sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220H-2L

这款碳化硅二极管的正向电流额定值为8A（IF/A），可承受的最大反向电压为650V（VR/V）。其正向电压降仅为1.3V（VF/V），有助于减少能量损耗。在反向测试条件下，漏电流不超过50μA（IR/uA）。此外，该二极管能够处理高达64A的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）。这些特性使其成为高频开关电路和高性能能量转换解决方案的理想选择。

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型号：BCM120S20D2 编号：C46472746

封装：TO-252NC

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管1200V，20A

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型号：FFSP0865A-HXY 编号：C52195017

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，有效降低导通损耗，提高能量转换效率。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有快速开关能力，反向恢复损耗极小，支持高频工作模式。适用于高效开关电源、通信电源模块、不间断电源系统及可再生能源逆变装置，有助于减小磁性元件体积并提升系统功率密度，同时可在较高结温下稳定运行，增强系统热管理灵活性。

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￥7.999 ￥8.42

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型号：UJ3D06506TS-HXY 编号：C51896352

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为6A，反向重复耐压（VR）达650V，适用于中等功率电源转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.36V，显著降低导通损耗，提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，该器件具备优良的高温稳定性和快速开关特性，可有效减少反向恢复损耗，适用于高频工作环境。典型应用场景包括高效AC-DC转换器、服务器电源模块、通信设备电源单元及可再生能源发电系统中的整流与续流功能。

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型号：SCS308AHGC9-HXY 编号：C52194979

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流8A（IF），反向重复耐压650V（VR），正向导通压降为1.38V（VF），在同类器件中具备较低的导通损耗。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，器件具有极小的反向恢复电荷和快速恢复能力，可在高频开关环境中稳定运行。其优异的热导性能支持高功率密度设计，适用于高效率开关电源、通信电源模块、光伏逆变系统及高密度AC-DC转换装置。器件在高温工作条件下仍能保持稳定的电气性能，有助于提升系统整体能效并优化散热布局。

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型号：SCS310AMC-HXY 编号：C52194998

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率密度的电源转换设计。其正向压降（VF）为1.37V，导通损耗较低，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具有优异的高温稳定性与快速反向恢复能力，支持高频开关操作。典型应用场景包括高效开关电源、通信电源、可再生能源逆变装置、高压直流配电模块及储能系统的功率转换电路，有助于减小磁性元件体积并提高整体电源效率。

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型号：SCS208AGHRC-HXY 编号：C52195013

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力电子系统。其正向导通压降（VF）为1.38V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升能效并减少散热需求。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具有快速反向恢复能力和良好的热稳定性，支持高频工作模式。典型应用涵盖高效开关电源、通信设备电源单元、太阳能微型逆变器以及高密度DC-DC转换模块，适用于对系统效率和功率密度有较高要求的电路设计。

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型号：DSC04065-HXY 编号：C51896375

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高效能电力转换中表现出优异的稳定性。其正向导通压降（VF）低至1.53V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，支持高频工作，反向恢复特性优异，适用于高密度电源适配器、通信设备电源模块及可再生能源逆变系统。封装设计利于散热管理，适合对空间与效率有严格要求的紧凑型电子装置，为现代电力电子系统提供可靠的解决方案。

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型号：FFSM0465A-HXY 编号：C51896345

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的高温工作能力和快速开关特性，反向恢复时间极短，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于高效开关电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高性能DC-DC转换器中，满足对功率密度和热管理有严苛要求的应用需求。

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型号：WNSC08650T6J-HXY 编号：C51896380

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）为1.42V，有助于降低导通损耗，提升能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高温工作能力与开关速度，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于各类电力变换装置中，如开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路，可有效提升系统整体效率与功率密度。

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型号：C6D06065Q-TR-HXY 编号：C51896317

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）低至1.32V。依托碳化硅半导体材料，具备出色的热稳定性和极快的开关速度，反向恢复时间短，漏电流小。适用于高效率、高频率的电力转换场景，如通信电源、不间断电源系统、光伏逆变器中的续流与整流环节，以及高功率密度的开关电源模块，有助于降低系统功耗，提升整体能效与运行可靠性。

