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C3D08065I-HXY

型号：C3D08065I-HXY 编号：C52194981

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为8A，反向耐压650V，正向导通压降为1.38V，具备低损耗与高效率的导通特性。基于碳化硅半导体材料，器件具有优异的反向恢复性能，可显著降低开关过程中的能量损耗，支持高频工作模式。其热稳定性良好，有助于减少散热设计负担。典型应用包括高效能电源转换系统、服务器电源模块、储能系统的功率变换电路，以及对能效和功率密度有较高要求的电力电子装置。

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SCS210AGC17-HXY

型号：SCS210AGC17-HXY 编号：C52194993

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中高功率电力转换应用。其正向导通压降（VF）为1.38V，在高电流工作条件下仍可保持较低的导通损耗。基于碳化硅材料，该器件具备优异的高温工作性能和极快的开关速度，反向恢复电荷小，有助于减少系统开关损耗并提升转换效率。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC电源模块、可再生能源发电中的逆变电路、高密度电源适配器以及对热管理要求较高的封闭式电子设备中的整流单元。

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SICRF10650-HXY

型号：SICRF10650-HXY 编号：C52194994

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率密度的电力转换设计。其正向导通压降（VF）为1.37V，导通损耗较低，有助于提升能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性，器件可在较高结温下稳定运行，具备快速反向恢复能力和优异的开关性能，常用于高效直流-直流变换器、高频率开关电源模块及紧凑型电源系统，支持系统向小型化与高效率方向发展。

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LSIC2SD065D08A-HXY

型号：LSIC2SD065D08A-HXY 编号：C52195007

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具有8A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）低至1.42V。基于碳化硅材料的优异特性，器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗，适用于高频、高效率的电力转换电路。其良好的热导性能和耐高温特性，有助于提升系统在严苛工作条件下的稳定性，常用于高性能电源模块、可再生能源逆变系统及高密度电源设计中。

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E3D08065G-TR-HXY

型号：E3D08065G-TR-HXY 编号：C52195008

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向压降（VF）典型值为1.42V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开关速度和高温工作能力，适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及高密度电源模块等场景，可有效改善电路的热管理表现与整体效率。

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IDL08G65C5-HXY

型号：IDL08G65C5-HXY 编号：C51896304

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率的电力转换应用。其正向压降（VF）典型值为1.42V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高频开关性能和良好的热导率，反向恢复电荷小，可减少开关过程中的能量损耗。广泛应用于高效开关电源、可再生能源发电系统的逆变模块、储能设备中的整流电路以及对能效和功率密度要求较高的电力电子装置。

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S3D10065L-HXY

型号：S3D10065L-HXY 编号：C51896320

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.37V，有效降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具备快速开关能力、较小的反向恢复电荷及良好的热稳定性，适合在高频、高效率电源设计中应用。典型使用场景包括高效AC-DC/DC-DC转换器、不间断电源模块及高密度电源适配器等对性能与可靠性要求较高的场合。

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STPSC6H065DLF-HXY

型号：STPSC6H065DLF-HXY 编号：C51896362

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.32V，有助于减少导通损耗并提升系统整体能效。基于碳化硅材料的优异特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效降低开关损耗，适用于高效率电源转换设计。其稳定的电气性能和高可靠性，使其广泛用于各类高性能电力电子装置中的整流、续流及能量回馈等电路环节。

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FFSM0665B-HXY

型号：FFSM0665B-HXY 编号：C51896312

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.32V，显著减少导通损耗，提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，器件具备优良的高温工作能力与快速恢复特性，支持高频开关运行。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC转换器、可再生能源发电系统的功率调节模块、高密度电源适配器以及不间断电源设备中的整流与反向阻断电路，适用于对效率与可靠性要求较高的电力电子设计。

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SIC0860PL8-HXY

型号：SIC0860PL8-HXY 编号：C51896314

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高频开关条件下表现出优异的导通能力与耐压性能。其正向压降（VF）低至1.42V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的特性，具备快速恢复速度和良好的热稳定性，适用于高频率、高效率的电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路，适合对功率密度和转换效率有较高要求的电子设备。

