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PSC0665KQ-HXY

型号：PSC0665KQ-HXY 编号：C53468109

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）为1.68V，非重复浪涌正向电流（IFSM）为32A。器件在高频工作条件下展现出较低的导通损耗和良好的动态特性，适用于对体积与效率有较高要求的电源系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备中的整流与续流功能。

1+
￥14.535 ￥15.3
10+
￥14.2025 ￥14.95
50+
￥13.984 ￥14.72
100+
￥13.756 ￥14.48

有货

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STTH10LCD06SG-TR-HXY

型号：STTH10LCD06SG-TR-HXY 编号：C53468151

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为10A，最大反向重复电压达650V。其正向压降典型值为1.3V，在高温或高频率工作条件下仍能保持较低的导通损耗。反向漏电流仅为50μA，体现出优异的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场景，如高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效能电能变换系统。

1+
￥14.592 ￥15.36
10+
￥14.2595 ￥15.01
30+
￥14.041 ￥14.78
100+
￥13.813 ￥14.54

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：LGE3D20065H 编号：C5358475

封装：TO-247-2

品牌：LGE(鲁光)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术，能够提供卓越的开关性能，且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能

数据手册

1+
￥14.76
10+
￥12.8
30+
￥10.27
90+
￥9.02
510+
￥8.45
990+
￥8.2

有货

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SCS315AGC16-HXY

型号：SCS315AGC16-HXY 编号：C53468060

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.5V，并能承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的固有优势，器件在高频工作条件下展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换系统，如开关电源、直流-直流变换器及功率因数校正等应用中的整流环节。

1+
￥14.896 ￥15.68
10+
￥14.554 ￥15.32
50+
￥14.326 ￥15.08
100+
￥14.098 ￥14.84

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：GC3D16065A 编号：C7435071

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:110nC 总功率(Ptot):250W

1+
￥15.08
10+
￥12.77
50+
￥11.31
100+
￥9.83
500+
￥9.16
1000+
￥8.86

有货

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LGE3D10120H

型号：LGE3D10120H 编号：C53145205

封装：TO-247-2

品牌：LGE(鲁光)

1+
￥15.22
10+
￥12.96
30+
￥11.55

有货

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NXPSC08650Q-HXY

型号：NXPSC08650Q-HXY 编号：C53468081

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为8A，最大反向重复电压达650V，正向压降典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其电气参数组合使其在紧凑型高功率密度设计中具备良好的适配性。

1+
￥15.5515 ￥16.37
10+
￥15.1905 ￥15.99
50+
￥14.9625 ￥15.75
100+
￥14.725 ￥15.5

有货

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RHRP860-R4647P-HXY

型号：RHRP860-R4647P-HXY 编号：C53468094

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其基于碳化硅材料特性，具备低导通损耗与优异的高频开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。器件结构设计支持快速恢复特性，有助于降低系统整体能耗并提升运行稳定性。

1+
￥15.5515 ￥16.37
10+
￥15.1905 ￥15.99
50+
￥14.9625 ￥15.75
100+
￥14.725 ￥15.5

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IDH08S60CAKSA1-HXY

型号：IDH08S60CAKSA1-HXY 编号：C53468059

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其基于碳化硅材料的特性，具备低导通损耗与优异的高频开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景，如高频整流、开关电源及功率因数校正等电路拓扑中。

1+
￥15.5515 ￥16.37
10+
￥15.1905 ￥15.99
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￥14.9625 ￥15.75
100+
￥14.725 ￥15.5

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RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY

型号：RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY 编号：C53468172

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的最大反向重复电压（VR），典型正向压降（VF）为1.37V，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达80A。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关条件下展现出较低的导通损耗与快速恢复性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换场合，尤其在对热稳定性和动态响应有较高要求的电路拓扑中表现突出。

1+
￥15.5515 ￥16.37
10+
￥15.1905 ￥15.99
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￥14.9625 ￥15.75
100+
￥14.725 ￥15.5

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VS8ETX06PBF-HXY

型号：VS8ETX06PBF-HXY 编号：C53468163

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.38V，具备较低的导通损耗。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达88A，展现出良好的瞬态电流承受能力。得益于碳化硅材料特性，该器件在高频开关应用中表现出优异的效率与热稳定性，适用于高频率电源转换、开关模式电源及各类对能效和体积有较高要求的电力电子系统。

1+
￥15.5515 ￥16.37
10+
￥15.1905 ￥15.99
50+
￥14.9625 ￥15.75
100+
￥14.725 ￥15.5

有货

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VS8ETX06-N3-HXY

型号：VS8ETX06-N3-HXY 编号：C53468166

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达650V。其正向压降（VF）为1.38V，在导通状态下具备较低的功率损耗；器件可承受88A的非重复浪涌正向电流（IFSM），展现出良好的过载能力。得益于碳化硅材料特性，该二极管适用于高频、高效率的电源转换系统，尤其在对开关速度和热性能有较高要求的整流与续流应用中表现稳定可靠。

