sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：RSS08065F 编号：C51904690

封装：TO-220F

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

OBC充电机,化成电源,医疗电源,金牌PC电源,服务器电源,TV电源,充电桩,通讯电源,谐振方案,工控

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￥3.667 ￥3.86
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￥2.9735 ￥3.13
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￥2.622 ￥2.76
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￥2.28 ￥2.4
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￥2.071 ￥2.18
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￥1.9665 ￥2.07

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型号：ASZD004065D 编号：C50199546

封装：TO-252-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=4A@Tc=160℃, Vf=1.3V@4A

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￥3.6955 ￥3.89
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￥2.945 ￥3.1
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￥2.565 ￥2.7
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￥2.1945 ￥2.31
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￥2.052 ￥2.16
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￥1.938 ￥2.04

有货

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型号：BSDH06G65E2-HXY 编号：C53468029

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.68V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温工作环境中展现出优异的稳定性和效率，适用于对开关性能和热管理要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体电路能效与响应速度。

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￥3.8 ￥4
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￥3.7145 ￥3.91
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￥3.6575 ￥3.85
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￥3.6005 ￥3.79

有货

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型号：UH10JT-E3/4W-HXY 编号：C53468175

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，在导通状态下具有较低的功耗。其反向漏电流（IR）为60μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源转换场合，尤其在对热管理与空间布局有较高要求的电力电子系统中表现突出。

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￥3.9805 ￥4.19
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￥3.8855 ￥4.09
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￥3.8285 ￥4.03
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￥3.7715 ￥3.97

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型号：VSHFA04TB60PBF-HXY 编号：C53468047

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为4A，最大反向重复电压达650V，正向导通压降典型值为1.53V，具备优异的导通性能。其非重复峰值正向浪涌电流能力为32A，可有效应对瞬态过载条件。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高温环境下保持稳定工作，适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换及电力电子系统中。

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￥3.9805 ￥4.19
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￥3.8285 ￥4.03
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￥3.7715 ￥3.97

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型号：WNSC2D04650XQ-HXY 编号：C53468048

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为4A，最大反向重复电压为650V，正向导通压降典型值为1.3V，具有较低的导通损耗。其非重复峰值正向浪涌电流能力达36A，能够有效应对短时过载情况。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作和较高结温条件下仍可维持稳定电气性能，适用于高效率电源、功率因数校正电路及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。

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￥4.028 ￥4.24
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￥3.933 ￥4.14
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￥3.876 ￥4.08
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￥3.819 ￥4.02

有货

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型号：WNSC2D06650Q-HXY 编号：C53468073

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具有6A的额定正向电流和650V的最大反向重复电压，正向导通压降典型值为1.68V，在瞬态条件下可承受高达32A的非重复峰值正向浪涌电流。凭借碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作时表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源系统中的整流、续流以及功率转换环节。

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￥4.161 ￥4.38
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￥4.066 ￥4.28
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￥3.9995 ￥4.21
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￥3.9425 ￥4.15

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型号：WNSC6D04650Q-HXY 编号：C53467936

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为4A，反向重复峰值电压为650V，正向导通压降典型值为1.3V，反向漏电流为50μA，非重复浪涌正向电流达36A。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗、高开关速度及优异的高温工作能力，适用于高频电源转换、功率因数校正以及对能效和热管理要求较高的电子系统中的整流与续流功能。

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￥4.199 ￥4.42
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￥4.104 ￥4.32
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￥4.0375 ￥4.25
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￥3.9805 ￥4.19

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型号：RHRD460S9A-HXY 编号：C53467996

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压，正向导通压降为1.4V，展现出较低的导通损耗。器件可承受高达36A的非重复浪涌正向电流，具备良好的瞬态电流耐受能力。得益于碳化硅材料的特性，其在高频开关条件下仍能维持高效运行，适用于对体积、效率及热管理有较高要求的电源转换与功率因数校正等电路中。

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￥4.408 ￥4.64
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￥3.5625 ￥3.75
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￥3.1445 ￥3.31
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￥2.736 ￥2.88
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￥2.489 ￥2.62
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￥2.356 ￥2.48

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型号：RHRD660S9A_NL-HXY 编号：C53468020

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为6A，最大反向重复电压达650V。其正向压降典型值为1.3V，在高温或高频率工作条件下仍能维持较低导通损耗。反向漏电流仅为50μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达48A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率与可靠性要求较高的电源转换场合，如高频整流、开关电源及功率因数校正等应用。

