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UJ3D1210TS-HXY

型号：UJ3D1210TS-HXY 编号：C51896389

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复电压（VR）达1200V，适用于中高功率电力转换场合。其正向导通压降（VF）为1.39V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升能效并减少热管理压力。得益于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的反向恢复能力，支持高频开关运行，减少开关损耗。典型应用包括高效开关电源、光伏逆变系统、储能装置中的整流与续流单元，以及各类高可靠性电源模块，可在较宽温度范围内稳定工作。

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￥28.6995 ￥30.21
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￥24.624 ￥25.92
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￥22.2015 ￥23.37
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￥18.6295 ￥19.61
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￥18.1165 ￥19.07

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NXPSC10650XQ-HXY

型号：NXPSC10650XQ-HXY 编号：C52195026

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流10A，反向重复峰值电压650V，正向导通压降低至1.37V，有效降低导通损耗并提升系统能效。基于碳化硅材料特性，具备优异的反向恢复性能，支持高频开关操作，减少开关过程中的能量耗散。其高热导率和耐高温能力增强了器件稳定性，适用于高密度电源架构，如大功率开关电源、高效直流变换模块及可再生能源逆变系统，适合对转换效率、散热管理与空间利用率有较高要求的电力电子应用场合。

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SCS320AHGC9-HXY

型号：SCS320AHGC9-HXY 编号：C51896372

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为20A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于较高功率密度的电力转换电路。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，结合碳化硅材料的低反向恢复电荷特性，可显著减少开关过程中的能量损耗。器件具备优异的高温工作性能与热导率，适合在紧凑型电源设计中实现高效整流与续流功能。广泛应用于服务器电源、通信电源模块、储能系统及高效率AC-DC转换器中，满足对系统能效和可靠性要求较高的应用场景。

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￥28.6995 ￥30.21
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VS-3C20ET07T-M3-HXY

型号：VS-3C20ET07T-M3-HXY 编号：C51896400

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有效降低导通损耗，提升整体能效。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，可显著减少开关损耗。适用于高频率、高效率的电源转换设计，如服务器电源、通信电源模块、可再生能源发电系统的逆变电路以及高密度适配器，有助于提高系统功率密度并改善热管理性能。

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￥30.495 ￥32.1
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￥26.163 ￥27.54
50+
￥23.5885 ￥24.83
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￥20.9855 ￥22.09
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￥19.7885 ￥20.83
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￥19.247 ￥20.26

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FFSP3065B-F085-HXY

型号：FFSP3065B-F085-HXY 编号：C51896396

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.41V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，能量损耗低。该器件适用于高效率电源转换场合，如开关模式电源、高频率DC-DC转换器、功率因数校正电路及高密度电源模块，能够有效提升系统整体能效并减少散热设计负担，适合对功率密度和热管理有较高要求的应用场景。

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￥30.495 ￥32.1
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LSIC2SD065D20A-HXY

型号：LSIC2SD065D20A-HXY 编号：C51896328

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少开关损耗，适用于高效率电源转换电路。典型应用场景包括开关模式电源、高密度DC-DC转换器及高频率整流电路，适合对热性能和空间布局有严格要求的高性能电子设备。

1+
￥31.939 ￥33.62
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￥27.5595 ￥29.01
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￥24.8805 ￥26.19
100+
￥22.648 ￥23.84

有货

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LSIC2SD065A20A-HXY

型号：LSIC2SD065A20A-HXY 编号：C51896327

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降（VF）为1.4V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，能量损耗低。适用于高频率、高效率的电源转换电路，如开关模式电源、功率因数校正单元及直流-直流变换器等，有助于提升系统整体能效并减少散热需求。

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￥32.281 ￥33.98
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￥27.702 ￥29.16
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￥24.9755 ￥26.29
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￥20.957 ￥22.06
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￥20.3775 ￥21.45

有货

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FFSP3065A-HXY

型号：FFSP3065A-HXY 编号：C51896381

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向压降低至1.41V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效降低开关损耗。适用于高密度电源转换设计，如高效开关电源、服务器电源模块及可再生能源逆变系统，满足对热性能和可靠性要求较高的应用场景。

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￥32.281 ￥33.98
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￥20.3775 ￥21.45

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WNSC101200Q-HXY

型号：WNSC101200Q-HXY 编号：C51896387

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、中等电流的功率应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，相较于传统硅器件具有更低的导通损耗。得益于碳化硅材料的优异特性，该二极管具备出色的开关性能，反向恢复电荷极小，可显著减少开关过程中的能量损耗。适用于高频率、高效率的电源转换电路，如通信电源、可再生能源逆变系统及高密度DC-DC转换器，有助于提升系统能效并减小散热设计负担。

