sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-247-3L

这款碳化硅二极管提供稳定的电气性能，其连续正向电流（IF/A）可达20A，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V）。正向电压降（VF/V）为1.5V，有助于降低能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在250微安，确保在高压环境下工作时的可靠性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为71A，适用于需要高耐压和大电流的应用场景，如高性能开关模式电源设计，能够显著提升系统的响应速度和效率。

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￥60.51
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￥52.21
30+
￥47.14

有货

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型号：HC4D50120H 编号：C41428793

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管具备50A的额定电流（IF），可承受最高1200伏特的反向电压（VR），适用于要求严苛的高功率密度转换场合。其正向电压（VF）仅为1.4伏特，有效降低了导通时的功耗，提升了整体效率。利用碳化硅出色的电气特性，该二极管能够在极端环境下保持可靠的操作性能，适合用于需要卓越热稳定性和快速开关特性的电路设计方案中。

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￥63.6735 ￥74.91
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￥60.6645 ￥71.37
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￥55.454 ￥65.24
90+
￥50.9065 ￥59.89

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型号：SCS240AE2GC11 编号：C3757629

封装：TO-247N

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低正向电压。可忽略的恢复时间/电流。与温度无关的开关特性。应用：开关电源。不间断电源

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￥102.98
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￥98.34
30+
￥90.3

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型号：GD2X30MPS06N 编号：C25647400

封装：SOT-227

品牌：Navitas(纳微)

特性：第四代薄芯片技术，实现低正向电压。卓越的电源效率。出色的品质因数QC/IF。增强的浪涌电流耐受性。低热阻。与温度无关的快速开关。应用：功率因数校正（PFC）。电动汽车和电池充电器

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￥190.15
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￥184

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型号：DCG160X650NA-HXY 编号：C53133701

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管额定正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA。器件具备600A的非重复浪涌正向电流能力（IFSM），可在高电流瞬态条件下保持可靠运行。其低导通损耗与优异的高频特性，使其适用于对效率和热性能要求严苛的电源转换及高功率密度应用场景。

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￥246
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￥238.32

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型号：MB200DU12FJ 编号：C22468369

封装：SOT-227

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：碳化硅肖特基二极管。零反向恢复。零正向恢复。与温度无关的开关特性。 VF正温度系数。极低的杂散电感。应用：焊接设备。不间断电源（UPS）

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￥518.01
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￥495.85

有货

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型号：MB180DU12FJ 编号：C22468367

封装：SOT-227

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：碳化硅肖特基二极管。零反向恢复。零正向恢复。与温度无关的开关特性。正向电压（VF）正温度系数。极低的杂散电感。应用：焊接设备。不间断电源（UPS）

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￥536.51
30+
￥513.56

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型号：ASZD010065A 编号：C50132434

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=10A@Tc=158℃,Vf=1.3V@10A

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￥2.3465 ￥2.47
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￥2.299 ￥2.42
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￥2.261 ￥2.38
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￥2.2325 ￥2.35

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型号：BCD120S02D3 编号：C47715874

封装：Dpak

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

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￥2.43
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￥1.93
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￥1.71
500+
￥1.44

有货

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型号：HIDH04G65C6XKSA1 编号：C42389299

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF），可承受高达650伏特的反向电压（VR），确保了其在高压条件下的稳定表现。该二极管的正向电压（VF）为1.3伏特，在导通状态下能够减少电力损耗。反向电流（IR）仅为50微安，体现了出色的绝缘性能。同时，它还拥有23安培的最大正向浪涌电流（IFSM），能够在短时电流峰值情况下保持可靠操作。这些特点使其成为要求严苛的电路设计中的理想选择，适用于需要高效能开关功能的多种电子设备中。

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￥2.8776 ￥3.27
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￥2.816 ￥3.2
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￥2.772 ￥3.15
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￥2.728 ￥3.1

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型号：S3D06065E-HXY 编号：C51896246

