sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：NXPSC10650XQ-HXY 编号：C52195026

封装：TO-220F-2L

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流10A，反向重复峰值电压650V，正向导通压降低至1.37V，有效降低导通损耗并提升系统能效。基于碳化硅材料特性，具备优异的反向恢复性能，支持高频开关操作，减少开关过程中的能量耗散。其高热导率和耐高温能力增强了器件稳定性，适用于高密度电源架构，如大功率开关电源、高效直流变换模块及可再生能源逆变系统，适合对转换效率、散热管理与空间利用率有较高要求的电力电子应用场合。

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￥19.1425 ￥20.15
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￥18.696 ￥19.68
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￥18.411 ￥19.38
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￥18.1165 ￥19.07

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型号：UJ3D1210TS-HXY 编号：C51896389

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复电压（VR）达1200V，适用于中高功率电力转换场合。其正向导通压降（VF）为1.39V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升能效并减少热管理压力。得益于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的反向恢复能力，支持高频开关运行，减少开关损耗。典型应用包括高效开关电源、光伏逆变系统、储能装置中的整流与续流单元，以及各类高可靠性电源模块，可在较宽温度范围内稳定工作。

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型号：MSC010SDA120K-HXY 编号：C51896388

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压、中等电流的电力转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料特性，该器件具有优异的高温工作能力与快速开关性能，反向恢复时间短，可有效减少开关损耗。常用于高效率开关电源、不间断电源系统、光伏逆变器及高功率密度DC-AC转换装置，适用于对能效和热管理有较高要求的电路设计。

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型号：SCS320AHGC9-HXY 编号：C51896372

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为20A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于较高功率密度的电力转换电路。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，结合碳化硅材料的低反向恢复电荷特性，可显著减少开关过程中的能量损耗。器件具备优异的高温工作性能与热导率，适合在紧凑型电源设计中实现高效整流与续流功能。广泛应用于服务器电源、通信电源模块、储能系统及高效率AC-DC转换器中，满足对系统能效和可靠性要求较高的应用场景。

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型号：VS-3C20ET07T-M3-HXY 编号：C51896400

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有效降低导通损耗，提升整体能效。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，可显著减少开关损耗。适用于高频率、高效率的电源转换设计，如服务器电源、通信电源模块、可再生能源发电系统的逆变电路以及高密度适配器，有助于提高系统功率密度并改善热管理性能。

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￥20.33 ￥21.4
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￥19.8645 ￥20.91
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￥19.5605 ￥20.59
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￥19.247 ￥20.26

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型号：FFSP3065B-F085-HXY 编号：C51896396

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.41V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，能量损耗低。该器件适用于高效率电源转换场合，如开关模式电源、高频率DC-DC转换器、功率因数校正电路及高密度电源模块，能够有效提升系统整体能效并减少散热设计负担，适合对功率密度和热管理有较高要求的应用场景。

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型号：HSTPSC20065W 编号：C42389195

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为650V碳化硅二极管，采用高性能碳化硅材料制成，具备优异的热稳定性和导电效率。其额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）可达650V，适用于高频率、高效率的功率转换场景。在实际工作中，该器件展现出低正向压降（VF=1.35V）和极低的反向漏电流（IR=10μA），有效降低能量损耗并提升系统整体能效。同时，其非重复性峰值浪涌电流（IFSM）可承受高达150A，增强了对异常工况的适应能力，适合用于电源适配器、充电设备及高效能电力电子装置中。

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￥21.384 ￥24.3
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￥18.348 ￥20.85
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￥16.544 ￥18.8
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￥14.7224 ￥16.73
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￥13.8776 ￥15.77
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￥13.4992 ￥15.34

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型号：FFSP3065A-HXY 编号：C51896381

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向压降低至1.41V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效降低开关损耗。适用于高密度电源转换设计，如高效开关电源、服务器电源模块及可再生能源逆变系统，满足对热性能和可靠性要求较高的应用场景。

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￥21.527 ￥22.66
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￥21.033 ￥22.14
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￥20.71 ￥21.8
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￥20.3775 ￥21.45

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型号：LSIC2SD065A20A-HXY 编号：C51896327

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降（VF）为1.4V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，能量损耗低。适用于高频率、高效率的电源转换电路，如开关模式电源、功率因数校正单元及直流-直流变换器等，有助于提升系统整体能效并减少散热需求。

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￥20.3775 ￥21.45

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型号：FFSB3065B-F085-HXY 编号：C51896392

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.41V，表现出优异的导通性能与开关效率。其基于碳化硅材料的特性，支持高频工作，反向恢复时间极短，可显著降低开关损耗，提升系统整体能效。适用于高密度电源转换设计，如高效开关电源、服务器电源模块、可再生能源逆变装置及高可靠性电力传输系统，满足对热性能与功率密度有严苛要求的应用场景。

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￥23.921 ￥25.18
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￥23.37 ￥24.6
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￥22.648 ￥23.84

