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首页 > 热门关键词 > 美台三极管
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PNP 电流:100mA 电压:65V
型号：BC856AW-7-F 编号：C459864
封装：SOT-323
品牌：DIODES(美台)
特性：非常适合自动插入。 有互补NPN类型。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性
数据手册

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    NPN 电流:500mA 电压:350V
    型号：DN350T05-7 编号：C460713
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 250V（IC = 0.5A）。 外延平面管芯结构。 有互补PNP类型（DP350T05）。 适用于中功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
    数据手册

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      ￥0.22425 ￥0.4875

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    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMST2907A-7-F 编号：C460106
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-60V。 IC =-600mA 集电极电流。 外延平面芯片结构。 超小表面贴装封装。 互补 NPN 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

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    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846AQ-7-F 编号：C459861
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：非常适合自动插入。 适用于开关和AP放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，是“绿色”器件
    数据手册

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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT2222AT-7-F 编号：C151009
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 40V。集电极电流IC = 600mA。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补PNP型。完全无铅,完全符合RoHS标准。无卤素和锑。绿色器件。符合AEC Q101标准,可靠性高
    数据手册

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    PNP 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC856B-13-F 编号：C5126684
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：非常适合自动插入。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性
    数据手册

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      ￥0.2726

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    NPN 电流:100mA 电压:30V
    型号：BC848C-7-F 编号：C526466
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：非常适合自动插入。 适用于开关和AP放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，是“绿色”器件
    数据手册

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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904LP-7 编号：C460099
    封装：DFN-3(1x0.6)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 40V。 集电极电流高：IC = 200mA。 功率耗散：PD = 1000mW。 封装占地面积：0.60mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。 互补PNP类型：MMBT3906LP。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该产品符合JEDEC标准，具有高可靠性
    数据手册

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    中功率晶体管 PNP 电流:2A 电压:32V
    型号：2DB1188Q-13 编号：C260914
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -32V。 IC = -2A，高连续电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -800mV @ -2A。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，环保器件
    数据手册

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      ￥0.34606 ￥0.7865

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    PNP 电流:500mA 电压:80V
    型号：MMBTA56Q-13-F 编号：C5157737
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关。 互补 NPN 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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    PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC857BT-7-F 编号：C507908
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -45V。 集电极电流 IC = -100mA。 外延平面芯片结构。 超小表面贴装封装。 互补 NPN 型：BC847AT、BT、CT。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

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      ￥0.4038

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    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMST2907AQ-7 编号：C2760643
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-60V。 IC =-600mA 集电极电流。 外延平面芯片结构。 超小表面贴装封装。 互补 NPN 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

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    PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC857BS-7-F 编号：C156320
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小表面贴装封装。 非常适合自动插入。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序 (PPAP) 能力
    数据手册

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    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMDT2907A-7-F 编号：C460232
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小表面贴装封装。 外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

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    PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC857BLP-7 编号：C151002
    封装：DFN-3L(0.6x1)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-45V。 高集电极电流：IC =-100mA。 功率耗散：PD = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm，可降低板外轮廓。 互补NPN类型：BC847BLP。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性
    数据手册

    • 5+

      ￥0.58712 ￥0.7339

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    • 150+

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    • 500+

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    • 3000+

      ￥0.249 ￥0.415

    • 6000+

      ￥0.2358 ￥0.393
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    NPN 电流:1A 电压:60V
    型号：BCP55TA 编号：C460002
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：适用于音频驱动和输出级。 高集电极电流和低Vce(sat)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7932

    • 50+

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      ￥0.5284
  • 有货
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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：DXT3904-13 编号：C150729
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 40V。 外延平面管芯结构。 有互补PNP类型。 适用于中功率开关或放大应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
    数据手册

    • 5+

      ￥0.793233 ￥1.2591

    • 50+

      ￥0.536996 ￥1.0132

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      ￥0.293475 ￥0.6825
  • 有货
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    PNP 电流:2A 电压:40V
    型号：FCX790ATA 编号：C155511
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-40V。 IC =-2A 连续电流。 ICM =-6A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-500mA。 PD = 2W 功耗。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8573

    • 50+

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      ￥0.6049

    • 1000+

      ￥0.5418
  • 有货
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    PNP 电流:3A 电压:50V
    型号：DPLS350Y-13 编号：C443638
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -50V。 IC = -3A，高连续集电极电流。 ICM 高达 -5A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。 低饱和电压 VCE(sat) < -180mV @ 1A。 RCE(sat) = 67mΩ @ 2A，低等效导通电阻。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，高可靠性
    数据手册

