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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSD0665B 编号：C42389191

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流（IF/A）和650伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏特，在大电流通过时能保持较低的能量损耗。此外，该二极管拥有微安级别的反向漏电流（IR/uA：50），表明其在阻断状态下的电流泄露极小。瞬态条件下，峰值正向浪涌电流（IFSM/A）可达48安培，适用于需要处理瞬时高电流的应用场合。此元件适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，尤其适合高频开关及电源管理领域。

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￥6.0168 ￥6.54
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￥4.9864 ￥5.42
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￥3.3764 ￥3.67

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DSC10C065-HXY

型号：DSC10C065-HXY 编号：C52194997

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流为10A，反向重复峰值电压达650V，适用于中高功率电源系统。其正向导通压降为1.38V，在高频开关过程中可显著降低导通损耗，提升转换效率。得益于碳化硅材料的高耐热性与高击穿场强，该器件可在较高温度环境下稳定运行，并支持更高的开关频率。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC转换器、不间断电源、储能系统中的功率因数校正电路及高压直流变换模块。

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￥6.0325 ￥6.35
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￥5.8995 ￥6.21
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￥5.8045 ￥6.11
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￥5.719 ￥6.02

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SIC0860P-BP-HXY

型号：SIC0860P-BP-HXY 编号：C52194984

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）为650V，适用于中高功率电力转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，有助于减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的开关速度和高温工作能力，可有效降低热应力，支持高频运行。典型应用包括高效开关电源、大功率DC-DC变换器、服务器电源模块以及对散热设计和空间布局有较高要求的高密度电源系统，适合追求高效率与小型化的设计需求。

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￥6.0325 ￥6.35
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￥5.8045 ￥6.11
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UJ3D06504TS-HXY

型号：UJ3D06504TS-HXY 编号：C51896333

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.53V。器件利用碳化硅材料特性，实现快速开关响应与高耐温性能，反向漏电流低，有助于提升系统转换效率并减少散热需求。其独立封装结构便于集成于各类高密度电源模块中，适用于对能效和功率密度要求较高的电力转换场景，如开关电源、光伏逆变装置及高可靠性能源系统，为复杂电路提供稳定的整流解决方案。

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WNSC021200Q-HXY

型号：WNSC021200Q-HXY 编号：C51896310

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单体器件，额定正向电流（IF）为2A，反向耐压（VR）达1200V，适用于高电压、高效率的电力转换环境。其正向导通压降（VF）低至1.36V，有助于减少能量损耗，提升系统热稳定性。凭借碳化硅材料的高击穿场强和快速恢复特性，该器件在高频开关应用中表现出优异的动态性能，适用于高压电源系统、高效整流模块、不间断电源（UPS）及可再生能源逆变装置中的功率因数校正单元，为高可靠性电力电子电路提供关键支持。

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LSIC2SD065A08A-HXY

型号：LSIC2SD065A08A-HXY 编号：C52194975

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的优异特性，具有快速开关速度和良好的高温工作能力，适用于高频率、高效率的电源转换场景。封装设计便于散热与集成，适合在紧凑型电源模块、开关模式电源及高密度功率变换系统中使用，有助于减小被动元件体积，提高功率密度。

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￥6.0325 ￥6.35
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SICB0860P-HXY

型号：SICB0860P-HXY 编号：C52194986

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）低至1.42V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的开关频率和工作温度，适用于对效率和空间布局有严格要求的电源转换场合，如高效开关电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器，能够满足复杂工况下的可靠性需求。

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￥6.0325 ￥6.35
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￥5.8995 ￥6.21
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￥5.8045 ￥6.11
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￥5.719 ￥6.02

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NXPSC066506Q-HXY

型号：NXPSC066506Q-HXY 编号：C51896349

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备6A的平均正向整流电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降为1.36V，具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料特性，器件表现出优异的高温稳定性、快速开关能力及极低的反向恢复电荷，适用于高频、高效率的电力转换应用。可广泛用于服务器电源、通信电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器中，有效提升系统能效并减小热管理设计压力。

