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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDW30G120C5B 编号：C42389231

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有30安培的额定正向电流（IF/A），并且能够承受最高1200伏特的反向电压（VR/V），适用于高电压和大电流需求的电路设计中。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，表明在导通状态下能保持较低的能量损耗。反向漏电流（IR/uA）为200微安，显示了其在非导通模式下的良好隔离性。此外，该二极管支持高达100安培的瞬态正向电流（IFSM/A），使其能够在面对突然增加的电流负荷时维持稳定的工作状态。这些特性使其非常适合应用于需要高效能电力转换及控制的场合。

1+
￥27.324 ￥31.05
10+
￥26.6992 ￥30.34
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￥26.2768 ￥29.86
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￥25.8632 ￥29.39

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HNDSH30120CDN 编号：C42389248

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有优异的电气特性，支持高达30A的正向平均电流IF和1200V的反向耐压VR，适用于需要承受高电压的工作环境。其正向电压降VF仅为1.5V，有助于减少热损耗并提高效率。该二极管的反向漏电流IR低至200μA，保证了良好的电能管理；同时，非重复峰值浪涌电流IFSM达到100A，增强了对瞬时大电流冲击的抵抗力。它适合于各种追求高效、稳定性能的应用场合。

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￥27.588 ￥31.35
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￥26.9544 ￥30.63
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￥26.532 ￥30.15
90+
￥26.1184 ￥29.68

有货

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RSS30065W

型号：RSS30065W 编号：C7465283

封装：TO-247-2

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

应用：服务器，工业电源，UPS电源，仪器仪表，大功率植物照明，太阳能逆变器，工商储能，电机驱动，充电桩，OBC，家电,医疗，远洋设备；

1+
￥28.3955 ￥29.89
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￥24.8235 ￥26.13
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￥22.705 ￥23.9
90+
￥20.5675 ￥21.65
450+
￥19.5795 ￥20.61
900+
￥19.133 ￥20.14

有货

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WNSC201200WQ-HXY

型号：WNSC201200WQ-HXY 编号：C52195030

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向重复耐压（VR），适用于高电压、中等电流的电力转换环境。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有效降低导通损耗，提升能量转换效率。基于碳化硅材料的特性，该二极管具有优异的高温稳定性和快速开关能力，反向恢复电荷极低，可减少开关过程中的能量损耗。典型应用包括高效开关电源、不间断电源系统、可再生能源发电逆变器及高密度功率因数校正电路，适合对热性能与效率有严格要求的场景。

1+
￥28.709 ￥30.22
10+
￥28.044 ￥29.52
30+
￥27.607 ￥29.06
90+
￥27.17 ￥28.6

有货

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MSC015SDA120B-HXY

型号：MSC015SDA120B-HXY 编号：C51896378

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，具备15A的正向平均电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压、大电流工作环境。其正向导通压降（VF）为1.5V，在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗。得益于碳化硅材料特性，器件具有极快的反向恢复速度和出色的热稳定性，支持高频开关应用。典型使用场景包括高压电源模块、大功率开关电源、太阳能逆变系统及高效率能量转换装置，适用于对系统效率、功率密度和热管理有较高要求的电路设计。

1+
￥28.709 ￥30.22
10+
￥28.044 ￥29.52
30+
￥27.607 ￥29.06
90+
￥27.17 ￥28.6

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：YJD112020NGG2 编号：C20605598

封装：TO-247AC

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：正温度系数。与温度无关的开关特性。最高工作温度为175℃。单极器件，零反向恢复电流。零正向恢复电流。基本无开关损耗。应用：功率因数校正（PFC）。太阳能逆变器

1+
￥29.5
10+
￥28.89
36+
￥28.49

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC4D30120D 编号：C19723890

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装，提供1200V高反向耐压及30A连续正向电流能力，其正向导通电压VF为1.5V。专为高压、大电流应用设计，如电源转换器、新能源汽车充电系统和工业逆变器，实现高效能、高速度和高可靠性整流。

1+
￥29.505 ￥39.34
10+
￥25.3575 ￥33.81
30+
￥22.8225 ￥30.43
90+
￥20.7 ￥27.6

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HWNSC401200CWQ 编号：C42389296

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有40A的额定正向电流（IF/A），并支持高达1200V的反向电压（VR/V），适用于要求严苛的高电压应用环境。其正向电压降（VF/V）为1.5V，在大电流操作下可维持较低的功率损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，展示出较强的绝缘性能。瞬时峰值电流（IFSM/A）可达130A，确保了在突发电流情况下的安全性和可靠性，适用于要求快速开关特性和高能效的设计中。

1+
￥30.4216 ￥34.57
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￥29.7264 ￥33.78
30+
￥29.26 ￥33.25
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￥28.8024 ￥32.73