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UJ3D06530TS-HXY

型号：UJ3D06530TS-HXY 编号：C51896398

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）典型值为1.41V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关速度和高温工作能力，适用于高频率、高效率的电源转换场景，如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度功率因数校正电路，为现代电力电子设备提供可靠的整流解决方案。

1+
￥33.535 ￥35.3
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￥28.937 ￥30.46
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￥26.125 ￥27.5
100+
￥23.7785 ￥25.03

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LGE3D40120D

型号：LGE3D40120D 编号：C53405424

封装：TO-247-3

品牌：LGE(鲁光)

正向压降(VF):1.45V@20A；最大反向耐压(VR)：1200V；最大整流电流(IF)：40A；最大正向浪涌电流(IFSM)：140A；反向电流(IR) ：10uA；电荷(QC)：186nC

1+
￥34.93
10+
￥29.97
30+
￥27.02

有货

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LGE3D40065D

型号：LGE3D40065D 编号：C53145204

封装：TO-247-3

品牌：LGE(鲁光)

1+
￥34.93
10+
￥29.97
30+
￥27.02

有货

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MSC020SDA120B-HXY

型号：MSC020SDA120B-HXY 编号：C52195046

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单芯片结构，额定平均正向电流（IF）为20A，反向重复峰值电压（VR）可达1200V，具备较高的电压阻断能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在高频率开关条件下可有效减少导通损耗。采用碳化硅材料，具有优异的热稳定性和快速恢复特性，适用于高温、高压工作环境。常见于高效能电源转换系统、高压直流变换器、光伏逆变模块及大功率开关电源电路中，有助于提升系统效率并降低散热设计复杂度。

1+
￥47.9085 ￥50.43
10+
￥41.3345 ￥43.51
30+
￥37.3255 ￥39.29
90+
￥33.9625 ￥35.75

有货

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STPSC20G12WLY-HXY

型号：STPSC20G12WLY-HXY 编号：C52195056

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为20A，反向耐压达1200V，适用于高电压、大电流工作环境。其正向导通压降典型值为1.4V，结合碳化硅材料的低反向恢复电荷特性，显著减少开关过程中的能量损耗。器件具备出色的热稳定性和高频工作能力，可在较宽温度范围内可靠运行。主要应用于高效能电源转换系统，如大功率开关电源、太阳能逆变装置、储能系统中的整流与续流电路，以及对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子设备中，有助于提升整体系统能效和紧凑性。

1+
￥51.1005 ￥53.79
10+
￥44.0895 ￥46.41
30+
￥39.8145 ￥41.91
90+
￥36.233 ￥38.14

有货

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UJ3D1220K2-HXY

型号：UJ3D1220K2-HXY 编号：C52195045

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作能力与快速开关响应，适用于高频率、高效率的电力转换场景。该产品常用于电源管理系统、可再生能源逆变装置及高压直流变换电路中，支持紧凑化设计并改善整体热管理表现。

1+
￥60.6765 ￥63.87
10+
￥52.3545 ￥55.11
30+
￥47.272 ￥49.76
90+
￥43.016 ￥45.28

有货

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STPSC30G12WLY-HXY

型号：STPSC30G12WLY-HXY 编号：C51896403

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备30A的正向电流（IF）和1200V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料特性，该器件具备优异的开关速度与高温稳定性，能够显著提升系统效率并减少热管理负担。适用于高密度电源转换应用，如通信电源、光伏逆变装置及高压直流变换器，在高频、高电压工作条件下表现出良好的可靠性和耐久性，有助于实现紧凑化、高效化的电力电子设计。

1+
￥73.1215 ￥76.97
10+
￥69.768 ￥73.44
30+
￥63.9445 ￥67.31
90+
￥58.8715 ￥61.97

有货

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LSIC2SD170B25-HXY

型号：LSIC2SD170B25-HXY 编号：C51896393

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备25A的正向电流（IF）和1700V的反向重复电压（VR），正向压降为1.5V，表现出优异的导通性能。基于碳化硅材料，该器件具有极低的反向恢复电荷和快速开关特性，适用于高频率、高效率的电力转换应用。其高耐压能力与低损耗特性使其适合用于大功率电源系统、可再生能源发电逆变装置、高性能开关电源及高密度DC-DC转换模块，有助于提升系统整体能效并减少散热设计复杂度。

1+
￥76.646 ￥80.68
10+
￥66.1295 ￥69.61
30+
￥59.717 ￥62.86
90+
￥54.34 ￥57.2

有货

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FFSH5065B-F085-HXY

型号：FFSH5065B-F085-HXY 编号：C51896402

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备50A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高功率电力转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.45V，有助于减少导通损耗，提高系统效率。基于碳化硅材料的特性，该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，可有效降低开关损耗，支持更高频率的工作模式。器件具备良好的热导性能和高温工作稳定性，适合用于高效直流电源、可再生能源逆变系统、储能装置以及高密度功率模块设计，满足对能效和功率密度有较高要求的应用需求。