1+
￥15.5515 ￥16.37
10+
￥15.1905 ￥15.99
50+
￥14.9625 ￥15.75
100+
￥14.725 ￥15.5

有货

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IDH08SG60CXKSA1-HXY

型号：IDH08SG60CXKSA1-HXY 编号：C53468092

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其基于碳化硅材料特性，具备低导通损耗与优异的高频开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。器件结构设计支持稳定可靠的运行表现，适合集成于高密度电力电子系统中。

1+
￥15.5515 ￥16.37
10+
￥15.1905 ￥15.99
50+
￥14.9625 ￥15.75
100+
￥14.725 ￥15.5

有货

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VS8ETH06-N3-HXY

型号：VS8ETH06-N3-HXY 编号：C53468114

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，具备优异的导通特性。器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景。其碳化硅材料特性带来更低的开关损耗与更高的工作温度耐受能力，在高频、高功率密度的电力电子系统中展现出稳定可靠的运行表现。

1+
￥15.5515 ￥16.37
10+
￥15.1905 ￥15.99
50+
￥14.9625 ￥15.75
100+
￥14.725 ￥15.5

有货

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UGE8JT-E3/45-HXY

型号：UGE8JT-E3/45-HXY 编号：C53468087

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为8A，最大反向重复峰值电压达650V，正向导通压降典型值为1.38V，具备优异的导通特性。其非重复浪涌正向电流能力高达88A，可有效应对瞬态过载条件。器件基于碳化硅材料，具有低开关损耗与高热稳定性，在高频、高效率电源转换场景中表现突出，适用于对能效和可靠性要求较高的电力电子系统。

1+
￥15.5515 ￥16.37
10+
￥15.1905 ￥15.99
50+
￥14.9625 ￥15.75
100+
￥14.725 ￥15.5

有货

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AIDK12S65C5ATMA1-HXY

型号：AIDK12S65C5ATMA1-HXY 编号：C53468088

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为12A，反向重复峰值电压为650V，正向导通压降典型值为1.3V，反向漏电流为50μA，表现出优异的导通效率与低漏电特性。其非重复浪涌正向电流能力达90A，具备良好的瞬态耐受能力。基于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关应用中可显著降低损耗，适用于对效率、稳定性和热性能有较高要求的电源转换系统。

1+
￥15.5515 ￥16.37
10+
￥15.1905 ￥15.99
30+
￥14.9625 ￥15.75
100+
￥14.725 ￥15.5

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H065BTR 编号：C42389259

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向平均电流(IF)与650V的反向电压(VR)，适用于多种高效率电源设计。其正向电压降(VF)低至1.3V，有助于减少能量损耗并提高系统整体效能。在标准工作条件下，该二极管表现出色，其反向漏电流(IR)仅为50μA，确保了良好的电气性能。此外，支持高达80A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)，能够有效应对突发性的电流冲击，适合用于要求稳定性和耐用性的电源转换和控制电路中。

1+
￥15.5625 ￥18.75
10+
￥13.1887 ￥15.89
30+
￥11.703 ￥14.1
100+
￥10.0596 ￥12.12
500+
￥9.3707 ￥11.29
1000+
￥9.0802 ￥10.94

有货

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SIC SBD

型号：SP40D120CTF 编号：C49257268

封装：TO-247

品牌：Siliup(矽普)

碳化硅二极管产品，耐压：1200V，电流：40A,Vf：1.45V@40A， Qc：217nC

1+
￥15.6465 ￥16.47
10+
￥13.2335 ￥13.93
30+
￥11.7135 ￥12.33
90+
￥10.165 ￥10.7
510+
￥9.4715 ￥9.97
990+
￥9.1675 ￥9.65

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D20065A 编号：C42389284

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管设计有20安培的最大正向电流（IF/A），并能承受650伏特的最高反向电压（VR/V）。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于减少能量损耗。在反向状态下，漏电流（IR/uA）为100微安，显示了较好的绝缘性能。此外，它支持高达123安培的瞬态正向电流（IFSM/A），适用于需要快速切换与稳定性能的高频电路中，可有效提升系统的整体效率。

1+
￥16.3944 ￥18.63
10+
￥13.8952 ￥15.79
50+
￥12.2056 ￥13.87
100+
￥10.604 ￥12.05
500+
￥9.8736 ￥11.22
1000+
￥9.5656 ￥10.87

有货

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APT15DQ60KGVAO-HXY

型号：APT15DQ60KGVAO-HXY 编号：C53468178

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为15A，最大反向重复峰值电压为650V，典型正向压降为1.5V，非重复峰值正向浪涌电流可达100A。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频工作条件下仍保持较低的导通损耗和快速的反向恢复性能，适用于高效率、高功率密度的电源系统，如通信设备电源、数据中心供电模块及可再生能源转换装置等场合。

1+
￥16.7485 ￥17.63
10+
￥16.359 ￥17.22
50+
￥16.112 ￥16.96
100+
￥15.8555 ￥16.69

有货

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CSD06060A-HXY

型号：CSD06060A-HXY 编号：C53468143

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA，展现出良好的导通特性和反向阻断能力。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A，适用于高频整流、开关电源及高效电能转换等应用场景，在提升系统效率的同时有助于简化热管理设计。

