sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220-2

第6代CoolSiC（G6）是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中通过引入进一步的改进得到增强，如新型肖特基金属系统。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOST 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

数据手册

1+
￥10.99
10+
￥9.18
50+
￥7.89
100+
￥6.76

有货

立即购买

型号：C6D08065E-TR-HXY 编号：C51896303

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中高电压功率转换应用。其正向导通压降（VF）为1.4V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，器件具有优异的高温工作能力和快速开关性能，可支持高频运行。独立封装设计便于电路集成与热管理，适用于高效率开关电源、储能系统、通信电源及可再生能源发电设备中的整流与续流环节，满足对功率密度、转换效率和长期稳定性有较高要求的电力电子场景。

1+
￥11.4665 ￥12.07
10+
￥9.747 ￥10.26
30+
￥8.6735 ￥9.13
100+
￥7.5715 ￥7.97
500+
￥7.0775 ￥7.45
1000+
￥6.859 ￥7.22

有货

立即购买

型号：IDM05G120C5XTMA1-HXY 编号：C52194990

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备5A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降（VF）为1.38V。依托碳化硅材料优势，具备出色的耐高压性能、高温稳定性和极快的开关速度，反向恢复电荷极低。适用于高电压、高效率要求的电源系统，如大功率开关电源、不间断电源、光伏逆变器以及高密度电源模块等，可有效降低开关损耗，提升系统功率密度与整体能效水平。

1+
￥11.4665 ￥12.07
10+
￥9.747 ￥10.26
30+
￥8.6735 ￥9.13
100+
￥7.5715 ￥7.97
500+
￥7.0775 ￥7.45
1000+
￥6.859 ￥7.22

有货

立即购买

型号：PSC1065H-QJ-HXY 编号：C53468134

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）仅为50μA，表现出低导通损耗与优异的阻断能力。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源转换系统，在提升能效的同时有助于减小散热设计负担。

1+
￥11.9605 ￥12.59
10+
￥11.685 ￥12.3
30+
￥11.5045 ￥12.11
100+
￥11.324 ￥11.92

有货

立即购买

型号：DSC08A065LP-13-HXY 编号：C53468046

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为8A，最大反向重复电压VR达650V，正向压降VF典型值为1.42V，具备较低的导通损耗。器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），在高频开关应用中表现出优异的动态性能和热稳定性。适用于高效率电源转换、开关模式整流及对能效与响应速度有较高要求的电子系统。

1+
￥11.9605 ￥12.59
10+
￥11.685 ￥12.3
30+
￥11.5045 ￥12.11
100+
￥11.324 ￥11.92

有货

立即购买

型号：SP30D120CTT 编号：C49257265

封装：TO-247-2L

品牌：Siliup(矽普)

碳化硅二极管产品，耐压：1200V，电流：30A,Vf：1.42V@30A， Qc：158nC

1+
￥12.16 ￥12.8
10+
￥10.298 ￥10.84
30+
￥9.139 ￥9.62
90+
￥7.942 ￥8.36
510+
￥7.41 ￥7.8
990+
￥7.1725 ￥7.55

有货

立即购买

型号：HC3D12065G 编号：C22449559

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此碳化硅二极管专为高功率应用设计，耐压650V可靠耐用，12A大电流承载力满足更广泛系统需求。其正向压降低至1.3V，确保高效能转换与低温运行，是提升现代电子设备能效与可靠性的关键元件。

1+
￥13.9606 ￥16.82
10+
￥11.8109 ￥14.23
30+
￥10.4663 ￥12.61
100+
￥9.0968 ￥10.96
500+
￥8.4743 ￥10.21
800+
￥8.2004 ￥9.88

有货

立即购买

型号：DSC10A065LP-13-HXY 编号：C53468119

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为10A，反向重复峰值电压为650V，典型正向压降为1.37V，并能承受高达80A的非重复浪涌正向电流。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下展现出低导通损耗与快速恢复能力，适用于高效率、高功率密度的电源系统，如通信设备电源、服务器供电模块及各类开关电源中的整流应用，有助于提升系统整体能效与热管理性能。

1+
￥14.3545 ￥15.11
10+
￥14.022 ￥14.76
30+
￥13.8035 ￥14.53
100+
￥13.585 ￥14.3

有货

立即购买

型号：KN3D20065D 编号：C5373178

封装：TO-247-3

品牌：KNSCHA(科尼盛)

碳化硅二极管 SiC SBD 管装应用于电源、工控、空调等、电动工具、储能

数据手册

1+
￥14.688 ￥16.32
10+
￥12.528 ￥13.92
30+
￥11.169 ￥12.41
120+
￥9.774 ￥10.86
480+
￥9.144 ￥10.16
1020+
￥8.874 ￥9.86

有货

立即购买

型号：SICRF101200-HXY 编号：C51896338

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压耐受与较大电流导通的应用环境。其正向压降（VF）为1.39V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升能效并减少热耗散。依托碳化硅材料的宽禁带特性，该二极管具备快速开关能力与优异的高温稳定性。独立封装结构有利于灵活布局与高效散热，常用于高压电源转换、不间断电源系统、光伏逆变装置及高功率密度开关电源等场景，满足对效率与可靠性要求较高的电力电子设计需求。

