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C6D10065Q-TR-HXY

型号：C6D10065Q-TR-HXY 编号：C51896354

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具有优异的热稳定性和高频开关特性，反向恢复时间极短，漏电流小。该器件适用于高密度电源系统，如高效能电源适配器、服务器电源模块及可再生能源逆变装置，能够在高温与高频环境下保持稳定运行，有效降低系统能量损耗，提升转换效率，同时有助于减小外围无源元件的体积与整体散热需求。

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￥17.195 ￥18.1
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￥14.6205 ￥15.39
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￥13.0055 ￥13.69
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￥11.3525 ￥11.95
500+
￥10.6115 ￥11.17
1000+
￥10.2885 ￥10.83

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S4D20120H-HXY

型号：S4D20120H-HXY 编号：C52195033

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度设计中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优良，适用于对效率和热管理有严格要求的电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变系统及储能装置中的整流与续流环节。

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￥17.195 ￥18.1
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FFSB0865B-F085-HXY

型号：FFSB0865B-F085-HXY 编号：C52194999

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中等功率电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.42V，在高电流工作条件下仍保持较低功耗，有助于提升能效。基于碳化硅材料，该二极管具有优异的高温稳定性和极短的反向恢复时间，显著减少开关损耗。适用于高效率AC-DC与DC-DC转换电路，常见于服务器电源、通信设备电源模块、可再生能源逆变装置及高密度适配器等对热管理和转换效率有较高要求的应用场景。

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￥10.6115 ￥11.17
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S4D15120H-HXY

型号：S4D15120H-HXY 编号：C51896373

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备15A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.5V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少热量积聚。适用于高密度电源转换装置、高效能开关电源模块及要求严苛的功率因数校正电路，适合对散热设计和空间布局有较高要求的场景。

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￥17.195 ￥18.1
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￥14.6205 ￥15.39
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￥13.0055 ￥13.69
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S3D30065H-HXY

型号：S3D30065H-HXY 编号：C51896383

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为30A，反向重复峰值电压达650V，适用于较高功率密度的电源系统。其正向导通压降为1.4V，在高负载条件下具备良好的电能转换效率，有助于降低导通损耗。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的反向恢复能力，支持高频开关工作模式，减少开关过程中的能量损耗。适用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统及高可靠性直流变换装置，满足对热性能和长期运行稳定性要求较高的技术应用环境。

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￥17.195 ￥18.1
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￥10.2885 ￥10.83

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH16G65C6 编号：C42389226

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有出色的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）为16A，在反向电压（VR/V）达到650V的情况下仍能保持稳定性能。该二极管在正向电压（VF/V）仅为1.3V时即可导通，显示出高效的能量转换能力。其反向漏电流（IR/uA）控制在100微安以下，确保了较低的能量损耗。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达128A，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中，是高性能电子设备的理想选择。

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￥17.7288 ￥21.36
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￥13.7116 ￥16.52
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￥12.201 ￥14.7
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￥11.1884 ￥13.48

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LGE3D30065H

型号：LGE3D30065H 编号：C22960616

封装：TO-247-2

品牌：LGE(鲁光)

1+
￥17.73
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￥15.02
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￥13.32

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSH1665ADNF155 编号：C42389262

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备8A的正向电流（IF/A），可承受高达650V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3V，有助于减少能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）为24微安，在高压条件下仍能维持有效的阻断状态。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为65A，表明其在需要高可靠性和快速响应的应用中表现优异，适用于追求高效稳定性能的电路设计。

1+
￥17.9168 ￥20.36
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￥15.312 ￥17.4
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￥13.772 ￥15.65
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510+
￥11.484 ￥13.05
990+
￥11.1584 ￥12.68

有货

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WNSC10650T6J-HXY

型号：WNSC10650T6J-HXY 编号：C51896306

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向压降（VF）低至1.37V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，具备出色的开关速度与高温工作稳定性，适用于需要快速恢复和高可靠性的电源转换场合，如高效开关电源、光伏逆变模块及高压直流配电系统，可满足对散热性能和空间布局有严苛要求的设计需求。

