sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220H-2L

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF/A），可承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）维持在50微安水平，体现了较好的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到23安培，意味着它可以应对瞬时电流峰值。适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要紧凑尺寸与高性能表现的应用中。

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￥2.975 ￥3.5

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型号：S3D06065E-HXY 编号：C51896246

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开关性能和热稳定性，可实现高频、高效率的整流功能。适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变系统及高可靠性储能装置中的功率因数校正和续流保护电路，能有效降低系统损耗，提升整体能效水平。

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￥2.888 ￥3.04

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型号：FFPF08S60SNTU-HXY 编号：C53468185

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，体现出较低的导通损耗。器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），具备一定的瞬态电流耐受能力。得益于碳化硅材料的特性，该二极管适用于高频、高效率的电源转换系统以及对体积和热管理有较高要求的电子设备中。

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￥5.168 ￥5.44

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型号：DSC08C065-HXY 编号：C53468055

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于高电压工作环境。其正向压降（VF）为1.38V，在导通状态下有助于降低功耗；器件可承受高达88A的非重复浪涌正向电流（IFSM），展现出良好的瞬态耐受能力。基于碳化硅材料特性，该二极管在高频开关及高温条件下仍能维持稳定电气性能，适合用于对效率和可靠性有较高要求的电源转换系统。

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￥5.46
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￥5.26

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型号：HC6D04065A 编号：C42389283

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF/A）承载能力，同时能够承受最大650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，确保了高效的能量转换效率。在反向应用中，该二极管的漏电流（IR/uA）不超过50微安，表明其具有良好的阻断性能。瞬态峰值电流（IFSM/A）为23安培，使其成为高频开关应用中的理想选择，特别适合于需要快速开关且维持低功耗操作的场合。

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型号：S3D10065I-HXY 编号：C53468123

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为10A，最大反向重复电压为650V。其正向压降为1.5V，在高频或高温条件下仍能保持较低的导通损耗；反向漏电流为60μA，展现出良好的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率、热稳定性和开关性能要求较高的电源转换系统，如高频整流、功率因数校正及紧凑型电力电子装置。

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￥5.3485 ￥5.63
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￥5.263 ￥5.54
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￥5.1775 ￥5.45

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型号：WNSC6D06650Q-HXY 编号：C53468005

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为6A，反向重复峰值电压为650V，典型正向压降为1.36V，并能承受高达66A的非重复浪涌正向电流。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作条件下表现出低导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、功率因数校正电路以及对体积和散热有严苛要求的电力电子系统。

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￥5.472 ￥5.76
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型号：VS3C04ET07T-M3-HXY 编号：C53467992

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为4A，最大反向电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.53V，可承受32A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。其基于碳化硅材料，具备快速恢复特性与低导通损耗，在高频开关环境中表现出稳定的电气性能，适用于高效率电源转换、功率因数校正以及各类需要高耐压与高可靠性的整流电路。

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￥5.491 ￥5.78
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￥5.206 ￥5.48

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型号：DSR8V600-HXY 编号：C53468179

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向重复峰值电压为650V，典型正向压降为1.38V，非重复峰值正向浪涌电流达88A。基于碳化硅材料的特性，器件具有较低的导通压降和优异的高频开关能力，在高效率电源转换系统中表现突出，适用于通信电源、服务器供电单元及高密度功率变换模块等应用场合。

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￥5.51
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型号：RJU6052TDPP-EJ#T2-HXY 编号：C53468167

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为10A，最大反向重复电压VR达650V。其正向压降VF为1.37V，在高频开关应用中可有效降低导通损耗。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于对能效和动态响应要求较高的电源转换及高频整流场景。

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型号：DSC04A065D1-13-HXY 编号：C51896302

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.4V。基于碳化硅半导体材料，具备出色的开关特性与高温工作能力，反向恢复时间极短，可显著降低开关过程中的能量损耗。其高耐压与低导通损耗特性适用于高效率电源系统，如通信设备电源、高密度适配器、光伏逆变模块及服务器级电源供应单元，在高频工作条件下仍能保持良好稳定性，有助于提升系统整体能效与功率密度。

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型号：PNE650100EJ-QJ-HXY 编号：C53468176

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）为50μA，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达80A。其低导通压降与优异的反向阻断能力，使其适用于高频开关电源、功率因数校正及各类高效电能转换系统中，在提升整体效率的同时保持良好的热稳定性。

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￥5.62
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￥5.49
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￥5.41

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型号：SCS304AHGC9-HXY 编号：C53467990

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为4A，最大反向重复电压达650V，正向压降典型值为1.53V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料特性，具备较低的导通损耗与优异的高频工作能力，适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换场合，如开关电源、功率因数校正电路及各类高频整流应用。

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￥5.6905 ￥5.99
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型号：IDL06G65C5XUMA2-HXY 编号：C53468008

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.32V，在浪涌条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。

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￥5.74
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￥5.53

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型号：STPSC406D-HXY 编号：C53468069

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为4A，最大反向重复电压达650V，正向压降典型值为1.53V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。器件基于碳化硅材料特性，具备快速恢复与低开关损耗优势，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景，如高频整流、功率因数校正及各类高密度电力电子系统。

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￥5.7475 ￥6.05
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￥5.6145 ￥5.91
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￥5.529 ￥5.82
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￥5.4435 ￥5.73

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型号：IDH06SG60CXKSA2-HXY 编号：C53468121

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.68V，非重复浪涌正向电流（IFSM）达32A。器件在高电压条件下保持稳定的开关性能，适用于高频电源转换、开关模式电源及可再生能源系统中的整流与续流路径。其碳化硅材料特性有助于降低开关损耗，提升整体能效，在紧凑型电力电子设计中展现出良好的热稳定性和可靠性。

