sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SFFSH15120ADN-F155 编号：C49450311

封装：TO-247-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥17.97
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￥15.29
30+
￥13.69

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型号：LGE3D20120H 编号：C5358474

封装：TO-247-2L

品牌：LGE(鲁光)

该产品系列提供了先进的性能，专为需要高效率和高可靠性的高频应用而设计。

数据手册

1+
￥18.27
10+
￥15.59

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型号：SWNSC201200WQ 编号：C49450395

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥18.37
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￥15.69
30+
￥14.09

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型号：SNVDSH20120C 编号：C49450351

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥18.37
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￥15.69
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￥14.09

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型号：SPCDH20120G1 编号：C49450357

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥18.37
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￥15.69
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￥14.09

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型号：FFSPF1065A-HXY 编号：C45896868

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高效能应用设计，提供10A的正向电流(IF)能力和650V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)低至1.3V，有助于减少能量损耗，提高效率。该元件在非导通状态下的反向漏电流(IR)仅为50uA，保证了低功耗操作。此外，它还能承受高达80A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，增强了设备应对瞬时过载的能力。此二极管适用于需要高效率和稳定性的电力电子系统中，如电源转换器和再生能源系统。

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￥18.693 ￥20.77
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￥16.038 ￥17.82
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￥12.132 ￥13.48
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￥11.799 ￥13.11

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型号：LGE3D20120D 编号：C22650683

封装：TO-247-3

品牌：LGE(鲁光)

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￥19.1
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￥16.24
30+
￥14.45

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型号：LGE3D20065D 编号：C26677107

封装：TO-247-3

品牌：LGE(鲁光)

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￥19.1
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￥16.24
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￥14.45

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型号：IDT10S60C-HXY 编号：C53468131

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）仅为60μA，表现出优异的导通效率与关断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）能力达90A，可在高频率开关环境中稳定运行。得益于碳化硅材料的物理特性，该器件在高温及高电压条件下仍能维持较低损耗，适用于高频电源、可再生能源转换系统以及对能效和热管理有较高要求的电子装置中的整流与续流功能。

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￥19.1425 ￥20.15
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￥18.696 ￥19.68
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￥18.411 ￥19.38
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￥18.1165 ￥19.07

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型号：HIDW10G120C5B 编号：C42389314

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够在高达1200伏特的反向电压（VR/V）下稳定工作。其较低的正向电压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保效率的同时减少了能量损耗。该二极管在反向偏置条件下展示出良好的绝缘性能，漏电流（IR/uA）不超过150微安。此外，瞬态条件下，最大正向浪涌电流（IFSM/A）可达46安培，表明了其在承受短时过载电流方面的能力。这些特性使得此元件适用于需要高效率及可靠性的多种电路设计中。

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￥19.36 ￥22
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￥16.5528 ￥18.81
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￥14.8808 ￥16.91
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￥13.1912 ￥14.99
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￥12.4168 ￥14.11
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￥12.0648 ￥13.71

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型号：RSS20120K 编号：C7465282

封装：TO-247-3L

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

应用：车载OBC，PHEV/EV充电桩，电信级电源、服务器电源,大功率工业电源，电机驱动器,UPS电源,太阳能/风能逆变器，家电,医疗，远洋设备，电网，机器人，新能源汽车，动车

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￥19.475 ￥20.5
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￥17.024 ￥17.92
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￥15.5705 ￥16.39
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￥14.1075 ￥14.85
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￥13.4235 ￥14.13
900+
￥13.1195 ￥13.81

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型号：SCS315AHGC9-HXY 编号：C53468186

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，在浪涌条件下可承受高达100A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于对效率和响应速度要求较高的电源转换与功率控制场景。

1+
￥19.52
10+
￥19.07
50+
￥18.77

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型号：NXPSC08650X6Q-HXY 编号：C52195003

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）低至1.4V。采用碳化硅材料，使其具有优异的高频开关特性与高温工作能力。该器件适用于高功率密度的电源系统，如高效开关电源、直流-直流变换器及功率因数校正电路。其低导通损耗和快速反向恢复特性有助于提升系统能效，减少散热需求。在持续高负载与高温环境下仍能保持稳定性能，适合对热管理和效率要求较高的应用场合。

