sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220F-2L

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为4A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.3V，在瞬态条件下可承受高达36A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的固有优势，器件展现出快速开关特性与较低导通损耗，适用于高效率、高频率的电源整流及能量转换系统。

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型号：SICR6650-HXY 编号：C51896245

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中等功率电力转换应用。其正向压降（VF）为1.36V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提高系统效率。基于碳化硅材料，该二极管具有快速开关特性、低反向恢复电荷和良好的热稳定性，适合在高频率开关环境中运行。典型应用场景包括高效电源适配器、不间断电源、通信电源模块以及可再生能源发电系统中的整流与续流电路。

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型号：IDH06G65C5XKSA2-HXY 编号：C51896311

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力电子系统。其正向导通压降（VF）为1.36V，相较于传统硅器件具有更低的导通损耗，有助于提升能效。基于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的高温稳定性和快速开关能力，可有效支持高频工作条件。典型应用涵盖高效开关电源、光伏逆变单元、不间断电源模块以及高密度功率因数校正电路，适用于对系统效率与功率密度有较高要求的电力转换场合。

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型号：VSC04ET07T-M3-HXY 编号：C51896299

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.53V。基于碳化硅材料，具备优异的高频开关性能与较低的反向恢复电荷，可显著减少开关损耗。其耐高温特性支持在高热应力环境下稳定运行，有助于提升系统能效与功率密度。适用于高效率电源转换应用，如服务器电源、可再生能源逆变装置、储能系统中的功率变换模块以及高密度AC-DC/DC-DC转换器，适合对热管理与空间布局有较高要求的场景。

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型号：DSC06A065-HXY 编号：C51896322

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.36V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低开关损耗。器件适用于高效率电源转换场合，如大功率开关电源、光伏逆变系统、高密度DC-DC转换器及高性能电源适配器等，能够提升系统整体能效并简化散热设计。

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型号：S3D10065G-HXY 编号：C52194989

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.51V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和较高的工作温度能力，适用于需要高效能与紧凑设计的电力转换场合。器件在高频率整流、电源适配器、光伏逆变以及储能系统中表现出良好的稳定性和低损耗特性，是现代电力电子设计中实现高效率和高可靠性的关键元件之一。

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型号：STPSC10G065DY-HXY 编号：C53468027

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达80A。基于碳化硅材料的特性，器件在高频工作条件下展现出低导通损耗与快速开关响应，适用于对能效和热性能要求较高的电源转换场合，如数据中心供电、通信电源及可再生能源系统中的整流与续流路径。

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型号：HC4D08120A 编号：C19723883

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具备1200V高反向耐压和8A连续正向电流处理能力，正向导通电压VF为1.5V。专为高压、高效能应用场景设计，如新能源汽车充电系统、工业电源转换器，实现卓越的高温稳定性和快速恢复整流性能。

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型号：IDH06G65C6-HXY 编号：C51896323

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.36V。得益于碳化硅半导体材料的特性，器件具备极短的反向恢复时间与极低的开关损耗，支持高频开关操作。其高温稳定性良好，可在较高结温下持续工作。适用于高效率电源转换电路，如大功率开关电源模块、光伏并网逆变装置、高密度DC-DC变换器以及高性能不间断电源系统，有助于提升整体能效并减小系统体积。

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型号：NXPSC04650Q-HXY 编号：C53467997

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为4A，反向重复峰值电压达650V，正向导通压降为1.53V。器件可承受32A的非重复浪涌正向电流，具备良好的瞬态过载能力。其结构利用碳化硅材料特性，在高频工作条件下有效降低开关损耗，适用于对效率、热性能及功率密度有较高要求的电源转换、直流-直流变换及功率因数校正等电路应用。

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型号：GP3D010A065D-HXY 编号：C53468041

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）为50μA，非重复浪涌正向电流（IFSM）可达80A。器件利用碳化硅材料的物理特性，在高频工作条件下保持较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。

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型号：GP3D010A065A-HXY 编号：C53468097

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为10A，反向重复峰值电压达650V，正向压降典型值为1.5V，反向漏电流仅为60μA，具备优异的导通与阻断特性。其最大正向浪涌电流能力为90A，适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景。器件凭借碳化硅材料优势，在高开关频率下仍能保持较低损耗，适合用于各类高效、紧凑型电力电子系统中。

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型号：WNSC6D10650Q-HXY 编号：C53468025

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出优异的稳定性和效率，适用于对开关性能和热管理要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体系统能效与响应速度。

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型号：WNSC04650T6J-HXY 编号：C51896321

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高效能电力转换中表现出色。其正向导通压降（VF）低至1.4V，有助于减少导通损耗，提升系统整体效率。器件利用碳化硅材料的优异特性，支持高频工作，反向恢复时间极短，适用于高密度电源设计。典型应用场景包括开关模式电源、服务器电源单元、可再生能源逆变装置及高效率DC-DC转换器，适合对热性能和空间布局有严格要求的紧凑型电子设备。

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型号：BCA65S40D3 编号：C52269253

封装：TO247-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,40A

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型号：SCS304AGC16-HXY 编号：C53467937

