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首页 > 热门关键词 > sic二极管
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碳化硅肖特基二极管
型号：SSCS210AJHRTLL 编号：C49450365
封装：TO-263
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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    DSC10C065D1-13-HXY
    型号：DSC10C065D1-13-HXY 编号：C51896330
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管为独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电源系统。其正向压降（VF）为1.37V，在同类器件中表现优异，有助于减少导通损耗，提升转换效率。基于碳化硅材料，该器件具备快速恢复特性与良好的热导性能，可在较高结温下稳定运行。典型应用场景包括高效开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的功率因数校正及直流变换模块，适用于对能效和功率密度有严苛要求的电力电子设计。

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    DSC08A065D1-13-HXY
    型号：DSC08A065D1-13-HXY 编号：C51896329
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.4V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。器件利用碳化硅材料的优良特性，具有快速开关能力和优异的热稳定性，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于服务器电源、通信设备及可再生能源系统中的整流与续流环节，适合对功率密度和可靠性有较高要求的场合。

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    FFSD0465A-HXY
    型号：FFSD0465A-HXY 编号：C51896350
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降低至1.4V，有效减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的优异特性，具有快速开关能力和良好的热稳定性，适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及功率因数校正电路等场景，有助于减小被动元件体积，提高功率密度，满足对能效和紧凑设计有较高要求的电力电子应用。

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    DSC04065D1-HXY
    型号：DSC04065D1-HXY 编号：C51896364
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为4A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）低至1.4V，具备优异的导通效率和较低的功率损耗。得益于碳化硅材料的高热导率和快速开关特性，该器件在高频工作环境下仍能保持稳定的电气性能，反向恢复时间短，可有效减少开关损耗。适用于高效率开关电源、光伏逆变系统、服务器电源模块以及对能效和散热性能有较高要求的电力转换电路，有助于提升系统整体功率密度与运行可靠性。

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    SICF0860P-BP-HXY
    型号：SICF0860P-BP-HXY 编号：C52194987
    封装：TO-220F
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V。基于碳化硅材料，该二极管具有优异的高温稳定性与抗辐射能力，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。其特性适用于高效率、高频率的电力转换场景，如高性能电源模块、可再生能源逆变系统、服务器电源单元以及高密度DC-DC变换器。器件能有效降低开关损耗，提升系统功率密度与整体能效，满足严苛的电力电子设计需求。

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：SSCS208AJHRTLL 编号：C49450364
    封装：TO-263
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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    FFSD0865B-F085-HXY
    型号：FFSD0865B-F085-HXY 编号：C51896325
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管为独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力转换场合。其正向压降（VF）为1.4V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提高系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备快速反向恢复能力与较低的开关损耗，支持高频工作模式。其热导率高，可在较高结温下稳定运行，适合应用于通信电源、光伏逆变装置、高密度开关电源模块等对效率和功率密度有较高要求的电子系统中。

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    DSC10A065D1-13-HXY
    型号：DSC10A065D1-13-HXY 编号：C51896346
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.37V。基于碳化硅材料，具有优异的高温工作能力与高导热性能，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。适用于高效率、高功率密度的电力转换系统，如高性能电源适配器、服务器电源、可再生能源逆变装置以及高频率DC-AC和DC-DC转换电路，有助于提升系统能效，减小散热设计复杂度，适应严苛的电气与热环境要求。

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    STPSC2H12B2Y-TR-HXY
    型号：STPSC2H12B2Y-TR-HXY 编号：C51896248
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管采用独立式配置，具备2A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.36V。器件利用碳化硅材料特性，实现快速开关速度与低开关损耗，反向恢复特性优异，可有效提升系统转换效率。适用于高频率、高效率的电源转换场合，如开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器及高密度电源模块等，能在高温与高电压环境下稳定工作，有助于简化散热设计并提升整体系统功率密度。

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    安邦 碳化硅肖特基二极管 1200V 10A TO-247-2
    型号：ASYD010120C 编号：C50132424
    封装：TO-247-2
    品牌：AnBon(安邦)
    SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=10A@Tc=152℃, Vf=1.5V@10A

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HSTPSC10H065GTR 编号：C42389194
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够在确保效率的同时处理较大的电流。其反向击穿电压（VR/V）为650V，提供了可靠的耐压性能，适用于需要高电压稳定性的电路设计。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在大电流工作条件下能有效降低能量损耗。此外，它拥有50微安的反向漏电流（IR/uA），表明即使在反向偏置下也有较低的漏电，增强了整体的稳定性。瞬态状态下的最大正向电流（IFSM/A）可以达到80A，使得该二极管能够承受短时过载而不损坏。这些特性使其成为高性能电源管理解决方案中的理想选择。

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    1200V,15A碳化硅肖特基二极管
    型号：AS3D015120C 编号：C19194201
    封装：TO-247-2
    品牌：AnBon(安邦)
    特性：零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 正向电压（VF）具有正温度系数。 温度无关的开关特性。 175℃工作结温。 用单极器件替代双极器件。应用：开关模式电源。 功率因数校正

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：SLSIC2SD065A08A 编号：C49450344
    封装：TO-220-2
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

