sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

该碳化硅二极管为独立式器件，具备25A的正向电流（IF）和1700V的反向重复电压（VR），正向压降为1.5V，表现出优异的导通性能。基于碳化硅材料，该器件具有极低的反向恢复电荷和快速开关特性，适用于高频率、高效率的电力转换应用。其高耐压能力与低损耗特性使其适合用于大功率电源系统、可再生能源发电逆变装置、高性能开关电源及高密度DC-DC转换模块，有助于提升系统整体能效并减少散热设计复杂度。

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￥76.646 ￥80.68
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￥66.1295 ￥69.61
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￥59.717 ￥62.86
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￥54.34 ￥57.2

有货

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型号：FFSH5065B-F085-HXY 编号：C51896402

封装：TO-247-2L

该碳化硅二极管为独立式器件，具备50A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高功率电力转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.45V，有助于减少导通损耗，提高系统效率。基于碳化硅材料的特性，该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，可有效降低开关损耗，支持更高频率的工作模式。器件具备良好的热导性能和高温工作稳定性，适合用于高效直流电源、可再生能源逆变系统、储能装置以及高密度功率模块设计，满足对能效和功率密度有较高要求的应用需求。

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￥77.3395 ￥81.41
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￥73.7865 ￥77.67
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￥67.6305 ￥71.19
90+
￥62.263 ￥65.54

有货

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型号：RSS08065G 编号：C51904722

封装：PDFN-8(5x6)

适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS,电动工具

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￥1.786 ￥1.88
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￥1.748 ￥1.84
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￥1.7195 ￥1.81
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￥1.691 ￥1.78

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型号：PNU65020EPX-HXY 编号：C52145207

封装：SMAF

该碳化硅二极管额定正向电流为2A，反向重复耐压达650V，适用于中高电压功率电路。其正向导通压降为1.3V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提高能量转换效率。反向漏电流典型值为2μA，表现出良好的关断特性和高温稳定性。基于碳化硅材料的优异性能，该器件具备快速恢复能力与较小的结电容，适合应用于高效开关电源、高密度AC-DC/DC-DC转换模块以及对热管理要求较高的电力电子设备中，可支持高频运行并降低散热设计复杂度。

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￥1.949
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￥1.5408
150+
￥1.3658

有货

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型号：BCH65S08D3 编号：C46472734

封装：TO-220-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,8A

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￥2.5275 ￥3.37
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￥2.0025 ￥2.67
50+
￥1.7775 ￥2.37
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￥1.4925 ￥1.99

有货

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型号：RSS06065G 编号：C51904689

封装：PDFN-8(5x6)

吹风筒，电机驱动

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￥2.7455 ￥2.89
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￥2.1755 ￥2.29
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￥1.9285 ￥2.03
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￥1.615 ￥1.7
500+
￥1.482 ￥1.56
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￥1.3965 ￥1.47

有货

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型号：BCH65S06D3 编号：C42401689

封装：TO-220-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,6A

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￥2.847 ￥3.65
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￥2.3088 ￥2.96
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￥1.9578 ￥2.51
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￥1.6926 ￥2.17

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型号：HSTPSC4H065D 编号：C42389208

封装：TO-220H-2L

这款碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF/A）和650V的反向电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向压降（VF/V）仅为1.3V，在保证性能的同时降低了能耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在50微安以下，显示出良好的阻断特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达23A，适合于需要承受短时大电流冲击的应用场合。此元件凭借其出色的电气特性，适用于多种电路保护及高效能转换场景中。

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￥2.8888 ￥3.14
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￥2.8244 ￥3.07
50+
￥2.7784 ￥3.02
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￥2.7416 ￥2.98

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型号：ASVD002120A 编号：C50132439

封装：TO-220-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=2A@Tc=165℃，Vf=1.45V@2A

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￥3.002 ￥3.16
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￥2.375 ￥2.5
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￥2.109 ￥2.22
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￥1.7765 ￥1.87
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￥1.6245 ￥1.71
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￥1.539 ￥1.62

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型号：BCM120S02D3 编号：C47994746

封装：TO-252NC

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,1200V,2A

1+
￥3.23
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￥2.55
30+
￥2.26
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￥1.9

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型号：HC3D06065A 编号：C22449554

封装：TO-220-2L

这款碳化硅二极管是高效能电源转换的优选，耐压650V稳定可靠，6A大电流承载满足更高功率需求。其卓越的1.3V低正向压降特性，确保了电力转换中的极高效率与低温运行，非常适合于要求严格的高性能电子系统。

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￥3.3384 ￥4.28
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￥3.2604 ￥4.18
50+
￥3.2058 ￥4.11
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￥3.159 ￥4.05

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型号：S3D10065E-HXY 编号：C51896241

封装：TO-252-2L

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，导通时正向压降（VF）低至1.37V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具备优异的高温稳定性、极快的开关速度和极低的反向恢复电荷，适用于高频、高效率的电力转换应用。典型使用场景包括大功率开关电源、数据中心电源系统、可再生能源逆变装置及高密度DC-DC变换器，能够有效降低开关损耗，提升整体能效，并支持系统向更高功率密度和更优热管理方向发展。

1+
￥4.2465 ￥4.47
10+
￥4.1515 ￥4.37
30+
￥4.085 ￥4.3
100+
￥4.0185 ￥4.23

有货

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型号：S3D08065G-HXY 编号：C52194982

封装：TO-263

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）低至1.42V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的开关特性，反向恢复时间极短，开关损耗显著低于传统硅二极管。器件耐高温性能良好，可在较高工作温度下保持稳定。适用于高效率电源转换系统，如通信电源、服务器电源、可再生能源逆变装置以及高密度直流-直流变换器。其高频工作能力有助于减小外围滤波元件的体积，提升系统整体功率密度与能效水平。

