sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220F-2L

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为8A，最大反向重复电压达650V，正向导通压降典型值为1.4V，具备优异的导通特性。器件可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景。其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗，提升了系统整体能效与可靠性。

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￥6.1085 ￥6.43
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￥5.966 ￥6.28
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￥5.7855 ￥6.09

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型号：WNSC2D08650Q-HXY 编号：C53468068

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.38V，表现出较低的导通损耗。器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），具备良好的瞬态耐受能力。得益于碳化硅材料的特性，其在高频开关和高温工作条件下仍能维持稳定电气性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。

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￥6.11
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￥5.88

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型号：S3D08065E-HXY 编号：C51896309

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.4V，有助于提升能效并减少热损耗。其基于碳化硅材料的特性，支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器以及高密度电源模块，适合对散热性能和空间布局有较高要求的高性能电子设备。

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型号：HSTPSC6H065D 编号：C42389224

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6A的正向电流（IF），并且能够承受650V的最大反向电压（VR），适合用于需要耐受较高电压的应用中。其正向电压（VF）为1.3V，有助于在导通状态下减少能量损失。反向漏电流（IR）限制在50微安，体现了良好的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）为48A，使其可以在短时间内应对电流峰值。该二极管适用于追求高效能与可靠性的电路设计。

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型号：FG3S06506C 编号：C42387307

封装：TO-252

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：低反向电流。良好的浪涌电流能力。低电容电荷。无反向恢复电流。无卤，符合RoHS标准。与Si二极管相比，提高系统效率。应用：开关模式电源 (SMPS)。不间断电源

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￥4.4

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型号：ASD10120C 编号：C2688445

封装：TO-247-2

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压1200V、正向电流10A、正向压降≤1.7V@10A、结温-55~175℃，零反向恢复电流，适合高温/高频运行；功能：高压整流/续流、PFC电路；应用：电机驱动器，太阳能应用，不间断电源系统，功率切换电路等

数据手册

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￥6.245 ￥12.49
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型号：DSC04C065D1-13-HXY 编号：C51896300

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复耐压（VR）达650V，具备良好的电压承受能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料特性，该二极管表现出优异的高温稳定性与快速开关性能，反向恢复电荷极小，有助于减少系统开关损耗。适用于高效率开关电源、直流变换模块、光伏逆变单元及高功率密度电源系统，适合对热管理与能效要求较高的应用场景。

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型号：HC6D06065A 编号：C42389282

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的平均正向电流（IF/A），能够承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏特，在反向偏压下，漏电流（IR/uA）控制在50微安。此二极管瞬态电流能力（IFSM/A）可达48安培，适用于高频开关电源及需要高效能转换的应用中，能够在高功率密度要求下保持低能耗特性。

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型号：WNSC6D106506Q-HXY 编号：C53468009

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的最大反向重复电压（VR），典型正向压降（VF）为1.38V，可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、开关电源及功率因数校正等应用场合，有助于提升系统整体能效与可靠性。

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型号：DSC06C065D1-13-HXY 编号：C53468011

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.3V，反向漏电流（IR）仅为50μA，表现出优异的导通效率与阻断能力。其非重复浪涌正向电流（IFSM）为48A，适用于高频率、高效率要求的电源转换场合。凭借碳化硅材料特性，器件在开关过程中几乎无反向恢复电荷，有助于降低系统损耗并提升整体运行稳定性。

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型号：HFFSD0665A 编号：C42389257

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备6A的正向电流承载能力（IF/A），并能承受高达650V的反向电压（VR/V）。其工作时产生的正向电压（VF/V）仅为1.3V，且在反向状态下，其漏电流（IR/uA）保持在50μA。该二极管还具有48A的瞬态正向浪涌电流处理能力（IFSM/A）。这些特性使其非常适合应用于要求高效率和可靠性的开关电路及能量转换系统中。

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￥3.5288 ￥4.01

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型号：ISL9R1560P2-F085-HXY 编号：C53468174

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，具备优异的导通特性。器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗，提升了系统整体能效，适合用于高密度电源转换及对体积与温升敏感的电力电子应用中。

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￥6.4
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￥6.26
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￥6.16

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型号：ASZD010120D 编号：C50199550

封装：TO-252-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=10A@Tc=157℃, Vf=1.4V@10A

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型号：IDH08SG60CXKSA2-HXY 编号：C53468091

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出优异的稳定性和效率，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与电力电子系统。

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￥6.26

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型号：FMX-G26S-HXY 编号：C53468002

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.37V，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达80A。器件利用碳化硅材料的物理特性，在高频工作条件下保持较低的导通损耗和快速的反向恢复响应，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源相关的电力变换装置。

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型号：FMNS-1106S-HXY 编号：C53467998

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的最大反向重复峰值电压（VR），其典型正向压降（VF）为1.37V，在非重复条件下可承受高达80A的浪涌正向电流（IFSM）。器件利用碳化硅材料的高热导率与低开关损耗特性，适用于高频开关电源、功率因数校正电路及对效率和热性能有较高要求的电能转换系统。

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型号：WNSC6D10650X6Q-HXY 编号：C53467999

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其基于碳化硅材料特性，具备快速恢复、低开关损耗及优异的高温工作能力，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换与高频整流场景。

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￥6.54
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￥6.3