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C6D06065G-TR-HXY

型号：C6D06065G-TR-HXY 编号：C51896335

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中等功率电力转换应用。其正向导通压降（VF）低至1.36V，有效降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温稳定性与快速开关响应能力，反向恢复时间短，适用于高频工作环境。该产品可应用于高效开关电源、直流电源转换模块及对散热性能要求较高的电子设备中，独立封装设计便于集成与热管理，适合追求高功率密度与长期运行可靠性的电路架构。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H065BYTR 编号：C42389308

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF），能够承载较高的电流负载，同时保持650V的反向击穿电压（VR），确保了在高压环境下的稳定性。其正向电压（VF）为1.3V，有助于减少能量损耗。反向漏电流（IR）限制在50微安，使得设备在非导通状态时几乎不消耗电能。瞬态正向浪涌电流（IFSM）高达80A，表明它可以在短时间内承受电流尖峰而不损坏。这些特性使其非常适合用于要求高效转换和可靠性的高性能电路中。

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LXA10FP600-HXY

型号：LXA10FP600-HXY 编号：C53468168

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，展现出较低的导通损耗。器件可承受80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和热稳定性要求较高的电源系统。得益于碳化硅材料的特性，其在高频开关条件下仍能保持优异的性能，适合用于高功率密度的电力转换场合。

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SCS308AGC16-HXY

型号：SCS308AGC16-HXY 编号：C53468039

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为8A，反向重复峰值电压为650V，典型正向压降为1.38V，非重复峰值正向浪涌电流可达88A。器件利用碳化硅材料的高击穿电场和低导通损耗特性，在高频运行条件下仍能保持高效能表现，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、开关电源及类似电子系统。

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NHPJ08S600G-HXY

型号：NHPJ08S600G-HXY 编号：C53468173

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.4V，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）达60A。其基于碳化硅材料的结构在高频工作条件下可显著降低开关损耗，并具备优异的热稳定性。适用于对效率、体积和动态性能有较高要求的电源转换系统，尤其适合用于高频率整流及同步续流等电路拓扑中。

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DSC08065-HXY

型号：DSC08065-HXY 编号：C53468082

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流（IFSM）。器件利用碳化硅材料特性，在高频及高温工作环境中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换系统。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS210KE2C 编号：C42389201

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF/A）承载能力，同时支持最高达1200V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.4V，表明在导通状态下能有效减少电力损耗。该二极管的反向恢复电流（IR/uA）为150μA，确保了在非导通状态下的低漏电特性。瞬态正向峰值电流（IFSM/A）可以达到46A，使其适合应用于要求高效能与快速响应的电路设计中，例如在精密仪器或消费电子产品中的电源管理模块，能够显著提升系统的整体性能与稳定性。

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LJP30120

型号：LJP30120 编号：C54426158

封装：TO-220AC

品牌：luJing(鲁晶)

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VS3C08ET07T-M3-HXY

型号：VS3C08ET07T-M3-HXY 编号：C52195023

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.38V，在高频开关条件下可显著降低导通损耗，提升整体能效。得益于碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性，器件具备优异的高温工作稳定性与快速恢复性能。典型应用场景包括高效AC-DC/DC-DC电源模块、服务器电源系统、通信设备供电单元及可再生能源发电中的功率调节装置，适合对空间利用率和热管理有较高要求的设计。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D15120A 编号：C19723894

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具有1200V超高反向耐压及15A大电流能力，其正向导通电压VF低至1.27V。专为高效率、高频开关电源转换器和电动汽车充电系统设计，实现卓越的散热性能与超快恢复时间，适应严苛环境下的整流需求。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH08G65C6 编号：C42389258

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管的正向电流额定值为8A（IF/A），可承受的最大反向电压为650V（VR/V）。其正向电压降仅为1.3V（VF/V），有助于减少能量损耗。在反向测试条件下，漏电流不超过50μA（IR/uA）。此外，该二极管能够处理高达64A的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）。这些特性使其成为高频开关电路和高性能能量转换解决方案的理想选择。