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC20H12WL 编号：C42389203

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流(IF)，并能承受高达1200伏特的反向电压(VR)，确保了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向电压(VF)仅为1.5伏特，在大电流通过时能保持较低的能量损耗。其反向漏电流(IR)控制在200微安，显示了出色的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流(IFSM)可达130安培，表明其能够应对短暂的电流峰值冲击。这些特性使其适用于多种需要高效能量转换与管理的应用场景中。

1+
￥30.496 ￥38.12
10+
￥26.472 ￥33.09
30+
￥22.808 ￥28.51
90+
￥20.752 ￥25.94

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDWD30G120C5 编号：C42389205

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备30安培的正向电流(IF)承载能力，同时支持高达1200伏特的反向电压(VR)，适合用于需要高压稳定性的电路设计。其正向电压(VF)为1.5伏特，有助于降低能量损失。反向漏电流(IR)为250微安，展示了良好的阻断特性。此外，该二极管能够承受121安培的瞬态正向浪涌电流(IFSM)，表明其在面对电流峰值时依然可靠。这些特性使其成为追求高效能与低功耗应用的理想选择。

1+
￥31.433 ￥36.98
10+
￥30.7105 ￥36.13
30+
￥30.2345 ￥35.57
90+
￥29.75 ￥35

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC30H12CWL 编号：C42389204

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有30安培的最大正向电流(IF)，并且能够承受1200伏特的反向电压(VR)，确保在高电压条件下稳定工作。它拥有1.5伏特的正向电压降(VF)，有助于减少运行时的电力损耗。二极管的反向电流(IR)被限制在200微安，表明其具有良好的绝缘性能。瞬态正向电流(IFSM)最高可达100安培，这表明它具备处理短时电流激增的能力。这些技术规格使其非常适合应用于要求高性能和低能耗的系统中。

1+
￥33.1755 ￥39.03
10+
￥32.4105 ￥38.13
30+
￥31.909 ￥37.54
90+
￥31.399 ￥36.94

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FFSH1065B-F085-HXY

型号：FFSH1065B-F085-HXY 编号：C45896867

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备卓越的电性能参数，正向电流IF可达10A，反向耐压VR高达650V，使其在高电压应用中表现优异。正向导通电压VF仅为1.3V，有效降低了能耗，同时反向漏电流IR低至50uA，减少了不必要的能量损耗。其峰值非重复正向浪涌电流IFSM为80A，确保了设备在瞬时过载情况下的可靠性。这些特性使它成为高效能电力转换系统中的关键组件，适用于各种需要提高能源效率和系统稳定性的场合。

1+
￥33.4875 ￥35.25
10+
￥32.718 ￥34.44
30+
￥32.2145 ￥33.91
90+
￥31.7015 ￥33.37

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碳化硅肖特基二极管

型号：HNDSH40120CF155 编号：C42389251

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备40A的正向平均电流(IF)和1200V的反向耐压(VR)，能够满足高功率应用需求。其正向电压降(VF)仅为1.5V，确保了较低的能量损耗；在额定温度下的反向漏电流(IR)控制在300μA以内，保证了良好的电气隔离性能。此外，该二极管支持高达161A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)，增强了应对瞬态过载的能力。这些特性使其适用于需要高效能、可靠性的电源转换及保护电路中。

1+
￥36.788 ￥43.28
10+
￥35.9465 ￥42.29
30+
￥35.3855 ￥41.63
90+
￥34.8245 ￥40.97

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HMSC030SDA120B 编号：C42389315

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管提供30安培的正向电流能力（IF/A），并能承受最高1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.5伏特，有助于提升电路的效率并减少热损耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在250微安以内，保证了其在反向偏置状态下的可靠性。此外，该二极管可承受高达121安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），这使其成为需要快速开关和高可靠性的电路设计中的理想选择，适用于要求高性能的电子设备中。

1+
￥40.8954 ￥52.43
10+
￥35.373 ￥45.35
30+
￥31.2624 ￥40.08
90+
￥28.4466 ￥36.47

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HIDW40G65C5BXKSA2

型号：HIDW40G65C5BXKSA2 编号：C42389292

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款碳化硅二极管具有优异的电气性能与高可靠性，适用于多种高效能电源系统。其最大正向电流（IF）为40A，反向耐压（VR）达650V，可稳定运行于较高电压环境。正向压降（VF）为1.35V，在导通状态下能量损耗较低，有助于提升系统效率。反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出良好的阻断特性。器件还具备300A的浪涌电流（IFSM）承受能力，能够应对瞬态过流情况。该产品广泛适用于高频电源转换器、太阳能逆变装置及通信基础设施中的电源模块，满足对效率、密度与稳定性有较高要求的应用场景。

1+
￥41.4304 ￥47.08
10+
￥40.4888 ￥46.01
30+
￥39.8552 ￥45.29
90+
￥39.2216 ￥44.57

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1200V功率肖特基碳化硅二极管

型号：STPSC10H12CWL 编号：C2971539

封装：TO-247-3

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、10 A双路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