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为4A，最大反向重复电压达650V，正向导通压降典型值为1.53V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料特性，具备快速恢复与低开关损耗的优势，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景，如高频整流、开关电源及功率因数校正等电路中，能有效提升系统整体能效与可靠性。

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型号：PSC1065KQ-HXY 编号：C53468141

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）典型值为60μA，在瞬态条件下可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM）。其特性适合用于高效率电源转换系统，在高频工作环境下有助于降低开关损耗并维持稳定的电气性能。

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型号：HSCS210KG 编号：C42389200

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），并且能够在高达1200伏特的反向电压（VR/V）下工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.35伏特，在同类产品中表现出较低的能量损耗特性。该二极管的反向漏电流（IR/uA）为250微安，在较高温度下也能保持稳定的性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最大可达71安培，适用于需要高可靠性和快速开关特性的应用环境中，如高频转换电路或通用电源设计中，能够提供卓越的效率与可靠性。

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￥5.324 ￥6.05

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型号：IDH10SG60CXKSA2-HXY 编号：C53468146

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V。其正向压降（VF）为1.5V，在导通状态下的能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为60μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效率电能转换系统，在高温或高频率工作条件下仍能维持稳定电气特性。

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￥9.272 ￥9.76
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￥8.778 ￥9.24

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型号：C3D06065I-HXY 编号：C51896336

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），适用于高效率电源转换场景。其正向压降（VF）低至1.36V，在高频开关条件下仍能保持优异的导通性能，有效降低系统功耗。器件利用碳化硅材料特性，具有出色的热稳定性和开关速度，适合紧凑型电源设计。广泛用于高性能电源模块、可再生能源逆变系统及高密度功率转换装置中，满足对能效和可靠性要求较高的应用需求。

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型号：LGE3D10065H 编号：C23773913

封装：TO-247-2

品牌：LGE(鲁光)

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型号：AS4D010065D 编号：C50199547

封装：TO-252-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=10A@Tc=158℃, Vf=1.27V@10A

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￥5.3675 ￥5.65

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型号：UJ3D06508TS-HXY 编号：C52195011

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）典型值为1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效减少能量损耗与温升。适用于高效率电源转换设计，如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器等场景，满足对功率密度与热管理有较高要求的应用需求。

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￥5.396 ￥5.68

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型号：UJ3D06504TS-HXY 编号：C51896333

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.53V。器件利用碳化硅材料特性，实现快速开关响应与高耐温性能，反向漏电流低，有助于提升系统转换效率并减少散热需求。其独立封装结构便于集成于各类高密度电源模块中，适用于对能效和功率密度要求较高的电力转换场景，如开关电源、光伏逆变装置及高可靠性能源系统，为复杂电路提供稳定的整流解决方案。

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￥5.719 ￥6.02

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型号：SIC0860P-BP-HXY 编号：C52194984

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）为650V，适用于中高功率电力转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，有助于减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的开关速度和高温工作能力，可有效降低热应力，支持高频运行。典型应用包括高效开关电源、大功率DC-DC变换器、服务器电源模块以及对散热设计和空间布局有较高要求的高密度电源系统，适合追求高效率与小型化的设计需求。

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型号：DSC10C065-HXY 编号：C52194997

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流为10A，反向重复峰值电压达650V，适用于中高功率电源系统。其正向导通压降为1.38V，在高频开关过程中可显著降低导通损耗，提升转换效率。得益于碳化硅材料的高耐热性与高击穿场强，该器件可在较高温度环境下稳定运行，并支持更高的开关频率。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC转换器、不间断电源、储能系统中的功率因数校正电路及高压直流变换模块。

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型号：LSIC2SD065A08A-HXY 编号：C52194975

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的优异特性，具有快速开关速度和良好的高温工作能力，适用于高频率、高效率的电源转换场景。封装设计便于散热与集成，适合在紧凑型电源模块、开关模式电源及高密度功率变换系统中使用，有助于减小被动元件体积，提高功率密度。

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型号：SICB0860P-HXY 编号：C52194986

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）低至1.42V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的开关频率和工作温度，适用于对效率和空间布局有严格要求的电源转换场合，如高效开关电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器，能够满足复杂工况下的可靠性需求。

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型号：DSC08A065FP-HXY 编号：C52194996

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降（VF）为1.4V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统能效。采用碳化硅材料，具备优异的高温工作性能和快速恢复特性，可有效减少开关过程中的能量损耗。该器件适用于高频率电源转换电路、高效能适配器及对热稳定性要求较高的电力电子装置，独立封装结构有利于热管理与电路集成，适合紧凑型电源设计需求。

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型号：WNSC021200Q-HXY 编号：C51896310

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单体器件，额定正向电流（IF）为2A，反向耐压（VR）达1200V，适用于高电压、高效率的电力转换环境。其正向导通压降（VF）低至1.36V，有助于减少能量损耗，提升系统热稳定性。凭借碳化硅材料的高击穿场强和快速恢复特性，该器件在高频开关应用中表现出优异的动态性能，适用于高压电源系统、高效整流模块、不间断电源（UPS）及可再生能源逆变装置中的功率因数校正单元，为高可靠性电力电子电路提供关键支持。

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