sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：FFSH20120ADN-F155 编号：C463729

封装：TO-247-3

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性以及出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

数据手册

1+
￥58.9869 ￥93.63
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￥47.4085 ￥89.45
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￥35.3503 ￥82.21
90+
￥32.6327 ￥75.89

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型号：HIDW20G120C5B 编号：C42389220

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管提供稳定的电气性能，其连续正向电流（IF/A）可达20A，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V）。正向电压降（VF/V）为1.5V，有助于降低能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在250微安，确保在高压环境下工作时的可靠性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为71A，适用于需要高耐压和大电流的应用场景，如高性能开关模式电源设计，能够显著提升系统的响应速度和效率。

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￥59.01
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￥50.71
30+
￥45.65

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型号：DSEI2X31-06C-HXY 编号：C53133706

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管额定正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA，表现出低导通损耗与高阻断能力。器件可承受高达600A的浪涌正向电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源转换系统，在对热性能和开关速度有较高要求的电力电子应用中具有显著优势。

1+
￥98.4295 ￥103.61
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￥93.9075 ￥98.85
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￥86.0795 ￥90.61
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￥79.249 ￥83.42

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型号：STTH60L06TV1-HXY 编号：C53133710

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，具备优异的导通与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态耐受能力。器件适用于对效率、热性能及可靠性要求较高的电力转换场景，尤其在高频运行条件下可显著降低开关损耗，提升系统整体能效。

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￥105.469 ￥111.02
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￥100.624 ￥105.92
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￥92.226 ￥97.08
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￥84.9015 ￥89.37

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型号：GD2X30MPS06N-HXY 编号：C53133714

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通特性与阻断性能。其浪涌正向电流（IFSM）能力达600A，适用于高频开关电源、高功率密度变换器及对热稳定性和动态响应要求较高的电力电子系统。

1+
￥111.02
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￥105.92
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￥97.08

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型号：STTH120L06TV1-HXY 编号：C53133703

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管的正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA。器件可承受高达600A的非重复浪涌正向电流（IFSM），具备出色的瞬态电流耐受能力。其低导通压降与极小的反向漏电特性，结合碳化硅材料的高热导率和高频性能，适用于对效率、散热及动态响应要求较高的电力电子系统。

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￥112.499 ￥118.42
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￥107.331 ￥112.98
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￥98.3725 ￥103.55
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￥90.5635 ￥95.33

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型号：GHXS100B065S-D3-HXY 编号：C53133702

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态过载承受能力。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关和高温环境下仍能维持稳定的电气性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统及对热管理要求较高的电力电子应用。

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￥118.902 ￥125.16
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￥113.202 ￥119.16

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型号：GHXS050B065S-D3-HXY 编号：C53133716

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通特性和阻断性能。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，能够有效应对突发的高电流冲击。器件适用于高频、高效率的电源转换系统，尤其在对热管理、开关速度及长期运行稳定性有较高要求的电力电子应用中表现良好。

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￥118.902 ￥125.16
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￥113.202 ￥119.16

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型号：STTH200L06TV1-HXY 编号：C53133704

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达600A，适用于存在高瞬态电流冲击的场合。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频运行和高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合用于高效率、高功率密度的电源转换及对热稳定性要求较高的电力电子应用。

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￥133.589 ￥140.62
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￥127.452 ￥134.16
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￥116.8215 ￥122.97
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￥107.54 ￥113.2

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型号：DSEP2X31-06A-HXY 编号：C53133705

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，具备优异的导通与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态耐受能力。器件适用于对效率与可靠性要求较高的高频电源转换场景，尤其在需要低损耗、高热稳定性的电力电子系统中表现突出。

1+
￥142.6805 ￥150.19
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￥135.8405 ￥142.99

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型号：DSEP2X91-06A-HXY 编号：C53133707

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通效率与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）能力达600A，可有效应对瞬态过流条件。适用于高频开关电源、高功率密度变换器等对器件损耗、热稳定性和动态响应有严苛要求的电力电子系统。

1+
￥142.6805 ￥150.19
26+
￥135.8405 ￥142.99

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型号：GD2X60MPS06N-HXY 编号：C53133715