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型号：FFSB0665B-F085-HXY 编号：C51896365

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.36V，有效降低导通损耗，提升系统效率。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具备出色的开关性能和高温工作能力，可显著减少能量损耗并改善热管理。常用于高密度电源适配器、通信设备电源单元及可再生能源逆变系统中的整流与续流环节，适用于对能效、功率密度和长期稳定性有较高要求的电力电子设计。

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型号：C6D08065G-TR-HXY 编号：C51896353

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降低至1.38V，有效减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可显著降低开关损耗，适用于高频率、高效率的电源转换设计。典型应用场景包括高效开关电源、高密度功率变换模块及对热管理要求严苛的紧凑型电子设备。

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型号：FFSM1065B-HXY 编号：C51896366

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为10A，反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）为1.37V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的开关速度和高温工作能力，反向恢复时间极短，可显著降低开关损耗。适用于高效率电源转换电路，如功率因数校正（PFC）模块、开关模式电源（SMPS）、直流-直流变换器及逆变装置。其高耐压与低导通损耗特性有助于提升系统能效，支持紧凑型、高功率密度的电路设计需求。

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型号：S3D20065H-HXY 编号：C52195016

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的开关频率和工作温度，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变系统及储能装置中的整流与续流环节，可有效减少散热设计复杂度并提升系统可靠性。

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型号：HC6D10065E 编号：C42389272

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的最大正向电流（IF/A），并且能够承受650伏特的最高反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于在导通期间保持低能耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）维持在50微安水平，确保了高阻断性能。此外，该二极管支持高达80安培的瞬态浪涌电流（IFSM/A），增强了其应对短时电流尖峰的能力。这些特点使其成为高频开关电源和逆变技术等要求严苛应用的理想选择，适用于追求高性能与可靠性的电子设计方案。

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型号：HMSC015SDA120K 编号：C42389305

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有15安培的正向电流（IF），并在反向电压（VR）达到1200伏特时仍能保持稳定。其正向电压降（VF）仅为1.27伏特，在保证高效导电的同时，降低了能量损耗。反向漏电流（IR）在测试条件下不超过200微安，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM）最高可达100安培，适用于需要短时承受较大电流冲击的应用场合。此二极管适用于需要高速开关特性和高可靠性的电路设计中。

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型号：HSCS220KGC17 编号：C42389207

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管拥有20A的正向电流（IF/A）处理能力，以及高达1200V的反向电压（VR/V）耐受度，适用于需要高电压和稳定电流的应用场景。其正向电压降（VF/V）为1.5V，有效降低了工作时的电力损耗。反向漏电流（IR/uA）维持在200微安水平，确保了在非导通状态下的良好绝缘性能。此外，瞬态浪涌电流（IFSM/A）可达130A，表明它能够应对瞬间的电流峰值，从而保护电路免受损坏。这些特点使得该二极管非常适合应用于要求高性能和高可靠性的电子装置中。

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￥8.6785 ￥10.21

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型号：HFFSP1665A 编号：C42389199

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备卓越的电气性能，额定正向电流IF为16安培，反向重复峰值电压VR可达650伏特。其正向压降VF仅为1.3伏特，在保证高效能量转换的同时降低了热损耗。反向漏电流IR控制在100微安，确保了在高温环境下的稳定运行。该二极管的最大非重复正向浪涌电流IFSM达到128安培，展现出强大的过载能力。适用于高频开关电源、太阳能逆变器等高要求电路中，是实现系统高性能与可靠性的理想选择。

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￥8.844 ￥10.05

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型号：LGE3D10065H 编号：C23773913

封装：TO-247-2

品牌：LGE(鲁光)

