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LSIC2SD065C08A-HXY
型号：LSIC2SD065C08A-HXY 编号：C51896242
封装：TO-252-2L
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管采用独立式结构，支持8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于较高功率密度的电源系统。其正向压降（VF）为1.4V，在导通状态下具备较低的功率损耗。基于碳化硅材料，该器件具有优异的开关特性，反向恢复时间极短，反向恢复电荷小，有效降低高频开关过程中的能量损耗。该性能特点使其适用于高效率AC-DC电源、连续导通模式的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换模块以及对热性能和空间布局要求较高的紧凑型电源设计。

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    安邦 碳化硅肖特基二极管 1200V 20A TO-247-2
    型号：ASYD020120C 编号：C50132426
    封装：TO-247-2
    品牌：AnBon(安邦)
    SiC Schottky; Vrrm=1200V， If=20A@Tc=155℃, Vf=1.5V@20A

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    安邦 碳化硅肖特基二极管 1200V 30A TO-247-3
    型号：AS4D030120P2 编号：C50132438
    封装：TO-247-3
    品牌：AnBon(安邦)
    SiC Schottky; Vrrm=1200V,If=15/30A@Tc=142℃, Vf=1.45V@15A，共阴极

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    STPSC10H12B2-TR-HXY
    型号：STPSC10H12B2-TR-HXY 编号：C52195027
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管为独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、高效率的电力电子电路。其正向导通压降（VF）为1.39V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提升系统能效。依托碳化硅材料的高热导率与高击穿场强特性，该器件支持高频工作，反向恢复特性优良，适用于开关电源、不间断电源及可再生能源发电系统中的整流与续流环节，尤其适合对功率密度和热性能有较高要求的紧凑型电源设计。

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    FFSD08120A-HXY
    型号：FFSD08120A-HXY 编号：C51896367
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.45V。器件利用碳化硅材料特性，实现高频、高效率的整流性能，反向恢复时间极短，漏电流低，适用于高开关频率的电源转换场景。其高耐压与高电流承载能力，结合优异的热稳定性，适合用于紧凑型电源模块、高密度开关电源及需要高效能功率管理的电路设计中，有助于提升系统整体能效并减少散热需求。

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：GC3D30065A 编号：C7435073
    封装：TO-220-2
    品牌：SUPSiC(国晶微半导体)
    总电容电荷（Qc）:44.5nC 总功率(Ptot):300W

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：KN3D20065D 编号：C5373178
    封装：TO-247-3
    品牌：KNSCHA(科尼盛)
    碳化硅二极管 SiC SBD 管装 应用于电源、工控、空调等、电动工具、储能
    数据手册

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    C3D10065I-HXY
    型号：C3D10065I-HXY 编号：C52195040
    封装：TO-220C-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管为独立式单管结构，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率转换电路。其正向导通压降为1.38V，在高频工作条件下可显著降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的高耐热性与快速恢复特性，该器件可在高温、高频率环境中稳定运行，广泛用于高效开关电源、可再生能源逆变装置、储能系统及高功率密度电源模块中，满足对热性能和电气性能要求较高的应用场景。

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    LSIC2SD120D15-HXY
    型号：LSIC2SD120D15-HXY 编号：C51896395
    封装：TO-263
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管采用独立式配置，具备15A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.5V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少能量损耗并改善热管理表现。适用于高密度电源转换设计，如高效开关电源、光伏逆变装置及高功率密度适配器等场景，能够在较宽温度范围内可靠运行，满足对小型化和高效率有要求的应用需求。

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：SDSC10120 编号：C49450307
    封装：TO-220-2
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：SPCDP08120G1 编号：C49450360
    封装：TO-220-2
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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    IDH10G65C6
    型号：IDH10G65C6 编号：C535873
    封装：TO-220-2
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

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      ￥16.2

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HC4D20120D 编号：C19723888
    封装：TO-247-3L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装，具有1200V高耐压及20A大电流处理能力，正向导通电压VF为1.5V。专为高效、高压环境设计，广泛应用于电力转换器、电动汽车充电系统和工业级电源设备，实现快速恢复与低损耗的高性能整流功能。

