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FFSB0665B-F085-HXY

型号：FFSB0665B-F085-HXY 编号：C51896365

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.36V，有效降低导通损耗，提升系统效率。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具备出色的开关性能和高温工作能力，可显著减少能量损耗并改善热管理。常用于高密度电源适配器、通信设备电源单元及可再生能源逆变系统中的整流与续流环节，适用于对能效、功率密度和长期稳定性有较高要求的电力电子设计。

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C6D08065G-TR-HXY

型号：C6D08065G-TR-HXY 编号：C51896353

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降低至1.38V，有效减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可显著降低开关损耗，适用于高频率、高效率的电源转换设计。典型应用场景包括高效开关电源、高密度功率变换模块及对热管理要求严苛的紧凑型电子设备。

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FFSM1065B-HXY

型号：FFSM1065B-HXY 编号：C51896366

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为10A，反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）为1.37V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的开关速度和高温工作能力，反向恢复时间极短，可显著降低开关损耗。适用于高效率电源转换电路，如功率因数校正（PFC）模块、开关模式电源（SMPS）、直流-直流变换器及逆变装置。其高耐压与低导通损耗特性有助于提升系统能效，支持紧凑型、高功率密度的电路设计需求。

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S3D20065H-HXY

型号：S3D20065H-HXY 编号：C52195016

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的开关频率和工作温度，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变系统及储能装置中的整流与续流环节，可有效减少散热设计复杂度并提升系统可靠性。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH10G120C5 编号：C42389219

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有卓越的电气性能，其额定正向电流（IF/A）为10A，能够承受高达1200V的反向电压（VR/V）。在正向导通时，仅需1.35V的正向电压（VF/V），表现出优异的能效比。反向漏电流（IR/uA）维持在250微安以下，确保了在高电压下的可靠运行。瞬态峰值电流（IFSM/A）为71A，使其成为高频开关电源的理想选择，有助于提升电子装置的能量转换效率与整体性能稳定性。适用于需要快速开关特性的电路设计中。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC5H12BTR1 编号：C42389309

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF）能力，可在大电流应用中保持高效运行，同时拥有1200V的反向击穿电压（VR），适合应用于高电压要求的场合。其正向电压降（VF）为1.4V，有助于降低能耗。反向漏电流（IR）为100微安，在非导通期间功耗极低。瞬态正向浪涌电流（IFSM）达到45A，表明它可以应对短暂的电流峰值冲击。这些特性使其成为追求低功耗与高可靠性的高频开关和其他精密电路设计的理想选择。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC4D12120A 编号：C45896883

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高性能应用设计，提供12A的正向电流(IF)能力和1200V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)为1.35V，在保证高效能的同时减少了能量损耗。反向漏电流(IR)低至150微安(uA)，确保了在非导通状态下的高效率。最值得注意的是，它能够承受高达130A的峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)，使其成为应对瞬时过载情况的理想选择。此款二极管适用于需要高可靠性、高速开关及高能效比的电源转换系统中。

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VS3C10ET07T-M3-HXY

型号：VS3C10ET07T-M3-HXY 编号：C52195031

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换场景。典型应用包括开关模式电源、光伏逆变系统及高密度功率因数校正电路，适合对热性能和空间布局有严格要求的设计需求。

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S4D10120F-HXY

型号：S4D10120F-HXY 编号：C51896344

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复耐压（VR）达1200V，适用于高电压应用环境。其正向导通压降为1.39V（VF），在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高温工作能力与快速开关响应，反向恢复特性理想，可减少开关损耗。典型应用涵盖高压直流电源、高效能逆变系统、不间断电源模块以及高密度开关电源设计，适用于对热性能和转换效率有较高要求的电力电子装置。

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SCS208AMC-HXY

型号：SCS208AMC-HXY 编号：C52195024

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为8A，反向重复耐压（VR）达650V，适用于中等功率电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备极短的反向恢复时间与较低的开关损耗，支持高频工作模式。典型应用包括高效率开关电源、DC-DC转换模块、光伏逆变单元及高密度电源适配器，适合对散热性能和电路效率有较高要求的紧凑型电子设备设计。

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S4D08120A-HXY

型号：S4D08120A-HXY 编号：C51896339

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.45V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，支持更高的工作温度与开关频率，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变模块及高压直流配电系统，有助于减小被动器件体积并优化热管理设计。