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￥6.0325 ￥6.35
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DSC08A065FP-HXY

型号：DSC08A065FP-HXY 编号：C52194996

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降（VF）为1.4V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统能效。采用碳化硅材料，具备优异的高温工作性能和快速恢复特性，可有效减少开关过程中的能量损耗。该器件适用于高频率电源转换电路、高效能适配器及对热稳定性要求较高的电力电子装置，独立封装结构有利于热管理与电路集成，适合紧凑型电源设计需求。

1+
￥6.0325 ￥6.35
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￥5.8995 ￥6.21
50+
￥5.8045 ￥6.11
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￥5.719 ￥6.02

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IDK06G65C5XTMA2-HXY

型号：IDK06G65C5XTMA2-HXY 编号：C51896379

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压电源系统。其正向导通压降（VF）为1.36V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提升能量转换效率。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性，该二极管支持高频开关操作，具备良好的热稳定性与长期可靠性，常用于高效开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的功率因数校正及直流变换电路，有助于减小磁性元件体积并提升系统功率密度。

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￥6.0325 ￥6.35
10+
￥5.8995 ￥6.21
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￥5.8045 ￥6.11
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S3D08065L-HXY

型号：S3D08065L-HXY 编号：C51896307

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.42V。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低系统开关损耗。其封装设计有利于散热与电路集成，适用于高频率、高效率的电力转换场合，如开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等场景，有助于提升整体能效与系统可靠性。

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FFSB0665A-HXY

型号：FFSB0665A-HXY 编号：C51896332

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）可达650V，适用于中高压功率电路。其典型正向导通压降（VF）为1.36V，较传统硅器件更低，有助于降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料特性，具备快速开关响应和优异的高温工作稳定性，可有效减少能量损耗并提高电源转换效率。器件封装便于集成于紧凑型电源系统，适用于高频率直流变换、高效电源模块及对功率密度要求较高的电力电子应用场合。

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￥6.0325 ￥6.35
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￥5.8995 ￥6.21
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￥5.8045 ￥6.11
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￥5.719 ￥6.02

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LSIC2SD065A10A-HXY

型号：LSIC2SD065A10A-HXY 编号：C52194976

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向耐压（VR）达650V，适用于中高功率密度的电力转换设计。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性，具备优异的高温稳定性与快速开关响应能力，可减少反向恢复损耗，适用于高频开关电源、高效直流-直流变换器、高密度电源模块及可再生能源逆变装置等应用，满足对效率、热性能和功率密度有较高要求的电路设计需求。

1+
￥6.0325 ￥6.35
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￥5.8995 ￥6.21
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￥5.8045 ￥6.11
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￥5.719 ￥6.02

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F3C08065A

型号：F3C08065A 编号：C784607

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

数据手册

1+
￥6.057 ￥6.73
10+
￥5.085 ￥5.65
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￥4.113 ￥4.57
100+
￥3.51 ￥3.9
500+
￥3.24 ￥3.6
1000+
￥3.123 ￥3.47

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1200V/10A碳化硅肖特基二极管

型号：ASD10120C 编号：C2688445

封装：TO-247-2

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压1200V、正向电流10A、正向压降≤1.7V@10A、结温-55~175℃，零反向恢复电流，适合高温/高频运行；功能：高压整流/续流、PFC电路；应用：电机驱动器，太阳能应用，不间断电源系统，功率切换电路等

数据手册

1+
￥6.245 ￥12.49
10+
￥5.345 ￥10.69
30+
￥4.78 ￥9.56
100+
￥3.985 ￥7.97
500+
￥3.725 ￥7.45
1000+
￥3.615 ￥7.23

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSB1065B 编号：C42389234

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够承受最高650V的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过50微安。此外，该二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达80A，在高频开关电源和其他需要高效能与高可靠性的电路中，可以提供卓越的性能表现。

