sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BCA65S50D4 编号：C53152692

封装：TO-247-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,50A

1+
￥11.54
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￥9.82
30+
￥8.73
90+
￥7.63

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型号：ASYD010170C 编号：C50132425

封装：TO-247-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1700V, If=10A@Tc=165℃, Vf=1.4V@10A

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￥11.571 ￥12.18
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￥9.8515 ￥10.37
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￥8.778 ￥9.24
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￥7.676 ￥8.08
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￥7.182 ￥7.56
990+
￥6.9635 ￥7.33

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型号：SLSIC2SD120A05 编号：C49450347

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

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￥11.69
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￥9.88
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￥8.75

有货

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型号：SSIC05120B-BP 编号：C49450372

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥11.69
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￥9.88
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￥8.75

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型号：HIDK12G65C5 编号：C42389214

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备12安培的正向电流（IF/A），可承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，在确保高效能的同时降低了功耗。反向漏电流（IR/uA）为50微安，体现了优异的绝缘特性。该二极管支持高达90安培的峰值瞬态电流（IFSM/A），适用于需要快速开关及稳定整流性能的应用场合，能有效提升系统的整体效率与可靠性。

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￥7.6384 ￥8.68
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￥7.1368 ￥8.11
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￥6.9168 ￥7.86

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型号：SCS310APC9-HXY 编号：C52195014

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的工作温度与开关频率，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、太阳能逆变系统及高频率DC-DC转换器，可满足对热性能和电气性能要求严苛的应用需求。

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￥11.9605 ￥12.59
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￥11.685 ￥12.3
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￥11.5045 ￥12.11
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￥11.324 ￥11.92

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型号：UJ3D06510TS-HXY 编号：C52195015

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）典型值为1.38V。基于碳化硅材料，具有优异的高频开关特性与高温稳定性，反向恢复损耗极低。适用于高效率直流-直流转换器、大功率开关电源模块及可再生能源发电系统中的功率因数校正电路，有助于提升系统能效，减小被动器件体积与整体散热需求，在紧凑型高密度电源设计中表现出良好的电气性能与可靠性。

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￥11.5045 ￥12.11
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￥11.324 ￥11.92

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型号：SCS206AGC17-HXY 编号：C51896308

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，具备6A的平均正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降为1.36V。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作性能与极快的开关速度，反向恢复时间短，漏电流低，可有效减少功率损耗。其高耐压与高效率特性适用于高频开关电源、不间断电源系统、可再生能源逆变装置、高密度电源模块及各类高效能DC-DC转换电路，有助于提升系统整体能效与可靠性。

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￥11.9605 ￥12.59
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￥11.324 ￥11.92

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型号：NXPSC08650X6Q-HXY 编号：C52195003

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）低至1.4V。采用碳化硅材料，使其具有优异的高频开关特性与高温工作能力。该器件适用于高功率密度的电源系统，如高效开关电源、直流-直流变换器及功率因数校正电路。其低导通损耗和快速反向恢复特性有助于提升系统能效，减少散热需求。在持续高负载与高温环境下仍能保持稳定性能，适合对热管理和效率要求较高的应用场合。

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￥13.1575 ￥13.85
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￥12.8535 ￥13.53
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￥12.654 ￥13.32
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￥12.4545 ￥13.11

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型号：SCS206AGHRC-HXY 编号：C51896390

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，能量损耗低。该器件适用于高效率电源转换场景，如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流变换器，能够在高频条件下稳定运行，有助于减小系统中磁性元件和散热组件的体积，提升整体功率密度，是现代高功率密度电源设计中的关键元件。

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￥14.3545 ￥15.11
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￥14.022 ￥14.76
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￥13.8035 ￥14.53
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￥13.585 ￥14.3

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型号：SICR101200-HXY 编号：C51896368

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压与大电流工作环境。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，在同类器件中表现优异，有助于减少导通损耗，提升系统转换效率。依托碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性，该器件具备快速开关能力、低反向恢复电荷及出色的高温工作稳定性。典型应用包括高压电源模块、大功率开关电源、可再生能源逆变系统以及对功率密度和能效要求较高的电力转换装置。

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￥13.585 ￥14.3

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型号：BSDH10G120E2-HXY 编号：C51896370

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）低至1.39V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的特性，支持高频开关操作，同时降低反向恢复电荷，适用于对效率和热管理有严苛要求的电源转换场合，如高密度开关电源、太阳能逆变系统及高压直流转换模块，能够有效简化散热设计并提升系统可靠性。

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￥13.585 ￥14.3

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型号：Q-SSC0865-TF 编号：C5160063

封装：TO-220F-2L

品牌：SHIKUES(时科)

数据手册

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￥14.421 ￥15.18
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￥12.3215 ￥12.97
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￥10.2505 ￥10.79
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￥8.9015 ￥9.37
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￥8.2935 ￥8.73
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￥8.037 ￥8.46

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型号：BCA120S40D2 编号：C42401694

封装：TO-247-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,1200V,40A

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￥14.455 ￥20.65
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￥12.453 ￥17.79
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￥10.584 ￥15.12
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￥9.387 ￥13.41

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型号：GC3D16065A 编号：C7435071

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:110nC 总功率(Ptot):250W

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￥15.08
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￥12.77
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￥11.31
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￥9.83
500+
￥9.16
1000+
￥8.86

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型号：DSC08065FP-HXY 编号：C52195037

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复耐压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换场合。其正向导通压降（VF）低至1.4V，有助于减少导通期间的能量损耗，提高系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率和高击穿电场特性，器件具备良好的高温稳定性和快速恢复能力，可支持高频开关操作。常用于高效开关电源、不间断电源模块、可再生能源发电系统的直流变换环节，以及对能效和热管理有较高要求的紧凑型功率电子设备中。

