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AIDK08S65C5-HXY

型号：AIDK08S65C5-HXY 编号：C52195009

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.42V，表现出优异的导通性能与能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具有快速开关能力与较低的反向恢复电荷，适用于高频率、高效率的电力转换场景。其材料特性支持在较高结温下稳定运行，适合用于紧凑型电源设计、高效能适配器、可再生能源逆变系统及高性能直流电源模块中，有助于减小系统体积并提升整体效率。

1+
￥25.1085 ￥26.43
10+
￥21.546 ￥22.68
30+
￥19.4275 ￥20.45
100+
￥17.29 ￥18.2
500+
￥16.302 ￥17.16
800+
￥15.8555 ￥16.69

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS220AE2HR 编号：C42389215

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有20A的正向电流

1+
￥25.483 ￥29.98
10+
￥21.7855 ￥25.63
30+
￥19.584 ￥23.04
90+
￥17.3655 ￥20.43
510+
￥16.337 ￥19.22
990+
￥15.878 ￥18.68

有货

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YFWD320060PT

型号：YFWD320060PT 编号：C53403742

封装：TO-247

品牌：YFW(佑风微)

IFSM/A：29.5、VRRM/V：600、VF/V：1.58、碳化硅二极管、TO-247、最小包装量：600PCS

1+
￥26.47
10+
￥22.71
30+
￥20.48

有货

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UJ3D06520TS-HXY

型号：UJ3D06520TS-HXY 编号：C51896384

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款碳化硅二极管为独立式设计，具有20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力转换应用。其正向压降（VF）低至1.4V，可有效减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具备快速反向恢复能力和良好的热稳定性，支持高频开关操作。典型应用场景包括高效电源变换器、可再生能源发电系统中的逆变电路、储能装置的功率模块以及对能效和散热性能有较高要求的高密度电子设备，有助于实现更紧凑、高效的电路设计。

1+
￥26.904 ￥28.32
10+
￥23.085 ￥24.3
50+
￥20.8145 ￥21.91
100+
￥18.525 ￥19.5
500+
￥17.461 ￥18.38
1000+
￥16.986 ￥17.88

有货

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SCS210AGHRC-HXY

型号：SCS210AGHRC-HXY 编号：C52195002

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定平均正向整流电流为10A，反向重复峰值电压达650V，正向导通压降为1.38V，具备较低的导通损耗。得益于碳化硅材料的高耐热性与高击穿电场特性，该器件可在较高结温下稳定运行，并具有优异的反向恢复特性，显著减少开关过程中的能量损耗。适用于高效率功率转换电路，如大功率开关电源、不间断电源、储能系统及高压直流变换模块，有助于提升系统整体能效与功率密度。

1+
￥26.904 ￥28.32
10+
￥23.085 ￥24.3
50+
￥20.8145 ￥21.91
100+
￥18.525 ￥19.5
500+
￥17.461 ￥18.38
1000+
￥16.986 ￥17.88

有货

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STPSC8065DY-HXY

型号：STPSC8065DY-HXY 编号：C52194991

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通电压（VF）低至1.38V，有效降低导通损耗，提升整体能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开关速度与高温工作能力，适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及要求紧凑设计与高功率密度的电力转换场景，有助于简化散热设计并提升系统可靠性。

1+
￥26.904 ￥28.32
10+
￥23.085 ￥24.3
50+
￥20.8145 ￥21.91
100+
￥18.525 ￥19.5
500+
￥17.461 ￥18.38
1000+
￥16.986 ￥17.88

有货

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DSC10065-HXY

型号：DSC10065-HXY 编号：C52195039

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式封装，具有10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中等功率电力转换应用。其正向压降（VF）为1.38V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料特性，具备优异的高温工作性能与快速开关能力，反向恢复电荷小，可减少开关过程中的能量损耗。典型应用包括高效率开关电源、服务器电源模块、储能系统中的直流变换器以及对能效和散热设计有较高要求的紧凑型电源装置。

