sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：LGE3D30065H 编号：C22960616

封装：TO-247-2

品牌：LGE(鲁光)

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￥11.06
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￥10.63

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型号：ASZD010120A 编号：C50132435

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=10A@Tc=157℃, Vf=1.4V@10A

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￥11.0675 ￥11.65
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￥6.612 ￥6.96

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型号：HSTPSC10H12GTR 编号：C42389217

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），并且能够在高达1200伏特的反向电压（VR/V）下正常工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保高效能的同时，也减少了能量损耗。该二极管还拥有100微安的反向漏电流（IR/uA），表明其在阻断状态下的性能优异。此外，瞬态峰值电流（IFSM/A）可达90安培，意味着它能够承受瞬间的电流冲击而不损坏，适用于需要高可靠性的电路设计中。

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￥11.0925 ￥13.05
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￥10.4975 ￥12.35

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型号：HIDH16G65C6 编号：C42389226

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有出色的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）为16A，在反向电压（VR/V）达到650V的情况下仍能保持稳定性能。该二极管在正向电压（VF/V）仅为1.3V时即可导通，显示出高效的能量转换能力。其反向漏电流（IR/uA）控制在100微安以下，确保了较低的能量损耗。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达128A，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中，是高性能电子设备的理想选择。

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￥11.8192 ￥14.24
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￥11.1884 ￥13.48

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型号：HFFSB10120A 编号：C42389266

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流（IF/A）承载能力，以及高达1200伏特的反向耐压值（VR/V），适用于需要高电压稳定性的电路设计。其正向电压降（VF/V）为1.4伏特，有助于提升系统效率。在反向状态下，该二极管的漏电流（IR/uA）不大于100微安，显示了良好的阻断性能。此外，其瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可以达到90安培，适合应用于需要承受短时电流冲击的场合，如高性能电源管理解决方案或精密控制电路中。

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型号：WNSC10650T6J-HXY 编号：C51896306

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向压降（VF）低至1.37V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，具备出色的开关速度与高温工作稳定性，适用于需要快速恢复和高可靠性的电源转换场合，如高效开关电源、光伏逆变模块及高压直流配电系统，可满足对散热性能和空间布局有严苛要求的设计需求。

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￥11.9605 ￥12.59
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￥11.685 ￥12.3
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￥11.5045 ￥12.11
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￥11.324 ￥11.92

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型号：C6D08065Q-TR-HXY 编号：C51896342

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在额定工况下正向压降（VF）仅为1.3V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具有极低的反向恢复电荷和出色的高温稳定性，支持高频开关操作。其低导通损耗与快速恢复特性使其适用于高效能电源转换系统，如服务器电源、通信设备供电单元、可再生能源逆变装置及高功率密度适配器等，有助于提升系统能效、减少热耗散并简化散热设计，满足对可靠性和功率密度有较高要求的电力电子应用。

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型号：LSIC2SD065D10A-HXY 编号：C52194978

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降为1.51V。基于碳化硅材料，该器件具有快速开关特性、低反向恢复电荷和良好的热稳定性，适用于高频、高效率的电力电子电路。其性能优势可支持紧凑型电源设计，广泛用于服务器电源、可再生能源逆变装置、不间断电源系统及高功率密度DC-DC转换器中，有助于提升系统能效并减少散热需求。

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型号：HWNSC101200WQ 编号：C42389298

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在高电流应用中能有效降低能耗。在反向偏压下，其漏电流（IR）控制在微安级别，具体为250微安，表明其优秀的阻断性能。此外，瞬态条件下，该二极管的最大正向浪涌电流（IFSM）可达67安培，适合用于需要瞬间处理大电流的应用场合。这些特性使得此款二极管适用于多种电子设计中，作为高效能的开关元件使用。

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￥12.0105 ￥14.13
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￥11.7385 ￥13.81
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型号：HSCS220AGHRC 编号：C42389317

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备20安培的正向电流（IF/A），能够处理较大的电力负荷，同时拥有650伏特的反向重复峰值电压（VR/V），适合用于高压环境。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，在高电流通过时能有效降低能量损耗。反向漏电流（IR/uA）控制在100微安，表明在关闭状态下具有良好的绝缘特性。最大瞬态正向电流（IFSM/A）达到123安培，增强了应对突发电流的能力，适用于要求高性能与可靠性的电路设计方案中。

