sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）典型值为1.37V。基于碳化硅半导体材料，具备出色的开关速度与高温稳定性，反向恢复特性优异，漏电流低。其物理特性支持高频工作环境下的高效能量转换，适用于高密度电源系统，如通信电源、大功率适配器、不间断电源（UPS）及可再生能源发电设备中的整流与防逆流电路，有助于降低系统热损耗并提升功率密度。

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型号：FFSM0865B-HXY 编号：C51896356

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），适用于中等功率电压等级的电路设计。其正向导通压降（VF）典型值为1.42V，有助于降低导通损耗，提高能效表现。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温稳定性和快速开关能力，反向恢复特性理想，适用于高频开关电源、通信电源模块、光伏逆变系统及高密度直流变换装置等应用场景，能够满足对效率、尺寸和热性能有较高要求的电力电子系统设计需求。

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型号：FFSM0865A-HXY 编号：C51896355

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定平均正向整流电流为8A，反向重复峰值电压达650V，可承受较高的电压应力。其正向导通压降为1.42V，在同类器件中表现优异，有助于减少功率损耗。采用碳化硅材料，具备出色的反向恢复特性与高温稳定性，适用于高频率、高效率的电力转换电路，如开关模式电源、不间断电源系统、光伏逆变装置及高功率密度适配器等，能够提升系统整体能效并优化热设计。

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型号：STPSC8H065DLF-HXY 编号：C51896351

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力转换场景。其正向导通压降为1.42V，在高频工作条件下可有效降低导通损耗，提升系统效率。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关速度与热导性能，反向恢复电荷极小，有助于减少开关过程中的能量损耗。典型应用包括高效开关电源、直流-直流变换模块、功率因数校正电路及高密度电源适配器，适合对能效、功率密度和热管理有较高要求的电子系统设计。

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型号：CI10S65C3 编号：C967711

封装：TO-220-2

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：650 伏肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。应用：开关电源。功率因数校正

数据手册

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型号：HC3D16065A 编号：C22449560

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管是高功率应用的优选，650V耐压等级确保了在高压电路中的稳定性能。它支持高达16A的大电流，且正向压降低至1.3V，意味着在大功率转换中能显著降低能耗，提升系统整体效率，是先进电子系统中提高能效的关键组件。

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型号：FFSPF0865A-HXY 编号：C45896873

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF)，最大反向电压(VR)可达650V，确保了在高电压环境下的稳定性能。其正向电压(VF)为1.3V，在保证效率的同时减少了能量损耗。漏电流(IR)低至50微安(uA)，表明其卓越的阻断能力。峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)高达80A，使其能够承受瞬时的电流冲击，适用于各种高效能电力转换系统，如电源供应和再生能源设备中，极大地提升系统的可靠性和效率。

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型号：HC6D06120A 编号：C45896882

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备5A的正向电流(IF)，能够承受高达1200V的反向电压(VR)，其正向电压(VF)在额定电流下为1.4V，保证了较低的能量损耗。该二极管的反向漏电流(IR)仅为100微安(uA)，表现出卓越的绝缘性能，同时峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)可达45A，使其在高瞬态条件下依然稳定可靠。这些特性使它成为高效能电源转换和管理应用中的理想组件，特别适用于需要高压、高速开关操作的场合。

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型号：HSTPSC20H12D 编号：C42389188

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在确保高效能的同时，减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示了良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达130安培，表明它能在短时间内处理较大的电流波动，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中。

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型号：HSTPSC10H065BTR 编号：C42389259

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向平均电流(IF)与650V的反向电压(VR)，适用于多种高效率电源设计。其正向电压降(VF)低至1.3V，有助于减少能量损耗并提高系统整体效能。在标准工作条件下，该二极管表现出色，其反向漏电流(IR)仅为50μA，确保了良好的电气性能。此外，支持高达80A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)，能够有效应对突发性的电流冲击，适合用于要求稳定性和耐用性的电源转换和控制电路中。