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DSC06065-HXY

型号：DSC06065-HXY 编号：C51896382

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中等功率电源系统。其正向压降为1.36V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备出色的反向恢复性能，支持高频开关运行，减少开关损耗与电磁干扰。可广泛用于高效AC-DC与DC-DC转换器、高密度电源模块、光伏逆变装置及不间断电源系统，满足对热稳定性与长期可靠性要求较高的设计需求。

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IDL10G65C5XUMA2-HXY

型号：IDL10G65C5XUMA2-HXY 编号：C51896361

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）典型值为1.37V。基于碳化硅半导体材料，具备出色的开关速度与高温稳定性，反向恢复特性优异，漏电流低。其物理特性支持高频工作环境下的高效能量转换，适用于高密度电源系统，如通信电源、大功率适配器、不间断电源（UPS）及可再生能源发电设备中的整流与防逆流电路，有助于降低系统热损耗并提升功率密度。

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STPSC8H065DLF-HXY

型号：STPSC8H065DLF-HXY 编号：C51896351

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力转换场景。其正向导通压降为1.42V，在高频工作条件下可有效降低导通损耗，提升系统效率。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关速度与热导性能，反向恢复电荷极小，有助于减少开关过程中的能量损耗。典型应用包括高效开关电源、直流-直流变换模块、功率因数校正电路及高密度电源适配器，适合对能效、功率密度和热管理有较高要求的电子系统设计。

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FFSM0865A-HXY

型号：FFSM0865A-HXY 编号：C51896355

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定平均正向整流电流为8A，反向重复峰值电压达650V，可承受较高的电压应力。其正向导通压降为1.42V，在同类器件中表现优异，有助于减少功率损耗。采用碳化硅材料，具备出色的反向恢复特性与高温稳定性，适用于高频率、高效率的电力转换电路，如开关模式电源、不间断电源系统、光伏逆变装置及高功率密度适配器等，能够提升系统整体能效并优化热设计。

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FFSM0865B-HXY

型号：FFSM0865B-HXY 编号：C51896356

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），适用于中等功率电压等级的电路设计。其正向导通压降（VF）典型值为1.42V，有助于降低导通损耗，提高能效表现。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温稳定性和快速开关能力，反向恢复特性理想，适用于高频开关电源、通信电源模块、光伏逆变系统及高密度直流变换装置等应用场景，能够满足对效率、尺寸和热性能有较高要求的电力电子系统设计需求。

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HC4D15120D

型号：HC4D15120D 编号：C41428788

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有15A的正向电流（IF），能够处理较大的电流需求。其反向电压（VR）高达1200V，适合应用于需要耐高压的场合，保障了在复杂环境下的稳定性。该二极管具有1.4V的正向电压降（VF），表明其在导电状态下的能耗较低，有助于维持系统的高效运作。适用于要求高可靠性和低损耗特性的电路设计，如高性能电源转换器等场景。

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HC3D16065A

型号：HC3D16065A 编号：C22449560

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管是高功率应用的优选，650V耐压等级确保了在高压电路中的稳定性能。它支持高达16A的大电流，且正向压降低至1.3V，意味着在大功率转换中能显著降低能耗，提升系统整体效率，是先进电子系统中提高能效的关键组件。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D06120A 编号：C45896882

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备5A的正向电流(IF)，能够承受高达1200V的反向电压(VR)，其正向电压(VF)在额定电流下为1.4V，保证了较低的能量损耗。该二极管的反向漏电流(IR)仅为100微安(uA)，表现出卓越的绝缘性能，同时峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)可达45A，使其在高瞬态条件下依然稳定可靠。这些特性使它成为高效能电源转换和管理应用中的理想组件，特别适用于需要高压、高速开关操作的场合。

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SIC SBD

型号：SP40D120CTT 编号：C49257267

封装：TO-247-2L

品牌：Siliup(矽普)