    • 5+

      ￥1.272

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      ￥1.0576

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      ￥0.851
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:300V
    型号：DXTA42-13 编号：C460876
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型。 非常适合自动化组装过程。 适用于中功率开关或放大应用。 设计无铅/RoHS合规。 “绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2758

    • 50+

      ￥1.0152

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      ￥0.7642
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:2.5A 电压:20V
    型号：FCX718TA 编号：C151352
    封装：SOT-89-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO = -20V。 IC = -2.5A 连续电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -40mV @ -100mA。 Rsat = 96mΩ，低等效导通电阻。 完全无铅，完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.376896 ￥2.2208

    • 50+

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      ￥0.48615 ￥1.1575
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    中功率晶体管 PNP 电流:3A 电压:50V
    型号：2DB1184Q-13 编号：C460639
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -50V。 高连续集电极电流：IC = -3A。 峰值脉冲电流：ICM = -4.5A。 外延平面管芯结构。 低集电极-发射极饱和电压。 适用于中功率开关或放大应用。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
    数据手册

    • 5+

      ￥1.924013 ￥2.1143

    • 50+

      ￥1.384047 ￥1.7087

    • 150+

      ￥1.089779 ￥1.5349

    • 500+

      ￥0.935851 ￥1.3181

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      ￥0.867265 ￥1.2215

    • 5000+

      ￥0.826156 ￥1.1636
  • 有货
    • 立即购买
    高压晶体管 PNP 电流:3A 电压:100V
    型号：MJD32CQ-13 编号：C3033175
    封装：TO-252-2
    品牌：DIODES(美台)
    这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.06

    • 10+

      ￥1.81

    • 30+

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      ￥1.52

    • 1000+

      ￥1.49
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1.5A 电压:80V
    型号：FMMT620TA 编号：C74081
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 80V。 连续集电极电流 IC = 1.5A。 低等效导通电阻 RCE(SAT) = 90mΩ。 功耗 625mW。 hFE 高达 5A 时仍有高电流增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 模块。 电源管理功能
    数据手册

    • 5+

      ￥2.139

    • 50+

      ￥1.6602

    • 150+

      ￥1.455
  • 有货
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    中功率晶体管 PNP 电流:1A 电压:40V
    型号：FCX591ATA 编号：C460070
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-40V。 最大连续电流 IC =-1A。 低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-1A。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 低损耗功率开关
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      ￥2.167264 ￥2.3056

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    NPN 1A 150V
    型号：ZXTN4004KQTC 编号：C460146
    封装：TO-252
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 150V。 hFE > 100（IC = 150mA，VCE = 0.25V）。 IC(cont) = 1A。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：LED电视背光
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    NPN 电流:3A 电压:45V
    型号：FZT690BTA 编号：C156316
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 45V。 BVCBO > 45V。 IC = 3.0A 高连续电流。 hFE > 400 @ 1A 且饱和电压低。 RCE(SAT) = 125mΩ @ 2A，等效导通电阻低。 极低饱和电压。应用：达林顿管替代。 闪光灯转换器和电池供电电路
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    中功率高增益晶体管 PNP 电流:6A 电压:20V
    型号：ZXTP25020DGTA 编号：C5245573
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -20V。 BVCBO > -25V。 IC = -6A 高连续电流。 hFE > 200 @ -1A 且低饱和电压。 极低的等效导通电阻 RCE(sat) 42mΩ。 互补 NPN 型：ZXTN25020DG。应用：负载开关。 电机驱动

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    PNP 电流:3A 电压:40V
    型号：ZXTP25040DFHTA 编号：C211430
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：- BVCEO >-40V。 BVECO >-3V。 连续集电极电流 IC =-3A。 在-1A 时，VCE(sat) <-85mV。 典型 RCE(sat) = 55mΩ。 功率耗散 PD = 1.25W。应用：- MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器
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    NPN+PNP 电流:3.5A 电压:40V
    型号：ZXTC2063E6TA 编号：C460284
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    采用先进的工艺能力来实现这款高性能器件。在SOT26封装中集成NPN和PNP晶体管，为目标应用提供了紧凑的解决方案。
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