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型号：TRS10A65F,S1Q(S 编号：C5331612

封装：TO-220F-2L

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

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￥24.33
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￥20.84
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￥18.77
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￥16.68

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型号：CI12S170D3L2 编号：C2980744

封装：TO-247-2

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：零反向恢复电流。零正向恢复电压。正向电压VF具有正温度系数。温度无关的开关特性。 175℃工作结温。用单极器件替代双极器件。应用：开关电源。功率因数校正

数据手册

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￥24.45
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￥20.02
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￥17.66
90+
￥15
510+
￥13.77
1020+
￥13.22

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型号：SICPT20120Y-BP-HXY 编号：C52195036

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流为20A，反向耐压达1200V，具备较高的功率处理能力。其正向导通压降为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管支持高频、高温工作环境，反向恢复时间短，漏电流小，适用于高密度电源转换装置。典型应用场景包括高效DC-DC变换器、不间断电源、可再生能源逆变系统以及高性能整流模块等，满足对能效和可靠性要求较高的电路设计需求。

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￥25.118 ￥26.44
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￥24.5385 ￥25.83
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￥24.1585 ￥25.43
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￥23.7785 ￥25.03

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型号：HSCS220AE2HR 编号：C42389215

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有20A的正向电流

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￥26.044 ￥30.64
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￥22.3465 ￥26.29
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￥20.1535 ￥23.71
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￥17.9265 ￥21.09
510+
￥16.9065 ￥19.89
990+
￥16.439 ￥19.34

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型号：UJ3D1210K2-HXY 编号：C52195038

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为10A，反向重复峰值电压为1200V，适用于中高功率电源系统。其正向导通压降为1.47V，具备较低的导通损耗，有助于提高能效并减少热耗散。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的反向恢复性能，支持高频开关操作，同时具备良好的高温稳定性和长期可靠性。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC电源转换器、光伏逆变装置、储能系统中的功率整流与续流环节，适用于对功率密度和转换效率有较高要求的电路设计。

1+
￥26.315 ￥27.7
10+
￥25.707 ￥27.06
30+
￥25.308 ￥26.64
90+
￥24.909 ￥26.22

有货

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型号：FFSH2065B-F085-HXY 编号：C52195029

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电源转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，可在高电流工作条件下有效降低导通损耗。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，显著减少开关过程中的能量损耗。适用于高频率、高效率的开关电源、直流变换模块及可再生能源发电系统中的整流与续流环节，尤其适合对热管理性能和功率密度要求较高的紧凑型电力电子装置。

1+
￥26.315 ￥27.7
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￥25.707 ￥27.06
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￥25.308 ￥26.64
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￥24.909 ￥26.22

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型号：YFWD320060PT 编号：C53403742

封装：TO-247

品牌：YFW(佑风微)

IFSM/A：29.5、VRRM/V：600、VF/V：1.58、碳化硅二极管、TO-247、最小包装量：600PCS

1+
￥26.47
10+
￥22.71
30+
￥20.48

有货

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型号：ASZD040120P2 编号：C50132437

封装：TO-247-3

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1200V,If=20/40A@Tc=157℃, Vf=1.4V@20A，共阴极

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￥27.0275 ￥28.45
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￥23.2085 ￥24.43
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￥20.938 ￥22.04
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￥18.639 ￥19.62
510+
￥17.5845 ￥18.51
990+
￥17.1 ￥18

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型号：CI60S120D3L2 编号：C53133676

封装：TO-247-2

品牌：Tokmas(托克马斯)

1200V60A

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￥29.584 ￥36.98
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￥25.528 ￥31.91
30+
￥23.048 ￥28.81
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￥20.976 ￥26.22

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型号：HNDSH10170A 编号：C42389237

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流（IF/A）承载能力，以及高达1700伏特的反向电压（VR/V）耐受度，适用于需要高电压隔离的应用。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于减少功耗。二极管在反向偏置状态下的漏电流（IR/uA）仅为60微安，保证了良好的阻断效果。瞬态条件下，它能够承受55安培的正向浪涌电流（IFSM/A），增强了应对短时电流冲击的能力。这些特性使得该二极管适用于高频率开关电路以及其他注重效率和可靠性的场合。

1+
￥29.9024 ￥33.98
10+
￥29.216 ￥33.2
30+
￥28.7584 ￥32.68
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￥28.3096 ￥32.17

有货

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型号：SICPT40120Y-BP-HXY 编号：C51896385

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备40A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换场景，如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度功率因数校正电路，有助于减小外围滤波元件体积，提高功率密度。

1+
￥32.2905 ￥33.99
10+
￥31.5495 ￥33.21
30+
￥31.065 ￥32.7
90+
￥30.571 ￥32.18

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型号：C6D05170H-HXY 编号：C51896391

