sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SPCDP05120G1 编号：C49450358

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥9.74
10+
￥8.24
50+
￥7.3

有货

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型号：SSCS208AJHRTLL 编号：C49450364

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥9.74
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￥8.24
30+
￥7.3

有货

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型号：SWNSC051200Q 编号：C49450390

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥9.74
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￥8.24
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￥7.3

有货

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型号：SSTPSC5H12D 编号：C49450383

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥9.74
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￥8.24
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￥7.3

有货

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型号：AS3D010065A 编号：C19194416

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

特性：零反向恢复电流。零正向恢复电压。正向电压VF具有正温度系数。温度无关的开关特性。 175℃工作结温。用单极器件替代双极器件。应用：开关模式电源。功率因数校正

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￥9.9845 ￥10.51
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￥8.2935 ￥8.73
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￥7.372 ￥7.76
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￥6.3175 ￥6.65
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￥5.852 ￥6.16
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￥5.643 ￥5.94

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型号：HIDK10G65C5XTMA2 编号：C42389306

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10安培的正向电流（IF）承载能力，并能承受650伏特的反向电压（VR）。其正向电压降（VF）为1.3伏特，有助于提升电路效率。反向漏电流（IR）控制在50微安以内，展现了良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM）可以达到80安培，适合应用于需要快速切换且对电流峰值有一定要求的场景中，如高性能电源转换和其他需要可靠二极管性能的技术领域。

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￥10.2425 ￥12.05
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￥8.67 ￥10.2
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￥7.684 ￥9.04
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￥6.6725 ￥7.85
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￥6.2135 ￥7.31
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￥6.018 ￥7.08

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型号：IDH02G120C5-HXY 编号：C45896870

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备5A的正向电流（IF），能够承受高达1200V的反向电压（VR），使其在高电压应用中表现出色。其正向电压（VF）为1.4V，保证了较低的能量损耗，而反向漏电流（IR）仅为100uA，减少了不必要的能耗。瞬间正向浪涌电流（IFSM）可达45A，提升了产品在突发状况下的可靠性与稳定性。该二极管适用于需要高效能和紧凑设计的场合，如电源管理和可再生能源系统等领域。

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￥10.6216 ￥12.07
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￥7.0136 ￥7.97
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￥6.556 ￥7.45
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￥6.3536 ￥7.22

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型号：CI10S120C3 编号：C967723

封装：TO-220-2

品牌：Tokmas(托克马斯)

碳化硅SiC

数据手册

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￥11.42
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￥9.92
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￥7.35
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￥6.38
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￥5.95
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￥5.76

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型号：FFSD0865B-F085-HXY 编号：C51896325

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力转换场合。其正向压降（VF）为1.4V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提高系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备快速反向恢复能力与较低的开关损耗，支持高频工作模式。其热导率高，可在较高结温下稳定运行，适合应用于通信电源、光伏逆变装置、高密度开关电源模块等对效率和功率密度有较高要求的电子系统中。

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￥11.4665 ￥12.07
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￥9.747 ￥10.26
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￥8.6735 ￥9.13
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￥7.5715 ￥7.97
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￥6.859 ￥7.22

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型号：DSC08065D1-HXY 编号：C53468057

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为8A，最大反向重复电压VR为650V。其正向压降VF低至1.3V，有助于降低导通损耗；器件可承受64A的非重复浪涌正向电流（IFSM），具备良好的瞬态耐受能力。得益于碳化硅材料特性，该二极管在高频开关应用中表现出快速恢复和高效率，适用于对能效和热管理有较高要求的电源转换、整流及功率因数校正等电路。

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￥11.4665 ￥12.07
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￥6.859 ￥7.22

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型号：DSC10A065D1-13-HXY 编号：C51896346

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.37V。基于碳化硅材料，具有优异的高温工作能力与高导热性能，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。适用于高效率、高功率密度的电力转换系统，如高性能电源适配器、服务器电源、可再生能源逆变装置以及高频率DC-AC和DC-DC转换电路，有助于提升系统能效，减小散热设计复杂度，适应严苛的电气与热环境要求。

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￥11.4665 ￥12.07
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￥6.859 ￥7.22

有货

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型号：STPSC2H12B2Y-TR-HXY 编号：C51896248