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型号：HC4D12120A 编号：C45896883

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高性能应用设计，提供12A的正向电流(IF)能力和1200V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)为1.35V，在保证高效能的同时减少了能量损耗。反向漏电流(IR)低至150微安(uA)，确保了在非导通状态下的高效率。最值得注意的是，它能够承受高达130A的峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)，使其成为应对瞬时过载情况的理想选择。此款二极管适用于需要高可靠性、高速开关及高能效比的电源转换系统中。

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型号：HSTPSC5H12BTR1 编号：C42389309

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF）能力，可在大电流应用中保持高效运行，同时拥有1200V的反向击穿电压（VR），适合应用于高电压要求的场合。其正向电压降（VF）为1.4V，有助于降低能耗。反向漏电流（IR）为100微安，在非导通期间功耗极低。瞬态正向浪涌电流（IFSM）达到45A，表明它可以应对短暂的电流峰值冲击。这些特性使其成为追求低功耗与高可靠性的高频开关和其他精密电路设计的理想选择。

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￥8.9474 ￥10.78

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型号：VS3C10ET07T-M3-HXY 编号：C52195031

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换场景。典型应用包括开关模式电源、光伏逆变系统及高密度功率因数校正电路，适合对热性能和空间布局有严格要求的设计需求。

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型号：S4D10120F-HXY 编号：C51896344

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复耐压（VR）达1200V，适用于高电压应用环境。其正向导通压降为1.39V（VF），在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高温工作能力与快速开关响应，反向恢复特性理想，可减少开关损耗。典型应用涵盖高压直流电源、高效能逆变系统、不间断电源模块以及高密度开关电源设计，适用于对热性能和转换效率有较高要求的电力电子装置。

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型号：SICRF101200-HXY 编号：C51896338

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压耐受与较大电流导通的应用环境。其正向压降（VF）为1.39V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升能效并减少热耗散。依托碳化硅材料的宽禁带特性，该二极管具备快速开关能力与优异的高温稳定性。独立封装结构有利于灵活布局与高效散热，常用于高压电源转换、不间断电源系统、光伏逆变装置及高功率密度开关电源等场景，满足对效率与可靠性要求较高的电力电子设计需求。

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型号：S4D08120A-HXY 编号：C51896339

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.45V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，支持更高的工作温度与开关频率，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变模块及高压直流配电系统，有助于减小被动器件体积并优化热管理设计。

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型号：DSC06065-HXY 编号：C51896382

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中等功率电源系统。其正向压降为1.36V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备出色的反向恢复性能，支持高频开关运行，减少开关损耗与电磁干扰。可广泛用于高效AC-DC与DC-DC转换器、高密度电源模块、光伏逆变装置及不间断电源系统，满足对热稳定性与长期可靠性要求较高的设计需求。

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型号：SCS208AMC-HXY 编号：C52195024

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为8A，反向重复耐压（VR）达650V，适用于中等功率电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备极短的反向恢复时间与较低的开关损耗，支持高频工作模式。典型应用包括高效率开关电源、DC-DC转换模块、光伏逆变单元及高密度电源适配器，适合对散热性能和电路效率有较高要求的紧凑型电子设备设计。

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型号：IDL10G65C5XUMA2-HXY 编号：C51896361

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）典型值为1.37V。基于碳化硅半导体材料，具备出色的开关速度与高温稳定性，反向恢复特性优异，漏电流低。其物理特性支持高频工作环境下的高效能量转换，适用于高密度电源系统，如通信电源、大功率适配器、不间断电源（UPS）及可再生能源发电设备中的整流与防逆流电路，有助于降低系统热损耗并提升功率密度。

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型号：FFSM0865A-HXY 编号：C51896355

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定平均正向整流电流为8A，反向重复峰值电压达650V，可承受较高的电压应力。其正向导通压降为1.42V，在同类器件中表现优异，有助于减少功率损耗。采用碳化硅材料，具备出色的反向恢复特性与高温稳定性，适用于高频率、高效率的电力转换电路，如开关模式电源、不间断电源系统、光伏逆变装置及高功率密度适配器等，能够提升系统整体能效并优化热设计。

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