sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：YFWD306065FAC 编号：C50327290

封装：TO-220FAC

品牌：YFW(佑风微)

适用于表面安装应用、GPP芯片、高效、符合欧盟RoHS

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￥6.62
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￥5.51
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￥4.89

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型号：DSC06C065-HXY 编号：C51896305

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.68V。基于碳化硅半导体材料，该二极管具有优异的耐高温性能和快速开关特性，反向恢复电荷极低，可显著降低开关损耗。适用于高频率、高效率的电力转换电路，如高性能电源适配器、服务器电源模块、可再生能源逆变装置及储能系统中的整流与续流应用。其高可靠性和紧凑设计有助于提升系统功率密度与整体能效水平。

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￥3.7905 ￥3.99

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型号：DSEP6-06AS-TUB-HXY 编号：C53468019

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，具有6A的正向电流能力，反向重复峰值电压为650V，正向导通压降典型值为1.3V，反向漏电流为50μA。器件可承受高达48A的非重复峰值正向浪涌电流，展现出良好的瞬态耐受能力。凭借碳化硅材料特性，其在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗和稳定的电气性能，适用于高效率、高频率的电源转换及电力电子应用场合。

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￥3.838 ￥4.04

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型号：NXPSC04650X6Q-HXY 编号：C53468050

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具有4A的额定正向电流和650V的最大反向重复电压，正向压降典型值为1.3V，在瞬态条件下可承受高达36A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料的结构带来优异的开关特性和热稳定性，适用于高频电源转换、高效率整流及对体积与温升敏感的电子系统中，有助于降低导通损耗并提升整体运行效率。

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￥6.878 ￥7.24
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￥6.726 ￥7.08
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￥6.6215 ￥6.97
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￥6.517 ￥6.86

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型号：DHG10I600PM-HXY 编号：C53468140

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其低导通压降与高耐压特性相结合，适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场景，尤其在高频开关环境中能有效降低损耗并提升系统响应速度。

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￥6.536 ￥6.88

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型号：CSD01060E-TR-HXY 编号：C53467989

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为4A，反向重复峰值电压为650V，正向导通压降典型值为1.4V，可承受高达36A的非重复浪涌正向电流。基于碳化硅材料的特性，器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗，适用于高频整流、开关电源以及功率因数校正等电路，在提升能效的同时有助于优化整体热设计。

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型号：GP3D008A065A-HXY 编号：C53468049

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向重复电压达650V，正向压降典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。

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￥7.0015 ￥7.37
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￥6.631 ￥6.98

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型号：LXA15T600-HXY 编号：C53468183

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，具备低导通损耗特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）达100A，可在瞬态过载条件下保持稳定工作。得益于碳化硅材料的优异性能，该器件具有快速开关响应和高效率表现，适用于高频电源转换、开关电源及各类高效整流场合。

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￥7.04
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￥6.88
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￥6.77

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型号：S3D10065E-HXY 编号：C51896241

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，导通时正向压降（VF）低至1.37V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具备优异的高温稳定性、极快的开关速度和极低的反向恢复电荷，适用于高频、高效率的电力转换应用。典型使用场景包括大功率开关电源、数据中心电源系统、可再生能源逆变装置及高密度DC-DC变换器，能够有效降低开关损耗，提升整体能效，并支持系统向更高功率密度和更优热管理方向发展。

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型号：S3D06065I-HXY 编号：C51896244

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率转换环境。其正向导通压降（VF）典型值为1.36V，显著低于传统硅基二极管，可有效减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的高温工作性能和快速反向恢复能力，支持高频开关应用。常用于高效率电源模块、通信电源、可再生能源逆变系统及紧凑型适配器等对热管理与电气性能有严苛要求的电子设备中。

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型号：S3D08065G-HXY 编号：C52194982

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）低至1.42V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的开关特性，反向恢复时间极短，开关损耗显著低于传统硅二极管。器件耐高温性能良好，可在较高工作温度下保持稳定。适用于高效率电源转换系统，如通信电源、服务器电源、可再生能源逆变装置以及高密度直流-直流变换器。其高频工作能力有助于减小外围滤波元件的体积，提升系统整体功率密度与能效水平。

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型号：IDL04G65C5-HXY 编号：C51896331

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换应用。其正向导通压降（VF）为1.4V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。得益于碳化硅材料特性，器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温工作性能。常用于高效电源适配器、不间断电源系统、通信电源模块以及可再生能源发电设备中的整流与防反接电路，适合在高频、高效率拓扑结构中实现紧凑化设计与可靠运行。

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型号：SIT10C065-HXY 编号：C53468105

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A，具备较强的瞬态电流承受能力。基于碳化硅材料的特性，器件在高频工作时表现出极低的开关损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源、功率因数校正电路以及对能量转换效率和系统紧凑性有较高要求的电子设备中的整流与续流功能。

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￥7.106 ￥7.48
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￥6.7355 ￥7.09

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型号：VSHFA04TB60-N3-HXY 编号：C53468063