1+
￥26.904 ￥28.32
10+
￥23.085 ￥24.3
50+
￥20.8145 ￥21.91
100+
￥18.525 ￥19.5
500+
￥17.461 ￥18.38
1000+
￥16.986 ￥17.88

有货

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安邦碳化硅肖特基二极管 1200V 40A TO-247-3

型号：ASZD040120P2 编号：C50132437

封装：TO-247-3

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1200V,If=20/40A@Tc=157℃, Vf=1.4V@20A，共阴极

1+
￥27.0275 ￥28.45
10+
￥23.2085 ￥24.43
30+
￥20.938 ￥22.04
90+
￥18.639 ￥19.62
510+
￥17.5845 ￥18.51
990+
￥17.1 ￥18

有货

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S4D40120H-HXY

型号：S4D40120H-HXY 编号：C52195041

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）达40A，反向重复峰值电压（VR）为1200V，正向压降（VF）典型值为1.4V。采用碳化硅半导体材料，具备优异的高温工作性能和高耐压特性，反向恢复时间极短，开关损耗低。适用于高功率、高效率的电力电子系统，如大功率开关电源、高压直流配电整流单元、可再生能源逆变装置及高密度储能系统的功率转换模块，有助于提升系统能效，减少热管理复杂度，并支持高频化设计。

1+
￥28.6995 ￥30.21
10+
￥24.624 ￥25.92
30+
￥22.2015 ￥23.37
90+
￥19.7505 ￥20.79
450+
￥18.6295 ￥19.61
900+
￥18.1165 ￥19.07

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：KN3D30120H 编号：C5373186

封装：TO-247-2

品牌：KNSCHA(科尼盛)

碳化硅二极管 SiC SBD 管装应用于新能源、汽车、逆变、光伏、充电桩、储能

数据手册

1+
￥28.827 ￥32.03
10+
￥24.804 ￥27.56
30+
￥22.41 ￥24.9
90+
￥19.989 ￥22.21
510+
￥18.873 ￥20.97
990+
￥18.369 ￥20.41

有货

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FFSB3065B-F085-HXY

型号：FFSB3065B-F085-HXY 编号：C51896392

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.41V，表现出优异的导通性能与开关效率。其基于碳化硅材料的特性，支持高频工作，反向恢复时间极短，可显著降低开关损耗，提升系统整体能效。适用于高密度电源转换设计，如高效开关电源、服务器电源模块、可再生能源逆变装置及高可靠性电力传输系统，满足对热性能与功率密度有严苛要求的应用场景。

1+
￥31.939 ￥33.62
10+
￥27.5595 ￥29.01
30+
￥24.8805 ￥26.19
100+
￥22.648 ￥23.84

有货

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SICPT20120Y-BP-HXY

型号：SICPT20120Y-BP-HXY 编号：C52195036

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流为20A，反向耐压达1200V，具备较高的功率处理能力。其正向导通压降为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管支持高频、高温工作环境，反向恢复时间短，漏电流小，适用于高密度电源转换装置。典型应用场景包括高效DC-DC变换器、不间断电源、可再生能源逆变系统以及高性能整流模块等，满足对能效和可靠性要求较高的电路设计需求。

1+
￥33.535 ￥35.3
10+
￥28.937 ￥30.46
30+
￥26.125 ￥27.5
90+
￥23.7785 ￥25.03

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：SC6D40065H 编号：C49450303

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 40A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥34.85
10+
￥30.02
30+
￥27.15

有货

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UJ3D1210K2-HXY

型号：UJ3D1210K2-HXY 编号：C52195038

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为10A，反向重复峰值电压为1200V，适用于中高功率电源系统。其正向导通压降为1.47V，具备较低的导通损耗，有助于提高能效并减少热耗散。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的反向恢复性能，支持高频开关操作，同时具备良好的高温稳定性和长期可靠性。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC电源转换器、光伏逆变装置、储能系统中的功率整流与续流环节，适用于对功率密度和转换效率有较高要求的电路设计。