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备2A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.36V。器件利用碳化硅材料特性，实现快速开关速度与低开关损耗，反向恢复特性优异，可有效提升系统转换效率。适用于高频率、高效率的电源转换场合，如开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器及高密度电源模块等，能在高温与高电压环境下稳定工作，有助于简化散热设计并提升整体系统功率密度。

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￥11.4665 ￥12.07
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型号：HIDK12G65C5 编号：C42389214

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备12安培的正向电流（IF/A），可承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，在确保高效能的同时降低了功耗。反向漏电流（IR/uA）为50微安，体现了优异的绝缘特性。该二极管支持高达90安培的峰值瞬态电流（IFSM/A），适用于需要快速开关及稳定整流性能的应用场合，能有效提升系统的整体效率与可靠性。

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￥11.484 ￥13.05
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￥6.6968 ￥7.61

有货

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型号：SSCS205KGC 编号：C49450363

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥11.5
10+
￥9.7
50+
￥8.57

有货

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型号：PSC0665HJ-HXY 编号：C53468017

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为6A，反向重复峰值电压为650V，正向压降典型值为1.3V，反向漏电流低至50μA，体现出优异的导通与阻断性能。其非重复浪涌正向电流能力达48A，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合，如高频开关电源、可再生能源发电系统及紧凑型功率模块，在提升系统响应速度与能效的同时，保持稳定的电气特性。

1+
￥11.5615 ￥12.17
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￥9.8325 ￥10.35
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￥8.74 ￥9.2
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￥7.1345 ￥7.51
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￥6.916 ￥7.28

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型号：HSTPSC10H065GTR 编号：C42389194

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够在确保效率的同时处理较大的电流。其反向击穿电压（VR/V）为650V，提供了可靠的耐压性能，适用于需要高电压稳定性的电路设计。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在大电流工作条件下能有效降低能量损耗。此外，它拥有50微安的反向漏电流（IR/uA），表明即使在反向偏置下也有较低的漏电，增强了整体的稳定性。瞬态状态下的最大正向电流（IFSM/A）可以达到80A，使得该二极管能够承受短时过载而不损坏。这些特性使其成为高性能电源管理解决方案中的理想选择。

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￥11.5984 ￥13.18
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￥9.8208 ￥11.16
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￥8.7032 ￥9.89
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￥7.5592 ￥8.59
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￥7.04 ￥8
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￥6.82 ￥7.75

有货

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型号：SLSIC2SD120A05 编号：C49450347

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥11.69
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￥9.88
50+
￥8.75

有货

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型号：SSIC05120B-BP 编号：C49450372

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

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￥11.69
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￥9.88
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￥8.75

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型号：DSR6U600D1-13-HXY 编号：C53468022

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为6A，最大反向重复电压达650V，正向压降典型值为1.3V，反向漏电流低至50μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复峰值正向浪涌电流能力为48A，适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势，在高电压、高频率条件下仍能保持较低损耗与稳定运行，适合用于电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的整流与续流功能。

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￥12.6065 ￥13.27
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￥10.7255 ￥11.29
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￥9.538 ￥10.04
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￥7.543 ￥7.94

有货

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型号：HSCS215KGC17 编号：C42389206

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备15A的正向电流（IF/A）承载能力，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V），适合用于高电压需求的场合。其正向电压（VF/V）为1.27V，有助于减少工作时的能量损失。反向漏电流（IR/uA）为200微安，在非导通状态下提供良好的隔离性。瞬态峰值电流（IFSM/A）为100A，意味着它可以承受短时间内的电流冲击，增强了其在不稳定条件下的可靠性。这些特性使其成为需要稳健性能与高效工作的电子设计的理想选择。

1+
￥12.6984 ￥14.43
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￥10.7624 ￥12.23
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￥9.4512 ￥10.74
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￥8.2104 ￥9.33
500+
￥7.6472 ￥8.69
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￥7.4096 ￥8.42

有货

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型号：HC3D20065A 编号：C19723881

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具有650V高反向耐压和20A连续正向电流处理能力，其正向导通电压VF低至1.5V。专为高效能、大电流开关电源及逆变器设计，实现快速恢复与高温稳定性的理想整流解决方案。

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￥12.728 ￥15.91
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￥10.8 ￥13.5
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￥9.4 ￥11.75
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￥8.168 ￥10.21
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￥7.608 ￥9.51
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￥7.368 ￥9.21