1+
￥17.936 ￥18.88
10+
￥15.39 ￥16.2
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￥13.8795 ￥14.61
100+
￥12.35 ￥13
500+
￥11.647 ￥12.26
1000+
￥11.324 ￥11.92

有货

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C6D08065Q-TR-HXY

型号：C6D08065Q-TR-HXY 编号：C51896342

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在额定工况下正向压降（VF）仅为1.3V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具有极低的反向恢复电荷和出色的高温稳定性，支持高频开关操作。其低导通损耗与快速恢复特性使其适用于高效能电源转换系统，如服务器电源、通信设备供电单元、可再生能源逆变装置及高功率密度适配器等，有助于提升系统能效、减少热耗散并简化散热设计，满足对可靠性和功率密度有较高要求的电力电子应用。

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￥17.936 ￥18.88
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￥11.647 ￥12.26
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￥11.324 ￥11.92

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LSIC2SD065D10A-HXY

型号：LSIC2SD065D10A-HXY 编号：C52194978

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降为1.51V。基于碳化硅材料，该器件具有快速开关特性、低反向恢复电荷和良好的热稳定性，适用于高频、高效率的电力电子电路。其性能优势可支持紧凑型电源设计，广泛用于服务器电源、可再生能源逆变装置、不间断电源系统及高功率密度DC-DC转换器中，有助于提升系统能效并减少散热需求。

1+
￥17.936 ￥18.88
10+
￥15.39 ￥16.2
30+
￥13.8795 ￥14.61
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￥12.35 ￥13
500+
￥11.647 ￥12.26
800+
￥11.324 ￥11.92

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HNXPSC10650B6J 编号：C42389268

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流能力（IF），同时支持最大650V的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为1.3V，有助于减少能量损耗。该二极管在反向偏置时，反向漏电流（IR）控制在50微安以内，体现了出色的绝缘性能。其峰值正向浪涌电流（IFSM）可达80A，适用于要求严苛的高频开关与电源转换应用中，提供稳定且高效的性能表现。

1+
￥18.3015 ￥22.05
10+
￥15.7036 ￥18.92
30+
￥14.1598 ￥17.06
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￥12.5994 ￥15.18
500+
￥11.8773 ￥14.31
800+
￥11.5536 ￥13.92

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碳化硅肖特基二极管

型号：F3C10170D 编号：C2844164

封装：TO-247-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：1700 伏肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。无卤；符合 RoHS 标准

数据手册

1+
￥18.816 ￥26.88
10+
￥15.918 ￥22.74
30+
￥14.196 ￥20.28
90+
￥12.453 ￥17.79

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H12G2YTR 编号：C42389269

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有10A的正向电流（IF）承载能力，并能承受高达1200V的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为1.4V，确保了较低的能量损耗。在反向特性方面，该二极管的反向漏电流（IR）在室温下不超过100微安，显示了优良的阻断特性。此外，它还能承受90A的瞬时正向浪涌电流（IFSM），使其成为高频开关电源以及需要高性能开关特性和可靠性的应用中的理想选择。

1+
￥19.09 ￥23
10+
￥16.3178 ￥19.66
30+
￥14.6744 ￥17.68
100+
￥13.0061 ￥15.67
500+
￥12.2425 ￥14.75
800+
￥11.8939 ￥14.33

有货

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SiC肖特基势垒二极管

型号：CI20S120M3 编号：C967730

封装：TO-263

品牌：Tokmas(托克马斯)

碳化硅SiC

数据手册

1+
￥19.32
10+
￥15.48
50+
￥13.07
100+
￥10.61
500+
￥9.5
1000+
￥9.02

有货

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SIC1060PL8-HXY

型号：SIC1060PL8-HXY 编号：C51896326

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具有10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高电压功率转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该二极管具备快速开关响应和优良的热导性能，可支持高频工作模式。广泛应用于高效率电源转换装置、不间断电源系统、可再生能源发电设备以及高密度开关电源模块，满足对小型化、高效化电路设计的需求。

1+
￥19.7315 ￥20.77
10+
￥16.929 ￥17.82
30+
￥15.2665 ￥16.07
100+
￥13.585 ￥14.3
500+
￥12.806 ￥13.48
1000+
￥12.4545 ￥13.11