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为5A，反向重复电压（VR）高达1700V，正向压降（VF）为1.32V。依托碳化硅材料的高击穿电场强度，器件具备优异的耐高压性能和热导率，同时展现出极短的反向恢复时间与低开关损耗。适用于高电压、高频率的电力转换场合，如高压电源模块、大功率整流电路、不间断电源系统及可再生能源逆变装置。其高温工作能力与高可靠性支持紧凑型电源设计，有助于提升整体能效与系统稳定性，尤其适合对功率密度和长期运行性能有要求的应用场景。

1+
￥33.4875 ￥35.25
10+
￥32.718 ￥34.44
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￥32.2145 ￥33.91
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￥31.7015 ￥33.37

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型号：MSC020SDA120B-HXY 编号：C52195046

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单芯片结构，额定平均正向电流（IF）为20A，反向重复峰值电压（VR）可达1200V，具备较高的电压阻断能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在高频率开关条件下可有效减少导通损耗。采用碳化硅材料，具有优异的热稳定性和快速恢复特性，适用于高温、高压工作环境。常见于高效能电源转换系统、高压直流变换器、光伏逆变模块及大功率开关电源电路中，有助于提升系统效率并降低散热设计复杂度。

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￥35.8815 ￥37.77
10+
￥35.055 ￥36.9
30+
￥34.5135 ￥36.33
90+
￥33.9625 ￥35.75

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型号：HC3D40065D1 编号：C22449565

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备卓越性能，工作电压高达650V，能处理连续40A电流，其优异的正向压降低至1.3V，确保了在高功率应用中的高效能与低热耗散。适用于需要高可靠性与节能需求的当代电子产品设计，是提升系统效率的理想元件。

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￥36.7358 ￥44.26
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￥35.8726 ￥43.22
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￥35.2916 ￥42.52
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￥34.7106 ￥41.82

有货

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型号：LSIC2SD170B10-HXY 编号：C51896359

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1700V，正向导通压降（VF）为1.5V。基于碳化硅半导体材料，具备出色的耐高压能力、高温工作稳定性及极短的反向恢复时间，可有效降低开关过程中的能量损耗。适用于高电压、高效率的电力转换系统，如大功率开关电源、高压直流变换器、太阳能逆变单元及储能系统的功率级电路。其优异的动态性能有助于提升系统整体能效，简化热管理设计，满足对可靠性和功率密度要求较高的应用需求。

1+
￥40.66 ￥42.8
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￥39.729 ￥41.82
30+
￥39.1115 ￥41.17
90+
￥38.494 ￥40.52

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型号：YJD112040NGG2 编号：C20605604

封装：TO-247AC

品牌：YANGJIE(扬杰)

1+
￥41.06
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￥40.22
36+
￥39.66

有货

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型号：FFSH20120A-F085-HXY 编号：C52195043

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为20A，反向重复耐压（VR）达1200V，具备较高的电压阻断能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在高频率工作条件下可有效降低导通损耗。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，该器件具有优异的反向恢复性能和热稳定性，适用于高效率直流变换、高压电源模块及可再生能源发电系统中的整流与防逆流应用，能够在高温、高电场环境下保持可靠运行，满足对功率密度和能效要求较高的电路设计需求。

1+
￥41.857 ￥44.06
10+
￥40.8975 ￥43.05
30+
￥40.261 ￥42.38
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￥39.6245 ￥41.71

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型号：FFSH5065A-HXY 编号：C51896394

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备50A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.45V，有助于减少导通损耗并提升系统效率。其基于碳化硅材料的特性，支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效降低开关损耗，适用于高功率密度电源转换场景。器件热稳定性良好，能够在较宽温度范围内可靠运行，适合用于高效开关电源、可再生能源逆变装置及高要求的功率整流电路中，为复杂电力电子系统提供坚实的元器件支持。

1+
￥44.251 ￥46.58
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￥43.2345 ￥45.51
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￥42.56 ￥44.8
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￥41.8855 ￥44.09

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型号：YJD106520BQG3Q 编号：C22468577

封装：TO-263

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：正温度系数。与温度无关的开关特性。最高工作温度为175℃。单极器件，零反向恢复电流。本质上无开关损耗。减少散热片需求。应用：功率因数校正（PFC）。太阳能逆变器

1+
￥45.03
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￥39.36
30+
￥35.9

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型号：HIDW40G120C5B 编号：C42389222

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有40安培的正向电流（IF）承载能力，以及1200伏特的反向击穿电压（VR），表明其可以在高压和大电流条件下可靠运作。其正向电压降（VF）为1.5伏特，有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率。反向漏电流（IR）控制在200微安，这保证了在非导通状态下的低能耗特性。瞬态正向电流（IFSM）可达130安培，意味着它可以在短时间内处理电流尖峰。这些特性使得该二极管非常适合应用于需要高性能整流和高效率转换的电路设计中。

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￥49.1128 ￥55.81
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￥42.372 ￥48.15
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￥38.2624 ￥43.48
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