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UJ3D1202TS-HXY

型号：UJ3D1202TS-HXY 编号：C51896347

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备2A的正向电流（IF）和高达1200V的反向耐压（VR），在高效能应用中表现出优异的电压阻断能力。其正向导通压降（VF）低至1.36V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，支持高频开关操作，同时具备良好的热稳定性，适用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力转换场景，如开关电源、光伏逆变与高密度电源模块，能够满足复杂工况下的可靠性需求。

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SIC05120B-BP-HXY

型号：SIC05120B-BP-HXY 编号：C52194992

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备5A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高电压环境下可稳定运行。其正向导通压降（VF）为1.38V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于对效率和功率密度有较高要求的电力转换场景。典型应用包括高效电源模块、可再生能源逆变系统以及高密度开关电源，适合在高温或高电场强度条件下长期工作，为复杂电路设计提供可靠的整流解决方案。

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SICRF10650-HXY

型号：SICRF10650-HXY 编号：C52194994

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率密度的电力转换设计。其正向导通压降（VF）为1.37V，导通损耗较低，有助于提升能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性，器件可在较高结温下稳定运行，具备快速反向恢复能力和优异的开关性能，常用于高效直流-直流变换器、高频率开关电源模块及紧凑型电源系统，支持系统向小型化与高效率方向发展。

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SCS210AGC17-HXY

型号：SCS210AGC17-HXY 编号：C52194993

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中高功率电力转换应用。其正向导通压降（VF）为1.38V，在高电流工作条件下仍可保持较低的导通损耗。基于碳化硅材料，该器件具备优异的高温工作性能和极快的开关速度，反向恢复电荷小，有助于减少系统开关损耗并提升转换效率。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC电源模块、可再生能源发电中的逆变电路、高密度电源适配器以及对热管理要求较高的封闭式电子设备中的整流单元。

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VS-3C06ET07T-M3-HXY

型号：VS-3C06ET07T-M3-HXY 编号：C51896358

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，能量损耗低。该器件适用于高效率电源转换场合，如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器，能够提升系统整体能效并减少散热需求，适合对功率密度和可靠性有较高要求的电力电子设计。

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LSIC2SD065D08A-HXY

型号：LSIC2SD065D08A-HXY 编号：C52195007

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具有8A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）低至1.42V。基于碳化硅材料的优异特性，器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗，适用于高频、高效率的电力转换电路。其良好的热导性能和耐高温特性，有助于提升系统在严苛工作条件下的稳定性，常用于高性能电源模块、可再生能源逆变系统及高密度电源设计中。

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C3D08065I-HXY

型号：C3D08065I-HXY 编号：C52194981

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为8A，反向耐压650V，正向导通压降为1.38V，具备低损耗与高效率的导通特性。基于碳化硅半导体材料，器件具有优异的反向恢复性能，可显著降低开关过程中的能量损耗，支持高频工作模式。其热稳定性良好，有助于减少散热设计负担。典型应用包括高效能电源转换系统、服务器电源模块、储能系统的功率变换电路，以及对能效和功率密度有较高要求的电力电子装置。

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E3D08065G-TR-HXY

型号：E3D08065G-TR-HXY 编号：C52195008

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向压降（VF）典型值为1.42V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开关速度和高温工作能力，适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及高密度电源模块等场景，可有效改善电路的热管理表现与整体效率。

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IDL08G65C5-HXY

型号：IDL08G65C5-HXY 编号：C51896304

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率的电力转换应用。其正向压降（VF）典型值为1.42V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高频开关性能和良好的热导率，反向恢复电荷小，可减少开关过程中的能量损耗。广泛应用于高效开关电源、可再生能源发电系统的逆变模块、储能设备中的整流电路以及对能效和功率密度要求较高的电力电子装置。

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STPSC6H065DLF-HXY

型号：STPSC6H065DLF-HXY 编号：C51896362

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.32V，有助于减少导通损耗并提升系统整体能效。基于碳化硅材料的优异特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效降低开关损耗，适用于高效率电源转换设计。其稳定的电气性能和高可靠性，使其广泛用于各类高性能电力电子装置中的整流、续流及能量回馈等电路环节。

