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首页 > 热门关键词 > 美台三极管
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NPN 电流:800mA 电压:45V
型号：BCW66HTA 编号：C95984
封装：SOT-23
品牌：DIODES(美台)
特性：BVCEO > 45V。 高连续集电极电流：IC = 800mA。 低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 100mA。 互补PNP类型。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备PPAP能力
数据手册

  • 5+

    ￥0.5195

  • 50+

    ￥0.4163

  • 150+

    ￥0.3647

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    ￥0.326
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    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMDT2907V-7 编号：C460233
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVceo > -60V。 Ic = -600mA 集电极电流。 超小表面贴装封装。 互补NPN类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合A5C-Q191高可靠性标准
    数据手册

    • 5+

      ￥0.555449 ￥0.7031

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      ￥0.388194 ￥0.5626

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      ￥0.290516 ￥0.4924

    • 500+

      ￥0.259423 ￥0.4397

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      ￥0.234525 ￥0.3975

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      ￥0.222135 ￥0.3765
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    NPN 电流:2A 电压:40V
    型号：DSS4240Y-7 编号：C460061
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构，适用于低功率放大和开关。 有互补PNP类型可选。 超小表面贴装封装。 “无铅”，符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 ESD等级：400V-MM，8KV-HBM。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
    数据手册

    • 5+

      ￥0.558525 ￥0.7447

    • 50+

      ￥0.387335 ￥0.5959

    • 150+

      ￥0.286825 ￥0.5215

    • 500+

      ￥0.256135 ￥0.4657

    • 3000+

      ￥0.23155 ￥0.421

    • 6000+

      ￥0.219285 ￥0.3987
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    NPN 电流:1A 电压:40V
    型号：DSS4140V-7 编号：C460059
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型。 低集电极-发射极饱和电压VCE(SAT)。 适合自动组装的表面贴装封装。 超小型表面贴装封装。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色器件”
    数据手册

    • 5+

      ￥0.67012 ￥0.7615

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      ￥0.482742 ￥0.6189

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      ￥0.3723 ￥0.5475

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      ￥0.33592 ￥0.494

    • 3000+

      ￥0.306816 ￥0.4512

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      ￥0.292264 ￥0.4298
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    DSS4160V-7
    型号：DSS4160V-7 编号：C460207
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    数据手册

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      ￥0.7821

    • 50+

      ￥0.6474

    • 150+

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    • 500+

      ￥0.5296
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    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：DPLS160V-7 编号：C5248956
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 提供互补NPN类型。 表面贴装封装，适合自动组装。 超小表面贴装封装。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色器件”。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

    • 5+

      ￥0.7829

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      ￥0.6905

    • 150+

      ￥0.6508

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      ￥0.5794
  • 有货
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    NPN 电流:1A 电压:80V
    型号：BCP5616TA 编号：C460004
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：适用于音频驱动和输出级。 高集电极电流和低Vce(sat)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8905

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    • 150+

      ￥0.6609
  • 有货
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    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：DSS5160T-7 编号：C526593
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构，适用于中功率放大和开关。 无铅，符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
    数据手册

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      ￥0.9779

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      ￥0.787

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      ￥0.62
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    NPN 电流:2A 电压:50V
    型号：FMMT619TA 编号：C15331
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 50V。 连续集电极电流 IC = 2A。 功率耗散 625mW。 低饱和电压：VCE(sat) < 200mV @ 1A。 RCE(sat) = 68mΩ，低等效导通电阻。 hFE 特性高达 6A，高电流增益保持。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC / DC-AC 转换器
    数据手册

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      ￥1.0093

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      ￥0.7189
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    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：FMMT551TA 编号：C526618
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：60V VCEO。 1A 连续电流
    数据手册

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      ￥1.1009

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      ￥0.8631

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      ￥0.6341
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    NPN 电流:1A 电压:60V
    型号：FMMT491QTA 编号：C508217
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。
    数据手册