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￥11.4155 ￥13.43

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型号：HFFSP10120A 编号：C42389242

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的最大正向电流（IF/A），可承受高达1200V的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.35V，在250微安反向电流（IR/uA）下的漏电流表现良好。瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）达到71A，表明它能够在短时间内处理较大的电流波动。该二极管适用于高频开关及需要降低能量损耗的应用中，其出色的性能使其成为追求高效转换设计的理想选择。

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￥12.1927 ￥14.69
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￥11.5453 ￥13.91

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型号：HNXPSC10650B6J 编号：C42389268

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流能力（IF），同时支持最大650V的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为1.3V，有助于减少能量损耗。该二极管在反向偏置时，反向漏电流（IR）控制在50微安以内，体现了出色的绝缘性能。其峰值正向浪涌电流（IFSM）可达80A，适用于要求严苛的高频开关与电源转换应用中，提供稳定且高效的性能表现。

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￥12.2093 ￥14.71
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型号：HSTPSC15H12WL 编号：C42389245

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备15安培的最大正向电流（IF/A），同时支持高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，在反向状态下，漏电流（IR/uA）维持在200微安水平。该元件还拥有87安培的瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A），适合应用于要求高效能及高频率切换的电路设计中，确保在复杂条件下的稳定性和可靠性。

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￥12.9285 ￥15.21
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型号：HSTPSC10H12G2YTR 编号：C42389269

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有10A的正向电流（IF）承载能力，并能承受高达1200V的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为1.4V，确保了较低的能量损耗。在反向特性方面，该二极管的反向漏电流（IR）在室温下不超过100微安，显示了优良的阻断特性。此外，它还能承受90A的瞬时正向浪涌电流（IFSM），使其成为高频开关电源以及需要高性能开关特性和可靠性的应用中的理想选择。

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￥13.0144 ￥15.68
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￥12.5164 ￥15.08
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型号：SIC1060PL8-HXY 编号：C51896326

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具有10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高电压功率转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该二极管具备快速开关响应和优良的热导性能，可支持高频工作模式。广泛应用于高效率电源转换装置、不间断电源系统、可再生能源发电设备以及高密度开关电源模块，满足对小型化、高效化电路设计的需求。

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￥12.4545 ￥13.11

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型号：HFFSP15120A 编号：C42389252

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管拥有15安培的正向电流（IF/A），并能承受最高1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.27伏特，有助于减少能量损失，提高效率。反向漏电流（IR/uA）不超过200微安，展示了优异的绝缘性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达100安培，表明其具有较强的抗电流冲击能力。这些特性使该二极管成为需要高电压耐受性和低能量损耗的应用中的理想选择。

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￥13.243 ￥15.58
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￥12.529 ￥14.74

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型号：HSTPSC10H12CWL 编号：C42389243

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流容量（IF/A），并能承受最高1200V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.4V，在反向电流（IR/uA）为150微安时表现出较低的漏电特性。此外，该二极管能够承受高达46A的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），适合用于需要快速开关且注重效率的应用场景，尤其在减少能量损失和提高系统可靠性方面有显著优势。

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￥13.736 ￥16.16
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￥12.9965 ￥15.29

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型号：HNXPSC12650B6J 编号：C42389290

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有12A的正向电流（IF），能够在高达650V的反向电压（VR）下正常工作。其正向电压降（VF）仅为1.3V，在保证性能的同时减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR）为50微安，在较高温度下仍能保持较低的漏电水平。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达90A，适合需要处理短时大电流的应用场景。这些特性使得此款二极管在需要高效能与可靠性的电路设计中成为理想选择。

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￥13.7614 ￥16.58
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￥13.031 ￥15.7

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型号：HFFSP20120A 编号：C42389253

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF），以及高达1200伏特的反向击穿电压（VR），确保了其在高压环境下的稳定性能。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在大电流工作条件下能够有效降低能耗。同时，它拥有低至200微安的反向漏电流（IR），表明其在关闭状态下几乎无电流泄露，提升了整体效率。此外，此二极管的峰值电流（IFSM）可达130安培，适用于需要瞬时处理高电流的应用场合。这些特性使其成为高性能电路设计中的理想选择。

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￥14.1266 ￥17.02
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￥13.3796 ￥16.12

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型号：HIDH20G120C5XKSA1 编号：C42389304

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，正向电流IF为20A，反向电压VR达到1200V，确保了在高压环境下的稳定工作。其正向压降VF仅为1.5V，有助于减少功率损耗；反向漏电流IR控制在200μA以内，保证了设备的低功耗性能。此外，单周期浪涌电流IFSM高达130A，增强了产品应对瞬时大电流冲击的能力。该器件适用于要求高效率、高温及高频工作的电子电路中，如电源转换器等场合。