1+
￥4.55
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￥3.68
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￥3.25

有货

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型号：RHRD660S9A-F085-HXY 编号：C53468021

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）达650V。其正向压降（VF）典型值为1.3V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为50μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受48A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正电路以及各类高效电能转换系统，在高效率与高可靠性要求的场景中表现突出。

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￥4.55
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￥3.68
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￥3.25

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型号：C3D03060F-HXY 编号：C53468051

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向重复电压为650V，典型正向压降为1.4V，在瞬态条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流。基于碳化硅材料的特性，器件具备快速开关响应和较低的导通损耗，适用于高频、高效率的电源转换系统，尤其在对热性能和空间布局有较高要求的应用中表现突出。

1+
￥4.62
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￥4.52
50+
￥4.45

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型号：HC3D10065A 编号：C19723878

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具有650V高反向耐压和10A大电流处理能力，正向导通电压VF为1.5V。适用于高效能电源转换、新能源汽车及工业领域，提供低损耗、快速恢复的优质整流方案，确保在严苛条件下稳定工作。

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￥4.755 ￥6.34
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￥3.8475 ￥5.13
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￥3.3 ￥4.4
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￥2.85 ￥3.8
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￥2.58 ￥3.44
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￥2.4375 ￥3.25

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型号：FFD08S60S-F085-HXY 编号：C53468074

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向重复电压为650V，正向压降典型值低至1.3V，在瞬态条件下可承受高达64A的非重复峰值正向浪涌电流。其基于碳化硅材料的特性，在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、功率因数校正及高频整流等电路拓扑。

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￥4.82
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￥3.9
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￥3.44

有货

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型号：HNXPSC04650D6J 编号：C42389307

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向击穿电压（VR），能够在高功率密度设计中提供可靠的性能。其正向电压降（VF）仅为1.3V，在大电流工作条件下能有效降低功耗。反向漏电流（IR）控制在50微安，在非导通状态下确保了低功耗。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达36A，适用于需要承受短时电流峰值的应用环境。此二极管的特性使其成为需要高效能和稳定性的电路设计中的理想选择。

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￥4.8576 ￥5.52
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￥3.916 ￥4.45
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￥3.4408 ￥3.91
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￥2.9744 ￥3.38
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￥2.6928 ￥3.06
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￥2.5432 ￥2.89

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型号：GC3D12065A 编号：C7435070

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:110nC 总功率(Ptot):250W

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￥4.88
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￥3.93
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￥3.46
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￥2.99
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￥2.71
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￥2.56

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型号：F3C10065A 编号：C784608

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：650-伏肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。应用：开关模式电源。功率因数校正

数据手册

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￥4.896 ￥6.12
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￥3.992 ￥4.99
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￥3.536 ￥4.42
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￥3.088 ￥3.86
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￥2.824 ￥3.53
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￥2.68 ￥3.35

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型号：HIDH04G65C6XKSA1 编号：C42389299

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF），可承受高达650伏特的反向电压（VR），确保了其在高压条件下的稳定表现。该二极管的正向电压（VF）为1.3伏特，在导通状态下能够减少电力损耗。反向电流（IR）仅为50微安，体现了出色的绝缘性能。同时，它还拥有23安培的最大正向浪涌电流（IFSM），能够在短时电流峰值情况下保持可靠操作。这些特点使其成为要求严苛的电路设计中的理想选择，适用于需要高效能开关功能的多种电子设备中。

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￥4.9808 ￥5.66
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￥4.0128 ￥4.56
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￥3.5288 ￥4.01
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￥3.0448 ￥3.46
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￥2.7632 ￥3.14
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￥2.6136 ￥2.97

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型号：IDL06G65C5XUMA1-HXY 编号：C53468031

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为6A，最大反向重复峰值电压达650V，正向压降典型值为1.32V，在浪涌条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料特性，具备低导通损耗与优异的高频性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景，如开关电源、光伏逆变器及高频整流模块等，能够在高频率和高温环境下保持稳定工作特性。

1+
￥5.11
10+
￥4.99
30+
￥4.91

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型号：C3D02060E-TR-HXY 编号：C53468040

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，在浪涌条件下可承受高达64A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换场合。

1+
￥5.11
10+
￥4.14
30+
￥3.65

有货

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型号：VS8ETH06HN3-HXY 编号：C53468101