数据手册

1+
￥44.128 ￥63.04
10+
￥32.76 ￥54.6
30+
￥24.73 ￥49.46
90+
￥22.575 ￥45.15

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碳化硅肖特基二极管 650V 30A

型号：FFSB3065B 编号：C898610

封装：D2PAK-2(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、开关特性与温度无关，且热性能优异，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

数据手册

1+
￥51.89
10+
￥44.77
30+
￥40.43

有货

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碳化硅肖特基二极管，650V，30A

型号：FFSH3065B-F085 编号：C605108

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性以及出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰以及更小的系统尺寸和成本。

数据手册

1+
￥53.73
10+
￥45.73
30+
￥40.85

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DSEI2X31-06C-HXY

型号：DSEI2X31-06C-HXY 编号：C53133706

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管额定正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA，表现出低导通损耗与高阻断能力。器件可承受高达600A的浪涌正向电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源转换系统，在对热性能和开关速度有较高要求的电力电子应用中具有显著优势。

1+
￥86.1
10+
￥83.42

有货

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STTH6006TV1-HXY

型号：STTH6006TV1-HXY 编号：C53133709

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管的正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通特性和阻断能力。器件可承受高达600A的浪涌正向电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源系统，尤其在对开关速度、热稳定性和动态响应有较高要求的电力电子应用中具有优势。

1+
￥86.1
10+
￥83.42

有货

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GHXS030A060S-D3-HXY

型号：GHXS030A060S-D3-HXY 编号：C53133712

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通效率与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，适用于高频开关电源、高功率密度变换器等对动态响应和热管理要求较高的电力电子系统。

1+
￥88.56
10+
￥85.8

有货

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GD2X30MPS06N-HXY

型号：GD2X30MPS06N-HXY 编号：C53133714

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通特性与阻断性能。其浪涌正向电流（IFSM）能力达600A，适用于高频开关电源、高功率密度变换器及对热稳定性和动态响应要求较高的电力电子系统。

1+
￥92.25
10+
￥89.37

有货

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STTH60L06TV1-HXY

型号：STTH60L06TV1-HXY 编号：C53133710

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，具备优异的导通与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态耐受能力。器件适用于对效率、热性能及可靠性要求较高的电力转换场景，尤其在高频运行条件下可显著降低开关损耗，提升系统整体能效。

1+
￥92.25
10+
￥89.37

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GHXS050A060S-D3-HXY

型号：GHXS050A060S-D3-HXY 编号：C53133713

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管的正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA，展现出低导通损耗和高阻断能力。其浪涌正向电流（IFSM）达600A，适用于高频、高效率的电力转换场合，尤其在对热性能和动态响应有较高要求的电源系统中表现突出。

1+
￥93.48
10+
￥90.56

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STTH120L06TV1-HXY

型号：STTH120L06TV1-HXY 编号：C53133703

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管的正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA。器件可承受高达600A的非重复浪涌正向电流（IFSM），具备出色的瞬态电流耐受能力。其低导通压降与极小的反向漏电特性，结合碳化硅材料的高热导率和高频性能，适用于对效率、散热及动态响应要求较高的电力电子系统。

1+
￥98.4
10+
￥95.33

有货

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STTH200L06TV1-HXY

型号：STTH200L06TV1-HXY 编号：C53133704

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达600A，适用于存在高瞬态电流冲击的场合。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频运行和高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合用于高效率、高功率密度的电源转换及对热稳定性要求较高的电力电子应用。

1+
￥116.85
10+
￥113.2

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1200V 碳化硅肖特基二极管

型号：C4D40120D 编号：C5200733

封装：TO-247-3

品牌：CREE LED

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关开关。极快的开关速度。用单极整流器替代双极整流器。应用：开关电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

1+
￥120.62
10+
￥115.01
30+
￥105.29

有货

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GHXS050B065S-D3-HXY

型号：GHXS050B065S-D3-HXY 编号：C53133716

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通特性和阻断性能。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，能够有效应对突发的高电流冲击。器件适用于高频、高效率的电源转换系统，尤其在对热管理、开关速度及长期运行稳定性有较高要求的电力电子应用中表现良好。

1+
￥123
10+
￥119.16

有货

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GHXS100B065S-D3-HXY

型号：GHXS100B065S-D3-HXY 编号：C53133702

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态过载承受能力。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关和高温环境下仍能维持稳定的电气性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统及对热管理要求较高的电力电子应用。

1+
￥123
10+
￥119.16

有货

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DSEP2X31-06A-HXY

型号：DSEP2X31-06A-HXY 编号：C53133705

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，具备优异的导通与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态耐受能力。器件适用于对效率与可靠性要求较高的高频电源转换场景，尤其在需要低损耗、高热稳定性的电力电子系统中表现突出。

1+
￥147.6
10+
￥142.99

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