sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SLSIC2SD065A10A 编号：C49450345

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥7.1
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￥5.84
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型号：STRS8E65F,S1Q 编号：C49450389

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥7.23
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型号：SDSC08065 编号：C49450305

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥7.23
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型号：WNSC6D10650T6J-HXY 编号：C53468133

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其低导通压降与高耐压特性相结合，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景，能有效降低系统损耗并提升整体能效表现。

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型号：ISL9R860P2-HXY 编号：C53468098

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为8A，反向重复峰值电压达650V，正向压降典型值为1.38V，具备较低的导通损耗。其最大正向浪涌电流能力为88A，适用于高频、高效率的电源转换系统。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关过程中表现出优异的动态性能和热稳定性，适合用于对体积与能效有严苛要求的电力电子应用中。

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型号：HC6D08065A 编号：C42389281

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管提供8A的正向电流能力（IF/A），并支持高达650V的反向电压（VR/V），适用于需要高耐压特性的电子设备。其正向电压降（VF/V）为1.3V，在导通期间有助于降低功耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在50微安，展示了优异的阻断特性。此外，其瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）可达64A，使其能够在短时间内承受较大的电流冲击，适用于高频开关及电源转换等精密电路设计中。

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型号：DSEP6-06BS-TUB-HXY 编号：C53468024

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为6A，反向重复峰值电压为650V，正向压降典型值为1.3V，反向漏电流低至50μA，展现出优异的导通效率与阻断能力。其非重复峰值正向浪涌电流可达48A，适用于存在瞬态电流冲击的电路环境。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍保持较低损耗和良好热稳定性，常用于高效电源转换、可再生能源系统及各类对能效和体积有较高要求的电力电子应用中。

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型号：E4D02120E-TR-HXY 编号：C51896348

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）可达1200V，正向压降（VF）典型值为1.36V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度，器件具备优异的耐压能力与较低的导通损耗，同时具有极短的反向恢复时间，适用于高电压、高频率的开关电源环境。典型应用包括高压电源模块、大功率DC-DC转换器、不间断电源系统及光伏逆变器中的功率整流单元，有助于提升系统能效并减少散热设计复杂度。

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￥8.113 ￥8.54
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型号：DSC06A065D1-13-HXY 编号：C51896316

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率的高效率电源系统。其正向压降（VF）低至1.36V，显著降低导通损耗，提升能量转换效率。基于碳化硅材料特性，器件具备快速反向恢复速度和优异的热导性能，支持高频开关操作。该二极管可在较高结温下稳定工作，适用于紧凑型电源设计。典型应用包括高效AC-DC电源适配器、DC-DC变换器、服务器电源模块及高密度功率因数校正电路等场景。

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型号：DSC08C065D1-13-HXY 编号：C51896318

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高电压功率转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的反向恢复性能，可显著减少开关过程中的能量损耗，支持高频工作模式。适用于高效电源适配器、不间断电源系统、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器等应用，能够在较宽温度范围内稳定运行，提升整体系统可靠性。

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型号：SIDK06G65C5XTMA2 编号：C49450333

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥8.14
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￥6.7
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￥5.91

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型号：WNSC2D10650TJ-HXY 编号：C53468111

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其低导通压降与高耐压特性相结合，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换场景，能够有效降低系统损耗并提升整体性能表现。

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￥8.2175 ￥8.65
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￥8.037 ￥8.46
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型号：SLSIC2SD065A08A 编号：C49450344

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥8.27
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型号：HC4D10120A 编号：C19723884

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具有1200V高反向耐压及10A大电流处理能力，其正向导通电压VF低至1.35V。专为高效能、高压电源转换系统设计，广泛应用于新能源汽车充电、工业逆变器等场合，实现快速恢复与低损耗的优质整流性能。

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型号：S3D15065A-HXY 编号：C51896337

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为15A，反向重复电压（VR）达650V，适用于较高功率等级的电力转换电路。其正向压降（VF）为1.5V，在高频开关环境下仍能保持良好的导通效率，有助于降低能量损耗。得益于碳化硅材料特性，器件具备优异的热稳定性和快速恢复能力，减少开关过程中的能量耗散。典型应用包括高效率电源模块、直流电源系统、光伏逆变装置及高密度功率变换设备，适合对散热性能和系统可靠性有较高要求的电力电子设计方案。

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￥8.721 ￥9.18
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型号：PSC1065HJ-HXY 编号：C53468132

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）低至50μA，展现出优异的导通性能与阻断能力。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达80A，适用于高频开关环境下的可靠运行。基于碳化硅材料特性，器件在高电压、高温条件下仍能保持较低损耗和良好稳定性，常用于高效电源转换、可再生能源系统及对电能效率和热性能有较高要求的电子设备中的整流与续流功能。