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开关性能和热稳定性，可实现高频、高效率的整流功能。适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变系统及高可靠性储能装置中的功率因数校正和续流保护电路，能有效降低系统损耗，提升整体能效水平。

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￥3.0495 ￥3.21
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￥2.983 ￥3.14
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￥2.9355 ￥3.09
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￥2.888 ￥3.04

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型号：DSC04A065D1-13-HXY 编号：C51896302

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.4V。基于碳化硅半导体材料，具备出色的开关特性与高温工作能力，反向恢复时间极短，可显著降低开关过程中的能量损耗。其高耐压与低导通损耗特性适用于高效率电源系统，如通信设备电源、高密度适配器、光伏逆变模块及服务器级电源供应单元，在高频工作条件下仍能保持良好稳定性，有助于提升系统整体能效与功率密度。

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￥3.173 ￥3.34
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￥3.097 ￥3.26
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￥3.0495 ￥3.21
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￥3.002 ￥3.16

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型号：HTRS4E65FS1Q 编号：C42389189

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF/A），可承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）维持在50微安水平，体现了较好的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到23安培，意味着它可以应对瞬时电流峰值。适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要紧凑尺寸与高性能表现的应用中。

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￥3.2895 ￥3.87
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￥3.213 ￥3.78
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￥3.162 ￥3.72
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￥3.1195 ￥3.67

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型号：S3D06065A-HXY 编号：C51896247

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.36V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温工作能力与极低的反向恢复电荷，可实现高速开关操作。适用于高效率开关电源、DC-AC逆变装置、DC-DC变换电路及高密度电源模块，尤其适合对热性能与能效要求较高的紧凑型电力转换系统，有助于减少能量损耗并提升系统整体响应特性与稳定性。

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￥3.4105 ￥3.59
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￥3.3345 ￥3.51
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￥3.287 ￥3.46
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￥3.23 ￥3.4

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型号：ASZD006065A 编号：C50132440

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=6A@Tc=162℃, Vf=1.3V@6A

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￥3.4865 ￥3.67
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￥2.831 ￥2.98
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￥2.4985 ￥2.63
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￥2.1755 ￥2.29
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￥1.976 ￥2.08
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￥1.881 ￥1.98

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型号：DSC04C065D1-13-HXY 编号：C51896300

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复耐压（VR）达650V，具备良好的电压承受能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料特性，该二极管表现出优异的高温稳定性与快速开关性能，反向恢复电荷极小，有助于减少系统开关损耗。适用于高效率开关电源、直流变换模块、光伏逆变单元及高功率密度电源系统，适合对热管理与能效要求较高的应用场景。

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￥3.534 ￥3.72
10+
￥3.458 ￥3.64
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￥3.401 ￥3.58
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￥3.344 ￥3.52

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型号：LGE3D10065AF 编号：C51018420

封装：ITO-220AC

品牌：LGE(鲁光)

商品目录碳化硅二极管；二极管配置独立式；整流电流 10A；正向压降(Vf) 1.7V；直流反向耐压(Vr) 650V；反向电流(Ir) 18uA

1+
￥3.59
10+
￥3.51
50+
￥3.46

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型号：DSC04C065-HXY 编号：C51896301

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.53V。器件利用碳化硅材料特性，实现快速开关响应与高工作温度耐受能力，反向漏电流低，有助于提升系统转换效率并减少散热负担。其独立封装结构便于集成于各类高密度电源架构中，适用于对能效和功率密度要求较高的交流-直流与直流-直流转换场合，满足高频、高可靠性电力转换应用的技术需求。

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￥3.6385 ￥3.83
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￥3.553 ￥3.74
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￥3.5055 ￥3.69
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￥3.4485 ￥3.63

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型号：S3D08065F-HXY 编号：C52194977