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S3D10065L-HXY

型号：S3D10065L-HXY 编号：C51896320

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.37V，有效降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具备快速开关能力、较小的反向恢复电荷及良好的热稳定性，适合在高频、高效率电源设计中应用。典型使用场景包括高效AC-DC/DC-DC转换器、不间断电源模块及高密度电源适配器等对性能与可靠性要求较高的场合。

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FFSM0665B-HXY

型号：FFSM0665B-HXY 编号：C51896312

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.32V，显著减少导通损耗，提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，器件具备优良的高温工作能力与快速恢复特性，支持高频开关运行。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC转换器、可再生能源发电系统的功率调节模块、高密度电源适配器以及不间断电源设备中的整流与反向阻断电路，适用于对效率与可靠性要求较高的电力电子设计。

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SIC0860PL8-HXY

型号：SIC0860PL8-HXY 编号：C51896314

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高频开关条件下表现出优异的导通能力与耐压性能。其正向压降（VF）低至1.42V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的特性，具备快速恢复速度和良好的热稳定性，适用于高频率、高效率的电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路，适合对功率密度和转换效率有较高要求的电子设备。

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C6D06065G-TR-HXY

型号：C6D06065G-TR-HXY 编号：C51896335

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中等功率电力转换应用。其正向导通压降（VF）低至1.36V，有效降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温稳定性与快速开关响应能力，反向恢复时间短，适用于高频工作环境。该产品可应用于高效开关电源、直流电源转换模块及对散热性能要求较高的电子设备中，独立封装设计便于集成与热管理，适合追求高功率密度与长期运行可靠性的电路架构。

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HFFSB1065A

型号：HFFSB1065A 编号：C42389260

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够承受最高650V的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在确保高效能的同时，降低了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）为50微安，在高电压环境下也能保持良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达80A，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC3D10065G 编号：C22449558

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高效率电源系统打造，具备650V高耐压特性，可承受10A大电流，加之其出色的1.3V低正向压降，极大提升了能量转化效率，是实现高效能、低温升电路设计的理想元件，适用于各种高性能电子装置。

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HWNSC051200Q

型号：HWNSC051200Q 编号：C42389286

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF/A），且能够承受最高1200V的反向电压（VR/V），适用于需要高耐压特性的电路设计。其正向电压降（VF/V）为1.4V，有助于降低能耗。在室温条件下，反向漏电流（IR/uA）不超过150微安，显示出良好的阻断性能。此外，该二极管可以承受高达46A的瞬态浪涌电流（IFSM/A），使其成为需要处理短暂高电流脉冲应用场景的理想选择。基于这些特性，它非常适合用于要求高效率和高可靠性的开关电源以及其他对电压稳定性有严格要求的领域。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH08G120C5XKSA1 编号：C42389303

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有8A的最大正向电流（IF），并在高达1200V的反向电压（VR）下保持稳定。其正向电压（VF）为1.5V，有助于减少导通时的电力损耗。在反向测试中，漏电流（IR）为250μA，展示了优异的隔离性能。此外，瞬态正向电流（IFSM）可达64A，表明其具有强大的抗短时电流冲击能力。适用于高频PWM变换器、不间断电源系统等需要高性能和可靠性的场合。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSD1065BF085 编号：C42389212

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。在其正向导通状态下的电压降（VF/V）仅为1.3伏特，有助于减少能量损耗。此外，该二极管在反向偏置条件下展示出微安级别的极低反向漏电流（IR/uA：50），表明其拥有良好的阻断性能。峰值瞬态电流（IFSM/A）可达80安培，适用于高频开关及电源整流等要求苛刻的应用中，确保了高效的电力转换与可靠的电路保护。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H065BYTR 编号：C42389308

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF），能够承载较高的电流负载，同时保持650V的反向击穿电压（VR），确保了在高压环境下的稳定性。其正向电压（VF）为1.3V，有助于减少能量损耗。反向漏电流（IR）限制在50微安，使得设备在非导通状态时几乎不消耗电能。瞬态正向浪涌电流（IFSM）高达80A，表明它可以在短时间内承受电流尖峰而不损坏。这些特性使其非常适合用于要求高效转换和可靠性的高性能电路中。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC1D06065L 编号：C41428797

