美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBTA56-7-F 编号：C151827

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.32
100+
￥0.2593
300+
￥0.229

有货

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型号：MMBT3904LP-7B 编号：C154763

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。集电极电流高：IC = 200mA。功率耗散：PD = 1000mW。封装占地面积：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。互补PNP类型：MMBT3906LP。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准，具有高可靠性

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10+
￥0.3215
100+
￥0.2587
300+
￥0.2273
1000+
￥0.2038

有货

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型号：MMBT3906T-7-F 编号：C508223

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-200mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑-“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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10+
￥0.327
100+
￥0.2641
300+
￥0.2327

有货

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型号：BC857BT-7-F 编号：C507908

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -45V。集电极电流 IC = -100mA。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补 NPN 型：BC847AT、BT、CT。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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10+
￥0.3361
100+
￥0.2721
300+
￥0.2401

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型号：MMDT4403-7-F 编号：C264103

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。超小型表面贴装封装。无铅/RoHS 合规。 “绿色”器件

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10+
￥0.3909
100+
￥0.318
300+
￥0.2816

有货

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型号：MMBT3906LP-7 编号：C107421

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。高集电极电流：IC = -200mA。功耗：PD = 1000mW。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。互补NPN型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

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5+
￥0.5461
50+
￥0.4437
150+
￥0.3925
500+
￥0.3541

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型号：BC847BVC-7 编号：C150761

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。超小表面贴装封装。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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5+
￥0.5732
50+
￥0.4683
150+
￥0.4159
500+
￥0.3766

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型号：BCX53TC 编号：C5245630

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V、-60V 和-80V。 IC =-1A 连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VUCE(sat) <-500mV @-0.5A。增益组 10 和 16。互补 NPN 类型：BCX54、55 和 56。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

5+
￥0.6649
50+
￥0.5209
150+
￥0.4489
1000+
￥0.3949

有货

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型号：BCP5510TA 编号：C526471

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。应用：中功率开关或放大应用。 AF 驱动器和输出级

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5+
￥0.757473 ￥1.3289
50+
￥0.497025 ￥1.0575
150+
￥0.348207 ￥0.9411
1000+
￥0.29452 ￥0.796
2000+
￥0.270618 ￥0.7314
5000+
￥0.256262 ￥0.6926

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型号：DPLS350Y-13 编号：C443638

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -50V。 IC = -3A，高连续集电极电流。 ICM 高达 -5A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) < -180mV @ 1A。 RCE(sat) = 67mΩ @ 2A，低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，高可靠性

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5+
￥0.9097
50+
￥0.7603
150+
￥0.6856
500+
￥0.6296

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型号：FMMT459TA 编号：C397955

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEV > 500V。 BVECV > 6V 反向阻断。 IC = 150mA 高连续集电极电流。 ICM 高达 500mA 峰值脉冲电流。 625mW 功耗。低饱和电压 < 90mV @ 50mA。应用：离线开关应用。 RCD 电路

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5+
￥1.2954
50+
￥1.0525
150+
￥0.9485

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型号：ZXTP4003ZTA 编号：C150460

封装：SOT-89-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。最大连续电流 Ic = -1A。 hFE > 100 @ Ic = -150mA, VCE = -0.2V。无铅，符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准。应用：LED TV 背光源

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5+
￥1.4958
50+
￥1.1864
150+
￥1.0537

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型号：FCX718TA 编号：C151352

封装：SOT-89-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = -20V。 IC = -2.5A 连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -40mV @ -100mA。 Rsat = 96mΩ，低等效导通电阻。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥1.532352 ￥2.2208
50+
￥1.042648 ￥1.7672
150+
￥0.770672 ￥1.5728
1000+
￥0.651847 ￥1.3303
2000+
￥0.598927 ￥1.2223
5000+
￥0.567175 ￥1.1575

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型号：ZXTN4004ZTA 编号：C2931208

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 高连续电流。 hFE > 100（IC = 100mA，VCE = 0.25V）。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。应用：LED TV 背光源

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5+
￥1.7766
50+
￥1.4274
150+
￥1.2777

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型号：FCX658ATA 编号：C156384

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = 400V。低饱和电压 VCE(sat) < 200mV @ 100mA。 IC = 0.5A 高连续电流。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：电话拨号器电路。调制解调器的挂机开关

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5+
￥1.8654
50+
￥1.5011
150+
￥1.3449

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型号：ZXTP4003GTA 编号：C5124988

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。最大连续电流 IC = -1A。 hFE > 100 @ IC = -150mA, VCE = -0.2V。无铅，符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准。应用：LED 电视背光

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1+
￥2.13
10+
￥1.88
30+
￥1.77
100+
￥1.64
500+
￥1.58

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型号：ZXTN19020DFFTA 编号：C460285