1+
￥35.131 ￥36.98
10+
￥30.3145 ￥31.91
30+
￥27.3695 ￥28.81
90+
￥24.909 ￥26.22

有货

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FFSH2065B-F085-HXY

型号：FFSH2065B-F085-HXY 编号：C52195029

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电源转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，可在高电流工作条件下有效降低导通损耗。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，显著减少开关过程中的能量损耗。适用于高频率、高效率的开关电源、直流变换模块及可再生能源发电系统中的整流与续流环节，尤其适合对热管理性能和功率密度要求较高的紧凑型电力电子装置。

1+
￥35.131 ￥36.98
10+
￥30.3145 ￥31.91
30+
￥27.3695 ￥28.81
90+
￥24.909 ￥26.22

有货

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SICPT40120Y-BP-HXY

型号：SICPT40120Y-BP-HXY 编号：C51896385

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备40A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换场景，如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度功率因数校正电路，有助于减小外围滤波元件体积，提高功率密度。

1+
￥43.111 ￥45.38
10+
￥37.202 ￥39.16
30+
￥33.592 ￥35.36
90+
￥30.571 ￥32.18

有货

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HC3D40065D1

型号：HC3D40065D1 编号：C22449565

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备卓越性能，工作电压高达650V，能处理连续40A电流，其优异的正向压降低至1.3V，确保了在高功率应用中的高效能与低热耗散。适用于需要高可靠性与节能需求的当代电子产品设计，是提升系统效率的理想元件。

1+
￥49.468 ￥59.6
10+
￥42.5126 ￥51.22
25+
￥38.263 ￥46.1
100+
￥34.7106 ￥41.82

有货

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LSIC2SD170B10-HXY

型号：LSIC2SD170B10-HXY 编号：C51896359

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1700V，正向导通压降（VF）为1.5V。基于碳化硅半导体材料，具备出色的耐高压能力、高温工作稳定性及极短的反向恢复时间，可有效降低开关过程中的能量损耗。适用于高电压、高效率的电力转换系统，如大功率开关电源、高压直流变换器、太阳能逆变单元及储能系统的功率级电路。其优异的动态性能有助于提升系统整体能效，简化热管理设计，满足对可靠性和功率密度要求较高的应用需求。

1+
￥54.2925 ￥57.15
10+
￥46.8445 ￥49.31
30+
￥42.3035 ￥44.53
90+
￥38.494 ￥40.52

有货

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FFSH20120A-F085-HXY

型号：FFSH20120A-F085-HXY 编号：C52195043

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为20A，反向重复耐压（VR）达1200V，具备较高的电压阻断能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在高频率工作条件下可有效降低导通损耗。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，该器件具有优异的反向恢复性能和热稳定性，适用于高效率直流变换、高压电源模块及可再生能源发电系统中的整流与防逆流应用，能够在高温、高电场环境下保持可靠运行，满足对功率密度和能效要求较高的电路设计需求。

1+
￥55.8885 ￥58.83
10+
￥48.222 ￥50.76
30+
￥43.548 ￥45.84
90+
￥39.6245 ￥41.71

有货

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HC4D50120H

型号：HC4D50120H 编号：C41428793

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管具备50A的额定电流（IF），可承受最高1200伏特的反向电压（VR），适用于要求严苛的高功率密度转换场合。其正向电压（VF）仅为1.4伏特，有效降低了导通时的功耗，提升了整体效率。利用碳化硅出色的电气特性，该二极管能够在极端环境下保持可靠的操作性能，适合用于需要卓越热稳定性和快速开关特性的电路设计方案中。

1+
￥63.6735 ￥74.91
10+
￥60.6645 ￥71.37
30+
￥55.454 ￥65.24
90+
￥50.9065 ￥59.89

有货

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SiC肖特基势垒二极管

型号：SCS240AE2GC11 编号：C3757629

封装：TO-247N

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低正向电压。可忽略的恢复时间/电流。与温度无关的开关特性。应用：开关电源。不间断电源