1+
￥77.3395 ￥81.41
10+
￥73.7865 ￥77.67
30+
￥67.6305 ￥71.19
90+
￥62.263 ￥65.54

有货

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安邦碳化硅肖特基二极管 1200V 2A TO-220-2

型号：ASVD002120A 编号：C50132439

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=2A@Tc=165℃，Vf=1.45V@2A

1+
￥3.002 ￥3.16
10+
￥2.375 ￥2.5
50+
￥2.109 ￥2.22
100+
￥1.7765 ￥1.87
500+
￥1.6245 ￥1.71
1000+
￥1.539 ￥1.62

有货

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S4D02120A-HXY

型号：S4D02120A-HXY 编号：C51896243

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备2A的正向电流（IF）和1200V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。其高耐压特性与低导通损耗相结合，有助于提升电路转换效率。器件利用碳化硅材料的优异性能，支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少开关过程中的能量损耗与发热。适用于高效率电源转换拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、DC-DC变换器及高压整流应用，适合对能效和功率密度有较高要求的电力电子系统。

1+
￥4.104 ￥4.32
10+
￥3.325 ￥3.5
50+
￥2.9355 ￥3.09
100+
￥2.546 ￥2.68
500+
￥2.318 ￥2.44
1000+
￥2.1945 ￥2.31

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D04065E 编号：C42389271

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有4安培的最大正向电流（IF/A），能承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能耗并提高效率。在反向偏置状态下，其漏电流（IR/uA）不超过50微安，显示了良好的阻断性能。该二极管还具备36安培的峰值浪涌电流（IFSM/A），能够在极端情况下提供额外的安全裕量。这些特性使其非常适合应用于需要快速切换及稳定性能的电路中，如高频开关电源转换和逆变技术等领域。

1+
￥4.6904 ￥5.33
10+
￥3.784 ￥4.3
30+
￥3.3264 ￥3.78
100+
￥2.8688 ￥3.26
500+
￥2.596 ￥2.95
1000+
￥2.4552 ￥2.79

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：GC3D04065A 编号：C7435062

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:23nC 总功率(Ptot):73W

1+
￥4.88
10+
￥3.93
50+
￥3.46
100+
￥2.98
500+
￥2.7
1000+
￥2.56

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：RSS08065A 编号：C5371980

封装：TO-220-2

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

应用：大功率适配器，PC金牌电源，服务器电源，工业电源，PFC升压模块，UPS电源

数据手册

1+
￥5.4055 ￥5.69
10+
￥4.579 ￥4.82
50+
￥4.1325 ￥4.35
100+
￥3.6195 ￥3.81
500+
￥3.401 ￥3.58
1000+
￥3.2965 ￥3.47

有货

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STRS4E65F,S1Q

型号：STRS4E65F,S1Q 编号：C49450388

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥5.5
10+
￥4.42
50+
￥3.88
100+
￥3.34

有货

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SSCS304AHGC9

型号：SSCS304AHGC9 编号：C49450367

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥5.5
10+
￥4.42
50+
￥3.88
100+
￥3.34

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：GC3D03060A 编号：C7435060

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:23nC 总功率(Ptot):73W

1+
￥5.55
10+
￥4.47
50+
￥3.93
100+
￥3.39
500+
￥3.07
1000+
￥2.9

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：GC3D08065A 编号：C7435066

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:20nC 总功率(Ptot):107W

1+
￥5.55
10+
￥4.47
50+
￥3.93
100+
￥3.39
500+
￥3.07
1000+
￥2.9

有货

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HC3D06065A

型号：HC3D06065A 编号：C22449554

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管是高效能电源转换的优选，耐压650V稳定可靠，6A大电流承载满足更高功率需求。其卓越的1.3V低正向压降特性，确保了电力转换中的极高效率与低温运行，非常适合于要求严格的高性能电子系统。

1+
￥5.6784 ￥7.28
10+
￥4.6956 ￥6.02
50+
￥4.1574 ￥5.33
100+
￥3.549 ￥4.55
500+
￥3.276 ￥4.2
1000+
￥3.159 ￥4.05

有货

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WNSC2D06650TJ-HXY

型号：WNSC2D06650TJ-HXY 编号：C53468015

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.32V，非重复浪涌正向电流（IFSM）可达60A。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与低导通损耗特性，在高频开关条件下仍能维持稳定性能，适用于对效率、体积及热管理有严苛要求的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源相关设备中的整流与续流路径。

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WNSC2D08650TJ-HXY

型号：WNSC2D08650TJ-HXY 编号：C53468100

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.42V，具备较低的导通损耗。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达60A，适用于高频、高效率要求的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备，在提升系统效率与功率密度方面具有显著优势。

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