sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220C-2L

该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.68V。基于碳化硅半导体材料，该二极管具有优异的耐高温性能和快速开关特性，反向恢复电荷极低，可显著降低开关损耗。适用于高频率、高效率的电力转换电路，如高性能电源适配器、服务器电源模块、可再生能源逆变装置及储能系统中的整流与续流应用。其高可靠性和紧凑设计有助于提升系统功率密度与整体能效水平。

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￥3.9995 ￥4.21
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￥3.7905 ￥3.99

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型号：SLSIC2SD065A10A 编号：C49450345

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥3.93

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型号：HFFSP0665B 编号：C42389190

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有6安培的正向电流（IF/A），耐压值为650伏特（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有效降低了能量损失。反向漏电流（IR/uA）控制在50微安，显示出优良的隔离性能。瞬态正向电流峰值（IFSM/A）为48安培，表明它可以在极端条件下保持稳定。适用于要求高效能与快速响应的电路设计，如高性能开关模式电源转换器等场合。

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￥3.9865 ￥4.69

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型号：STRS8E65F,S1Q 编号：C49450389

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥4.23
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型号：SDSC08065 编号：C49450305

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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型号：S3D06065I-HXY 编号：C51896244

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率转换环境。其正向导通压降（VF）典型值为1.36V，显著低于传统硅基二极管，可有效减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的高温工作性能和快速反向恢复能力，支持高频开关应用。常用于高效率电源模块、通信电源、可再生能源逆变系统及紧凑型适配器等对热管理与电气性能有严苛要求的电子设备中。

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型号：IDL04G65C5-HXY 编号：C51896331

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换应用。其正向导通压降（VF）为1.4V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。得益于碳化硅材料特性，器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温工作性能。常用于高效电源适配器、不间断电源系统、通信电源模块以及可再生能源发电设备中的整流与防反接电路，适合在高频、高效率拓扑结构中实现紧凑化设计与可靠运行。

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型号：HC3D04065A 编号：C22449552

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高效率应用设计，耐压650V，能承受4A稳定电流，具有超低的正向压降1.3V，确保了卓越的能量转换性能及减少功耗，适用于追求极致能效的现代电路系统。

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￥2.32 ￥2.9

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型号：HSTPSC10H065D 编号：C42389178

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）可达10安培，在反向电压（VR/V）为650伏特的情况下表现出色。该二极管在正向导通时的电压降（VF/V）仅为1.5伏特，有助于减少能量损耗。其反向漏电流（IR/uA）控制在60微安级别，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最高可承受90安培，适用于需要高可靠性和快速开关特性的场合。这些特点使得该二极管成为高性能电路设计中的理想选择。

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￥4.3741 ￥5.27

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型号：SIDK06G65C5XTMA2 编号：C49450333

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥4.71
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￥4.59
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￥4.52

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型号：E4D02120E-TR-HXY 编号：C51896348

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）可达1200V，正向压降（VF）典型值为1.36V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度，器件具备优异的耐压能力与较低的导通损耗，同时具有极短的反向恢复时间，适用于高电压、高频率的开关电源环境。典型应用包括高压电源模块、大功率DC-DC转换器、不间断电源系统及光伏逆变器中的功率整流单元，有助于提升系统能效并减少散热设计复杂度。

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￥4.8545 ￥5.11
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￥4.6645 ￥4.91
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￥4.598 ￥4.84

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型号：DSC08C065D1-13-HXY 编号：C51896318

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高电压功率转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的反向恢复性能，可显著减少开关过程中的能量损耗，支持高频工作模式。适用于高效电源适配器、不间断电源系统、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器等应用，能够在较宽温度范围内稳定运行，提升整体系统可靠性。

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型号：DSC06A065D1-13-HXY 编号：C51896316

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率的高效率电源系统。其正向压降（VF）低至1.36V，显著降低导通损耗，提升能量转换效率。基于碳化硅材料特性，器件具备快速反向恢复速度和优异的热导性能，支持高频开关操作。该二极管可在较高结温下稳定工作，适用于紧凑型电源设计。典型应用包括高效AC-DC电源适配器、DC-DC变换器、服务器电源模块及高密度功率因数校正电路等场景。

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型号：SICR6650-HXY 编号：C51896245

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中等功率电力转换应用。其正向压降（VF）为1.36V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提高系统效率。基于碳化硅材料，该二极管具有快速开关特性、低反向恢复电荷和良好的热稳定性，适合在高频率开关环境中运行。典型应用场景包括高效电源适配器、不间断电源、通信电源模块以及可再生能源发电系统中的整流与续流电路。

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型号：IDH06G65C5XKSA2-HXY 编号：C51896311

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力电子系统。其正向导通压降（VF）为1.36V，相较于传统硅器件具有更低的导通损耗，有助于提升能效。基于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的高温稳定性和快速开关能力，可有效支持高频工作条件。典型应用涵盖高效开关电源、光伏逆变单元、不间断电源模块以及高密度功率因数校正电路，适用于对系统效率与功率密度有较高要求的电力转换场合。

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型号：S3D10065G-HXY 编号：C52194989

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.51V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和较高的工作温度能力，适用于需要高效能与紧凑设计的电力转换场合。器件在高频率整流、电源适配器、光伏逆变以及储能系统中表现出良好的稳定性和低损耗特性，是现代电力电子设计中实现高效率和高可靠性的关键元件之一。

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型号：VSC04ET07T-M3-HXY 编号：C51896299