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型号：SCS302AHGC9-HXY 编号：C53467920

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）为650V。其正向压降（VF）典型值为1.53V，在导通状态下具有较低的功率损耗。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出优异的动态性能和热稳定性，适用于高效率电源、开关模式电源及各类对能效与体积有较高要求的电力电子应用场合。

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型号：YJD106506PQG2 编号：C20605563

封装：TO-220-2

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：正温度系数。温度无关的开关特性。最高工作温度175℃。单极器件，零反向恢复电流。零正向恢复电压。基本无开关损耗。应用：功率因数校正（PFC）。太阳能逆变器

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￥5.3
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￥4.66
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￥4.02

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型号：HSTPSC10065D 编号：C42389238

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，其最大整流电流IF/A达到10A，在反向电压VR/V高达650V的情况下，正向电压降VF/V仅为1.5V，表明其能量损耗较低。反向漏电流IR/uA控制在60微安以下，显示了良好的阻断能力。瞬态峰值电流IFSM/A可达到90A，适用于高频开关及需快速响应的应用场景中，能有效提升电路效率并减少热损耗。此款二极管凭借其优异性能，适用于各种对效率与稳定性有要求的场合。

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￥6.588 ￥7.32
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￥3.663 ￥4.07

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型号：HC6D10065A 编号：C42389285

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的额定正向电流（IF/A），同时支持高达650V的反向电压（VR/V），适合应用于需要高压保护的场合。其正向电压（VF/V）为1.5V，有助于减少导通时的能量损失。在反向偏置下，漏电流（IR/uA）控制在60微安以下，体现了出色的绝缘性能。瞬态峰值电流能力（IFSM/A）为90A，可有效应对突发的大电流需求。鉴于这些特性，此二极管适用于构建要求高效能及可靠性的电子设备，如高性能的开关模式电源转换器以及其他注重功率管理的设计。

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￥3.6608 ￥4.16

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型号：DSC08A065-HXY 编号：C53468042

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为8A，最大反向重复峰值电压达650V，正向导通压降典型值为1.38V，具备优异的导通特性。其非重复浪涌正向电流能力高达88A，可有效应对瞬态过流工况。器件利用碳化硅材料的高热导率与低开关损耗优势，在高频、高温环境下保持稳定性能，适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换及功率因数校正等应用场景。

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￥6.593 ￥6.94
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￥6.2415 ￥6.57

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型号：DSC06C065-HXY 编号：C51896305

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.68V。基于碳化硅半导体材料，该二极管具有优异的耐高温性能和快速开关特性，反向恢复电荷极低，可显著降低开关损耗。适用于高频率、高效率的电力转换电路，如高性能电源适配器、服务器电源模块、可再生能源逆变装置及储能系统中的整流与续流应用。其高可靠性和紧凑设计有助于提升系统功率密度与整体能效水平。

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￥3.7905 ￥3.99

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型号：DSEP6-06AS-TUB-HXY 编号：C53468019

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，具有6A的正向电流能力，反向重复峰值电压为650V，正向导通压降典型值为1.3V，反向漏电流为50μA。器件可承受高达48A的非重复峰值正向浪涌电流，展现出良好的瞬态耐受能力。凭借碳化硅材料特性，其在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗和稳定的电气性能，适用于高效率、高频率的电源转换及电力电子应用场合。

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型号：NXPSC04650X6Q-HXY 编号：C53468050

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具有4A的额定正向电流和650V的最大反向重复电压，正向压降典型值为1.3V，在瞬态条件下可承受高达36A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料的结构带来优异的开关特性和热稳定性，适用于高频电源转换、高效率整流及对体积与温升敏感的电子系统中，有助于降低导通损耗并提升整体运行效率。

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￥6.878 ￥7.24
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￥6.517 ￥6.86

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型号：DHG10I600PM-HXY 编号：C53468140

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其低导通压降与高耐压特性相结合，适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场景，尤其在高频开关环境中能有效降低损耗并提升系统响应速度。

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￥6.536 ￥6.88

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型号：CSD01060E-TR-HXY 编号：C53467989

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为4A，反向重复峰值电压为650V，正向导通压降典型值为1.4V，可承受高达36A的非重复浪涌正向电流。基于碳化硅材料的特性，器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗，适用于高频整流、开关电源以及功率因数校正等电路，在提升能效的同时有助于优化整体热设计。

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￥3.9425 ￥4.15

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型号：GP3D008A065A-HXY 编号：C53468049

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向重复电压达650V，正向压降典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。

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￥7.0015 ￥7.37
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￥6.631 ￥6.98

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型号：LXA15T600-HXY 编号：C53468183

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，具备低导通损耗特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）达100A，可在瞬态过载条件下保持稳定工作。得益于碳化硅材料的优异性能，该器件具有快速开关响应和高效率表现，适用于高频电源转换、开关电源及各类高效整流场合。

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型号：S3D10065E-HXY 编号：C51896241

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，导通时正向压降（VF）低至1.37V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具备优异的高温稳定性、极快的开关速度和极低的反向恢复电荷，适用于高频、高效率的电力转换应用。典型使用场景包括大功率开关电源、数据中心电源系统、可再生能源逆变装置及高密度DC-DC变换器，能够有效降低开关损耗，提升整体能效，并支持系统向更高功率密度和更优热管理方向发展。

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