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      ￥1.142

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      ￥0.9178

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      ￥0.8217

    • 500+

      ￥0.7018
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    PNP 电流:1.5A 电压:40V
    型号：FMMT720QTA 编号：C177045
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVC E O >-40V。I_C =-1.5A 连续集电极电流。I_CM =-4A 峰值脉冲电流。低饱和电压 V_CE(sat) <-220mV @-1A。R_CE(SAT) = 163mΩ，低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥1.173384 ￥1.6297

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      ￥0.891064 ￥1.4372

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      ￥0.704496 ￥1.3548

    • 500+

      ￥0.650988 ￥1.2519

    • 3000+

      ￥0.62712 ￥1.206

    • 6000+

      ￥0.612872 ￥1.1786
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    NPN 电流:1A 电压:80V
    型号：BCP56TA 编号：C177012
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：适用于音频驱动和输出级。 高集电极电流和低Vce(sat)
    数据手册

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      ￥1.2093

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      ￥1

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      ￥0.9103
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    NPN 电流:6A 电压:60V
    型号：DXT2010P5-13 编号：C78977
    封装：PowerDI-5
    品牌：DIODES(美台)
    特性：比SOT223小43%，比TO252小60%。 最大高度仅1.1mm。 额定功率高达3.2W。 V620 = 60V。 IC = 6A；ICM = 20A。 低饱和电压。应用：电机驱动器。 调节器电路
    数据手册

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      ￥1.31

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      ￥1.09

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      ￥0.81

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      ￥0.77
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    NPN 电流:1A 电压:30V
    型号：FMMT489TA 编号：C526616
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 30V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM 高达 4A 峰值脉冲电流。 高达 4A 时具有出色的 hFE 特性。 R(SAT) = 175mΩ（@ 1A），低等效导通电阻。 低饱和电压 < 300mV（@ 1A）。 500mW 功耗。 互补 PNP 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，高可靠性
    数据手册

    • 5+

      ￥1.365819 ￥1.5009

    • 50+

      ￥0.98739 ￥1.219

    • 150+

      ￥0.779722 ￥1.0982

    • 500+

      ￥0.672654 ￥0.9474

    • 3000+

      ￥0.625013 ￥0.8803

    • 6000+

      ￥0.596471 ￥0.8401
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    NPN 电流:500mA 电压:80V
    型号：MMDTA06-7 编号：C3200289
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 80V。 ICM = 1A 峰值脉冲电流。 通用 NPN 晶体管，非常适合低功率放大和开关应用。 单个 SOT26 封装中的双晶体管，占用空间仅为两个等效 SOT23 晶体管的一半。 外延平面芯片结构。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：低功率放大。 开关应用

    • 5+

      ￥1.3674

    • 50+

      ￥1.206

    • 150+

      ￥1.1368

    • 500+

      ￥1.0504
  • 有货
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    PNP 电流:3A 电压:60V
    型号：DXT751-13 编号：C460068
    封装：SOT-89-3L
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 提供互补 NPN 类型。 非常适合自动化组装工艺。 适用于中功率开关或放大应用。 设计无铅，符合 RoHS 标准。 “绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3724

    • 50+

      ￥1.1204

    • 150+

      ￥1.0124

    • 500+

      ￥0.8777
  • 有货
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    PNP 电流:500mA 电压:300V
    型号：DXTA92-13 编号：C460877
    封装：SOT-89-3L
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型。 非常适合自动化组装工艺。 适用于中功率开关或放大应用。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4024

    • 50+

      ￥1.1216

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      ￥1.0013

    • 500+

      ￥0.8512

    • 2500+

      ￥0.744
  • 有货
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    高电压晶体管 PNP 电流:150mA 电压:400V
    型号：FMMT558QTA 编号：C526619
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -400V。 高连续集电极电流 IC = -150mA。 峰值脉冲电流 ICM = -500mA。 功耗 500mW。 高达 -100mA 时具有出色的 hFE 特性。 互补 NPN 类型：FMMT458。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 有符合汽车标准的部件（FMMT558Q）
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6079