1+
￥6.336 ￥7.2
10+
￥6.1952 ￥7.04
30+
￥6.0984 ￥6.93
100+
￥6.0016 ￥6.82

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDK10G65C5XTMA2 编号：C42389306

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10安培的正向电流（IF）承载能力，并能承受650伏特的反向电压（VR）。其正向电压降（VF）为1.3伏特，有助于提升电路效率。反向漏电流（IR）控制在50微安以内，展现了良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM）可以达到80安培，适合应用于需要快速切换且对电流峰值有一定要求的场景中，如高性能电源转换和其他需要可靠二极管性能的技术领域。

1+
￥6.6385 ￥7.81
10+
￥6.494 ￥7.64
30+
￥6.392 ￥7.52
100+
￥6.29 ￥7.4

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10065D 编号：C42389238

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，其最大整流电流IF/A达到10A，在反向电压VR/V高达650V的情况下，正向电压降VF/V仅为1.5V，表明其能量损耗较低。反向漏电流IR/uA控制在60微安以下，显示了良好的阻断能力。瞬态峰值电流IFSM/A可达到90A，适用于高频开关及需快速响应的应用场景中，能有效提升电路效率并减少热损耗。此款二极管凭借其优异性能，适用于各种对效率与稳定性有要求的场合。

1+
￥6.669 ￥7.41
10+
￥5.535 ￥6.15
50+
￥4.905 ￥5.45
100+
￥4.194 ￥4.66
500+
￥3.879 ￥4.31
1000+
￥3.744 ￥4.16

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D10065A 编号：C42389285

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的额定正向电流（IF/A），同时支持高达650V的反向电压（VR/V），适合应用于需要高压保护的场合。其正向电压（VF/V）为1.5V，有助于减少导通时的能量损失。在反向偏置下，漏电流（IR/uA）控制在60微安以下，体现了出色的绝缘性能。瞬态峰值电流能力（IFSM/A）为90A，可有效应对突发的大电流需求。鉴于这些特性，此二极管适用于构建要求高效能及可靠性的电子设备，如高性能的开关模式电源转换器以及其他注重功率管理的设计。

1+
￥6.6704 ￥7.58
10+
￥5.5352 ￥6.29
50+
￥4.9104 ￥5.58
100+
￥4.1976 ￥4.77
500+
￥3.8808 ￥4.41
1000+
￥3.74 ￥4.25

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：KN3D06065A 编号：C5373181

封装：TO-220-2

品牌：KNSCHA(科尼盛)

碳化硅二极管 SiC SBD 管装应用于电源、工控、空调等、电动工具、储能

数据手册

1+
￥6.9065 ￥7.27
10+
￥5.7475 ￥6.05
50+
￥5.111 ￥5.38
100+
￥4.3985 ￥4.63
500+
￥4.0755 ￥4.29
1000+
￥3.933 ￥4.14

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：LGE3D15065A 编号：C27035428

封装：TO-220AC

品牌：LGE(鲁光)

特性：零反向恢复电流。零正向恢复电压。正向电压VF具有正温度系数。温度无关的开关特性。 175℃工作结温。用单极器件替代双极器件。应用：开关模式电源。功率因数校正

1+
￥6.99
10+
￥6.83
50+
￥6.72

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSD1065A 编号：C42389193

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有10安培的最大正向电流（IF/A），以及650伏特的反向重复峰值电压（VR/V），适用于要求严苛的高压应用。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有效减少导通时的功耗。二极管在反向偏置时，反向漏电流（IR/uA）为50微安，表现出良好的隔离性能。该元件还支持高达80安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），增强了在突发高电流条件下的可靠性。鉴于其高性能指标，此类二极管是构建高效能开关模式电源供应器及电源转换模块的理想选择，有助于增强系统稳定性并优化能耗。