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FFSP0865A-HXY

型号：FFSP0865A-HXY 编号：C52195017

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，有效降低导通损耗，提高能量转换效率。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有快速开关能力，反向恢复损耗极小，支持高频工作模式。适用于高效开关电源、通信电源模块、不间断电源系统及可再生能源逆变装置，有助于减小磁性元件体积并提升系统功率密度，同时可在较高结温下稳定运行，增强系统热管理灵活性。

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UJ3D06506TS-HXY

型号：UJ3D06506TS-HXY 编号：C51896352

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为6A，反向重复耐压（VR）达650V，适用于中等功率电源转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.36V，显著降低导通损耗，提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，该器件具备优良的高温稳定性和快速开关特性，可有效减少反向恢复损耗，适用于高频工作环境。典型应用场景包括高效AC-DC转换器、服务器电源模块、通信设备电源单元及可再生能源发电系统中的整流与续流功能。

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SCS308AHGC9-HXY

型号：SCS308AHGC9-HXY 编号：C52194979

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流8A（IF），反向重复耐压650V（VR），正向导通压降为1.38V（VF），在同类器件中具备较低的导通损耗。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，器件具有极小的反向恢复电荷和快速恢复能力，可在高频开关环境中稳定运行。其优异的热导性能支持高功率密度设计，适用于高效率开关电源、通信电源模块、光伏逆变系统及高密度AC-DC转换装置。器件在高温工作条件下仍能保持稳定的电气性能，有助于提升系统整体能效并优化散热布局。

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SCS310AMC-HXY

型号：SCS310AMC-HXY 编号：C52194998

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率密度的电源转换设计。其正向压降（VF）为1.37V，导通损耗较低，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具有优异的高温稳定性与快速反向恢复能力，支持高频开关操作。典型应用场景包括高效开关电源、通信电源、可再生能源逆变装置、高压直流配电模块及储能系统的功率转换电路，有助于减小磁性元件体积并提高整体电源效率。

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SCS208AGHRC-HXY

型号：SCS208AGHRC-HXY 编号：C52195013

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力电子系统。其正向导通压降（VF）为1.38V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升能效并减少散热需求。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具有快速反向恢复能力和良好的热稳定性，支持高频工作模式。典型应用涵盖高效开关电源、通信设备电源单元、太阳能微型逆变器以及高密度DC-DC转换模块，适用于对系统效率和功率密度有较高要求的电路设计。

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DSC04065-HXY

型号：DSC04065-HXY 编号：C51896375

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高效能电力转换中表现出优异的稳定性。其正向导通压降（VF）低至1.53V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，支持高频工作，反向恢复特性优异，适用于高密度电源适配器、通信设备电源模块及可再生能源逆变系统。封装设计利于散热管理，适合对空间与效率有严格要求的紧凑型电子装置，为现代电力电子系统提供可靠的解决方案。

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FFSM0465A-HXY

型号：FFSM0465A-HXY 编号：C51896345

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的高温工作能力和快速开关特性，反向恢复时间极短，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于高效开关电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高性能DC-DC转换器中，满足对功率密度和热管理有严苛要求的应用需求。

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WNSC08650T6J-HXY

型号：WNSC08650T6J-HXY 编号：C51896380

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）为1.42V，有助于降低导通损耗，提升能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高温工作能力与开关速度，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于各类电力变换装置中，如开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路，可有效提升系统整体效率与功率密度。

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C6D06065Q-TR-HXY

型号：C6D06065Q-TR-HXY 编号：C51896317

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）低至1.32V。依托碳化硅半导体材料，具备出色的热稳定性和极快的开关速度，反向恢复时间短，漏电流小。适用于高效率、高频率的电力转换场景，如通信电源、不间断电源系统、光伏逆变器中的续流与整流环节，以及高功率密度的开关电源模块，有助于降低系统功耗，提升整体能效与运行可靠性。

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