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￥19.7315 ￥20.77
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￥16.929 ￥17.82
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￥15.2665 ￥16.07
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￥13.585 ￥14.3
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￥12.806 ￥13.48
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￥12.4545 ￥13.11

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型号：STPSC6H065BY-TR 编号：C2970494

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

汽车用650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

数据手册

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￥19.76
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￥16.89
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￥15.19

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型号：HSTPSC20065W 编号：C42389195

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为650V碳化硅二极管，采用高性能碳化硅材料制成，具备优异的热稳定性和导电效率。其额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）可达650V，适用于高频率、高效率的功率转换场景。在实际工作中，该器件展现出低正向压降（VF=1.35V）和极低的反向漏电流（IR=10μA），有效降低能量损耗并提升系统整体能效。同时，其非重复性峰值浪涌电流（IFSM）可承受高达150A，增强了对异常工况的适应能力，适合用于电源适配器、充电设备及高效能电力电子装置中。

1+
￥20.3192 ￥23.09
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￥17.3712 ￥19.74
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￥15.62 ￥17.75
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￥13.8424 ￥15.73
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￥13.0328 ￥14.81
990+
￥12.6632 ￥14.39

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型号：IDH10S60CAKSA1-HXY 编号：C53468116

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为10A，最大反向重复电压达650V。其正向压降典型值为1.5V，在高温或高频率工作条件下仍能保持较低导通损耗。反向漏电流仅为60μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场景，如高频整流、开关电源及功率因数校正等应用。

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￥20.691 ￥21.78
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￥20.216 ￥21.28
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￥19.9025 ￥20.95
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￥19.589 ￥20.62

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型号：HNXPSC20650W6Q 编号：C42389277

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有20A的最大平均正向电流（IF/A），适用于要求严苛的电流处理需求。其额定反向电压（VR/V）为650V，确保了在高压环境下的可靠性。正向电压降（VF/V）为1.3V，有助于减少导通损耗，提高整体效率。反向漏电流（IR/uA）控制在40微安水平，表明其拥有良好的绝缘性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达到150A，使其成为高频切换及需耐受瞬间大电流场合的理想选择，适用于追求高效能与稳定性的电子设计中。

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￥20.774 ￥24.44
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￥17.9435 ￥21.11
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￥16.269 ￥19.14
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￥13.787 ￥16.22
990+
￥13.43 ￥15.8

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型号：HSTPSC20065DY 编号：C42389230

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备高效能特性，其正向平均电流IF为20A，反向耐压VR达到650V，确保在高电压环境下稳定工作。正向电压降VF仅为1.5V，有助于降低功耗和提高系统效率。此外，该二极管的反向漏电流IR控制在100μA以内，非重复峰值浪涌电流IFSM高达123A，增强了过载保护能力。适用于要求严苛、需要高性能半导体解决方案的多种场景。

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￥21.2168 ￥24.11
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￥18.1368 ￥20.61
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￥16.3064 ￥18.53
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￥14.4584 ￥16.43
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￥13.6048 ￥15.46
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￥13.2176 ￥15.02

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型号：SICR101200-HXY 编号：C51896368

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压与大电流工作环境。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，在同类器件中表现优异，有助于减少导通损耗，提升系统转换效率。依托碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性，该器件具备快速开关能力、低反向恢复电荷及出色的高温工作稳定性。典型应用包括高压电源模块、大功率开关电源、可再生能源逆变系统以及对功率密度和能效要求较高的电力转换装置。

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￥21.527 ￥22.66
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￥18.468 ￥19.44
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￥16.6535 ￥17.53
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￥14.82 ￥15.6
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￥13.585 ￥14.3

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型号：SCS206AGHRC-HXY 编号：C51896390

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，能量损耗低。该器件适用于高效率电源转换场景，如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流变换器，能够在高频条件下稳定运行，有助于减小系统中磁性元件和散热组件的体积，提升整体功率密度，是现代高功率密度电源设计中的关键元件。

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￥21.527 ￥22.66
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￥13.585 ￥14.3

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型号：SCS215AGHRC-HXY 编号：C53468106

