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DSC08A065FP-HXY

型号：DSC08A065FP-HXY 编号：C52194996

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降（VF）为1.4V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统能效。采用碳化硅材料，具备优异的高温工作性能和快速恢复特性，可有效减少开关过程中的能量损耗。该器件适用于高频率电源转换电路、高效能适配器及对热稳定性要求较高的电力电子装置，独立封装结构有利于热管理与电路集成，适合紧凑型电源设计需求。

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IDK06G65C5XTMA2-HXY

型号：IDK06G65C5XTMA2-HXY 编号：C51896379

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压电源系统。其正向导通压降（VF）为1.36V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提升能量转换效率。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性，该二极管支持高频开关操作，具备良好的热稳定性与长期可靠性，常用于高效开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的功率因数校正及直流变换电路，有助于减小磁性元件体积并提升系统功率密度。

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S3D08065L-HXY

型号：S3D08065L-HXY 编号：C51896307

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.42V。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低系统开关损耗。其封装设计有利于散热与电路集成，适用于高频率、高效率的电力转换场合，如开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等场景，有助于提升整体能效与系统可靠性。

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FFSB0665A-HXY

型号：FFSB0665A-HXY 编号：C51896332

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）可达650V，适用于中高压功率电路。其典型正向导通压降（VF）为1.36V，较传统硅器件更低，有助于降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料特性，具备快速开关响应和优异的高温工作稳定性，可有效减少能量损耗并提高电源转换效率。器件封装便于集成于紧凑型电源系统，适用于高频率直流变换、高效电源模块及对功率密度要求较高的电力电子应用场合。

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WNSC2D10650XQ-HXY

型号：WNSC2D10650XQ-HXY 编号：C53468089

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下仍能保持优异的开关性能与稳定性，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体电路效率并简化散热设计。

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GP2D010A065A-HXY

型号：GP2D010A065A-HXY 编号：C53468099

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至60μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A，适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景，如开关电源、光伏逆变器及高密度电力电子系统，能够有效降低开关损耗并提升整体能效。

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NXPLQSC106506Q-HXY

型号：NXPLQSC106506Q-HXY 编号：C53468145

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V。其正向压降（VF）典型值为1.5V，在25°C条件下反向漏电流（IR）不超过60μA，具备优异的导通与阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景，能在高频工作条件下保持较低的开关损耗与稳定运行。

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DSC08C065FP-HXY

型号：DSC08C065FP-HXY 编号：C52194988

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.4V，有助于减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效降低开关损耗，适用于高效率电源转换场景。其优异的热稳定性可支持紧凑型散热设计，广泛用于服务器电源、通信设备电源单元及高密度功率变换模块中，是实现高功率密度与高可靠性设计的优选器件之一。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSB1065B 编号：C42389234

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够承受最高650V的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过50微安。此外，该二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达80A，在高频开关电源和其他需要高效能与高可靠性的电路中，可以提供卓越的性能表现。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H12D 编号：C42389180

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.35伏特，在高电流应用中能有效减少能量损失。二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温下测得为250微安，显示出良好的阻断性能。瞬态条件下的最大正向浪涌电流（IFSM/A）为71安培，适用于需要短时间承受大电流冲击的应用场合。此元件凭借其出色的电气特性，适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、高可靠性的电子产品中。

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BCA65S50D4

型号：BCA65S50D4 编号：C53152692

封装：TO-247-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,50A

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SCS306AGC16-HXY

型号：SCS306AGC16-HXY 编号：C53468006

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为6A，最大反向重复峰值电压达650V，正向压降典型值为1.36V，在浪涌条件下可承受高达66A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料特性，具备低导通损耗与优异的高频开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合，如高频整流、开关电源及功率因数校正等应用领域。

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FFPF08S60STU-HXY

型号：FFPF08S60STU-HXY 编号：C53468147

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）为650V。其正向压降（VF）为1.4V，有助于降低导通损耗；器件可承受60A的非重复浪涌正向电流（IFSM），具备良好的瞬态耐受能力。适用于高频开关电源、功率因数校正模块及高效率电能转换系统，在高温或高频率运行环境中仍能保持稳定的电气性能。

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VS4C06ET07THM3-HXY

型号：VS4C06ET07THM3-HXY 编号：C53468014

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.36V，在浪涌条件下可承受高达66A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能，适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换场合。其电气参数组合使其在紧凑型高功率密度设计中具备良好的适配性。

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￥10.6115 ￥11.17
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￥10.051 ￥10.58

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IDH06S60CAKSA1-HXY

型号：IDH06S60CAKSA1-HXY 编号：C53468030

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.68V，可承受32A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。其基于碳化硅材料的结构支持高频工作，并具备快速恢复特性与较低的开关损耗，适用于高效率电源转换、开关电源及对热性能和空间布局敏感的电力电子应用。

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AIDK10S65C5ATMA1-HXY

型号：AIDK10S65C5ATMA1-HXY 编号：C53468078

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为10A，反向重复峰值电压达650V，正向导通压降典型值为1.3V，反向漏电流仅为50μA，具备优异的开关特性与能效表现。其最大非重复浪涌正向电流可达80A，适用于对高频、高效率及高可靠性有明确需求的电源转换场景，可在紧凑型电源模块、高频整流单元及各类高效电能处理系统中发挥稳定性能。

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碳化硅肖特基二极管

型号：LGE3D15065A 编号：C27035428

封装：TO-220AC

品牌：LGE(鲁光)