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，具备优异的导通与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态耐受能力。器件适用于对效率、热性能及可靠性要求较高的高频电源转换场景，尤其在需要高功率密度与快速开关响应的电力电子系统中表现突出。

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￥154.565 ￥162.7
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￥147.1645 ￥154.91

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型号：GD2X30MPS06N 编号：C25647400

封装：SOT-227

品牌：Navitas(纳微)

特性：第四代薄芯片技术，实现低正向电压。卓越的电源效率。出色的品质因数QC/IF。增强的浪涌电流耐受性。低热阻。与温度无关的快速开关。应用：功率因数校正（PFC）。电动汽车和电池充电器

1+
￥190.15
10+
￥184

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型号：APT2X21DC60J-HXY 编号：C53133711

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管额定正向电流为250A，反向重复峰值电压达650V，正向压降为1.4V，反向漏电流仅为100μA，表现出低导通损耗与高阻断能力。其浪涌正向电流承受能力高达600A，适用于高频、高效率的电力转换系统，在需要快速开关和良好热稳定性的场合中可有效提升整体性能。

1+
￥285.3515 ￥300.37
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￥271.681 ￥285.98

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型号：BCM120S02D3 编号：C47994746

封装：TO-252NC

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,1200V,2A

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￥2.3275 ￥2.45
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￥1.843 ￥1.94
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￥1.634 ￥1.72
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￥1.368 ￥1.44
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￥1.254 ￥1.32
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￥1.1875 ￥1.25

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型号：RSS06065G 编号：C51904689

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

吹风筒，电机驱动

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￥2.7455 ￥2.89
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￥2.1755 ￥2.29
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￥1.9285 ￥2.03
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￥1.615 ￥1.7
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￥1.482 ￥1.56
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￥1.3965 ￥1.47

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型号：IDH02G65C5XKSA2-HXY 编号：C53467928

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，具备2A的正向电流能力，反向重复峰值电压为650V，典型正向压降为1.53V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作条件下仍能保持较低的导通损耗和快速的反向恢复响应。适用于高效率电源、开关模式转换器及对热管理要求较高的电子系统中，有助于提升整体电路的能效与可靠性。

1+
￥2.7645 ￥2.91
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￥2.7075 ￥2.85
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￥2.66 ￥2.8
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￥2.622 ￥2.76

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型号：LXA04T600-HXY 编号：C53468171

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为4A，最大反向重复电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.53V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统。其电气参数组合使其在高密度功率模块及高效整流应用中具备良好的适配性。

1+
￥2.87
10+
￥2.81
50+
￥2.77

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型号：CSD01060A-HXY 编号：C53468038

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为4A，最大反向重复峰值电压达650V，正向压降典型值为1.53V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出优异的稳定性和效率，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与电力电子系统。

1+
￥3.07
10+
￥3
50+
￥2.95

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型号：WNSC2D04650Q-HXY 编号：C53468003

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为4A，最大反向重复峰值电压达650V，典型正向压降为1.53V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下展现出优异的稳定性和效率，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、功率因数校正及各类高密度电力电子系统中。

1+
￥3.23 ￥3.4
10+
￥3.154 ￥3.32
50+
￥3.1065 ￥3.27
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￥3.059 ￥3.22

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型号：SCS302APC9-HXY 编号：C53467918

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.53V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频和高温环境下仍能保持优异的电气性能与稳定性，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其低VF有助于降低导通损耗，提升系统整体能效，同时快速恢复特性可有效减少开关过程中的能量损耗。

1+
￥3.2395 ￥3.41
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￥3.173 ￥3.34
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￥3.116 ￥3.28
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￥3.0685 ￥3.23

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型号：AS3D006065A 编号：C19194414

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

ASZD006065A是原型号的迭代升级，商品编码C50132440

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￥3.31 ￥6.62
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￥2.725 ￥5.45
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￥2.4 ￥4.8
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￥2.035 ￥4.07
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￥1.875 ￥3.75
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￥1.8 ￥3.6

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型号：BCM65S10D3 编号：C46538041

封装：TO-252NC

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,10A

1+
￥3.515 ￥3.7
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￥2.85 ￥3
30+
￥2.5175 ￥2.65
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￥2.185 ￥2.3