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￥15.5515 ￥16.37
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￥15.1905 ￥15.99
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￥14.9625 ￥15.75
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￥14.725 ￥15.5

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型号：NXPSC10650X6Q-HXY 编号：C52195018

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。得益于碳化硅材料的特性，该二极管具有优异的高温工作能力与快速开关性能，反向恢复电荷极低。主要应用于高效开关电源、高密度DC-DC转换器、太阳能逆变装置及高性能电源适配器中，支持高频运行，可减小磁性元件和电容的尺寸，提升整体能效与功率密度。

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型号：UJ3D1205TS-HXY 编号：C52195022

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备5A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压应用场景。其正向压降（VF）典型值为1.38V，在同类器件中表现优异，有助于减少导通损耗，提高能效。碳化硅材料赋予其出色的开关特性与高温稳定性，支持高频、高效率的电力转换需求。独立封装结构有利于热管理与电路布局，常用于高电压电源系统中的整流、升压及反向隔离等环节，适用于对功率密度和系统可靠性有较高要求的电子设备。

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￥14.9625 ￥15.75
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￥14.725 ￥15.5

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型号：LGE3D20120H 编号：C5358474

封装：TO-247-2L

品牌：LGE(鲁光)

该产品系列提供了先进的性能，专为需要高效率和高可靠性的高频应用而设计。

数据手册

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￥16.443 ￥18.27
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￥14.031 ￥15.59

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型号：AIDK08S65C5-HXY 编号：C52195009

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.42V，表现出优异的导通性能与能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具有快速开关能力与较低的反向恢复电荷，适用于高频率、高效率的电力转换场景。其材料特性支持在较高结温下稳定运行，适合用于紧凑型电源设计、高效能适配器、可再生能源逆变系统及高性能直流电源模块中，有助于减小系统体积并提升整体效率。

1+
￥16.7485 ￥17.63
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￥16.359 ￥17.22
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￥16.112 ￥16.96
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￥15.8555 ￥16.69

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型号：Q-SSC1065-TF 编号：C5160064

封装：TO-220F-2L

品牌：SHIKUES(时科)

特性：温度无关的开关特性。无反向恢复电流/无正向恢复。出色的热性能。高浪涌电流能力。应用：开关模式电源。功率因数校正

数据手册

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￥16.891 ￥17.78
10+
￥14.4685 ￥15.23
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￥11.8275 ￥12.45
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￥10.279 ￥10.82
500+
￥9.576 ￥10.08
1000+
￥9.272 ￥9.76

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型号：UJ3D06520TS-HXY 编号：C51896384

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款碳化硅二极管为独立式设计，具有20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力转换应用。其正向压降（VF）低至1.4V，可有效减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具备快速反向恢复能力和良好的热稳定性，支持高频开关操作。典型应用场景包括高效电源变换器、可再生能源发电系统中的逆变电路、储能装置的功率模块以及对能效和散热性能有较高要求的高密度电子设备，有助于实现更紧凑、高效的电路设计。

1+
￥17.9455 ￥18.89
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￥17.5275 ￥18.45
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￥17.2615 ￥18.17
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￥16.986 ￥17.88

有货

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型号：SCS210AGHRC-HXY 编号：C52195002

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定平均正向整流电流为10A，反向重复峰值电压达650V，正向导通压降为1.38V，具备较低的导通损耗。得益于碳化硅材料的高耐热性与高击穿电场特性，该器件可在较高结温下稳定运行，并具有优异的反向恢复特性，显著减少开关过程中的能量损耗。适用于高效率功率转换电路，如大功率开关电源、不间断电源、储能系统及高压直流变换模块，有助于提升系统整体能效与功率密度。

1+
￥17.9455 ￥18.89
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￥17.5275 ￥18.45
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￥17.2615 ￥18.17
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￥16.986 ￥17.88

有货

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型号：DSC10065-HXY 编号：C52195039

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式封装，具有10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中等功率电力转换应用。其正向压降（VF）为1.38V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料特性，具备优异的高温工作性能与快速开关能力，反向恢复电荷小，可减少开关过程中的能量损耗。典型应用包括高效率开关电源、服务器电源模块、储能系统中的直流变换器以及对能效和散热设计有较高要求的紧凑型电源装置。

1+
￥17.9455 ￥18.89
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￥17.5275 ￥18.45
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￥16.986 ￥17.88

有货

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型号：STPSC8065DY-HXY 编号：C52194991

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通电压（VF）低至1.38V，有效降低导通损耗，提升整体能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开关速度与高温工作能力，适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及要求紧凑设计与高功率密度的电力转换场景，有助于简化散热设计并提升系统可靠性。

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型号：SWNSC201200WQ 编号：C49450395

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥18.37
10+
￥15.69
30+
￥14.09

有货

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型号：SFFSH15120ADN-F155 编号：C49450311

封装：TO-247-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥18.37
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￥15.69
30+
￥14.09

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型号：SNVDSH20120C 编号：C49450351

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥18.37
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￥15.69
30+
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型号：SPCDH20120G1 编号：C49450357

封装：TO-247-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
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￥15.69
30+
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型号：FFSPF1065A-HXY 编号：C45896868

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高效能应用设计，提供10A的正向电流(IF)能力和650V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)低至1.3V，有助于减少能量损耗，提高效率。该元件在非导通状态下的反向漏电流(IR)仅为50uA，保证了低功耗操作。此外，它还能承受高达80A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，增强了设备应对瞬时过载的能力。此二极管适用于需要高效率和稳定性的电力电子系统中，如电源转换器和再生能源系统。

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￥18.693 ￥20.77
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