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，具备优异的导通特性。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗，提升了系统整体能效，在电源转换、高频整流等应用中展现出良好的动态响应与可靠性。

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￥21.527 ￥22.66
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￥21.033 ￥22.14
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￥20.71 ￥21.8
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￥20.3775 ￥21.45

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型号：LFUSCD10065A-HXY 编号：C53468113

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA，非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A。其低漏电流与较高浪涌能力相结合，适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效电能转换系统，在保障可靠运行的同时有助于降低导通损耗与热管理复杂度。

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￥21.527 ￥22.66
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￥21.033 ￥22.14
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￥20.3775 ￥21.45

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型号：BSDH10G120E2-HXY 编号：C51896370

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）低至1.39V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的特性，支持高频开关操作，同时降低反向恢复电荷，适用于对效率和热管理有严苛要求的电源转换场合，如高密度开关电源、太阳能逆变系统及高压直流转换模块，能够有效简化散热设计并提升系统可靠性。

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￥18.468 ￥19.44
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型号：FFSD08120A-HXY 编号：C51896367

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.45V。器件利用碳化硅材料特性，实现高频、高效率的整流性能，反向恢复时间极短，漏电流低，适用于高开关频率的电源转换场景。其高耐压与高电流承载能力，结合优异的热稳定性，适合用于紧凑型电源模块、高密度开关电源及需要高效能功率管理的电路设计中，有助于提升系统整体能效并减少散热需求。

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型号：FFSM1065A-HXY 编号：C51896376

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的最高反向重复峰值电压（VR），在额定工作条件下正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具备优异的热稳定性和高电场强度特性，显著减少反向恢复电荷与开关损耗。适用于高效率电源系统，如高功率密度AC-DC与DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、储能系统及高性能服务器电源模块，有助于提升系统能效、缩小被动元件体积，并增强高频工作下的可靠性。

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￥13.585 ￥14.3

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型号：HC3D10120G 编号：C22449569

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款1200V碳化硅二极管，电流承载能力达10A，正向压降仅为1.4V，集高电压、大电流与低损耗特性于一身。它适合于高要求的电源转换与管理领域，能显著提升系统效率和长期运行的稳定性，是现代高效电子系统的关键组件。

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￥22.6922 ￥27.34
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￥19.3971 ￥23.37
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￥14.5499 ￥17.53
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￥14.1349 ￥17.03

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型号：NXPSC10650X6Q-HXY 编号：C52195018

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。得益于碳化硅材料的特性，该二极管具有优异的高温工作能力与快速开关性能，反向恢复电荷极低。主要应用于高效开关电源、高密度DC-DC转换器、太阳能逆变装置及高性能电源适配器中，支持高频运行，可减小磁性元件和电容的尺寸，提升整体能效与功率密度。

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￥14.725 ￥15.5

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型号：DSC08065FP-HXY 编号：C52195037

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复耐压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换场合。其正向导通压降（VF）低至1.4V，有助于减少导通期间的能量损耗，提高系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率和高击穿电场特性，器件具备良好的高温稳定性和快速恢复能力，可支持高频开关操作。常用于高效开关电源、不间断电源模块、可再生能源发电系统的直流变换环节，以及对能效和热管理有较高要求的紧凑型功率电子设备中。

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￥14.725 ￥15.5

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型号：UJ3D1205TS-HXY 编号：C52195022

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备5A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压应用场景。其正向压降（VF）典型值为1.38V，在同类器件中表现优异，有助于减少导通损耗，提高能效。碳化硅材料赋予其出色的开关特性与高温稳定性，支持高频、高效率的电力转换需求。独立封装结构有利于热管理与电路布局，常用于高电压电源系统中的整流、升压及反向隔离等环节，适用于对功率密度和系统可靠性有较高要求的电子设备。

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￥14.725 ￥15.5

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型号：C3D10065I-HXY 编号：C52195040

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率转换电路。其正向导通压降为1.38V，在高频工作条件下可显著降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的高耐热性与快速恢复特性，该器件可在高温、高频率环境中稳定运行，广泛用于高效开关电源、可再生能源逆变装置、储能系统及高功率密度电源模块中，满足对热性能和电气性能要求较高的应用场景。

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