封装：DFN-4(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有6A的额定电流（IF），能够承受高达650V的反向电压（VR），且其正向电压（VF）仅为1.3V，表现出优异的导电性能和低能耗特点。适用于高频开关电源设计，能够在减少能量损失的同时，提供高效的能量转换。此外，它也是构建高性能电子设备的理想选择，特别是在需要可靠快速开关特性的场合下，能有效增强电路的稳定性和响应速度。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC2H12BTR1 编号：C42389310

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有2安培的最大正向电流（IF/A）和高达1200伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保效率的同时减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过8微安，显示出良好的阻断性能。瞬态条件下，最大正向浪涌电流（IFSM/A）可达24安培，适用于需要承受瞬间大电流冲击的应用场景。

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VS3C08ET07T-M3-HXY

型号：VS3C08ET07T-M3-HXY 编号：C52195023

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.38V，在高频开关条件下可显著降低导通损耗，提升整体能效。得益于碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性，器件具备优异的高温工作稳定性与快速恢复性能。典型应用场景包括高效AC-DC/DC-DC电源模块、服务器电源系统、通信设备供电单元及可再生能源发电中的功率调节装置，适合对空间利用率和热管理有较高要求的设计。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC5H12D 编号：C42389240

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有5A的最大整流电流IF/A，并能在高达1200V的反向电压VR/V环境下可靠运行。其正向电压降VF/V仅为1.4V，表明其在导通状态下具有较低的能量损耗。反向漏电流IR/uA控制在150微安以内，展现了良好的绝缘性能。瞬态峰值电流IFSM/A为46A，适用于需要快速开关特性的电路中，可以有效提升电力转换效率，减少热量产生，适用于多种需要高性能与低功耗的电子设备中。

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HC3D20065A

型号：HC3D20065A 编号：C19723881

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具有650V高反向耐压和20A连续正向电流处理能力，其正向导通电压VF低至1.5V。专为高效能、大电流开关电源及逆变器设计，实现快速恢复与高温稳定性的理想整流解决方案。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D15120A 编号：C19723894

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具有1200V超高反向耐压及15A大电流能力，其正向导通电压VF低至1.27V。专为高效率、高频开关电源转换器和电动汽车充电系统设计，实现卓越的散热性能与超快恢复时间，适应严苛环境下的整流需求。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS210ANHR 编号：C42389213

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计用于需要高性能和高效率的场合，具备10A的正向平均电流(IF)能力，能够承受高达650V的反向电压(VR)，确保了在高压条件下的可靠运行。其正向电压(VF)仅为1.3V，有助于降低系统能耗。该二极管还具有低至50μA的反向漏电流(IR)，减少了不必要的能量损失。最大浪涌电流(IFSM)可达80A，增强了对突发大电流情况的处理能力，适合应用于各种电源转换及高效能电子设备中。

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碳化硅肖特基二极管

型号：SCS105KGC-HXY 编号：C45896869

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管拥有5A的正向电流(IF)和1200V的反向电压(VR)耐压能力，非常适合高要求的应用场景。其正向电压(VF)为1.4V，在保证性能的同时降低了能量损耗。该元件的反向漏电流(IR)低至100uA，有助于减少不必要的能耗。它还具备承受45A非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)的能力，确保在突发情况下的可靠性。这些特性使其成为电力转换设备、不间断电源系统等需要高效能与稳定性的理想选择。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC4D08120A 编号：C19723883

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具备1200V高反向耐压和8A连续正向电流处理能力，正向导通电压VF为1.5V。专为高压、高效能应用场景设计，如新能源汽车充电系统、工业电源转换器，实现卓越的高温稳定性和快速恢复整流性能。

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碳化硅肖特基二极管

型号：LGE3D15065H 编号：C51018421

封装：TO-247-2

品牌：LGE(鲁光)

商品目录碳化硅二极管；整流电流 15A；正向压降(Vf) 1.43V@15A；直流反向耐压(Vr) 650V；反向电流(Ir) 10uA@650V

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