    • 50+

      ￥1.2804

    • 150+

      ￥1.14

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      ￥0.9649

    • 3000+

      ￥0.8869
  • 有货
    • 立即购买
    LED驱动晶体管 NPN 电流:1A 电压:150V
    型号：ZXTN4004ZTA 编号：C2931208
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 高连续电流。 hFE > 100（IC = 100mA，VCE = 0.25V）。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。应用：LED TV 背光源
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6198

    • 50+

      ￥1.2705

    • 150+

      ￥1.1208
  • 有货
    • 立即购买
    高电压晶体管 PNP 电流:150mA 电压:500V
    型号：FMMT560QTA 编号：C526620
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7528

    • 50+

      ￥1.348

    • 150+

      ￥1.1745

    • 500+

      ￥0.958
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 1A 100V
    型号：FMMT493QTA 编号：C5157763
    封装：TO-236-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 100V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性达到 2A 以保持高电流增益。 互补 PNP 类型：FMMT593。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7915

    • 50+

      ￥1.4256

    • 150+

      ￥1.2688

    • 500+

      ￥1.0731
  • 有货
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    NPN 电流:1A 电压:150V
    型号：ZXTN4004KTC 编号：C157603
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 150V。 hFE > 100（IC = 150mA，VCE = 0.25V）。 IC(cont) = 1A。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：LED电视背光
    数据手册

    • 5+

      ￥2.0112

    • 50+

      ￥1.6582

    • 150+

      ￥1.5069
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    NPN 电流:1A 电压:60V
    型号：FCX491TA 编号：C156315
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 60V。 连续集电极电流 IC = 1A。 峰值脉冲电流 ICM = 2A。 低等效导通电阻，RCE(sat) = 195mΩ。 高达 2A 电流增益保持特性的 hFE。 互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，高可靠性。 具备 PPAP 能力
    数据手册

    • 5+

      ￥2.2917

    • 50+

      ￥1.8442

    • 150+

      ￥1.6524
  • 有货
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    PNP 电流:3A 电压:40V
    型号：FZT1151A 编号：C5245600
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-40V。 高连续集电极电流：IC =-3A。 峰值脉冲电流：ICM =-5A。 低饱和电压：VCE(sat) <-140mV @-1A。 hFE指定高达-5A以实现高增益保持。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性

    • 1+

      ￥2.32

    • 10+

      ￥2.04

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      ￥1.89

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    • 1000+

      ￥1.5
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    PNP 电流:5A 电压:50V
    型号：ZXTP2025FTA 编号：C92167
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
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    NPN+PNP 电流:4A 电压:20V
    型号：ZXTC2062E6TA 编号：C444407
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    特性：NPN + PNP组合。 BVCEO > 20 (-20)V。 BVEBO > 7 (-7)。 连续集电极电流 IC = 4 (-3.5)A。 VCE(sat) < 50 (-65)mV @ 1A。 RCE(sat) = 35 (54)mΩ。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。 电机驱动
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    PNP 电流:2A 电压:60V
    型号：ZTX751STZ 编号：C260939
    封装：TO-92-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：60伏VCEO。 2安连续电流。 低饱和电压。 总功率Ptot = 1瓦
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    PNP 电流:5.5A 电压:60V
    型号：ZX5T951GTA 编号：C460272
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-60V。 高连续集电极电流：IC =-5.5A。 峰值脉冲电流：ICM =-15A。 低饱和电压：VCE(sat) <-70mV @-1A。 低等效导通电阻：RSAT = 39mΩ。 高增益保持：hFE 指定至-10A。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 与 IGBT 栅极驱动器
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    MMBT3906-13-01-F
    型号：MMBT3906-13-01-F 编号：C526675
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)

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