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IDWD10G120C5-HXY

型号：IDWD10G120C5-HXY 编号：C52195028

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.47V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少能量损耗和热积累。适用于高功率密度电源转换系统，如高效开关电源、光伏逆变装置及储能系统的功率级设计，适合对热管理和空间布局有严格要求的应用场景。

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￥16.7485 ￥17.63
10+
￥16.359 ￥17.22
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￥16.112 ￥16.96
90+
￥15.8555 ￥16.69

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NXPSC106506Q-HXY

型号：NXPSC106506Q-HXY 编号：C52195019

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关速度和高温工作能力，适用于高频率、高效率的电源转换场景，如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度功率模块，能够满足对热性能和电气性能要求严苛的应用需求。

1+
￥16.7485 ￥17.63
10+
￥16.359 ￥17.22
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￥16.112 ￥16.96
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￥15.8555 ￥16.69

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS220KGHRC 编号：C42389287

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.5伏特，在保证高效能的同时，降低了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示了出色的绝缘性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达130安培，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中，确保了电路的稳定性和效率。

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￥16.7705 ￥19.73
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￥16.388 ￥19.28
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￥16.133 ￥18.98
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￥15.878 ￥18.68

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HC3D20065D

型号：HC3D20065D 编号：C42389311

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的正向电流(IF/A)，以及高达650V的反向电压(VR/V)，确保了其在高电压和大电流条件下的稳定性能。其正向电压降仅为1.3V（VF/V），有助于减少能量损失。该二极管的反向漏电流(IR/uA)为40微安，在大多数应用中都能保持良好的阻断特性。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可以达到150A，使得它能够承受短时内的电流峰值。这些特性使其适用于需要高效能和可靠性的多种电路设计中。

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￥17.0368 ￥19.36
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￥12.7688 ￥14.51
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￥10.3928 ￥11.81
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￥10.076 ￥11.45

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安邦碳化硅肖特基二极管 650V 40A TO-247-3

型号：ASZD040065P2 编号：C50132436

封装：TO-247-3

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=20/40A@Tc=153℃, Vf=1.35V@20A，共阴极

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￥17.1665 ￥18.07
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￥14.592 ￥15.36
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￥12.9865 ￥13.67
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￥11.3335 ￥11.93
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￥10.583 ￥11.14
990+
￥10.26 ￥10.8

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSB10120AF085 编号：C42389197

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A）处理能力，以及高达1200V的反向电压（VR/V），适用于高耐压和中等电流的应用场合。其正向电压降（VF/V）为1.4V，在高效能操作时可减少电力损耗。反向电流（IR/uA）为100微安，表明在非导通期间有良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达90A，使得该二极管能够在短时间内承受电流峰值，适用于需要可靠阻断能力和快速恢复特性的电路设计。

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￥17.347 ￥20.9
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￥16.9486 ￥20.42
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￥16.683 ￥20.1
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￥16.4257 ￥19.79

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDWD15G120C5 编号：C42389183

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）为15A，在反向电压（VR/V）达到1200V的情况下仍能保持稳定性能。该二极管在正向电压（VF/V）仅为1.5V时，即可通过额定电流，表明其拥有较低的导通损耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在200微安，体现了良好的阻断能力。瞬态条件下，此元件可承受高达87A的正向浪涌电流（IFSM/A），适合高频开关应用，能在要求严苛的电路中实现高效能量转换。

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￥17.748 ￥20.88
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￥17.34 ￥20.4
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￥17.068 ￥20.08
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￥16.796 ￥19.76

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GP3D010A065B-HXY

型号：GP3D010A065B-HXY 编号：C45896872

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于高要求的电源转换场景。其正向电压（VF）为1.3V，有助于减少能量损耗，而低至50uA的反向漏电流（IR）确保了更高的能效。该二极管瞬间能够承受高达80A的浪涌电流（IFSM），增强了设备在异常情况下的稳定性与可靠性。它特别适合应用于高效能源管理系统及需要紧凑设计与高性能表现的电力电子设备中。

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￥17.9455 ￥18.89
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￥17.5275 ￥18.45
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￥17.2615 ￥18.17
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￥16.986 ￥17.88