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSH10120A 编号：C42389244

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在250微安。此外，该二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达67安培，适用于需要高效率及高频操作的应用场景，如电源转换与逆变技术领域，能够在严苛的工作环境中提供可靠的性能表现。

1+
￥19.8 ￥22.5
10+
￥16.9224 ￥19.23
30+
￥15.2152 ￥17.29
90+
￥13.4904 ￥15.33
510+
￥12.6984 ￥14.43
990+
￥12.3376 ￥14.02

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HNXPSC12650B6J 编号：C42389290

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有12A的正向电流（IF），能够在高达650V的反向电压（VR）下正常工作。其正向电压降（VF）仅为1.3V，在保证性能的同时减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR）为50微安，在较高温度下仍能保持较低的漏电水平。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达90A，适合需要处理短时大电流的应用场景。这些特性使得此款二极管在需要高效能与可靠性的电路设计中成为理想选择。

1+
￥20.1939 ￥24.33
10+
￥17.264 ￥20.8
30+
￥15.521 ￥18.7
100+
￥13.7614 ￥16.58
500+
￥12.948 ￥15.6
800+
￥12.5828 ￥15.16

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC20H065CWY 编号：C42389294

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的最大允许工作电流（IF/A），以及高达650V的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在大电流通过时能量损耗较小。该二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温条件下测得为40微安，显示出良好的阻断性能。瞬态条件下，二极管能够承受最高达150A的浪涌电流（IFSM/A），适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中。

1+
￥21.029 ￥24.74
10+
￥17.9775 ￥21.15
30+
￥16.167 ￥19.02
90+
￥14.331 ￥16.86
510+
￥13.4895 ￥15.87
990+
￥13.107 ￥15.42

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP20120A 编号：C42389253

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF），以及高达1200伏特的反向击穿电压（VR），确保了其在高压环境下的稳定性能。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在大电流工作条件下能够有效降低能耗。同时，它拥有低至200微安的反向漏电流（IR），表明其在关闭状态下几乎无电流泄露，提升了整体效率。此外，此二极管的峰值电流（IFSM）可达130安培，适用于需要瞬时处理高电流的应用场合。这些特性使其成为高性能电路设计中的理想选择。

1+
￥21.1899 ￥25.53
10+
￥18.177 ￥21.9
50+
￥16.3925 ￥19.75
100+
￥14.5831 ￥17.57
500+
￥13.7531 ￥16.57
1000+
￥13.3796 ￥16.12

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HGP3D030A065B

型号：HGP3D030A065B 编号：C42389297

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有IF/A（正向电流）30A的特性，能够在电路中承载较大的电流。其VR/V（反向电压）为650V，表明它能够承受高达650伏特的反向电压而不发生击穿。VF/V（正向电压降）仅为1.3V，在大电流通过时能保持较低的能量损耗。IR/uA（反向漏电流）在室温下为150微安，显示了良好的阻断性能。IFSM/A（最大瞬态正向电流）可达210A，适合用于需要瞬间处理高电流峰值的应用环境中。这些特性使得该二极管适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能量转换的场合。

1+
￥22.446 ￥24.94
10+
￥19.188 ￥21.32
30+
￥17.253 ￥19.17
90+
￥15.291 ￥16.99
510+
￥14.391 ￥15.99
990+
￥13.986 ￥15.54

有货

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5代1200V CoolSic碳化硅肖特基二极管

型号：IDK05G120C5XTMA1 编号：C3758347

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

系统效率优于硅二极管。可实现更高频率/更高功率密度解决方案。由于减少了散热器需求和更小的磁性元件，节省了系统尺寸和成本。降低电磁干扰。在整个负载范围内实现最高效率。在浪涌事件期间实现稳健的二极管操作。高可靠性