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      ￥10.3575 ￥13.81
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    SIC SBD
    型号：SP30D120CTT 编号：C49257265
    封装：TO-247-2L
    品牌：Siliup(矽普)
    碳化硅二极管产品，耐压：1200V，电流：30A,Vf：1.42V@30A， Qc：158nC

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      ￥11.1435 ￥11.73
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    碳化硅肖特基二极管
    型号：SPCDP10120G1 编号：C49450361
    封装：TO-220-2
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

    • 1+

      ￥18.37

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      ￥15.69

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      ￥14.09
  • 有货
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    F4C20120A
    型号：F4C20120A 编号：C784612
    封装：TO-220-2
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：1.2kV 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关。 极快的开关速度。 正向电压 (VF) 具有正温度系数。应用：开关模式电源 (SMPS)。 功率因数校正 (PFC) 或 DC/DC 级中的升压二极管
    数据手册

    • 1+

      ￥19.46

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      ￥15.98

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      ￥13.8

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      ￥11.57
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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HIDW10G120C5B 编号：C42389314
    封装：TO-247-3L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够在高达1200伏特的反向电压（VR/V）下稳定工作。其较低的正向电压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保效率的同时减少了能量损耗。该二极管在反向偏置条件下展示出良好的绝缘性能，漏电流（IR/uA）不超过150微安。此外，瞬态条件下，最大正向浪涌电流（IFSM/A）可达46安培，表明了其在承受短时过载电流方面的能力。这些特性使得此元件适用于需要高效率及可靠性的多种电路设计中。

    • 1+

      ￥19.7912 ￥22.49

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      ￥16.984 ￥19.3

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      ￥12.848 ￥14.6

    • 990+

      ￥12.496 ￥14.2
  • 有货
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    HNXPSC20650W6Q
    型号：HNXPSC20650W6Q 编号：C42389277
    封装：TO-247
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款碳化硅二极管具有20A的最大平均正向电流（IF/A），适用于要求严苛的电流处理需求。其额定反向电压（VR/V）为650V，确保了在高压环境下的可靠性。正向电压降（VF/V）为1.3V，有助于减少导通损耗，提高整体效率。反向漏电流（IR/uA）控制在40微安水平，表明其拥有良好的绝缘性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达到150A，使其成为高频切换及需耐受瞬间大电流场合的理想选择，适用于追求高效能与稳定性的电子设计中。

    • 1+

      ￥19.8985 ￥23.41

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      ￥17.0765 ￥20.09

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      ￥12.563 ￥14.78
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    F3C10170D
    型号：F3C10170D 编号：C2844164
    封装：TO-247-2
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：1700 伏肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 无卤；符合 RoHS 标准
    数据手册

    • 1+

      ￥20.286 ￥28.98

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      ￥17.388 ￥24.84

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      ￥15.659 ￥22.37

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      ￥13.916 ￥19.88
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    WNSC101200Q-HXY
    型号：WNSC101200Q-HXY 编号：C51896387
    封装：TO-220C-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、中等电流的功率应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，相较于传统硅器件具有更低的导通损耗。得益于碳化硅材料的优异特性，该二极管具备出色的开关性能，反向恢复电荷极小，可显著减少开关过程中的能量损耗。适用于高频率、高效率的电源转换电路，如通信电源、可再生能源逆变系统及高密度DC-DC转换器，有助于提升系统能效并减小散热设计负担。

    • 1+

      ￥21.527 ￥22.66

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      ￥21.033 ￥22.14

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      ￥20.71 ￥21.8

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      ￥20.3775 ￥21.45
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    NXPSC10650B6J
    型号：NXPSC10650B6J 编号：C602663
    封装：TO-263
    品牌：WeEn(瑞能)
    碳化硅SiC
    数据手册

    • 1+

      ￥22.2357 ￥47.31

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      ￥17.1199 ￥46.27

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      ￥12.3039 ￥45.57

    • 100+

      ￥12.1149 ￥44.87
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    LSIC2SD065D20A-HXY
    型号：LSIC2SD065D20A-HXY 编号：C51896328
    封装：TO-220C-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少开关损耗，适用于高效率电源转换电路。典型应用场景包括开关模式电源、高密度DC-DC转换器及高频率整流电路，适合对热性能和空间布局有严格要求的高性能电子设备。