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HFFSH1665ADNF155

型号：HFFSH1665ADNF155 编号：C42389262

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备8A的正向电流（IF/A），可承受高达650V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3V，有助于减少能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）为24微安，在高压条件下仍能维持有效的阻断状态。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为65A，表明其在需要高可靠性和快速响应的应用中表现优异，适用于追求高效稳定性能的电路设计。

1+
￥18.3128 ￥20.81
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￥15.708 ￥17.85
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￥14.168 ￥16.1
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￥12.6016 ￥14.32
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￥11.88 ￥13.5
990+
￥11.5632 ￥13.14

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSH3065A 编号：C42389264

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有30安培的最大正向电流（IF/A），并且能够承受高达650伏特的最大反向电压（VR/V），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管在正向导通时的电压降（VF/V）仅为1.3伏特，这有助于减少能量损失并提高效率。其反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过150微安，表明其具有良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达210安培，适合需要处理瞬时大电流的应用场合。此二极管适用于需要高效能及稳定性的电路设计中。

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￥18.6824 ￥21.23
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￥18.2512 ￥20.74
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￥17.9696 ￥20.42
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￥17.6792 ￥20.09

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GC10MPS12-220-HXY

型号：GC10MPS12-220-HXY 编号：C45896880

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高性能电力电子设计，提供12A的正向电流(IF)能力和1200V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)低至1.35V，有助于降低能量损耗，而反向漏电流(IR)仅为150uA，确保了在非导通状态下的高效率。瞬态正向电流(IFSM)高达130A，使其能够承受显著的峰值电流而不损坏。这些特性使它成为需要高效能和稳定性的电力转换应用的理想选择，适合于各种要求严格的电源管理系统中。

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￥18.832 ￥21.4
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￥18.4008 ￥20.91
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￥18.1192 ￥20.59
100+
￥17.8288 ￥20.26

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HC1D16065H

型号：HC1D16065H 编号：C41428789

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气性能，其最大整流电流IF可达16安培，反向击穿电压VR高达650伏特，正向电压降VF仅为1.3伏特，确保了在高功率密度应用中的高效能表现。该二极管适用于需要高速开关及低功耗特性的场合，能够在高频电路中提供稳定的电流控制，同时减少能量损耗。其坚固的结构设计使得即使在严苛的工作环境下也能保持可靠运行。这些特性使其成为要求高性能电子设备的理想选择。

1+
￥18.8908 ￥22.76
10+
￥16.1518 ￥19.46
30+
￥14.5167 ￥17.49
90+
￥12.8733 ￥15.51
510+
￥12.1097 ￥14.59
990+
￥11.7694 ￥14.18

有货

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FFSH4065A-HXY

型号：FFSH4065A-HXY 编号：C52195047

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备40A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率场合。其正向导通压降（VF）为1.47V，在高频工作条件下可有效降低导通损耗。基于碳化硅材料的特性，该二极管具有优异的反向恢复性能和高温工作能力，支持快速开关，减少能量损耗。常用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统的逆变与整流电路，以及对能效和散热设计有较高要求的电力变换装置中，有助于提升系统功率密度与运行稳定性。

1+
￥19.1425 ￥20.15
10+
￥18.696 ￥19.68
30+
￥18.411 ￥19.38
90+
￥18.1165 ￥19.07

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S4D40120H-HXY

型号：S4D40120H-HXY 编号：C52195041

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）达40A，反向重复峰值电压（VR）为1200V，正向压降（VF）典型值为1.4V。采用碳化硅半导体材料，具备优异的高温工作性能和高耐压特性，反向恢复时间极短，开关损耗低。适用于高功率、高效率的电力电子系统，如大功率开关电源、高压直流配电整流单元、可再生能源逆变装置及高密度储能系统的功率转换模块，有助于提升系统能效，减少热管理复杂度，并支持高频化设计。

1+
￥19.1425 ￥20.15
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￥18.696 ￥19.68
30+
￥18.411 ￥19.38
90+
￥18.1165 ￥19.07

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC4D30120H 编号：C19723891

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装，具有1200V高反向耐压和30A大电流承载能力，其正向导通电压VF低至1.5V。专为高效能、高频开关应用设计，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统等严苛环境下的高端电源转换与整流需求。