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.4V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，可有效降低系统功耗并提升能量转换效率。该器件适用于高频率、高效率的电源转换应用，如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度电源模块，有助于减小外围元件尺寸并提升整体系统可靠性。

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￥3.6385 ￥3.83
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￥3.553 ￥3.74
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￥3.5055 ￥3.69
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￥3.4485 ￥3.63

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型号：ASZD010120D 编号：C50199550

封装：TO-252-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=10A@Tc=157℃, Vf=1.4V@10A

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￥3.6955 ￥3.89
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￥3.61 ￥3.8
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￥3.5625 ￥3.75
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￥3.5055 ￥3.69

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型号：BCM65S10D3 编号：C46538041

封装：TO-252NC

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,10A

1+
￥3.7
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￥3
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￥2.65
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￥2.3

有货

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型号：BCF65S10D3 编号：C46472736

封装：TO-220F-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,10A

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￥3.744 ￥4.68
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￥3.032 ￥3.79
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￥2.68 ￥3.35
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￥2.328 ￥2.91

有货

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型号：ASZD004065D 编号：C50199546

封装：TO-252-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=4A@Tc=160℃, Vf=1.3V@4A

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￥3.7715 ￥3.97
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￥3.021 ￥3.18
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￥2.641 ￥2.78
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￥2.2705 ￥2.39
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￥2.128 ￥2.24
1000+
￥2.014 ￥2.12

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型号：HSTPSC6H065D 编号：C42389224

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6A的正向电流（IF），并且能够承受650V的最大反向电压（VR），适合用于需要耐受较高电压的应用中。其正向电压（VF）为1.3V，有助于在导通状态下减少能量损失。反向漏电流（IR）限制在50微安，体现了良好的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）为48A，使其可以在短时间内应对电流峰值。该二极管适用于追求高效能与可靠性的电路设计。

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￥3.8016 ￥4.32
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￥3.7136 ￥4.22
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￥3.652 ￥4.15
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￥3.5992 ￥4.09

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型号：HC6D06065A 编号：C42389282

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的平均正向电流（IF/A），能够承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏特，在反向偏压下，漏电流（IR/uA）控制在50微安。此二极管瞬态电流能力（IFSM/A）可达48安培，适用于高频开关电源及需要高效能转换的应用中，能够在高功率密度要求下保持低能耗特性。

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￥3.8456 ￥4.18
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￥3.7628 ￥4.09
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￥3.6984 ￥4.02
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￥3.6432 ￥3.96

有货

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型号：DSC06C065-HXY 编号：C51896305

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.68V。基于碳化硅半导体材料，该二极管具有优异的耐高温性能和快速开关特性，反向恢复电荷极低，可显著降低开关损耗。适用于高频率、高效率的电力转换电路，如高性能电源适配器、服务器电源模块、可再生能源逆变装置及储能系统中的整流与续流应用。其高可靠性和紧凑设计有助于提升系统功率密度与整体能效水平。

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￥3.9995 ￥4.21
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￥3.914 ￥4.12
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￥3.857 ￥4.06
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￥3.7905 ￥3.99

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型号：SLSIC2SD065A10A 编号：C49450345

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥4.1
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￥4
50+
￥3.93

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型号：HFFSP0665B 编号：C42389190

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有6安培的正向电流（IF/A），耐压值为650伏特（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有效降低了能量损失。反向漏电流（IR/uA）控制在50微安，显示出优良的隔离性能。瞬态正向电流峰值（IFSM/A）为48安培，表明它可以在极端条件下保持稳定。适用于要求高效能与快速响应的电路设计，如高性能开关模式电源转换器等场合。

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￥4.2075 ￥4.95
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￥4.114 ￥4.84
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￥4.0545 ￥4.77
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￥3.9865 ￥4.69

有货

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型号：STRS8E65F,S1Q 编号：C49450389

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥4.23
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￥4.13
50+
￥4.06

有货

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型号：SDSC08065 编号：C49450305

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥4.23
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￥4.13
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