美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：DXT651-13 编号：C443640

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。高连续集电极电流：IC = 3A。峰值脉冲电流：ICM 高达 6A。功耗：2W。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 类型。应用：负载管理功能。电机控制

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5+
￥1.3201
50+
￥1.041
150+
￥0.9213

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型号：FCX658ATA 编号：C156384

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = 400V。低饱和电压 VCE(sat) < 200mV @ 100mA。 IC = 0.5A 高连续电流。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：电话拨号器电路。调制解调器的挂机开关

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5+
￥1.7133
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￥1.3601
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￥1.2088

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型号：BC817-25-7-F 编号：C177009

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。外延平面芯片结构。有互补PNP类型。用于开关和音频放大应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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5+
￥1.7787
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￥1.476
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型号：DZT5551Q-13 编号：C674404

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

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￥1.96
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￥1.92
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￥1.89
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￥1.87

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型号：FCX591TA 编号：C211424

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC₍CE₎ >-60V。 I₍C₎ =-1A 高连续集电极电流。 I₍CM₎ =-2A 峰值集电极电流。 R₍CE(sat)₎ = 295mΩ 低等效导通电阻。 h₍FE₎ 在高达 2A 时具有高电流增益。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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￥2.0401
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￥1.6447
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￥1.4752

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型号：FMMT458QTA 编号：C5125495

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。高连续集电极电流：IC = 225mA。峰值脉冲电流：ICM = 1A。功耗：500mW。高达100mA的出色hFE特性。互补PNP类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥2.1151
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￥1.7082
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￥1.5339

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型号：ZXTN4004KQTC 编号：C460146

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 hFE > 100（IC = 150mA，VCE = 0.25V）。 IC(cont) = 1A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：LED电视背光

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5+
￥2.2056
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￥1.754
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￥1.5604

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型号：BST39TA 编号：C151615

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 350V。高连续电流：IC = 0.5A。峰值脉冲电流：ICM = 1A。高HFE保持。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，绿色环保器件

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5+
￥2.2906
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￥1.841
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￥1.6483

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型号：FZT694BTA 编号：C513221

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 120V。BVcBo > 120V。Ic = 1A 连续电流。hFE > 400,在 0.2A 时实现高增益。极低饱和电压。互补 PNP 类型:FZT795A。应用：达林顿管替代品。继电器和螺线管驱动器

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￥2.9309 ￥3.71
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￥2.0838 ￥3.02
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￥1.5812 ￥2.68
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￥1.3806 ￥2.34
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￥1.1977 ￥2.03

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型号：FMMT723TA 编号：C211389

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 IC =-1A，高连续集电极电流。 ICM =-2.5A，峰值脉冲电流。低饱和电压VCE(sat) <-330mV @-1A。 RCE(sat) = 210mΩ，低等效导通电阻。 625mW功率耗散。应用：高端驱动器。负载断开开关

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单价：
￥0.977035 / 个

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型号：FZT493TA 编号：C141655

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 1A 高连续电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。低饱和电压。互补 PNP 类型：FZT593。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备 PPAP 能力

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￥3.18
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￥2.53
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型号：FZT749TA 编号：C110505

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -25V。高连续电流：IC = -3A。峰值脉冲电流：ICM = -8A。低饱和电压：VCE(sat) < -300mV @ -1A。互补NPN类型。无铅表面处理；符合RoHS标准。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动

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￥3.25
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￥2.62
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型号：FZT688BTA 编号：C460087

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：极低的等效导通电阻；在3A时，RCE(sat)为83mΩ。在IC = 3A时增益为400，且饱和电压非常低。应用：闪光灯转换器。电池供电电路

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1+
￥4.3776 ￥4.56
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￥3.2508 ￥3.78
30+
￥2.5764 ￥3.39
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￥2.28 ￥3
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￥2.014 ￥2.65
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￥1.9228 ￥2.53

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型号：ZTX851STZ 编号：C5441269

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：60伏VCEO。 5安培连续电流。高达20安培峰值电流。极低饱和电压。总功率Ptot = 1.2瓦。应用：应急照明电路

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￥3.52
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型号：ZXTN2005GTA 编号：C460286

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 7A 连续集电极电流。 ICM = 20A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 50mV 最大值 @ 1A。 RSAT = 30mΩ @ 6.5A 用于低等效导通电阻。 hFE 规定高达 20A 以实现高增益保持。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

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￥5.1615 ￥5.55
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￥3.8014 ￥4.58
30+
￥2.993 ￥4.1
100+
￥2.6499 ￥3.63
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￥2.4382 ￥3.34
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￥2.336 ￥3.2

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型号：FZT869TA 编号：C151042

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 25V。高连续集电极电流 IC = 7A。峰值脉冲电流 ICM = 20A。极低饱和电压 VCE(SAT) < 110mV @ 1A。在 5A 时 RCE(SAT) = 36mΩ，实现低等效导通电阻。hFE 规定高达 20A，实现高增益保持。PTOT = 3W。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。符合 AEC-Q101 标准，具备高可靠性

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￥5.59
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￥4.45
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￥3.88
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￥3.32

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型号：ZXT790AKTC 编号：C73185

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。高连续集电极电流：IC = -3A。峰值脉冲电流：ICM = -6A。高增益器件：>200 @ -1A。典型RCE(SAT) = 83mΩ。低饱和电压。应用：DC-DC转换器。 MOSFET栅极驱动器

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1+
￥10.01
10+
￥8.75
30+
￥7.96
100+
￥7.15

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型号：MMST2222A-7-F 编号：C151829

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 600mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小型表面贴装封装。互补PNP型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

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3000+
￥0.1188
9000+
￥0.11385
27000+
￥0.11088
36000+
￥0.1089

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型号：BC847C-7-F 编号：C177010

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。适用于开关和AP放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，是“绿色”器件

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20+
￥0.1214
200+
￥0.1188
600+
￥0.1171

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型号：AC847BWQ-7 编号：C526353

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

AC847BWQ和AC847CWQ双极结型晶体管（BJT）专为满足汽车应用的严格要求而设计。

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10+
￥0.156078 ￥0.4002
100+
￥0.092858 ￥0.3202
300+
￥0.053238 ￥0.2802
3000+
￥0.047538 ￥0.2502
6000+
￥0.042997 ￥0.2263
9000+
￥0.040717 ￥0.2143

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型号：DN0150ALP4-7B 编号：C2925738

封装：DFN1006-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V（IC = 100mA）。高集电极电流。 PD = 1000mW 功率耗散。 0.60mm²封装占位面积，比SOT23小13倍。 0.4mm高度封装，减少板外轮廓。互补PNP类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。外壳材料：模塑塑料，“绿色”模塑料。 UL可燃性分类等级94V-0。湿度敏感度：符合J-STD-020的1级。端子表面处理：NiPdAu，符合MIL-STD-202方法208可焊接。重量约0.0008克

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