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￥19.48 ￥24.35
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￥19.016 ￥23.77
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￥18.712 ￥23.39
90+
￥18.4 ￥23

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650V功率肖特基碳化硅二极管

型号：STPSC6H065BY-TR 编号：C2970494

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

汽车用650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

数据手册

1+
￥19.76
10+
￥16.89
30+
￥15.19

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HNVDSH20120C 编号：C42389185

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备优异的电气特性，其连续正向电流（IF/A）可达20A，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V）。在正向电压（VF/V）为1.5V时，器件表现出低导通损耗的特点。反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示了良好的隔离性能。此外，该二极管能够承受高达130A的瞬间正向浪涌电流（IFSM/A），适用于需要高频开关操作的应用场景，能够有效增强电路的动态响应及稳定性。

1+
￥20.1705 ￥23.73
10+
￥19.7115 ￥23.19
30+
￥19.4055 ￥22.83
90+
￥19.0995 ￥22.47

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSH10120A 编号：C42389244

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在250微安。此外，该二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达67安培，适用于需要高效率及高频操作的应用场景，如电源转换与逆变技术领域，能够在严苛的工作环境中提供可靠的性能表现。

1+
￥20.24 ￥23
10+
￥17.3624 ￥19.73
30+
￥15.6552 ￥17.79
90+
￥13.9304 ￥15.83
510+
￥13.1384 ￥14.93
990+
￥12.7776 ￥14.52

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HC3D30065D1

型号：HC3D30065D1 编号：C22449564

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高效率电源转换设计，耐压650V，能承载30A稳定电流，其超低的正向压降仅1.3V，有助于减少能量损耗并提升系统整体性能。适合追求极致能效比的应用场景，是现代高效能电器及能源管理系统中的理想选择。

1+
￥21.5053 ￥25.91
10+
￥20.9907 ￥25.29
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￥20.6587 ￥24.89
100+
￥20.3184 ￥24.48

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LSIC2SD120A05-HXY

型号：LSIC2SD120A05-HXY 编号：C52195020

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备5A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压工作环境。其正向压降为1.38V，在高温与高电压条件下仍保持优异的导通性能，有助于降低能量损耗。得益于碳化硅材料的特性，该二极管具有极快的反向恢复速度和出色的热稳定性，支持高频开关应用。常用于高效能电源转换系统，如大功率开关电源、不间断电源、光伏逆变器及高密度功率因数校正电路，适用于对效率和可靠性要求较高的电力电子设备。

1+
￥21.527 ￥22.66
10+
￥21.033 ￥22.14
50+
￥20.71 ￥21.8
100+
￥20.3775 ￥21.45

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC20065DY 编号：C42389230

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备高效能特性，其正向平均电流IF为20A，反向耐压VR达到650V，确保在高电压环境下稳定工作。正向电压降VF仅为1.5V，有助于降低功耗和提高系统效率。此外，该二极管的反向漏电流IR控制在100μA以内，非重复峰值浪涌电流IFSM高达123A，增强了过载保护能力。适用于要求严苛、需要高性能半导体解决方案的多种场景。

1+
￥21.6832 ￥24.64
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￥18.6032 ￥21.14
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￥16.7728 ￥19.06
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￥14.9248 ￥16.96
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￥14.0712 ￥15.99
1000+
￥13.6928 ￥15.56

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碳化硅肖特基势垒二极管

型号：CI05S200D3L2 编号：C50338874

封装：TO-247-2

品牌：Tokmas(托克马斯)

碳化硅二极管2000V5A

1+
￥22.83
10+
￥19.48
30+
￥17.49
90+
￥15.48
510+
￥14.55
1020+
￥14.13

有货

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HGP3D030A065B

型号：HGP3D030A065B 编号：C42389297

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有IF/A（正向电流）30A的特性，能够在电路中承载较大的电流。其VR/V（反向电压）为650V，表明它能够承受高达650伏特的反向电压而不发生击穿。VF/V（正向电压降）仅为1.3V，在大电流通过时能保持较低的能量损耗。IR/uA（反向漏电流）在室温下为150微安，显示了良好的阻断性能。IFSM/A（最大瞬态正向电流）可达210A，适合用于需要瞬间处理高电流峰值的应用环境中。这些特性使得该二极管适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能量转换的场合。