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￥4.2465 ￥4.47
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￥4.1515 ￥4.37
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￥4.085 ￥4.3
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￥4.0185 ￥4.23

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型号：HC3D10065A 编号：C19723878

封装：TO-220-2L

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具有650V高反向耐压和10A大电流处理能力，正向导通电压VF为1.5V。适用于高效能电源转换、新能源汽车及工业领域，提供低损耗、快速恢复的优质整流方案，确保在严苛条件下稳定工作。

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￥4.755 ￥6.34
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￥3.8475 ￥5.13
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￥3.3 ￥4.4
100+
￥2.85 ￥3.8
500+
￥2.58 ￥3.44
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￥2.4375 ￥3.25

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型号：GC3D04065A 编号：C7435062

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:23nC 总功率(Ptot):73W

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￥4.88
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￥3.93
50+
￥3.46
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￥2.98
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￥2.7
1000+
￥2.56

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型号：S4D08120E-HXY 编号：C51896334

封装：TO-252-2L

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、高效率的电力转换环境。其正向导通压降（VF）为1.45V，在高温与高频工作条件下仍能保持稳定的电气性能。得益于碳化硅材料的低反向恢复电荷特性，该二极管可显著降低开关损耗，提升系统效率。典型应用包括高性能电源模块、高效直流变换装置、不间断电源系统以及光伏逆变设备，适用于对功率密度与热管理有较高要求的电路设计。

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￥5.339 ￥5.62
10+
￥5.2155 ￥5.49
30+
￥5.1395 ￥5.41
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￥5.054 ￥5.32

有货

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型号：RSS08065A 编号：C5371980

封装：TO-220-2

应用：大功率适配器，PC金牌电源，服务器电源，工业电源，PFC升压模块，UPS电源

数据手册

1+
￥5.4055 ￥5.69
10+
￥4.579 ￥4.82
50+
￥4.1325 ￥4.35
100+
￥3.6195 ￥3.81
500+
￥3.401 ￥3.58
1000+
￥3.2965 ￥3.47

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型号：C3D08065E-TR-HXY 编号：C51896341

封装：TO-252-2L

该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.4V。依托碳化硅半导体材料的高热导率与高击穿场强特性，器件具备优异的耐高温性能和极快的开关响应速度，反向恢复电荷极低。适用于高效率开关电源、不间断电源系统、太阳能逆变装置以及高密度DC-DC变换器等应用，能有效降低系统开关损耗，提升功率密度与整体能效水平，尤其适合对热管理与空间布局要求严苛的高性能电力电子设备。

1+
￥5.453 ￥5.74
10+
￥5.3295 ￥5.61
30+
￥5.2535 ￥5.53
100+
￥5.168 ￥5.44

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型号：STRS4E65F,S1Q 编号：C49450388

封装：TO-220-2

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥5.5
10+
￥4.42
50+
￥3.88
100+
￥3.34

有货

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型号：SSCS304AHGC9 编号：C49450367

封装：TO-220-2

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥5.5
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￥4.42
50+
￥3.88
100+
￥3.34

有货

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型号：GC3D03060A 编号：C7435060

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:23nC 总功率(Ptot):73W

1+
￥5.55
10+
￥4.47
50+
￥3.93
100+
￥3.39
500+
￥3.07
1000+
￥2.9

有货

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型号：GC3D08065A 编号：C7435066

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:20nC 总功率(Ptot):107W

1+
￥5.55
10+
￥4.47
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￥3.93
100+
￥3.39
500+
￥3.07
1000+
￥2.9

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型号：HC6D04065A 编号：C42389283

封装：TO-220H-2L

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF/A）承载能力，同时能够承受最大650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，确保了高效的能量转换效率。在反向应用中，该二极管的漏电流（IR/uA）不超过50微安，表明其具有良好的阻断性能。瞬态峰值电流（IFSM/A）为23安培，使其成为高频开关应用中的理想选择，特别适合于需要快速开关且维持低功耗操作的场合。

1+
￥5.6025 ￥6.75
10+
￥4.6563 ￥5.61
50+
￥4.1417 ￥4.99
100+
￥3.5026 ￥4.22
500+
￥3.237 ￥3.9
1000+
￥3.1208 ￥3.76

有货

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型号：RSS08065B 编号：C51904701

封装：TO-220-2

OBC充电机,化成电源,医疗电源,金牌PC电源,服务器电源,TV电源,充电桩,通讯电源,谐振方案,工控

1+
￥5.719 ￥6.02
10+
￥4.636 ￥4.88
50+
￥4.085 ￥4.3
100+
￥3.553 ￥3.74
500+
￥3.23 ￥3.4
1000+
￥3.059 ￥3.22

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型号：SPCDB0865G1 编号：C49450355

封装：TO-263

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥5.88
10+
￥5.74
30+
￥5.64

有货

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型号：SSCS210AJHRTLL 编号：C49450365

封装：TO-263

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥5.88
10+
￥5.74
30+
￥5.64

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型号：DSC08A065D1-13-HXY 编号：C51896329

封装：TO-252-2L

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.4V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。器件利用碳化硅材料的优良特性，具有快速开关能力和优异的热稳定性，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于服务器电源、通信设备及可再生能源系统中的整流与续流环节，适合对功率密度和可靠性有较高要求的场合。

1+
￥6.0325 ￥6.35
10+
￥5.8995 ￥6.21
30+
￥5.8045 ￥6.11
100+
￥5.719 ￥6.02

有货

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型号：DSC10C065D1-13-HXY 编号：C51896330

封装：TO-252-2L