1+
￥15.2855 ￥16.09
10+
￥12.996 ￥13.68
50+
￥11.5615 ￥12.17
100+
￥10.0985 ￥10.63
500+
￥9.4335 ￥9.93
1000+
￥9.1485 ￥9.63

有货

立即购买

型号：ASYD025170C 编号：C50132427

封装：TO-247-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1700V, If=25A@Tc=152℃, Vf=1.55V@25A

1+
￥15.4185 ￥16.23
10+
￥13.129 ￥13.82
30+
￥11.704 ￥12.32
90+
￥10.2315 ￥10.77
510+
￥9.5665 ￥10.07
990+
￥9.2815 ￥9.77

有货

立即购买

型号：BCA120S40D2 编号：C42401694

封装：TO-247-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,1200V,40A

1+
￥15.52
10+
￥13.17
30+
￥11.7
90+
￥10.2

有货

立即购买

型号：SDSC10120 编号：C49450307

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥15.59
10+
￥13.18
50+
￥11.67

有货

立即购买

型号：SPCDP08120G1 编号：C49450360

封装：TO-220-2

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥15.59
10+
￥13.18
50+
￥11.67

有货

立即购买

型号：HC4D20120D 编号：C19723888

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装，具有1200V高耐压及20A大电流处理能力，正向导通电压VF为1.5V。专为高效、高压环境设计，广泛应用于电力转换器、电动汽车充电系统和工业级电源设备，实现快速恢复与低损耗的高性能整流功能。

1+
￥15.771 ￥22.53
10+
￥13.517 ￥19.31
30+
￥11.928 ￥17.04
90+
￥10.577 ￥15.11
510+
￥9.947 ￥14.21
990+
￥9.667 ￥13.81

有货

立即购买

型号：F4C20120A 编号：C784612

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：1.2kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关。极快的开关速度。正向电压 (VF) 具有正温度系数。应用：开关模式电源 (SMPS)。功率因数校正 (PFC) 或 DC/DC 级中的升压二极管

数据手册

1+
￥15.97
10+
￥14.01
50+
￥12.79
100+
￥11.53

有货

立即购买

型号：HC4D10120E 编号：C42389275

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够承受高达1200V的反向电压（VR/V），适用于要求严苛的高电压和大电流场合。其正向电压降（VF/V）为1.4V，有助于降低导通损耗，提升整体效率。反向漏电流（IR/uA）为100微安，显示了良好的阻断能力。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到90A，表明该二极管可以应对短时间内的电流峰值，适用于高频开关和其他需要快速响应与高可靠性的电路设计。

1+
￥16.2712 ￥18.49
10+
￥13.772 ￥15.65
30+
￥12.2056 ￥13.87
100+
￥10.604 ￥12.05
500+
￥9.8736 ￥11.22
1000+
￥9.5656 ￥10.87

有货

立即购买

型号：GP2D006A065C-HXY 编号：C53468010

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为6A，最大反向重复电压达650V，正向压降典型值为1.3V，反向漏电流低至50μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流能力为48A，适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势，在保持低导通损耗的同时，有效抑制反向恢复电荷，提升系统整体能效与稳定性。

1+
￥16.758 ￥17.64
10+
￥14.2405 ￥14.99
30+
￥12.673 ￥13.34
100+
￥11.0675 ￥11.65
500+
￥10.336 ￥10.88
1000+
￥10.0225 ￥10.55

有货

立即购买

型号：LSIC2SD065C08A-HXY 编号：C51896242

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，支持8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于较高功率密度的电源系统。其正向压降（VF）为1.4V，在导通状态下具备较低的功率损耗。基于碳化硅材料，该器件具有优异的开关特性，反向恢复时间极短，反向恢复电荷小，有效降低高频开关过程中的能量损耗。该性能特点使其适用于高效率AC-DC电源、连续导通模式的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换模块以及对热性能和空间布局要求较高的紧凑型电源设计。

1+
￥17.195 ￥18.1
10+
￥14.6205 ￥15.39
30+
￥13.0055 ￥13.69
100+
￥11.3525 ￥11.95
500+
￥10.6115 ￥11.17
1000+
￥10.2885 ￥10.83

有货

立即购买

型号：DSC06065D1-HXY 编号：C53468016

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）低至50μA，展现出优异的阻断特性与导通效率。其非重复浪涌正向电流（IFSM）能力为48A，适用于高频、高效率的电源转换系统，如开关电源、光伏逆变器及小型化电力模块等场景，在提升系统整体能效的同时，有效降低热管理负担。

1+
￥17.195 ￥18.1
10+
￥14.6205 ￥15.39
30+
￥13.0055 ￥13.69
100+
￥11.3525 ￥11.95
500+
￥10.6115 ￥11.17
1000+
￥10.2885 ￥10.83