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￥8.892 ￥9.36
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型号：S4D08120E-HXY 编号：C51896334

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、高效率的电力转换环境。其正向导通压降（VF）为1.45V，在高温与高频工作条件下仍能保持稳定的电气性能。得益于碳化硅材料的低反向恢复电荷特性，该二极管可显著降低开关损耗，提升系统效率。典型应用包括高性能电源模块、高效直流变换装置、不间断电源系统以及光伏逆变设备，适用于对功率密度与热管理有较高要求的电路设计。

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￥8.9205 ￥9.39
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型号：FFSM0665A-HXY 编号：C53468043

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）典型值为1.42V。器件可承受60A的非重复浪涌正向电流（IFSM），展现出良好的瞬态耐受能力。基于碳化硅材料特性，其在高频开关条件下具有较低的开关损耗与较高的热稳定性，适用于高效率电源、功率因数校正模块以及对体积和温升敏感的电力电子系统中。

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型号：DSEP6-06AS-TRL-HXY 编号：C53468018

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为6A，最大反向重复电压达650V，正向压降低至1.3V，反向漏电流典型值为50μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复峰值正向浪涌电流能力为48A，适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势，在维持高耐压的同时显著降低开关损耗，适合用于高密度电源转换及高效能电力电子系统中。

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￥9.101 ￥9.58
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￥5.1585 ￥5.43

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型号：C3D08065E-TR-HXY 编号：C51896341

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.4V。依托碳化硅半导体材料的高热导率与高击穿场强特性，器件具备优异的耐高温性能和极快的开关响应速度，反向恢复电荷极低。适用于高效率开关电源、不间断电源系统、太阳能逆变装置以及高密度DC-DC变换器等应用，能有效降低系统开关损耗，提升功率密度与整体能效水平，尤其适合对热管理与空间布局要求严苛的高性能电力电子设备。

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￥9.1295 ￥9.61
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￥5.168 ￥5.44

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型号：CSICD10-650 TR13-HXY 编号：C53468120

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）低至50μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达80A，适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势，在高电压、高频率条件下仍能保持较低损耗与稳定运行，适合用于电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的整流与续流功能。

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￥9.177 ￥9.66
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型号：WNSC06650T6J-HXY 编号：C53468032

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具有6A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压，正向压降典型值为1.32V，能承受高达60A的非重复浪涌正向电流。凭借碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源相关的电力变换装置，在高温或高频率运行环境中仍可维持可靠性能。

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￥9.405 ￥9.9
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￥9.044 ￥9.52
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￥8.9015 ￥9.37

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型号：DSC08A065D1-13-HXY 编号：C51896329

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.4V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。器件利用碳化硅材料的优良特性，具有快速开关能力和优异的热稳定性，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于服务器电源、通信设备及可再生能源系统中的整流与续流环节，适合对功率密度和可靠性有较高要求的场合。

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￥5.719 ￥6.02

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型号：DSC10C065D1-13-HXY 编号：C51896330

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电源系统。其正向压降（VF）为1.37V，在同类器件中表现优异，有助于减少导通损耗，提升转换效率。基于碳化硅材料，该器件具备快速恢复特性与良好的热导性能，可在较高结温下稳定运行。典型应用场景包括高效开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的功率因数校正及直流变换模块，适用于对能效和功率密度有严苛要求的电力电子设计。

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￥5.719 ￥6.02

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型号：FFSD0465A-HXY 编号：C51896350

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降低至1.4V，有效减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的优异特性，具有快速开关能力和良好的热稳定性，适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及功率因数校正电路等场景，有助于减小被动元件体积，提高功率密度，满足对能效和紧凑设计有较高要求的电力电子应用。

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型号：DSC04065D1-HXY 编号：C51896364

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为4A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）低至1.4V，具备优异的导通效率和较低的功率损耗。得益于碳化硅材料的高热导率和快速开关特性，该器件在高频工作环境下仍能保持稳定的电气性能，反向恢复时间短，可有效减少开关损耗。适用于高效率开关电源、光伏逆变系统、服务器电源模块以及对能效和散热性能有较高要求的电力转换电路，有助于提升系统整体功率密度与运行可靠性。

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型号：C4D02120A-HXY 编号：C51896319

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压、中低电流的功率转换场合。其正向压降（VF）典型值为1.36V，导通损耗较低，有助于提升能效。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的反向恢复能力，开关速度快，反向恢复电荷小，适用于高频工作环境。可广泛用于高效开关电源、高压直流转换模块、可再生能源发电系统的逆变单元以及高可靠性不间断电源设备中，支持在高温与高电压应力条件下稳定运行。

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型号：SPCDB0865G1 编号：C49450355

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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型号：SSCS210AJHRTLL 编号：C49450365

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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型号：SDSC05120 编号：C49450304

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

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