    • 1+

      ￥8.27

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    HC4D10120A
    型号：HC4D10120A 编号：C19723884
    封装：TO-220-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具有1200V高反向耐压及10A大电流处理能力，其正向导通电压VF低至1.35V。专为高效能、高压电源转换系统设计，广泛应用于新能源汽车充电、工业逆变器等场合，实现快速恢复与低损耗的优质整流性能。

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      ￥8.32 ￥12.8

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      ￥7.0655 ￥10.87

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    SICU0660P-HXY
    型号：SICU0660P-HXY 编号：C51896343
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降低至1.36V（VF），有效减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的工作温度和更快的开关速度，适用于高频率、高效率的电源转换场景。典型应用包括开关模式电源、光伏逆变系统及高密度功率因数校正电路，适合对热管理和空间布局有严苛要求的设计需求。

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      ￥8.4455 ￥8.89

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HIDH10G120C5 编号：C42389219
    封装：TO-220C-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具有卓越的电气性能，其额定正向电流（IF/A）为10A，能够承受高达1200V的反向电压（VR/V）。在正向导通时，仅需1.35V的正向电压（VF/V），表现出优异的能效比。反向漏电流（IR/uA）维持在250微安以下，确保了在高电压下的可靠运行。瞬态峰值电流（IFSM/A）为71A，使其成为高频开关电源的理想选择，有助于提升电子装置的能量转换效率与整体性能稳定性。适用于需要快速开关特性的电路设计中。

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    C4D02120A-HXY
    型号：C4D02120A-HXY 编号：C51896319
    封装：TO-220C-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压、中低电流的功率转换场合。其正向压降（VF）典型值为1.36V，导通损耗较低，有助于提升能效。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的反向恢复能力，开关速度快，反向恢复电荷小，适用于高频工作环境。可广泛用于高效开关电源、高压直流转换模块、可再生能源发电系统的逆变单元以及高可靠性不间断电源设备中，支持在高温与高电压应力条件下稳定运行。

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：SWNSC051200Q 编号：C49450390
    封装：TO-220-2
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：SDSC05120 编号：C49450304
    封装：TO-220-2
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：SPCDP05120G1 编号：C49450358
    封装：TO-220-2
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：SSTPSC5H12D 编号：C49450383
    封装：TO-220-2
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

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    650V,10A碳化硅肖特基二极管
    型号：AS3D010065A 编号：C19194416
    封装：TO-220-2
    品牌：AnBon(安邦)
    特性：零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 正向电压VF具有正温度系数。 温度无关的开关特性。 175℃工作结温。 用单极器件替代双极器件。应用：开关模式电源。 功率因数校正

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    650V,20A碳化硅肖特基二极管
    型号：BCA65S20D3 编号：C42401691
    封装：TO-247-2
    品牌：Bestirpower(萃锦半导体)
    碳化硅二极管,650V,20A

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HC6D20065A 编号：C42389284
    封装：TO-220C-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款碳化硅二极管设计有20安培的最大正向电流（IF/A），并能承受650伏特的最高反向电压（VR/V）。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于减少能量损耗。在反向状态下，漏电流（IR/uA）为100微安，显示了较好的绝缘性能。此外，它支持高达123安培的瞬态正向电流（IFSM/A），适用于需要快速切换与稳定性能的高频电路中，可有效提升系统的整体效率。

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HIDH20G120C5 编号：C42389223
    封装：TO-220H-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款碳化硅二极管具备20A的正向电流（IF）承载能力，同时支持高达1200V的反向电压（VR），确保了在高压条件下的可靠操作。其正向电压（VF）为1.5V，有助于降低导通时的能耗。二极管的反向漏电流（IR）维持在200微安以下，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可承受130A，使得该组件能够在面临瞬间电流冲击的情况下保持稳定。适用于要求快速开关动作和低功耗损耗的电路解决方案中。

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    FFSD0865A-HXY
    型号：FFSD0865A-HXY 编号：C51896374
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，相较于传统硅器件可显著降低导通损耗，提高系统效率。得益于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有极短的反向恢复时间，支持高频开关操作，减少开关过程中的能量损耗与电磁干扰。适用于高效率电源适配器、紧凑型开关电源、可再生能源逆变装置及对热管理与空间利用率要求较高的电力转换模块。

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    HTRS16N65FBS1Q
    型号：HTRS16N65FBS1Q 编号：C42389295
    封装：TO-247
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具备8A的正向电流（IF/A），同时拥有650V的反向电压（VR/V），适合应用于需要高压和稳定电流的场合。其正向电压（VF/V）为1.3V，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR/uA）为24微安，表明其在阻断状态下的性能优异。此外，该二极管可以承受高达65A的峰值电流（IFSM/A），使其成为高频开关电源及其他需要高效率与可靠性的电路设计中的理想选择。

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HC4D10120H 编号：C19723886
    封装：TO-247-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装，具有1200V高反向耐压和10A连续正向电流承载能力，其正向导通电压VF为1.5V。专为高效能、高压电力转换系统设计，如新能源汽车充电器及工业级电源设备，提供卓越的高温稳定性和快速恢复整流效能。

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：SSCS205KGC 编号：C49450363
    封装：TO-220-2
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

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