特性：零反向恢复电流。零正向恢复电压。正向电压VF具有正温度系数。温度无关的开关特性。 175℃工作结温。用单极器件替代双极器件。应用：开关模式电源。功率因数校正

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￥11.06
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￥9.41
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￥8.37

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安邦碳化硅肖特基二极管 1200V 10A TO-220-2

型号：ASZD010120A 编号：C50132435

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=10A@Tc=157℃, Vf=1.4V@10A

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￥6.612 ￥6.96

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SCS308AMC7G-HXY

型号：SCS308AMC7G-HXY 编号：C53468001

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为650V。其正向压降（VF）典型值为1.4V，在导通状态下表现出较低的导通损耗；器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），具备良好的瞬态耐受能力。得益于碳化硅材料特性，该二极管在高频开关应用中展现出优异的动态性能和热稳定性，适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换与整流场景。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC4D10120H 编号：C19723886

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装，具有1200V高反向耐压和10A连续正向电流承载能力，其正向导通电压VF为1.5V。专为高效能、高压电力转换系统设计，如新能源汽车充电器及工业级电源设备，提供卓越的高温稳定性和快速恢复整流效能。

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SCS306APC9-HXY

型号：SCS306APC9-HXY 编号：C51896324

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.36V，显著减小导通损耗，提升整体能效。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的反向恢复性能，支持高频开关应用，有效降低开关损耗与温升。其高热导率和稳定性使其适用于高密度、高效率的电源系统，广泛应用于通信电源、数据中心供电模块、光伏逆变单元及高性能开关电源设计中，有助于实现更紧凑的电路布局与更高的能量转换效率。

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SICR10650-HXY

型号：SICR10650-HXY 编号：C52194985

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高频开关能力和高温工作稳定性，适用于高密度电源转换设计。广泛用于高效开关电源、可再生能源逆变系统及高功率密度DC-DC转换器中，满足对热性能和电气性能要求严苛的应用场景。

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IDH10G65C5XKSA2-HXY

型号：IDH10G65C5XKSA2-HXY 编号：C52195004

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率应用。其正向压降（VF）为1.38V，导通损耗较低，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备出色的开关性能，反向恢复时间短，可有效减少高频工作下的能量损耗。适用于高效率电源转换设计，如服务器电源、数据中心供电单元、光伏微逆系统以及对热稳定性与空间利用率要求较高的紧凑型电力电子设备。

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STPSC2H12D-HXY

型号：STPSC2H12D-HXY 编号：C51896313

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压应用场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.36V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。得益于碳化硅材料的特性，器件具有优异的高温稳定性与快速开关能力，反向恢复特性显著优于传统硅二极管。典型应用包括高效率开关电源、高压直流转换模块、不间断电源系统及可再生能源发电中的逆变装置，适合对功率密度和能效有较高要求的设计。

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FFSP0465A-HXY

型号：FFSP0465A-HXY 编号：C51896357

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.53V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温稳定性与快速开关特性，反向恢复损耗极低。适用于高频率、高效率的电源转换电路，可用于开关电源、DC-DC变换器、光伏逆变模块及高密度电源适配器等应用。其性能有助于降低系统热耗散需求，提升功率密度，适合对能效和空间布局有较高要求的电力电子设计。

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S3D20065A-HXY

型号：S3D20065A-HXY 编号：C51896363

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V。基于碳化硅材料，具有优异的高频开关特性和高温稳定性，反向恢复损耗极低，可显著提升电源系统的转换效率。适用于高功率密度的开关电源、通信电源模块、储能系统以及不间断电源设备，有助于减小磁性元件和散热组件的体积。其快速恢复能力和低导通损耗使其在高频、高效率拓扑结构中表现出良好的电气性能与可靠性。

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DSC10A065-HXY

型号：DSC10A065-HXY 编号：C52195001

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.38V，表现出优异的导通性能与转换效率。其基于碳化硅材料的特性，具有快速开关速度和较低的反向恢复电荷，适用于高频率、高效率的电力转换场景。器件耐高温性能良好，有助于简化散热设计，常用于开关电源、光伏逆变系统及高压直流电源模块中，提升整体能效与系统可靠性。

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UJ3D1202TS-HXY

型号：UJ3D1202TS-HXY 编号：C51896347

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备2A的正向电流（IF）和高达1200V的反向耐压（VR），在高效能应用中表现出优异的电压阻断能力。其正向导通压降（VF）低至1.36V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，支持高频开关操作，同时具备良好的热稳定性，适用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力转换场景，如开关电源、光伏逆变与高密度电源模块，能够满足复杂工况下的可靠性需求。

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SIC05120B-BP-HXY

型号：SIC05120B-BP-HXY 编号：C52194992

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备5A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高电压环境下可稳定运行。其正向导通压降（VF）为1.38V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于对效率和功率密度有较高要求的电力转换场景。典型应用包括高效电源模块、可再生能源逆变系统以及高密度开关电源，适合在高温或高电场强度条件下长期工作，为复杂电路设计提供可靠的整流解决方案。

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VS-3C06ET07T-M3-HXY

型号：VS-3C06ET07T-M3-HXY 编号：C51896358

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，能量损耗低。该器件适用于高效率电源转换场合，如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器，能够提升系统整体能效并减少散热需求，适合对功率密度和可靠性有较高要求的电力电子设计。

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