1+
￥77.29
10+
￥76.13
30+
￥74.11

有货

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HC6D25170H

型号：HC6D25170H 编号：C42389279

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有25A的最大连续正向电流（IF/A），能够承受高达1700V的反向电压（VR/V），保证了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.4V，在大电流工作条件下能够有效降低能耗。在反向偏压下，其漏电流（IR/uA）控制在200微安以下，显示出了良好的阻断性能。瞬态条件下，此二极管可处理高达225A的正向浪涌电流（IFSM/A），增强了其应对瞬时过载的能力。这些特性使得该元件适用于要求苛刻的电路设计中，如高性能电源转换及高频开关电路等场景。

1+
￥80.8945 ￥95.17
10+
￥77.3415 ￥90.99
30+
￥71.1875 ￥83.75
90+
￥65.8155 ￥77.43

有货

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五件套，一个模块配4PCS螺丝 SIC JBS MOUDLE 1200V120A

型号：S1P12A120DDE 编号：C42456096

封装：SOT-227

品牌：SICHAIN(清纯)

SIC JBS MOUDLE 1200V120A

1+
￥107.9
10+
￥102.8
30+
￥93.96

有货

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DCG160X650NA-HXY

型号：DCG160X650NA-HXY 编号：C53133701

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管额定正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA。器件具备600A的非重复浪涌正向电流能力（IFSM），可在高电流瞬态条件下保持可靠运行。其低导通损耗与优异的高频特性，使其适用于对效率和热性能要求严苛的电源转换及高功率密度应用场景。

1+
￥237.7945 ￥250.31
26+
￥226.404 ￥238.32

有货

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5件套 SiC肖特基功率模块，VRRM 1200V，IFAV 2X90A

型号：MB180DU12FJ 编号：C22468367

封装：SOT-227

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：碳化硅肖特基二极管。零反向恢复。零正向恢复。与温度无关的开关特性。正向电压（VF）正温度系数。极低的杂散电感。应用：焊接设备。不间断电源（UPS）

1+
￥525.5
30+
￥502.54

有货

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安邦碳化硅肖特基二极管 650V 8A TO-220-2

型号：ASZD008065A 编号：C50132433

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=8A@Tc=160℃,Vf=1.3V@8A

1+
￥1.8525 ￥1.95
10+
￥1.8145 ￥1.91
50+
￥1.786 ￥1.88
100+
￥1.7575 ￥1.85

有货

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SIC SBD

型号：SP07D065CTR 编号：C54102153

封装：TO-220-2L

品牌：Siliup(矽普)

碳化硅二极管产品，耐压：650V，电流：7A，Vf：1.38V@7A， Qc：32nC

1+
￥2.34
10+
￥2.28
50+
￥2.25
100+
￥2.21

有货

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安邦碳化硅肖特基二极管 650V 10A TO-220-2

型号：ASZD010065A 编号：C50132434

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=10A@Tc=158℃,Vf=1.3V@10A

1+
￥2.3465 ￥2.47
10+
￥2.299 ￥2.42
50+
￥2.261 ￥2.38
100+
￥2.2325 ￥2.35

有货

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FFPF04H60STU-HXY

型号：FFPF04H60STU-HXY 编号：C53468115

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为4A，反向重复峰值电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.3V，并能承受高达36A的非重复浪涌正向电流（IFSM）。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、开关电源及对体积与散热有较高要求的电力电子系统。其快速恢复能力有助于减少开关过程中的能量损耗，提升整体电路性能。

1+
￥2.489 ￥2.62
10+
￥2.432 ￥2.56
50+
￥2.394 ￥2.52
100+
￥2.356 ￥2.48

有货

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安邦碳化硅肖特基二极管 650V 6A TO-220-2

型号：ASZD006065A 编号：C50132440

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=6A@Tc=162℃, Vf=1.3V@6A

1+
￥3.4865 ￥3.67
10+
￥2.831 ￥2.98
50+
￥2.4985 ￥2.63
100+
￥2.1755 ￥2.29
500+
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