1+
￥22.941 ￥25.49
10+
￥19.683 ￥21.87
30+
￥17.748 ￥19.72
90+
￥15.795 ￥17.55
510+
￥14.886 ￥16.54
990+
￥14.481 ￥16.09

有货

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HSCS240AE2GC11Z

型号：HSCS240AE2GC11Z 编号：C42389276

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款碳化硅二极管具备优异的电学性能和良好的热稳定性，适用于多种高效率电源系统。其最大正向电流（IF）为40A，反向耐压（VR）达650V，支持在较高电压条件下稳定工作。正向导通压降（VF）为1.35V，有效降低导通损耗，提升整体能效。反向漏电流（IR）低至40μA，表现出优异的阻断能力。同时，该器件可承受最高300A的浪涌电流（IFSM），具备较强的瞬态过流适应性。广泛应用于高频开关电源、光伏逆变系统及通信设备电源模块中，满足对效率、密度与可靠性有要求的应用场景。

1+
￥23.1 ￥26.25
10+
￥22.572 ￥25.65
30+
￥22.22 ￥25.25
90+
￥21.868 ￥24.85

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDWD20G120C5XKSA1 编号：C42389221

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在大电流工作条件下能够减少能量损耗。其反向漏电流（IR）为200微安，在非导通状态下有效抑制了不必要的电流流动。瞬态正向浪涌电流（IFSM）最高可达130安培，适用于需要短时间承受电流峰值的应用场合。此元件适合用于需要高效率及稳定性的电路设计中，如开关电源和其他需要高性能整流解决方案的领域。

1+
￥23.7235 ￥27.91
10+
￥20.349 ￥23.94
30+
￥18.3515 ￥21.59
90+
￥16.3285 ￥19.21
510+
￥15.3935 ￥18.11
990+
￥14.977 ￥17.62

有货

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NXPSC12650B6J

型号：NXPSC12650B6J 编号：C602646

封装：TO-263

品牌：WeEn(瑞能)

碳化硅SiC

数据手册

1+
￥25.2437 ￥53.71
10+
￥19.0291 ￥51.43
30+
￥13.5081 ￥50.03
100+
￥13.1949 ￥48.87

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HNDSH20120CDN 编号：C42389246

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有出色的电气性能，正向平均电流IF为20A，反向耐压VR高达1200V，适合在高电压应用中提供可靠保护。其正向电压降VF仅为1.5V，有助于减少能量损耗。该器件的反向漏电流IR控制在250μA以下，保证了低功耗运行；非重复峰值浪涌电流IFSM为71A，能够有效应对瞬态过载情况。它适用于需要高效、稳定电力转换的各种场合。

1+
￥26.28
10+
￥25.67
30+
￥25.27

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSH20120ADNF155 编号：C42389184

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有稳健的电气性能，其额定正向电流（IF/A）为20A，能够在高达1200V的反向电压（VR/V）下正常工作。器件在正向电压（VF/V）仅1.5V时展现高效导通特性，有助于减少系统功耗。反向漏电流（IR/uA）维持在250微安水平，确保了良好的绝缘性能。此外，它能够承受最高71A的瞬时正向峰值电流（IFSM/A），适用于需要快速开关特性的高性能电路设计中，有助于提升整体电路效率与可靠性。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC40H12CWL 编号：C42389250

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备40安培的正向电流（IF/A），同时支持高达1200伏特的反向电压（VR/V），使其能够在高压环境下稳定工作。其正向电压（VF/V）为1.5伏特，有助于降低能耗。反向漏电流（IR/uA）保持在200微安水平，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为130安培，意味着可以在短时间内承受较大的电流冲击。这些特性使得它非常适合应用于需要快速切换及高电压稳定性的电路设计中。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D10170H 编号：C42389280

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF/A），可承受最高1700V的反向电压（VR/V），确保了其在高电压应用中的稳定性。其正向电压（VF/V）为1.5V，在导通状态下能减少能量损耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）维持在60微安水平，体现了出色的隔离性能。同时，它能够承受峰值为55A的瞬时正向电流（IFSM/A），适合用于需要高可靠性的电路保护及高效能的电源管理解决方案中。

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