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型号：HSTPSC10H12D 编号：C42389180

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.35伏特，在高电流应用中能有效减少能量损失。二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温下测得为250微安，显示出良好的阻断性能。瞬态条件下的最大正向浪涌电流（IFSM/A）为71安培，适用于需要短时间承受大电流冲击的应用场合。此元件凭借其出色的电气特性，适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、高可靠性的电子产品中。

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型号：FFSP05120A-HXY 编号：C45896874

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管专为高性能应用设计，提供5A的正向电流(IF)和高达1200V的反向电压(VR)，确保在高压环境下稳定工作。其正向电压(VF)为1.4V，有助于减少能量损耗，提高效率。漏电流(IR)仅为100微安(uA)，表明其具有优异的绝缘性能。峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)为45A，可有效抵御瞬时电流冲击，适合应用于高效电源转换系统及再生能源设备中，增强系统的整体效能与可靠性。

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型号：HFFSD10120A 编号：C42389265

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10安培的最大正向电流（IF/A），同时支持最高1200伏特的反向电压（VR/V），使其能够在高压环境下保持稳定工作。正向电压降（VF/V）为1.4伏特，有效降低了导通时的能量损耗。在反向偏置条件下，其漏电流（IR/uA）控制在100微安以下，展示了出色的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）为90安培，意味着它可以在短时间内承受电流峰值而不损坏。适用于要求高效率与可靠性的电源转换及高频开关电路。

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型号：HFFSP08120A 编号：C42389241

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有8A的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200V的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5V，在250微安的条件下测得的反向电流（IR/uA）为250uA。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达64A。这些特性使得该二极管适用于需要高效能与高可靠性的电路设计中，特别是在要求快速开关特性和低能耗的应用场合下表现优异。

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型号：S4D20120A-HXY 编号：C52195032

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向压降（VF）低至1.45V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，同时具备良好的热稳定性，适用于对效率和空间布局有较高要求的电力转换场合，如高效电源模块、可再生能源逆变系统及高密度功率变换装置，为复杂电路设计提供可靠的解决方案。

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型号：SD3065CTDL-HXY 编号：C51896340

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于较高功率等级的电路设计。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在高电流工作条件下可有效降低导通损耗。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，有助于提升系统整体能效并减少热管理压力。主要应用于高效开关电源、大功率DC-AC逆变装置、高频率DC-DC转换模块以及可再生能源发电系统的功率级设计。

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型号：HIDH16G65C5 编号：C42389235

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备16A的最大正向电流（IF/A），可承受高达650V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3V，确保了高效的能量转换。在反向条件下，漏电流（IR/uA）控制在100微安之内，保证了电路的稳定性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达128A，适用于需要快速开关特性和高可靠性的电路设计中，如高性能的开关模式电源及类似应用领域。

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型号：HFFSP2065A 编号：C42389239

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管具有20A的最大整流电流IF/A，能够在650V的反向电压VR/V下稳定工作。其正向电压VF/V为1.5V，意味着在导通状态下的能量损失较小。反向漏电流IR/uA低于100微安，确保了较高的阻断性能。瞬态峰值电流IFSM/A可达123A，使其适合应用于需要高速切换频率及低损耗特性的电路设计中，能够帮助优化系统的整体性能，特别适用于追求高效能与可靠性的技术解决方案中。

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型号：HIDH15S120A 编号：C42389288

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备15安培的正向电流（IF/A），可承受高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.27伏特，有助于减少电力损耗，提升系统效率。该二极管的反向漏电流（IR/uA）为200微安，表明其在阻断状态下的优异表现。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为100安培，能够在短时间内处理较大的电流波动。这些特性使其非常适合应用于需要高频切换与可靠性能的电路配置中。

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型号：BSDH10G65E2-HXY 编号：C52194995

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有效降低导通损耗，提升整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持更高的工作温度与开关频率，适用于高密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变系统及高压直流配电模块，有助于减小无源元件体积并提高系统功率密度。

