美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMDT3946-7-F 编号：C151354

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：互补对：一个类似3904的NPN型和一个类似3906的PNP型。超小表面贴装封装。外延平面管芯结构。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

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10+
￥0.3922
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￥0.3152
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型号：FMMTA42TA 编号：C151355

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 300V。 Ic = 200mA 高集电极电流。 350mW 功率耗散。高达 30mA 的出色 hFE 特性。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.4008
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型号：BCM857BS-7-F 编号：C105896

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -45V。 IC = -100mA 高集电极电流。一对本质匹配的 PNP 晶体管。电流增益 (hFE) 匹配度达 10%。基极-发射极电压 (VBE) 匹配度为 2mV。采用小型表面贴装封装，完全内部隔离。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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7500+
￥0.2684
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￥0.2596
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型号：BC847PNQ-7-F 编号：C559582

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。

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型号：2DD1664R-13 编号：C110198

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 32V。最大连续电流 IC = 1A。外延平面管芯结构。有互补 PNP 类型。适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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￥0.709389 ￥1.0281
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￥0.564489 ￥0.8181
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￥0.424971 ￥0.6159
2500+
￥0.390471 ￥0.5659
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￥0.369771 ￥0.5359

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型号：BCP5616QTA 编号：C460003

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

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型号：DPLS160V-7 编号：C5248956

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。提供互补NPN类型。表面贴装封装，适合自动组装。超小表面贴装封装。无铅/符合RoHS标准。 “绿色器件”。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

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￥0.7829
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型号：ZXTN4240F-7 编号：C513079

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 2A 高连续集电极电流。 ICM = 3A 峰值脉冲电流。低饱和电压 100mV 最大 @ IC = 1A。 RCE(SAT) = 60mΩ 在 0.5A 时具有低等效导通电阻。 730mW 功率耗散。互补 PNP 型：ZXTP5240F。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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型号：BCP56TA 编号：C177012

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：适用于音频驱动和输出级。高集电极电流和低Vce(sat)

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型号：ZXT11N20DFTA 编号：C508262

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = 20V。低饱和电压：VCE(sat) < 12mV @ 100mA。连续集电极电流 IC = 2.5A。低等效导通电阻：Rsat = 40mΩ。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。应用：DC-DC 转换器。电源管理功能

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￥0.9576 ￥2.52
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￥0.8436 ￥2.22
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￥0.798 ￥2.1
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型号：DSS5160T-7 编号：C526593

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构，适用于中功率放大和开关。无铅，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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￥1.0415
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型号：DXT2010P5-13 编号：C78977

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：比SOT223小43%，比TO252小60%。最大高度仅1.1mm。额定功率高达3.2W。 V620 = 60V。 IC = 6A；ICM = 20A。低饱和电压。应用：电机驱动器。调节器电路

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￥1.31
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型号：2DD1664P-13 编号：C460643

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 32V。最大连续电流 IC = 1A。外延平面管芯结构。有互补 PNP 类型。适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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￥1.356
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型号：BCM857BV-7 编号：C5248629

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -45V。 IC = -100mA，高集电极电流。一对本质匹配的 PNP 晶体管。电流增益 (hFE) 匹配度为 2%。基极-发射极电压 (VBE) 匹配度为 2mV。采用小型表面贴装封装，完全内部隔离。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥1.4241
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￥1.135
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型号：DXT3906-13 编号：C460067

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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型号：ZUMT491TA 编号：C3009959

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：低饱和电压。 500mW 功率耗散。集电极电流（IC）为 1A 的高连续电流。非常适合对空间和重量要求苛刻的应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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型号：DXT790AP5-13 编号：C672304

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。连续集电极电流高：IC = -3A。脉冲峰值电流：ICM = -6A。比SOT223小43%；比TO252小60%。最大高度仅1.1mm。额定功率达3.2W。低饱和、高增益晶体管。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

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￥1.96
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￥1.73
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￥1.63
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型号：ZXTN4004KTC 编号：C157603

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 hFE > 100（IC = 150mA，VCE = 0.25V）。 IC(cont) = 1A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：LED电视背光

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￥2.0777
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￥1.6972
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￥1.5341

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型号：BCX5610TA 编号：C460186

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。外延平面芯片结构。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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￥2.68
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￥2.17
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￥1.95
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型号：FZT690BTA 编号：C156316

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。 BVCBO > 45V。 IC = 3.0A 高连续电流。 hFE > 400 @ 1A 且饱和电压低。 RCE(SAT) = 125mΩ @ 2A，等效导通电阻低。极低饱和电压。应用：达林顿管替代。闪光灯转换器和电池供电电路

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5+
￥2.8874
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￥2.2815
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￥2.0218

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型号：FZT749TA 编号：C110505

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -25V。高连续电流：IC = -3A。峰值脉冲电流：ICM = -8A。低饱和电压：VCE(sat) < -300mV @ -1A。互补NPN类型。无铅表面处理；符合RoHS标准。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动

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￥3.39
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￥2.77
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￥2.5
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￥2.17

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型号：FZT593TA 编号：C526625

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。高连续电流：IC = -1A。峰值脉冲电流：ICM = -2A。低饱和电压。互补NPN类型。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥3.64
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￥2.94
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￥2.64
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￥2.26
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型号：FZT591ATA 编号：C460217

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-1A，高连续电流。低饱和电压VCE(SAT) <-500mV @-1A。互补NPN类型。无铅涂层；符合ROHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：功率MOSFET和IGBT栅极驱动。低损耗功率开关

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￥3.89
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￥3.17
30+
￥2.81
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型号：ZXTP2008GTA 编号：C151587

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。 IC = -5.5A 连续集电极电流。 ICM = -20A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT)< -60mV 最大 @ -1A。 RSAT = 31mΩ @ -5.5A 低等效导通电阻。出色的增益线性度低至 -10mA。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

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型号：ZXT12N50DXTA 编号：C445022

封装：MSOP-8

品牌：DIODES(美台)

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￥3.61
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￥3.22
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￥2.84
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￥2.61

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型号：FZT688BTA 编号：C460087

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：极低的等效导通电阻；在3A时，RCE(sat)为83mΩ。在IC = 3A时增益为400，且饱和电压非常低。应用：闪光灯转换器。电池供电电路

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￥4.56
10+
￥3.78
30+
￥3.39
100+
￥3

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型号：FZT790ATA 编号：C460090

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 Ic Max.-3A 高连续电流。 IcM Max.-6A 峰值脉冲电流。极低的等效导通电阻；RCE (sat) 在 2A 时为 125mΩ。在 IC = 1A 时 hFE 为 200，且饱和电压极低。互补 NPN 型：FZT690B。应用：DC-DC 转换器。警报器驱动器

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