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￥5.776 ￥6.08
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￥5.643 ￥5.94
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￥5.472 ￥5.76

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型号：DSEP6-06BS-TRL-HXY 编号：C53468023

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具有6A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压，正向导通压降典型值为1.3V，反向漏电流仅为50μA，在高电压应用中表现出低损耗特性。其非重复浪涌正向电流能力达48A，可承受短时大电流冲击。凭借碳化硅材料的物理优势，该器件在高频、高温环境下仍能维持稳定电气性能，适用于开关电源、光伏逆变器及各类高效电力转换系统中的整流与续流环节。

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￥5.89 ￥6.2
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￥3.154 ￥3.32

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型号：VS15ETH06HN3-HXY 编号：C53468169

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，具备较低的导通损耗。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率、热稳定性和动态响应要求较高的电源转换系统。其碳化硅材料特性支持高频工作，并在高结温条件下保持可靠性能，适合用于高功率密度的电力电子应用。

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￥5.9
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￥5.76
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￥5.68

有货

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型号：WNSC2D10650Q-HXY 编号：C53468107

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至60μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频、高效率要求的电源转换与整流场合。其材料特性有效降低开关损耗，提升系统响应速度与能效表现。

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￥5.9185 ￥6.23
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￥5.7855 ￥6.09
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￥5.605 ￥5.9

有货

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型号：SCS304APC9-HXY 编号：C53467991

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压，典型正向压降为1.53V，在瞬态条件下可承受高达32A的非重复浪涌正向电流。凭借碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关过程中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源系统中的整流、续流及箝位等电路功能。

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￥5.928 ￥6.24
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￥5.795 ￥6.1
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￥5.7095 ￥6.01
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￥5.6145 ￥5.91

有货

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型号：FFD04H60S-HXY 编号：C53467995

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为4A，最大反向重复峰值电压达650V，正向导通压降典型值为1.4V，具备优异的导通特性。器件可承受高达36A的非重复浪涌正向电流，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景。其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗与导通损耗，在高频运行条件下仍能保持稳定性能，适合用于各类高密度、高效率的电力电子系统中。

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￥5.9375 ￥6.25
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￥4.807 ￥5.06
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￥4.2465 ￥4.47
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有货

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型号：HFFSD0665B 编号：C42389191

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流（IF/A）和650伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏特，在大电流通过时能保持较低的能量损耗。此外，该二极管拥有微安级别的反向漏电流（IR/uA：50），表明其在阻断状态下的电流泄露极小。瞬态条件下，峰值正向浪涌电流（IFSM/A）可达48安培，适用于需要处理瞬时高电流的应用场合。此元件适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，尤其适合高频开关及电源管理领域。

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有货

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型号：RSS10065A 编号：C5371981

封装：TO-220-2

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

应用：服务器，工业电源，UPS电源，仪器仪表，大功率植物照明，太阳能逆变器，工商储能，电机驱动，充电桩，OBC，家电,医疗，远洋设备；

数据手册

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￥5.0445 ￥5.31
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￥3.6195 ￥3.81

有货

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型号：DSR10F600P-HXY 编号：C53468160

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为10A，最大反向重复电压达650V。其正向压降典型值为1.5V，在高温或高电压环境下仍能保持较低的导通损耗。反向漏电流仅为60μA，体现出优异的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换与高频整流场景。

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￥5.8995 ￥6.21
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￥5.719 ￥6.02

有货

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型号：IDH04G65C5XKSA1-HXY 编号：C53467993

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压，正向导通压降典型值为1.53V，非重复浪涌正向电流可达32A。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、开关模式电源以及对体积和能效有较高要求的电力电子系统中。

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￥6.0325 ￥6.35
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￥5.8995 ￥6.21
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￥5.8045 ￥6.11
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￥5.719 ￥6.02

有货

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型号：STPSC6C065DY-HXY 编号：C53468076

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.68V，并能承受32A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。器件利用碳化硅材料的高击穿电场和低导通损耗特性，在高频开关应用中展现出良好的动态性能与热稳定性，适用于对效率和可靠性有较高要求的电源转换场合。

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￥6.042 ￥6.36
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￥5.8995 ￥6.21
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￥5.719 ￥6.02

有货

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型号：S3D06065A-HXY 编号：C51896247

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.36V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温工作能力与极低的反向恢复电荷，可实现高速开关操作。适用于高效率开关电源、DC-AC逆变装置、DC-DC变换电路及高密度电源模块，尤其适合对热性能与能效要求较高的紧凑型电力转换系统，有助于减少能量损耗并提升系统整体响应特性与稳定性。

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￥6.042 ￥6.36
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￥4.8925 ￥5.15
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￥3.23 ￥3.4

有货

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型号：F3C08065A 编号：C784607

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

数据手册

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￥5.085 ￥5.65
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￥3.51 ￥3.9
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￥3.24 ￥3.6
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￥3.123 ￥3.47

有货

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型号：DSC04C065-HXY 编号：C51896301

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.53V。器件利用碳化硅材料特性，实现快速开关响应与高工作温度耐受能力，反向漏电流低，有助于提升系统转换效率并减少散热负担。其独立封装结构便于集成于各类高密度电源架构中，适用于对能效和功率密度要求较高的交流-直流与直流-直流转换场合，满足高频、高可靠性电力转换应用的技术需求。

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￥6.0895 ￥6.41
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￥3.4485 ￥3.63

有货

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型号：S3D08065F-HXY 编号：C52194977

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.4V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，可有效降低系统功耗并提升能量转换效率。该器件适用于高频率、高效率的电源转换应用，如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度电源模块，有助于减小外围元件尺寸并提升整体系统可靠性。

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