1+
￥22.78
10+
￥19.56
30+
￥17.65

有货

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SD3012CTDL-HXY

型号：SD3012CTDL-HXY 编号：C52195005

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）达30A，反向重复峰值电压（VR）为1200V，正向压降（VF）为1.5V。基于碳化硅材料，具备出色的高温工作能力与高频开关性能，反向恢复时间极短，能量损耗低。适用于高功率密度与高效率要求的电源系统，如大功率开关电源、不间断电源（UPS）、储能系统中的逆变单元以及高压直流-直流转换电路。其优异的热导率和低开关损耗特性，有助于提升系统能效，减少散热设计复杂度，支持紧凑型电源架构的实现。

1+
￥23.3225 ￥24.55
10+
￥20.007 ￥21.06
30+
￥18.0405 ￥18.99
90+
￥16.055 ￥16.9
450+
￥15.1335 ￥15.93
900+
￥14.725 ￥15.5

有货

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S4D30120H-HXY

型号：S4D30120H-HXY 编号：C52195034

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.5V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换场景，如开关模式电源、服务器电源单元及高密度功率因数校正电路，有助于减小被动元件体积，提高功率密度。

1+
￥23.3225 ￥24.55
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￥16.055 ￥16.9
450+
￥15.1335 ￥15.93
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￥14.725 ￥15.5

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HDSC10120 编号：C42389289

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流（IF/A），并能承受1200伏特的最大反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.35伏特，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR/uA）为250微安，展现了良好的隔离性能。瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）达到71安培，可在复杂条件下维持稳定工作。适用于高频开关电路中，提供可靠的整流与保护作用。

1+
￥23.5056 ￥28.32
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￥20.169 ￥24.3
50+
￥18.1853 ￥21.91
100+
￥16.185 ￥19.5
500+
￥15.2554 ￥18.38
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￥14.8404 ￥17.88

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HC3D20065D1

型号：HC3D20065D1 编号：C22449562

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此碳化硅二极管专为大电流应用设计，耐压达650V，能承受20A强电流，确保高可靠性。其正向压降低至1.3V，大幅提升了电能转换效率，减少能耗与发热，是高性能电源系统和能效优化解决方案的理想选择。

1+
￥23.832 ￥29.79
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￥20.376 ￥25.47
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￥18.32 ￥22.9
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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS220KGHRC 编号：C42389287

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.5伏特，在保证高效能的同时，降低了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示了出色的绝缘性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达130安培，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中，确保了电路的稳定性和效率。

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￥24.599 ￥28.94
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SiC肖特基势垒二极管

型号：CI12S170D3L2 编号：C2980744

封装：TO-247-2

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：零反向恢复电流。零正向恢复电压。正向电压VF具有正温度系数。温度无关的开关特性。 175℃工作结温。用单极器件替代双极器件。应用：开关电源。功率因数校正

数据手册

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￥24.81
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￥20.38
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￥18.02
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￥15.36
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￥14.13
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HC3D20065H

型号：HC3D20065H 编号：C45896876

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管专为高效能应用设计，具备20A的正向电流(IF)，适合于需要高电流处理能力的场合。其反向电压(VR)高达650V，确保在高压环境下的稳定性和可靠性。正向电压(VF)低至1.35V，有助于减少能量损耗，提高整体效率。漏电流(IR)仅为10微安(uA)，保证了设备在待机状态下的低能耗。此外，它拥有150A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，使其能够承受瞬时的大电流冲击，保护电路不受损坏。该二极管是追求高效、可靠电力转换解决方案的理想选择。

1+
￥24.9216 ￥28.32
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￥21.384 ￥24.3
30+
￥19.2808 ￥21.91
90+
￥17.16 ￥19.5
510+
￥16.1744 ￥18.38
990+
￥15.7344 ￥17.88

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SD4065CTDL-HXY

型号：SD4065CTDL-HXY 编号：C52195006

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备40A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.47V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和较高的耐温能力，适用于高效率、高频率的电力转换场景。器件可有效降低开关损耗，提升系统整体能效，常用于要求严苛的电源管理系统，如高性能电源单元、可再生能源逆变装置及储能系统的功率模块中，满足对紧凑设计与高可靠性兼具的应用需求。

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￥25.1085 ￥26.43
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￥21.546 ￥22.68
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￥19.4275 ￥20.45
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