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，具备8A的额定正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），典型正向压降（VF）为1.38V，同时可承受高达88A的非重复浪涌正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下展现出较低的导通损耗与快速恢复性能，适用于高效率电源转换、开关模式电源及类似对热稳定性和动态响应有较高要求的电路拓扑中。

1+
￥5.11
10+
￥4.99
50+
￥4.91

有货

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型号：RHRP860-F085-HXY 编号：C53468093

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具有8A的额定正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）典型值为1.38V，可承受高达88A的非重复浪涌正向电流（IFSM）。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、开关模式电源及类似对体积与能效有较高要求的电子系统中。

1+
￥5.11
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￥4.99
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￥4.91

有货

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型号：FMXA-1106S-HXY 编号：C53468110

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其基于碳化硅材料特性，具备较低导通损耗与优异的高频开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。器件结构设计支持稳定运行于高电压、大电流的工作环境，同时有助于简化散热方案与提升系统整体能效。

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￥5.11
10+
￥4.99
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￥4.91

有货

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型号：VS4C06ET07T-M3-HXY 编号：C53468013

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.36V，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达66A。基于碳化硅材料的特性，器件具备快速恢复能力、较低的导通损耗以及良好的高温工作性能，适用于高效率、高频率的电源转换场合，尤其在对热管理和动态响应有较高要求的电路中表现突出。

1+
￥5.187 ￥5.46
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￥5.073 ￥5.34
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￥4.997 ￥5.26
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￥4.921 ￥5.18

有货

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型号：RF1005TF6SFHC9-HXY 编号：C53468064

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为10A，最大反向重复峰值电压为650V，正向压降典型值为1.37V。器件具备80A的非重复浪涌正向电流能力，可在瞬态高电流条件下保持可靠运行。得益于碳化硅材料的特性，其在高频开关和高温环境中展现出低损耗与高稳定性，适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换及电力电子应用。

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￥5.23
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￥5.12
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￥5.04

有货

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型号：HSTPSC4H065BTR 编号：C42389254

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF），并能承受最高650伏特的反向电压（VR），适合用于需要可靠高压保护的电路中。其正向电压（VF）为1.3伏特，在导通状态下可以减少电力损耗。反向漏电流（IR）控制在50微安，显示了良好的阻断性能。此外，该二极管还具有36安培的峰值电流能力（IFSM），能够在短时间内承受较高的电流冲击，适用于要求快速开关及高效能的电子设计中。这些特点共同保证了其在多种精密应用中的优异表现。

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￥5.2536 ￥5.97
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￥4.2328 ￥4.81
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￥3.7136 ￥4.22
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￥2.904 ￥3.3
1000+
￥2.7544 ￥3.13

有货

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型号：SIT08C065-HXY 编号：C53468061

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.38V，可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下具有较低的导通损耗和快速恢复性能，适用于高效率电源转换场合，如开关电源、功率因数校正电路及高频整流等应用。

1+
￥5.26
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￥5.14
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￥5.06

有货

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型号：STPSC606D-HXY 编号：C53468071

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为6A，最大反向重复电压为650V，典型正向压降为1.68V，在瞬态条件下可承受32A的非重复峰值正向浪涌电流。器件利用碳化硅材料的物理特性，具备快速开关响应和极低的反向恢复电荷，适用于高频整流、高效率电源转换以及对体积和热性能有较高要求的电力电子系统。

1+
￥5.2915 ￥5.57
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￥5.168 ￥5.44
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￥5.092 ￥5.36
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￥5.0065 ￥5.27

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型号：BSDH08G65E2-HXY 编号：C53468058

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向重复电压为650V，典型正向压降为1.38V。器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流，展现出良好的瞬态耐受能力。凭借碳化硅材料的固有优势，其在高频开关条件下仍能维持较低导通损耗与稳定性能，适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换及高频整流场合。

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￥5.3
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￥5.18
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￥5.1

有货

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型号：IDH04SG60CXKSA2-HXY 编号：C53468118

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压，正向导通压降典型值为1.53V，可承受高达32A的非重复浪涌正向电流。其基于碳化硅材料的物理特性，在高频工作条件下表现出优异的开关性能与热稳定性，适用于高效率电源转换系统中的整流环节，如服务器电源、通信电源及各类紧凑型开关电源拓扑，有助于降低导通与开关损耗，提升整体能效表现。

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￥5.32 ￥5.6
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￥5.206 ￥5.48
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￥5.1205 ￥5.39
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