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￥14.1695 ￥16.67
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￥13.8465 ￥16.29
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￥13.634 ￥16.04
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￥13.413 ￥15.78

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型号：FFSM1065A-HXY 编号：C51896376

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的最高反向重复峰值电压（VR），在额定工作条件下正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具备优异的热稳定性和高电场强度特性，显著减少反向恢复电荷与开关损耗。适用于高效率电源系统，如高功率密度AC-DC与DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、储能系统及高性能服务器电源模块，有助于提升系统能效、缩小被动元件体积，并增强高频工作下的可靠性。

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￥13.585 ￥14.3

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型号：HNDSH20120C 编号：C42389247

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有20安培的正向电流容量（IF/A），并能承受1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在反向测试中，漏电流（IR/uA）不超过200微安。此外，该二极管能够承受高达130安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），适用于高频开关和电源管理电路中，保障了在复杂环境下的高效与稳定性。

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￥14.4835 ￥17.45
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￥14.1515 ￥17.05
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￥13.9357 ￥16.79
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￥13.7116 ￥16.52

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型号：HC4D15120D 编号：C41428788

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有15A的正向电流（IF），能够处理较大的电流需求。其反向电压（VR）高达1200V，适合应用于需要耐高压的场合，保障了在复杂环境下的稳定性。该二极管具有1.4V的正向电压降（VF），表明其在导电状态下的能耗较低，有助于维持系统的高效运作。适用于要求高可靠性和低损耗特性的电路设计，如高性能电源转换器等场景。

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￥9.0904 ￥10.33

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型号：S4D30120H-HXY 编号：C52195034

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.5V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换场景，如开关模式电源、服务器电源单元及高密度功率因数校正电路，有助于减小被动元件体积，提高功率密度。

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￥14.725 ￥15.5

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型号：SD3012CTDL-HXY 编号：C52195005

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）达30A，反向重复峰值电压（VR）为1200V，正向压降（VF）为1.5V。基于碳化硅材料，具备出色的高温工作能力与高频开关性能，反向恢复时间极短，能量损耗低。适用于高功率密度与高效率要求的电源系统，如大功率开关电源、不间断电源（UPS）、储能系统中的逆变单元以及高压直流-直流转换电路。其优异的热导率和低开关损耗特性，有助于提升系统能效，减少散热设计复杂度，支持紧凑型电源架构的实现。

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型号：HDSC10120 编号：C42389289

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流（IF/A），并能承受1200伏特的最大反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.35伏特，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR/uA）为250微安，展现了良好的隔离性能。瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）达到71安培，可在复杂条件下维持稳定工作。适用于高频开关电路中，提供可靠的整流与保护作用。

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型号：HC3D20065D1 编号：C22449562

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此碳化硅二极管专为大电流应用设计，耐压达650V，能承受20A强电流，确保高可靠性。其正向压降低至1.3V，大幅提升了电能转换效率，减少能耗与发热，是高性能电源系统和能效优化解决方案的理想选择。

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￥15.096 ￥18.87
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￥14.848 ￥18.56

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型号：HFFSH10120AF085 编号：C42389182

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流能力（IF/A），以及1200伏特的最高反向电压承受能力（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于降低在导通状态下的功耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温条件下测量为250微安，表现出良好的绝缘性能。该元件可承受高达67安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），适用于需要应对短暂高电流冲击的应用场景，如高性能开关电源转换器和其他要求快速切换且高效运作的电子设备。

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￥16.3064 ￥18.53
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￥15.444 ￥17.55

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型号：HC3D20065H 编号：C45896876

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管专为高效能应用设计，具备20A的正向电流(IF)，适合于需要高电流处理能力的场合。其反向电压(VR)高达650V，确保在高压环境下的稳定性和可靠性。正向电压(VF)低至1.35V，有助于减少能量损耗，提高整体效率。漏电流(IR)仅为10微安(uA)，保证了设备在待机状态下的低能耗。此外，它拥有150A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，使其能够承受瞬时的大电流冲击，保护电路不受损坏。该二极管是追求高效、可靠电力转换解决方案的理想选择。

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型号：SD4065CTDL-HXY 编号：C52195006

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备40A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.47V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和较高的耐温能力，适用于高效率、高频率的电力转换场景。器件可有效降低开关损耗，提升系统整体能效，常用于要求严苛的电源管理系统，如高性能电源单元、可再生能源逆变装置及储能系统的功率模块中，满足对紧凑设计与高可靠性兼具的应用需求。

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