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为4A，最大反向重复峰值电压VR为650V，典型正向压降VF为1.53V。器件可承受32A的非重复浪涌正向电流（IFSM），具备快速恢复特性和低开关损耗。由于碳化硅材料的固有优势，其在高频、高效率电源系统中表现优异，适用于对体积、温升和能效有严格要求的整流与续流应用场景。

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￥6.859 ￥7.22

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型号：NXPSC046506Q-HXY 编号：C53467994

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为4A，反向重复峰值电压为650V，典型正向导通压降为1.53V，非重复浪涌正向电流能力达32A。其基于碳化硅材料的特性，在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗，并具备良好的热性能。适用于对效率、响应速度和可靠性有较高要求的电源转换、功率因数校正及各类紧凑型电力电子装置。

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型号：IDH04S60CAKSA1-HXY 编号：C53468066

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为4A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.53V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下仍能保持稳定性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。

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型号：IDH04SG60CXKSA1-HXY 编号：C53468138

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为4A，最大反向重复电压VR为650V，正向压降VF典型值为1.53V，具备低导通损耗特性。器件可承受32A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效能电能转换系统。其碳化硅材料特性带来优异的高温稳定性和快速开关响应，有助于提升整体电路效率与可靠性。

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型号：BSDH10S65E6-HXY 编号：C53468028

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其低导通压降与高耐压特性相结合，适用于对效率和开关性能要求较高的电源转换场合，尤其在高频运行环境中能有效降低损耗，提升系统整体能效。

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型号：IDH08G65C5XKSA1-HXY 编号：C53468062

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，具备较低的导通损耗。器件可承受88A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源转换与整流应用。得益于碳化硅材料特性，其开关速度快、反向恢复电荷几乎为零，有助于减小系统体积并提升整体能效。

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型号：GP2D006A065A-HXY 编号：C53468026

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.68V，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达32A。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与热导率优势，在高频开关和高温运行条件下保持稳定性能，适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换系统，如服务器电源、通信设备及可再生能源相关电路。

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型号：SDT04S60-HXY 编号：C53468065

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为4A，最大反向重复峰值电压达650V，正向压降为1.53V。其非重复浪涌正向电流能力为32A，能够承受短时过载条件下的电流冲击。基于碳化硅材料的特性，器件在高频工作状态下仍保持较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于对体积、效率及动态响应有较高要求的电源转换与电力电子系统。

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型号：IDH10G65C5ZXKSA1-HXY 编号：C53468130

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至60μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A，适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势，在高电压、高频率工作条件下仍能保持较低损耗与良好稳定性，适合用于电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的整流与续流功能。

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型号：SDT10S60-HXY 编号：C53468122

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为10A，最大反向重复电压达650V。其正向压降典型值为1.5V，在高温或高频率工作条件下仍能维持较低的导通损耗。反向漏电流仅为60μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场合，如高频开关电源、功率因数校正电路及各类紧凑型电力电子系统。

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型号：IDH10SG60CXKSA1-HXY 编号：C53468149

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为10A，最大反向重复电压为650V，正向导通压降典型值为1.5V，在25°C时反向漏电流仅为60μA。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频、高效率的电源转换系统。其材料特性有助于降低开关损耗并提升热稳定性，适合对体积与能效有较高要求的应用场合。

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型号：IDH10G65C5XKSA1-HXY 编号：C53468129

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA。器件可承受90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），凭借碳化硅材料特性，具备快速开关响应与低反向恢复电荷优势，适用于高频整流、开关电源及对效率和热性能要求较高的电力电子应用场合。

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型号：NXPLQSC10650Q-HXY 编号：C53468144

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）低至60μA。器件可承受90A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），展现出良好的瞬态耐受能力。其材料特性支持高频工作，适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换及功率因数校正等应用场景。

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型号：HSTPSC2H12BTR1 编号：C42389310

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有2安培的最大正向电流（IF/A）和高达1200伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保效率的同时减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过8微安，显示出良好的阻断性能。瞬态条件下，最大正向浪涌电流（IFSM/A）可达24安培，适用于需要承受瞬间大电流冲击的应用场景。

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型号：DSR8A600-HXY 编号：C53468177

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向重复峰值电压达650V，典型正向压降为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料特性，具备低导通损耗与优异的高频开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景，如服务器电源、通信电源及高密度开关电源等应用中，能有效提升系统整体能效与功率密度。

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型号：NXPSC06650Q-HXY 编号：C53468072

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为6A，最大反向重复电压达650V，正向压降典型值为1.68V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料特性，具备低导通损耗与优异的高频开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景，如高频整流、开关电源及功率因数校正等应用。

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型号：IDH06SG60CXKSA1-HXY 编号：C53468125

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为6A，最大反向重复电压为650V，典型正向压降为1.68V，在导通状态下保持较低功耗。器件可承受高达32A的非重复峰值正向浪涌电流，展现出良好的瞬态耐受能力。凭借碳化硅材料的特性，其在高频工作条件下仍能维持稳定的电气性能，适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与热管理有较高要求的电力电子系统中。

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