碳化硅二极管产品，耐压：1200V，电流：40A,Vf：1.45V@40A， Qc：217nC

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碳化硅肖特基二极管

型号：FFSP05120A-HXY 编号：C45896874

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管专为高性能应用设计，提供5A的正向电流(IF)和高达1200V的反向电压(VR)，确保在高压环境下稳定工作。其正向电压(VF)为1.4V，有助于减少能量损耗，提高效率。漏电流(IR)仅为100微安(uA)，表明其具有优异的绝缘性能。峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)为45A，可有效抵御瞬时电流冲击，适合应用于高效电源转换系统及再生能源设备中，增强系统的整体效能与可靠性。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HNXPSC166506Q 编号：C42389301

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，其最大平均正向电流（IF）可达16A，在反向电压（VR）为650V的情况下能够确保电路的安全运行。该二极管在正向导通时电压降（VF）仅为1.3V，有助于减少能量损耗。在温度升高时，其反向漏电流（IR）被限制在100μA以内，保证了在不同环境下的稳定性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）最高支持128A，使得它能够在承受短时过载的情况下正常工作。这些特性使其适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能转换的应用中。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP2065A 编号：C42389239

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管具有20A的最大整流电流IF/A，能够在650V的反向电压VR/V下稳定工作。其正向电压VF/V为1.5V，意味着在导通状态下的能量损失较小。反向漏电流IR/uA低于100微安，确保了较高的阻断性能。瞬态峰值电流IFSM/A可达123A，使其适合应用于需要高速切换频率及低损耗特性的电路设计中，能够帮助优化系统的整体性能，特别适用于追求高效能与可靠性的技术解决方案中。

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SD3065CTDL-HXY

型号：SD3065CTDL-HXY 编号：C51896340

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于较高功率等级的电路设计。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在高电流工作条件下可有效降低导通损耗。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，有助于提升系统整体能效并减少热管理压力。主要应用于高效开关电源、大功率DC-AC逆变装置、高频率DC-DC转换模块以及可再生能源发电系统的功率级设计。

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HTRS16N65FBS1Q

型号：HTRS16N65FBS1Q 编号：C42389295

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备8A的正向电流（IF/A），同时拥有650V的反向电压（VR/V），适合应用于需要高压和稳定电流的场合。其正向电压（VF/V）为1.3V，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR/uA）为24微安，表明其在阻断状态下的性能优异。此外，该二极管可以承受高达65A的峰值电流（IFSM/A），使其成为高频开关电源及其他需要高效率与可靠性的电路设计中的理想选择。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC3D20065D 编号：C42389311

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的正向电流(IF/A)，以及高达650V的反向电压(VR/V)，确保了其在高电压和大电流条件下的稳定性能。其正向电压降仅为1.3V（VF/V），有助于减少能量损失。该二极管的反向漏电流(IR/uA)为40微安，在大多数应用中都能保持良好的阻断特性。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可以达到150A，使得它能够承受短时内的电流峰值。这些特性使其适用于需要高效能和可靠性的多种电路设计中。

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安邦碳化硅肖特基二极管 650V 40A TO-247-3

型号：ASZD040065P2 编号：C50132436

封装：TO-247-3

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=20/40A@Tc=153℃, Vf=1.35V@20A，共阴极

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IDK08G120C5XTMA1-HXY

型号：IDK08G120C5XTMA1-HXY 编号：C51896371

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降为1.45V。基于碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和低导通损耗，反向恢复时间极短，适用于高频开关环境。可用于高效率的AC-DC与DC-DC转换电路，如服务器电源、储能系统及大功率适配器中，有效提升能效并降低散热负担。封装结构优化热传导路径，支持紧凑型设计，满足高可靠性应用对长期稳定运行的需求。

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STPSC10H065DLF-HXY

型号：STPSC10H065DLF-HXY 编号：C51896386

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复耐压（VR）为650V，适用于中高电压功率转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备优异的高温工作性能和极快的开关速度，反向恢复电荷小，可有效减少开关损耗。适用于高频率开关电源、高效直流变换器、储能系统功率模块及可再生能源逆变装置等应用，特别适合对热管理、能效和空间布局有较高要求的电路设计。

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STPSC10065DLF-HXY

型号：STPSC10065DLF-HXY 编号：C51896369

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高效能电力转换中表现出色。其正向压降（VF）低至1.37V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的优良特性，具有较快的开关速度和较低的反向恢复电荷，适用于高频率、高效率的电源转换场合。该产品适合应用于需要紧凑设计与高热稳定性的电力电子设备中，满足对功率密度和长期可靠性要求较高的场景。

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