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碳化硅二极管,650V,3A
  • 5+

    ¥1.925
  • 50+

    ¥1.5218
  • 150+

    ¥1.349
  • 有货
  • 碳化硅二极管,650V,6A
    • 1+

      ¥2.499 ¥3.57
    • 10+

      ¥1.974 ¥2.82
    • 50+

      ¥1.75 ¥2.5
    • 100+

      ¥1.47 ¥2.1
  • 有货
  • 整流电流IF(AV): 6A@TC=150℃ 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.6V@6A 反向电流IR: 30uA 结温TJ:-55~+175℃
    • 1+

      ¥3.31
    • 10+

      ¥2.67
    • 50+

      ¥2.34
  • 有货
  • 碳化硅二极管,650V,8A
    • 1+

      ¥3.71
    • 10+

      ¥3
    • 50+

      ¥2.65
    • 100+

      ¥2.3
  • 有货
  • 整流电流IF(AV): 8A@TC=150℃ 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.8V@8A 反向电流IR: 20uA 结温TJ:-55~+175℃
    • 1+

      ¥3.76
    • 10+

      ¥3.02
    • 50+

      ¥2.65
  • 有货
  • 碳化硅肖特基二极管采用TO252 (DPAK)塑料封装,专为高频开关电源设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.34
    • 10+

      ¥4.25
    • 30+

      ¥4.18
  • 有货
  • 碳化硅二极管,650V,15A
    • 1+

      ¥5.68
    • 10+

      ¥4.6
    • 50+

      ¥4.06
    • 100+

      ¥3.52
  • 有货
  • 碳化硅二极管,1200V,20A
    • 1+

      ¥6.349 ¥9.07
    • 10+

      ¥5.278 ¥7.54
    • 50+

      ¥4.69 ¥6.7
    • 100+

      ¥4.025 ¥5.75
  • 有货
  • 整流电流IF(AV): 20A@TC=150℃ 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.8V@10A 反向电流IR: 60uA 结温TJ:-55~+175℃
    • 1+

      ¥7.89
    • 10+

      ¥6.52
    • 30+

      ¥5.77
  • 有货
  • 碳化硅二极管,650V,30A
    • 1+

      ¥8.9
    • 10+

      ¥7.4
    • 30+

      ¥6.58
    • 90+

      ¥5.64
  • 有货
  • 第6代CoolSiC(G6)是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中通过引入进一步的改进得到增强,如新型肖特基金属系统。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列,这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOST 7系列,满足该电压范围内最严格的应用要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.1
    • 10+

      ¥7.64
    • 50+

      ¥6.59
  • 有货
  • 碳化硅二极管,650V,30A
    • 1+

      ¥9.414 ¥10.46
    • 10+

      ¥8.001 ¥8.89
    • 30+

      ¥7.119 ¥7.91
    • 100+

      ¥6.219 ¥6.91
  • 有货
  • 该产品是碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术,通过引入新型肖特基金属系统等进一步改进了前代专有创新G5技术。在所有负载条件下具有更高的效率,这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。设计用于补充600 V和650 V CoolMOST 7系列,满足该电压范围内最严格的应用要求。
    • 1+

      ¥10.76
    • 10+

      ¥9.17
    • 50+

      ¥8.18
  • 有货
  • ThinQ!™ 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺(已在第三代中引入)现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都能提高效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新一代 ThinQ!™ 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列产品,确保满足该电压范围内最严格的应用要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.3518 ¥26.02
    • 10+

      ¥10.9809 ¥22.41
    • 30+

      ¥7.9053 ¥20.27
    • 100+

      ¥7.0551 ¥18.09
    • 500+

      ¥6.6651 ¥17.09
    • 1000+

      ¥6.4896 ¥16.64
  • 有货
  • 特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关行为基准。 无反向恢复/无正向恢复。 与温度无关的开关行为。 高浪涌电流能力。应用:SMPS,例如CCM PFC。 电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥17.8416 ¥30.24
    • 10+

      ¥12.7645 ¥26.05
    • 30+

      ¥9.1845 ¥23.55
    • 100+

      ¥8.2017 ¥21.03
    • 500+

      ¥7.7493 ¥19.87
    • 1000+

      ¥7.5426 ¥19.34
  • 有货
  • 特性:肖特基整流器 / 650-Volt肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高工作频率。 不受温度影响的开关特性。 高速开关。应用:工业电源,不间断电源。 光伏系统
    • 1+

      ¥18.47
    • 10+

      ¥15.79
    • 30+

      ¥14.2
    • 90+

      ¥12.59
  • 有货
  • 特性:肖特基整流器,1200-Volt 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高工作频率。 不受温度影响的开关特性。 高速开关。应用:工业电源,不间断电源。 光伏系统
    • 1+

      ¥18.88
    • 10+

      ¥16.2
    • 30+

      ¥14.61
    • 90+

      ¥13
  • 有货
  • ThinQ!TM 第五代代表了英飞凌碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺(已在第三代产品中引入),现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都能提高效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数 (Qc×Vf)。新的 ThinQ!TM 第五代产品旨在与我们的 650V CoolMOS 系列产品互补,确保满足该电压范围内最严格的应用要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.2
    • 10+

      ¥17.17
    • 50+

      ¥15.37
  • 有货
  • 碳化硅二极管 SiC SBD 管装 应用于微型逆变、电源、逆变、工控
    数据手册
    • 1+

      ¥21.3
    • 10+

      ¥18.32
    • 30+

      ¥16.56
  • 有货
    • 1+

      ¥22.41
    • 10+

      ¥19.41
    • 30+

      ¥17.62
  • 有货
    • 1+

      ¥25.11
    • 10+

      ¥21.62
    • 50+

      ¥19.55
  • 有货
  • 双碳化硅肖特基二极管,采用3引脚TO247塑料封装,专为高频开关模式电源设计。
    • 1+

      ¥26.51
    • 10+

      ¥25.91
    • 30+

      ¥25.51
  • 有货
  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的 FMI 以及减小的系统尺寸和成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.1991 ¥49.49
    • 10+

      ¥21.0063 ¥42.87
    • 30+

      ¥15.1437 ¥38.83
    • 100+

      ¥13.8255 ¥35.45
  • 有货
  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.42
    • 10+

      ¥30.66
    • 30+

      ¥30.15
  • 有货
  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥33.098 ¥34.84
    • 10+

      ¥28.9595 ¥34.07
    • 30+

      ¥25.17 ¥33.56
    • 100+

      ¥24.78 ¥33.04
  • 有货
    • 1+

      ¥35.8
    • 10+

      ¥35.07
    • 36+

      ¥34.58
  • 有货
  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥44.84
    • 10+

      ¥43.73
    • 30+

      ¥42.99
  • 有货
    • 1+

      ¥55.25
    • 10+

      ¥53.86
    • 30+

      ¥52.93
  • 有货
  • 碳化硅SiC
    数据手册
    • 1+

      ¥73.8
    • 10+

      ¥70.33
    • 30+

      ¥64.32
  • 有货
  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度无关的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥78.547 ¥112.21
    • 10+

      ¥65.298 ¥108.83
    • 12+

      ¥54.415 ¥108.83
  • 有货
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