有货

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型号：AS4D030120P2 编号：C50132438

封装：TO-247-3

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1200V,If=15/30A@Tc=142℃, Vf=1.45V@15A，共阴极

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￥12.977 ￥13.66
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￥11.0295 ￥11.61
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￥9.8135 ￥10.33
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￥8.5595 ￥9.01
510+
￥7.999 ￥8.42
990+
￥7.752 ￥8.16

有货

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型号：LFUSCD08065A-HXY 编号：C53468067

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，具备优异的导通效率。在瞬态过载条件下，器件可承受高达88A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其低VF值与碳化硅材料的高热导率相结合，有助于降低功耗并提升系统在高频开关应用中的整体性能，适用于对体积、效率及热稳定性有较高要求的电源转换场景。

1+
￥13.1195 ￥13.81
10+
￥12.825 ￥13.5
50+
￥12.6255 ￥13.29
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￥12.426 ￥13.08

有货

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型号：NXPSC10650Q-HXY 编号：C53468108

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA，展现出良好的导通与阻断性能。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正及各类高效整流应用，其低VF与低IR特性有助于减少能量损耗并提升系统稳定性。

1+
￥13.1575 ￥13.85
10+
￥12.8535 ￥13.53
50+
￥12.654 ￥13.32
100+
￥12.4545 ￥13.11

有货

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型号：CSD06060G-HXY 编号：C53468139

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为10A，最大反向重复电压VR为650V，正向压降VF典型值为1.3V，反向漏电流IR为50μA。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正模块及高效电能转换系统。凭借碳化硅材料的特性，其在高温和高频率工作条件下仍能保持稳定的电气性能与较低的能量损耗。

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￥13.1575 ￥13.85
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￥12.8535 ￥13.53
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￥12.654 ￥13.32
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￥12.4545 ￥13.11

有货

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型号：SICU0660P-HXY 编号：C51896343

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降低至1.36V（VF），有效减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的工作温度和更快的开关速度，适用于高频率、高效率的电源转换场景。典型应用包括开关模式电源、光伏逆变系统及高密度功率因数校正电路，适合对热管理和空间布局有严苛要求的设计需求。

1+
￥13.376 ￥14.08
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￥11.3715 ￥11.97
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￥10.1175 ￥10.65
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￥8.835 ￥9.3
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￥8.2555 ￥8.69
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￥7.999 ￥8.42

有货

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型号：SCS215AGC17-HXY 编号：C53468117

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为15A，反向重复峰值电压达650V。其正向压降为1.5V，在高频率工作条件下仍能维持较低的导通损耗。器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源、功率因数校正以及对热稳定性和转换效率有较高要求的电力电子应用场合。

1+
￥14.3545 ￥15.11
10+
￥14.022 ￥14.76
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￥13.8035 ￥14.53
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￥13.585 ￥14.3

有货

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型号：NXPSC086506Q-HXY 编号：C53468070

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向重复电压为650V，典型正向压降低至1.38V，具备优异的导通效率。器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流，展现出良好的瞬态耐受能力。基于碳化硅材料的特性，其开关速度快、反向恢复电荷极小，适用于高频电源转换、高效率整流以及对热管理要求严苛的电力电子应用场合。

1+
￥14.3545 ￥15.11
10+
￥14.022 ￥14.76
50+
￥13.8035 ￥14.53
100+
￥13.585 ￥14.3

有货

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型号：IDK10G65C5XTMA1-HXY 编号：C53468136

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.3V，反向漏电流（IR）为50μA，并可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。其低VF与微小IR特性有助于降低导通损耗与静态功耗，适用于高频开关电源、高效率整流模块及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。

1+
￥14.3545 ￥15.11
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￥14.022 ￥14.76
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￥13.8035 ￥14.53
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￥13.585 ￥14.3

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型号：Q-SSC0865-TF 编号：C5160063

封装：TO-220F-2L

品牌：SHIKUES(时科)

数据手册

1+
￥14.421 ￥15.18
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￥12.3215 ￥12.97
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￥10.2505 ￥10.79
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￥8.9015 ￥9.37
500+
￥8.2935 ￥8.73
1000+
￥8.037 ￥8.46

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