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.53V。基于碳化硅材料，具备优异的高频开关性能与较低的反向恢复电荷，可显著减少开关损耗。其耐高温特性支持在高热应力环境下稳定运行，有助于提升系统能效与功率密度。适用于高效率电源转换应用，如服务器电源、可再生能源逆变装置、储能系统中的功率变换模块以及高密度AC-DC/DC-DC转换器，适合对热管理与空间布局有较高要求的场景。

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型号：DSC06A065-HXY 编号：C51896322

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.36V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低开关损耗。器件适用于高效率电源转换场合，如大功率开关电源、光伏逆变系统、高密度DC-DC转换器及高性能电源适配器等，能够提升系统整体能效并简化散热设计。

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型号：GC3D12065A 编号：C7435070

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:110nC 总功率(Ptot):250W

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型号：HFFSP1065A 编号：C42389198

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF），能够承受高达650V的反向电压（VR），确保了在高压环境下的可靠性。其正向压降（VF）仅为1.5V，在大电流工作条件下能够有效降低能耗。反向漏电流（IR）控制在60微安级别，在非导通状态下几乎不消耗能量。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达90A，表明该二极管可以应对短时电流峰值冲击，适用于需要高效率和稳定性的电子电路中。

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￥4.9136 ￥5.92
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型号：IDH06G65C6-HXY 编号：C51896323

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.36V。得益于碳化硅半导体材料的特性，器件具备极短的反向恢复时间与极低的开关损耗，支持高频开关操作。其高温稳定性良好，可在较高结温下持续工作。适用于高效率电源转换电路，如大功率开关电源模块、光伏并网逆变装置、高密度DC-DC变换器以及高性能不间断电源系统，有助于提升整体能效并减小系统体积。

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型号：HC6D08065A 编号：C42389281

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管提供8A的正向电流能力（IF/A），并支持高达650V的反向电压（VR/V），适用于需要高耐压特性的电子设备。其正向电压降（VF/V）为1.3V，在导通期间有助于降低功耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在50微安，展示了优异的阻断特性。此外，其瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）可达64A，使其能够在短时间内承受较大的电流冲击，适用于高频开关及电源转换等精密电路设计中。

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型号：WNSC04650T6J-HXY 编号：C51896321

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高效能电力转换中表现出色。其正向导通压降（VF）低至1.4V，有助于减少导通损耗，提升系统整体效率。器件利用碳化硅材料的优异特性，支持高频工作，反向恢复时间极短，适用于高密度电源设计。典型应用场景包括开关模式电源、服务器电源单元、可再生能源逆变装置及高效率DC-DC转换器，适合对热性能和空间布局有严格要求的紧凑型电子设备。

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型号：HSTPSC4H065BTR 编号：C42389254

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF），并能承受最高650伏特的反向电压（VR），适合用于需要可靠高压保护的电路中。其正向电压（VF）为1.3伏特，在导通状态下可以减少电力损耗。反向漏电流（IR）控制在50微安，显示了良好的阻断性能。此外，该二极管还具有36安培的峰值电流能力（IFSM），能够在短时间内承受较高的电流冲击，适用于要求快速开关及高效能的电子设计中。这些特点共同保证了其在多种精密应用中的优异表现。

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型号：HFFSD0665BF085 编号：C42389210

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备6A的正向电流（IF/A）承载能力，同时支持高达650V的反向电压（VR/V），使其适用于高电压要求的电路设计。它拥有低至1.3V的正向压降（VF/V），有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）不超过50微安，表现出优秀的隔离性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最高可达48A，表明它能够处理瞬间的大电流事件。这些特性使得该元件非常适合用于需要高性能与可靠性的开关电源以及其他对效率要求较高的电子设备中。

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型号：C3D06065I-HXY 编号：C51896336

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），适用于高效率电源转换场景。其正向压降（VF）低至1.36V，在高频开关条件下仍能保持优异的导通性能，有效降低系统功耗。器件利用碳化硅材料特性，具有出色的热稳定性和开关速度，适合紧凑型电源设计。广泛用于高性能电源模块、可再生能源逆变系统及高密度功率转换装置中，满足对能效和可靠性要求较高的应用需求。

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型号：AS4D010065D 编号：C50199547

封装：TO-252-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=10A@Tc=158℃, Vf=1.27V@10A

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型号：UJ3D06508TS-HXY 编号：C52195011

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）典型值为1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效减少能量损耗与温升。适用于高效率电源转换设计，如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器等场景，满足对功率密度与热管理有较高要求的应用需求。

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型号：HFFSP0865B 编号：C42389229

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有出色的电气特性，额定正向电流IF为8安培，反向峰值电压VR高达650伏特。其正向压降VF为1.3伏特，有助于减少能耗并提高效率。反向漏电流IR低至50微安，确保在极端条件下的稳定性。最大非重复正向浪涌电流IFSM为64安培，表明该二极管拥有良好的瞬态保护能力。适用于高频开关电源、可再生能源转换系统等复杂电路中，能够有效提升系统的整体表现和可靠性。

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￥5.478 ￥6.6

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型号：DSC08C065FP-HXY 编号：C52194988

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.4V，有助于减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效降低开关损耗，适用于高效率电源转换场景。其优异的热稳定性可支持紧凑型散热设计，广泛用于服务器电源、通信设备电源单元及高密度功率变换模块中，是实现高功率密度与高可靠性设计的优选器件之一。

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