    • 1+

      ￥23.921 ￥25.18

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      ￥22.648 ￥23.84
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    UJ3D06530TS-HXY
    型号：UJ3D06530TS-HXY 编号：C51896398
    封装：TO-220C-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）典型值为1.41V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关速度和高温工作能力，适用于高频率、高效率的电源转换场景，如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度功率因数校正电路，为现代电力电子设备提供可靠的整流解决方案。

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    SIC15120B-BP-HXY
    型号：SIC15120B-BP-HXY 编号：C51896397
    封装：TO-220C-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管为独立式器件，具备15A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V。基于碳化硅材料，其具有出色的耐压性能、高温稳定性和极低的反向恢复电荷，适用于高电压、高频率的功率转换环境。典型应用包括高效率开关电源、不间断电源系统、太阳能逆变器以及高压DC-DC转换器。器件在提升系统能效、降低热损耗和减小被动元件体积方面表现突出，适合对功率密度与长期可靠性有严格要求的电力电子设计。

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    CVFD20065A-HXY
    型号：CVFD20065A-HXY 编号：C51896404
    封装：TO-220C-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管为独立式器件，具备20A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率应用。其正向导通压降（VF）为1.4V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统效率。得益于碳化硅材料的高热导率和高击穿电场特性，该二极管可在较高温度下稳定运行，并支持高频开关操作。典型应用场景包括高效开关电源、直流配电系统的隔离模块、光伏逆变单元以及对能效和空间布局有要求的电力电子变换装置，为现代电力转换提供可靠的技术支持。

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    STPSC20G12WLY-HXY
    型号：STPSC20G12WLY-HXY 编号：C52195056
    封装：TO-247-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为20A，反向耐压达1200V，适用于高电压、大电流工作环境。其正向导通压降典型值为1.4V，结合碳化硅材料的低反向恢复电荷特性，显著减少开关过程中的能量损耗。器件具备出色的热稳定性和高频工作能力，可在较宽温度范围内可靠运行。主要应用于高效能电源转换系统，如大功率开关电源、太阳能逆变装置、储能系统中的整流与续流电路，以及对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子设备中，有助于提升整体系统能效和紧凑性。

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    UJ3D1220K2-HXY
    型号：UJ3D1220K2-HXY 编号：C52195045
    封装：TO-247-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作能力与快速开关响应，适用于高频率、高效率的电力转换场景。该产品常用于电源管理系统、可再生能源逆变装置及高压直流变换电路中，支持紧凑化设计并改善整体热管理表现。

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    SIC10120PTA-BP-HXY
    型号：SIC10120PTA-BP-HXY 编号：C52195012
    封装：TO-247-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压阻断与大电流导通场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.47V，结合碳化硅材料固有的低反向恢复电荷与高热导率特性，可显著减少开关过程中的能量损耗。器件支持高频开关工作模式，具备优良的高温工作稳定性。主要应用于高压直流电源、高效能电力变换系统、可再生能源逆变单元及高功率密度电源模块，适用于对系统效率、散热性能和长期可靠性要求较高的电力电子装置。

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    SIC20120PTP-BP-HXY
    型号：SIC20120PTP-BP-HXY 编号：C52195044
    封装：TO-247-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管采用独立式结构，具备20A的正向平均电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压阻断场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，可有效减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料特性，器件具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，支持高频工作模式。主要应用于高功率密度电源转换系统，如通信电源、储能逆变装置、高压直流变换器及太阳能发电系统中的整流与续流环节，可在高温、高应力环境下稳定运行，满足严苛的电力电子设计需求。

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    NVDSH50120C-HXY
    型号：NVDSH50120C-HXY 编号：C52195055
    封装：TO-247-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该碳化硅二极管采用独立式配置，具备50A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），在高功率条件下表现出优异的电气性能。其正向压降（VF）低至1.43V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持更高的工作温度和开关频率，适用于对功率密度和转换效率要求较高的电力转换场合，如大功率电源模块、可再生能源逆变系统及高频率直流变换装置，为复杂电路设计提供可靠的解决方案。

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