￥17.86

有货

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型号：ASD20120C 编号：C2688447

封装：TO-247-2

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压1200V、正向电流20A、正向压降≤1.8V@20A、结温-55~175℃，零反向恢复电流，适合高温/高频运行；功能：高压整流/续流、PFC电路；应用：电机驱动器，太阳能应用，不间断电源系统，功率切换电路等

数据手册

1+
￥18.45 ￥36.9
10+
￥15.875 ￥31.75
30+
￥13.615 ￥27.23
100+
￥12.3 ￥24.6

有货

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型号：DDF3D10170H 编号：C51901953

封装：TO-247-2L

品牌：DDF(鼎德丰)

整流电流IF(AV): 10A@TC=150℃ 反向电压VRRM： 1700V 正向压降VF： 1.7V@10A 反向电流IR： 18uA 结温TJ：-55~+175℃

1+
￥22.16
10+
￥18.94
30+
￥17.03

有货

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型号：HWNSC201200CWQ 编号：C42389313

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的正向电流(IF/A)，并能承受高达1200V的反向电压(VR/V)，适用于需要高压和稳健电流管理的应用场景。其正向电压(VF/V)为1.5V，有效降低了导通损耗。二极管的反向漏电流(IR/uA)为250微安，在非导通状态下提供可靠的隔离性能。同时，它还能承受71A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)，增强了在复杂环境下的耐用性，适合用于追求高效与稳定性的各类电路设计中。

1+
￥26.57
10+
￥25.96
30+
￥25.55

有货

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型号：IDK10G65C5XTMA2 编号：C3759094

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺，已经在第三代中引入，现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列：这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

1+
￥27.3702 ￥41.47
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￥27.3636 ￥41.46

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