1+
￥16.7485 ￥17.63
10+
￥16.359 ￥17.22
50+
￥16.112 ￥16.96
100+
￥15.8555 ￥16.69

有货

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Q-SSC1065-TF

型号：Q-SSC1065-TF 编号：C5160064

封装：TO-220F-2L

品牌：SHIKUES(时科)

特性：温度无关的开关特性。无反向恢复电流/无正向恢复。出色的热性能。高浪涌电流能力。应用：开关模式电源。功率因数校正

数据手册

1+
￥16.891 ￥17.78
10+
￥14.4685 ￥15.23
50+
￥11.8275 ￥12.45
100+
￥10.279 ￥10.82
500+
￥9.576 ￥10.08
1000+
￥9.272 ￥9.76

有货

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BSDH10G65E2-HXY

型号：BSDH10G65E2-HXY 编号：C52194995

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有效降低导通损耗，提升整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持更高的工作温度与开关频率，适用于高密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变系统及高压直流配电模块，有助于减小无源元件体积并提高系统功率密度。

1+
￥17.195 ￥18.1
10+
￥14.6205 ￥15.39
50+
￥13.0055 ￥13.69
100+
￥11.3525 ￥11.95
500+
￥10.6115 ￥11.17
1000+
￥10.2885 ￥10.83

有货

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SCS210AMC-HXY

型号：SCS210AMC-HXY 编号：C52195025

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.37V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低开关损耗。适用于高频率、高效率的电源转换电路，如开关模式电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高性能DC-DC转换器中，能够提升系统整体能效并减少散热需求。

1+
￥17.195 ￥18.1
10+
￥14.6205 ￥15.39
50+
￥13.0055 ￥13.69
100+
￥11.3525 ￥11.95
500+
￥10.6115 ￥11.17
1000+
￥10.2885 ￥10.83

有货

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LSIC2SD065A06A-HXY

型号：LSIC2SD065A06A-HXY 编号：C51896240

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复耐压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换场合。其正向导通压降（VF）低至1.36V，有助于减少导通期间的能量损耗，提升系统整体效率。基于碳化硅材料特性，器件具备快速开关响应与极低的反向恢复电荷，可有效降低开关损耗。适用于高频率开关电源、通信电源模块、高压直流变换器及分布式能源系统中的整流与续流电路，尤其适合对能效、热管理及空间利用率有较高要求的电力电子设计方案。

1+
￥17.195 ￥18.1
10+
￥14.6205 ￥15.39
50+
￥13.0055 ￥13.69
100+
￥11.3525 ￥11.95
500+
￥10.6115 ￥11.17
1000+
￥10.2885 ￥10.83

有货

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FFSB0865A-HXY

型号：FFSB0865A-HXY 编号：C52195000

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.42V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能与高温工作稳定性，反向恢复时间极短，能量损耗低。该器件适用于高效率电源转换场合，如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器等，能够有效提升系统整体能效，并支持更高频率的工作模式，有助于减小外围滤波元件的体积与系统整体尺寸。

1+
￥17.195 ￥18.1
10+
￥14.6205 ￥15.39
30+
￥13.0055 ￥13.69
100+
￥11.3525 ￥11.95
500+
￥10.6115 ￥11.17
800+
￥10.2885 ￥10.83

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SCS310APC9-HXY

型号：SCS310APC9-HXY 编号：C52195014

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的工作温度与开关频率，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、太阳能逆变系统及高频率DC-DC转换器，可满足对热性能和电气性能要求严苛的应用需求。

1+
￥17.936 ￥18.88
10+
￥15.39 ￥16.2
50+
￥13.8795 ￥14.61
100+
￥12.35 ￥13
500+
￥11.647 ￥12.26
1000+
￥11.324 ￥11.92

有货

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UJ3D06510TS-HXY

型号：UJ3D06510TS-HXY 编号：C52195015

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）典型值为1.38V。基于碳化硅材料，具有优异的高频开关特性与高温稳定性，反向恢复损耗极低。适用于高效率直流-直流转换器、大功率开关电源模块及可再生能源发电系统中的功率因数校正电路，有助于提升系统能效，减小被动器件体积与整体散热需求，在紧凑型高密度电源设计中表现出良好的电气性能与可靠性。

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SCS206AGC17-HXY

型号：SCS206AGC17-HXY 编号：C51896308

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，具备6A的平均正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降为1.36V。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作性能与极快的开关速度，反向恢复时间短，漏电流低，可有效减少功率损耗。其高耐压与高效率特性适用于高频开关电源、不间断电源系统、可再生能源逆变装置、高密度电源模块及各类高效能DC-DC转换电路，有助于提升系统整体能效与可靠性。

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FMCA-11065-HXY

型号：FMCA-11065-HXY 编号：C53468004

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具有10A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压，典型正向压降低至1.37V，同时可承受高达80A的非重复浪涌正向电流。其材料特性支持在高频开关条件下保持较低的导通损耗与快速恢复性能，适用于高效率电源、开关模式电源系统以及对热稳定性和功率密度有较高要求的电力电子应用场合。

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