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型号：SCS210AMC-HXY 编号：C52195025

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.37V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低开关损耗。适用于高频率、高效率的电源转换电路，如开关模式电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高性能DC-DC转换器中，能够提升系统整体能效并减少散热需求。

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型号：FFSB0865A-HXY 编号：C52195000

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.42V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能与高温工作稳定性，反向恢复时间极短，能量损耗低。该器件适用于高效率电源转换场合，如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器等，能够有效提升系统整体能效，并支持更高频率的工作模式，有助于减小外围滤波元件的体积与系统整体尺寸。

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型号：LSIC2SD065A06A-HXY 编号：C51896240

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复耐压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换场合。其正向导通压降（VF）低至1.36V，有助于减少导通期间的能量损耗，提升系统整体效率。基于碳化硅材料特性，器件具备快速开关响应与极低的反向恢复电荷，可有效降低开关损耗。适用于高频率开关电源、通信电源模块、高压直流变换器及分布式能源系统中的整流与续流电路，尤其适合对能效、热管理及空间利用率有较高要求的电力电子设计方案。

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型号：STPSC10H065DLF-HXY 编号：C51896386

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复耐压（VR）为650V，适用于中高电压功率转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备优异的高温工作性能和极快的开关速度，反向恢复电荷小，可有效减少开关损耗。适用于高频率开关电源、高效直流变换器、储能系统功率模块及可再生能源逆变装置等应用，特别适合对热管理、能效和空间布局有较高要求的电路设计。

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型号：IDK08G120C5XTMA1-HXY 编号：C51896371

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降为1.45V。基于碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和低导通损耗，反向恢复时间极短，适用于高频开关环境。可用于高效率的AC-DC与DC-DC转换电路，如服务器电源、储能系统及大功率适配器中，有效提升能效并降低散热负担。封装结构优化热传导路径，支持紧凑型设计，满足高可靠性应用对长期稳定运行的需求。

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型号：STPSC10065DLF-HXY 编号：C51896369

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高效能电力转换中表现出色。其正向压降（VF）低至1.37V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的优良特性，具有较快的开关速度和较低的反向恢复电荷，适用于高频率、高效率的电源转换场合。该产品适合应用于需要紧凑设计与高热稳定性的电力电子设备中，满足对功率密度和长期可靠性要求较高的场景。

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型号：C6D10065Q-TR-HXY 编号：C51896354

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具有优异的热稳定性和高频开关特性，反向恢复时间极短，漏电流小。该器件适用于高密度电源系统，如高效能电源适配器、服务器电源模块及可再生能源逆变装置，能够在高温与高频环境下保持稳定运行，有效降低系统能量损耗，提升转换效率，同时有助于减小外围无源元件的体积与整体散热需求。

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型号：S4D20120H-HXY 编号：C52195033

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度设计中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优良，适用于对效率和热管理有严格要求的电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变系统及储能装置中的整流与续流环节。

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型号：FFSB0865B-F085-HXY 编号：C52194999

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中等功率电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.42V，在高电流工作条件下仍保持较低功耗，有助于提升能效。基于碳化硅材料，该二极管具有优异的高温稳定性和极短的反向恢复时间，显著减少开关损耗。适用于高效率AC-DC与DC-DC转换电路，常见于服务器电源、通信设备电源模块、可再生能源逆变装置及高密度适配器等对热管理和转换效率有较高要求的应用场景。

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型号：S3D30065H-HXY 编号：C51896383

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为30A，反向重复峰值电压达650V，适用于较高功率密度的电源系统。其正向导通压降为1.4V，在高负载条件下具备良好的电能转换效率，有助于降低导通损耗。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的反向恢复能力，支持高频开关工作模式，减少开关过程中的能量损耗。适用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统及高可靠性直流变换装置，满足对热性能和长期运行稳定性要求较高的技术应用环境。

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