有货

立即购买

型号：FFSD0865A-HXY 编号：C51896374

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，相较于传统硅器件可显著降低导通损耗，提高系统效率。得益于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有极短的反向恢复时间，支持高频开关操作，减少开关过程中的能量损耗与电磁干扰。适用于高效率电源适配器、紧凑型开关电源、可再生能源逆变装置及对热管理与空间利用率要求较高的电力转换模块。

1+
￥17.195 ￥18.1
10+
￥14.6205 ￥15.39
30+
￥13.0055 ￥13.69
100+
￥11.3525 ￥11.95
500+
￥10.6115 ￥11.17
1000+
￥10.2885 ￥10.83

有货

立即购买

型号：HIDH20G65C5XKSA2 编号：C42389300

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管提供20安培的正向电流（IF），并支持最高650伏特的反向电压（VR），适用于需要处理较高电压的应用场景。其正向电压降（VF）为1.5伏特，有助于减少能量损失。在反向偏置条件下，漏电流（IR）维持在100微安水平，显示了良好的阻隔能力。此外，该二极管可以承受高达123安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM），增强了在非稳态条件下的耐用性。这些技术规格使其成为高频开关和其他需要快速响应与低损耗电子装置的理想组件。

1+
￥19.1165 ￥22.49
10+
￥16.4985 ￥19.41
50+
￥14.943 ￥17.58
100+
￥13.362 ￥15.72
500+
￥12.6395 ￥14.87
1000+
￥12.308 ￥14.48

有货

立即购买

型号：CI20S120M3 编号：C967730

封装：TO-263

品牌：Tokmas(托克马斯)

碳化硅SiC

数据手册

1+
￥19.32
10+
￥15.48
50+
￥13.07
100+
￥10.61
500+
￥9.5
1000+
￥9.02

有货

立即购买

型号：HIDWD20G120C5XKSA1 编号：C42389221

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在大电流工作条件下能够减少能量损耗。其反向漏电流（IR）为200微安，在非导通状态下有效抑制了不必要的电流流动。瞬态正向浪涌电流（IFSM）最高可达130安培，适用于需要短时间承受电流峰值的应用场合。此元件适合用于需要高效率及稳定性的电路设计中，如开关电源和其他需要高性能整流解决方案的领域。

1+
￥23.205 ￥27.3
10+
￥19.839 ￥23.34
30+
￥17.833 ￥20.98
90+
￥15.81 ￥18.6
510+
￥14.8835 ￥17.51
990+
￥14.4585 ￥17.01

有货

立即购买

型号：LSIC2SD120D15-HXY 编号：C51896395

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备15A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.5V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少能量损耗并改善热管理表现。适用于高密度电源转换设计，如高效开关电源、光伏逆变装置及高功率密度适配器等场景，能够在较宽温度范围内可靠运行，满足对小型化和高效率有要求的应用需求。

1+
￥23.3225 ￥24.55
10+
￥20.007 ￥21.06
30+
￥18.0405 ￥18.99
100+
￥16.055 ￥16.9
500+
￥15.1335 ￥15.93
800+
￥14.725 ￥15.5

有货

立即购买

型号：SDT08S60-HXY 编号：C53468054

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向电压（VR）达650V。其正向压降（VF）为1.38V，在导通状态下具有较低的功率损耗。器件可承受高达88A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正电路以及对效率和热性能要求较高的电力转换系统。

1+
￥23.921 ￥25.18
10+
￥23.37 ￥24.6
50+
￥23.009 ￥24.22
100+
￥22.648 ￥23.84

有货

立即购买

型号：TRS10A65F,S1Q(S 编号：C5331612

封装：TO-220F-2L

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥24.17
10+
￥20.69
50+
￥18.62
100+
￥16.52

有货

立即购买

型号：SCS108AGC-HXY 编号：C53468075

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出优异的稳定性和效率，适用于对开关性能和热管理要求较高的电源转换与电力电子系统。

1+
￥25.118 ￥26.44
10+
￥24.5385 ￥25.83
50+
￥24.1585 ￥25.43
100+
￥23.7785 ￥25.03

有货

立即购买

型号：HC3D10170A 编号：C19723879

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具有1700V超高反向耐压及10A大电流承载力，正向导通电压VF仅为1.7V。适用于高压电力转换、光伏逆变和工业级电源系统，提供卓越的高温稳定性与快速恢复性能，实现高效能整流解决方案。

1+
￥25.908 ￥30.48
10+
￥22.1425 ￥26.05
50+
￥19.9155 ￥23.43
100+
￥17.6545 ￥20.77
500+
￥16.609 ￥19.54
1000+
￥16.1415 ￥18.99

有货

立即购买

型号：MSC010SDA120K-HXY 编号：C51896388

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压、中等电流的电力转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料特性，该器件具有优异的高温工作能力与快速开关性能，反向恢复时间短，可有效减少开关损耗。常用于高效率开关电源、不间断电源系统、光伏逆变器及高功率密度DC-AC转换装置，适用于对能效和热管理有较高要求的电路设计。

1+
￥28.6995 ￥30.21
10+
￥24.624 ￥25.92
50+
￥22.2015 ￥23.37
100+
￥19.7505 ￥20.79
500+
￥18.6295 ￥19.61
1000+
￥18.1165 ￥19.07

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示