1+
￥7.0301 ￥8.47
10+
￥6.8724 ￥8.28
30+
￥6.7645 ￥8.15
100+
￥6.5819 ￥7.93

有货

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650V 30A 碳化硅肖特基二极管

型号：BCA65S30D3 编号：C42401690

封装：TO-247-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,30A

1+
￥7.147 ￥10.21
10+
￥6.09 ￥8.7
30+
￥5.145 ￥7.35
90+
￥4.466 ￥6.38

有货

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SICR10650-HXY

型号：SICR10650-HXY 编号：C52194985

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高频开关能力和高温工作稳定性，适用于高密度电源转换设计。广泛用于高效开关电源、可再生能源逆变系统及高功率密度DC-DC转换器中，满足对热性能和电气性能要求严苛的应用场景。

1+
￥7.239 ￥7.62
10+
￥7.0775 ￥7.45
50+
￥6.973 ￥7.34
100+
￥6.859 ￥7.22

有货

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SCS306APC9-HXY

型号：SCS306APC9-HXY 编号：C51896324

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.36V，显著减小导通损耗，提升整体能效。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的反向恢复性能，支持高频开关应用，有效降低开关损耗与温升。其高热导率和稳定性使其适用于高密度、高效率的电源系统，广泛应用于通信电源、数据中心供电模块、光伏逆变单元及高性能开关电源设计中，有助于实现更紧凑的电路布局与更高的能量转换效率。

1+
￥7.239 ￥7.62
10+
￥7.0775 ￥7.45
50+
￥6.973 ￥7.34
100+
￥6.859 ￥7.22

有货

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IDH10G65C5XKSA2-HXY

型号：IDH10G65C5XKSA2-HXY 编号：C52195004

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率应用。其正向压降（VF）为1.38V，导通损耗较低，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备出色的开关性能，反向恢复时间短，可有效减少高频工作下的能量损耗。适用于高效率电源转换设计，如服务器电源、数据中心供电单元、光伏微逆系统以及对热稳定性与空间利用率要求较高的紧凑型电力电子设备。

1+
￥7.239 ￥7.62
10+
￥7.0775 ￥7.45
50+
￥6.973 ￥7.34
100+
￥6.859 ￥7.22

有货

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FFSP0465A-HXY

型号：FFSP0465A-HXY 编号：C51896357

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.53V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温稳定性与快速开关特性，反向恢复损耗极低。适用于高频率、高效率的电源转换电路，可用于开关电源、DC-DC变换器、光伏逆变模块及高密度电源适配器等应用。其性能有助于降低系统热耗散需求，提升功率密度，适合对能效和空间布局有较高要求的电力电子设计。

1+
￥7.239 ￥7.62
10+
￥7.0775 ￥7.45
50+
￥6.973 ￥7.34
100+
￥6.859 ￥7.22

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STPSC2H12D-HXY

型号：STPSC2H12D-HXY 编号：C51896313

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压应用场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.36V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。得益于碳化硅材料的特性，器件具有优异的高温稳定性与快速开关能力，反向恢复特性显著优于传统硅二极管。典型应用包括高效率开关电源、高压直流转换模块、不间断电源系统及可再生能源发电中的逆变装置，适合对功率密度和能效有较高要求的设计。

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DSC10A065-HXY

型号：DSC10A065-HXY 编号：C52195001

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.38V，表现出优异的导通性能与转换效率。其基于碳化硅材料的特性，具有快速开关速度和较低的反向恢复电荷，适用于高频率、高效率的电力转换场景。器件耐高温性能良好，有助于简化散热设计，常用于开关电源、光伏逆变系统及高压直流电源模块中，提升整体能效与系统可靠性。

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S3D20065A-HXY

型号：S3D20065A-HXY 编号：C51896363

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V。基于碳化硅材料，具有优异的高频开关特性和高温稳定性，反向恢复损耗极低，可显著提升电源系统的转换效率。适用于高功率密度的开关电源、通信电源模块、储能系统以及不间断电源设备，有助于减小磁性元件和散热组件的体积。其快速恢复能力和低导通损耗使其在高频、高效率拓扑结构中表现出良好的电气性能与可靠性。

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