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力已被用于最大限度地提高该晶体管的性能。SOT23F封装与行业标准SOT23封装兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热能力。

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1+
￥2.3048 ￥3.44
10+
￥1.7556 ￥3.08
30+
￥1.363 ￥2.9
100+
￥1.2784 ￥2.72
500+
￥1.2267 ￥2.61
1000+
￥1.2032 ￥2.56

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型号：FCX591ATA 编号：C460070

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。最大连续电流 IC =-1A。低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-1A。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。低损耗功率开关

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5+
￥2.3056
50+
￥1.8633
150+
￥1.6738

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型号：ZTX551 编号：C460763

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-80V。高连续集电极电流：IC =-1A。峰值脉冲电流：ICM =-2A。最高结温TJ可达 +200℃，适用于高温操作。功耗：PD = 1W。完全无铅且完全符合RoHS标准。应用：LCD背光转换器。应急照明

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1+
￥2.61
10+
￥2.33
30+
￥2.2
100+
￥2.05
500+
￥1.99
1000+
￥1.95

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型号：FZT458TA 编号：C154737

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。 IC = 300mA，高连续电流。高达100mA时具有出色的hFE特性。低饱和电压VCE(sat) < 200mV @ 20mA。互补PNP类型。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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5+
￥2.6312
50+
￥2.1292
150+
￥1.914

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型号：ZXTN19055DZTA 编号：C460135

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 55V。 IC = 6.0A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 40 mV @ 500mA。 Rsat = 28 mΩ 低等效导通电阻。 PD = 2.1 W 功率耗散。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

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1+
￥2.6788 ￥3.62
10+
￥1.888 ￥2.95
30+
￥1.4094 ￥2.61
100+
￥1.2312 ￥2.28
500+
￥1.1232 ￥2.08
1000+
￥1.0692 ￥1.98

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型号：ZTX455STZ 编号：C2960349

封装：TO-92-3

品牌：DIODES(美台)

特性：140伏VCEO。 1安培连续电流。总功率Ptot = 1瓦。 E-Line TO92兼容

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1+
￥2.88
10+
￥2.57
30+
￥2.44
100+
￥2.27
500+
￥2.2
1000+
￥2.15

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型号：ZXT1053AKTC 编号：C211410

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 75V。IC = 5A 高连续集电极电流。高达 10A 峰值电流。RSAT = 70mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压。hFE 在高达 10A 时指定，高增益保持。应用：DC-DC 转换器。功率开关

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1+
￥3.18
10+
￥2.54
30+
￥2.27
100+
￥1.93

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型号：ZXT790AKTC 编号：C73185

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。高连续集电极电流：IC = -3A。峰值脉冲电流：ICM = -6A。高增益器件：>200 @ -1A。典型RCE(SAT) = 83mΩ。低饱和电压。应用：DC-DC转换器。 MOSFET栅极驱动器

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1+
￥3.3156 ￥6.14
10+
￥2.2616 ￥5.14
30+
￥1.5776 ￥4.64
100+
￥1.4076 ￥4.14
500+
￥1.309 ￥3.85
1000+
￥1.2546 ￥3.69

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型号：BC847C-7-F 编号：C177010

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。适用于开关和AP放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，是“绿色”器件

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20+
￥0.19
200+
￥0.1522
600+
￥0.1312

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型号：BC856BQ-7-F 编号：C5342035

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。适用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

10+
￥0.1966
100+
￥0.1925
300+
￥0.1898
1000+
￥0.1871

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型号：MMST2222A-7-F 编号：C151829

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 600mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小型表面贴装封装。互补PNP型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.2292
200+
￥0.1793
600+
￥0.1516

有货

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型号：BC846A-7-F 编号：C443823

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。适用于开关和AP放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，是“绿色”器件

数据手册

20+
￥0.2348
200+
￥0.1881
600+
￥0.1622

有货

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型号：DN0150ALP4-7B 编号：C2925738

封装：DFN1006-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V（IC = 100mA）。高集电极电流。 PD = 1000mW 功率耗散。 0.60mm²封装占位面积，比SOT23小13倍。 0.4mm高度封装，减少板外轮廓。互补PNP类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。外壳材料：模塑塑料，“绿色”模塑料。 UL可燃性分类等级94V-0。湿度敏感度：符合J-STD-020的1级。端子表面处理：NiPdAu，符合MIL-STD-202方法208可焊接。重量约0.0008克

数据手册

5+
￥0.235722 ￥0.6933
50+
￥0.147384 ￥0.6141
150+
￥0.08043 ￥0.5745
500+
￥0.076272 ￥0.5448
2500+
￥0.072954 ￥0.5211
5000+
￥0.071288 ￥0.5092

有货

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型号：BC847BQ-7-F 编号：C2922347

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。适用于开关和AP放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，是“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.2489
100+
￥0.1961
300+
￥0.1697

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