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型号：DSC04A065-HXY 编号：C53467938

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压，正向导通压降典型值为1.53V，在瞬态条件下可承受高达32A的非重复浪涌正向电流。其结构利用碳化硅材料的物理特性，实现快速开关响应与较低的导通损耗，适用于高频电源转换、AC-DC整流及功率因数校正等电路拓扑中，有助于提升系统效率并简化热管理设计。

1+
￥3.5815 ￥3.77
10+
￥3.5055 ￥3.69
50+
￥3.4485 ￥3.63
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￥3.3915 ￥3.57

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型号：ASD465F 编号：C2688439

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压 650V、正向电流 4A、正向压降≤1.65V@4A、结温-55~175℃，零反向恢复电流，适合高温/高频运行；功能：高压整流/续流、PFC电路；应用：电机驱动器，太阳能应用，不间断电源系统，功率切换电路等

数据手册

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￥4.215 ￥8.43
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￥3.515 ￥7.03
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￥3.13 ￥6.26
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￥2.625 ￥5.25
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￥2.43 ￥4.86
1000+
￥2.34 ￥4.68

有货

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型号：HC3D04065A 编号：C22449552

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高效率应用设计，耐压650V，能承受4A稳定电流，具有超低的正向压降1.3V，确保了卓越的能量转换性能及减少功耗，适用于追求极致能效的现代电路系统。

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￥4.44 ￥5.55
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￥3.576 ￥4.47
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￥3.144 ￥3.93
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￥2.712 ￥3.39
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￥2.456 ￥3.07
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￥2.32 ￥2.9

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型号：S1D015120A 编号：C22451354

封装：TO-220-2L

品牌：SICHAIN(清纯)

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复。高频操作。与温度无关的开关。低正向电压。应用：开关模式电源。功率因数校正

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￥5.733 ￥6.37
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￥4.761 ￥5.29
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￥4.113 ￥4.57
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￥3.51 ￥3.9
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￥3.24 ￥3.6
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￥3.123 ￥3.47

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型号：HIDH04G65C5XKSA2 编号：C42389255

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有4安培的正向电流（IF），可在高压环境下稳定工作，其最大反向电压（VR）为650伏特。正向电压降（VF）为1.3伏特，有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR）为50微安，显示出良好的关闭特性。其峰值电流（IFSM）为23安培，意味着它可以处理瞬时高电流需求。这些特性使得该二极管非常适合应用于需要高效能和可靠性的电子设备中。

1+
￥5.81 ￥7
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￥4.8306 ￥5.82
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￥4.2911 ￥5.17
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￥3.6852 ￥4.44
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￥3.4113 ￥4.11
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￥3.2951 ￥3.97

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型号：HSCS306AHGC9 编号：C42389316

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的正向电流（IF/A）和650伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高功率密度应用中提供稳定的性能。其正向压降（VF/V）仅为1.3伏特，在大电流工作条件下可显著减少功耗。反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过50微安，体现了优异的阻断能力。此外，该二极管的最大瞬态正向电流（IFSM/A）可达48安培，适用于需要快速响应及高可靠性的电路设计中，确保了在动态负载条件下的稳健工作。

1+
￥5.9075 ￥6.95
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￥4.8875 ￥5.75
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￥4.3265 ￥5.09
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￥3.689 ￥4.34
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￥3.4085 ￥4.01
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￥3.281 ￥3.86

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型号：HC6D06065E 编号：C42389270

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流（IF/A），并且能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.3伏特，在确保高效导电的同时，有效降低了能量损耗。该二极管在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在50微安以下，表明其在关闭状态下的漏电极低。此外，它拥有高达48安培的瞬态浪涌电流能力（IFSM/A），能够在短时间内处理较大的电流波动而不损坏。这些特性使得它适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效率和可靠性的电子设备中。

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￥6.219 ￥6.91
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￥5.202 ￥5.78
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￥4.644 ￥5.16
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￥4.023 ￥4.47
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￥3.735 ￥4.15
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￥3.609 ￥4.01

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