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首页 > 热门关键词 > 美台三极管
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特性:BVCEO > -45V。 集电极电流 IC = -100mA。 外延平面芯片结构。 超小表面贴装封装。 互补 NPN 型:BC847AT、BT、CT。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
数据手册
  • 10+

    ¥0.3361
  • 100+

    ¥0.2721
  • 300+

    ¥0.2401
  • 有货
  • 该晶体管结合了高增益、大电流工作和低饱和电压的特点,非常适合用于功率MOSFET栅极驱动和低损耗功率开关。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3638
    • 100+

      ¥0.2987
    • 300+

      ¥0.2662
  • 有货
  • 特性:超小表面贴装封装。 电流增益匹配。 基极-发射极电压匹配。 非常适合自动插入。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    • 10+

      ¥0.3844
    • 100+

      ¥0.3108
    • 300+

      ¥0.274
  • 有货
  • PNP, 40V, 0.1A, DFN1006-3
    数据手册
    • 5+

      ¥0.405535 ¥0.6239
    • 50+

      ¥0.303985 ¥0.5527
    • 150+

      ¥0.232695 ¥0.5171
    • 500+

      ¥0.220635 ¥0.4903
    • 3000+

      ¥0.21105 ¥0.469
    • 6000+

      ¥0.206235 ¥0.4583
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 40V (Ic = 500mA)。 高集电极电流 Icm = 1A。 峰值脉冲电流。 功率耗散 Pd = 1000mW。 低集电极-发射极饱和电压。 封装尺寸 0.60mm²,比 SOT23 小 13 倍。 封装高度 0.5mm,减少板外轮廓。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 JEDEC 标准,适用于高可靠性应用
    数据手册
    • 8110+

      ¥0.22385
    • 10000+

      ¥0.20328
    特性:BVCEO > 40V。 外延平面芯片结构。 适用于中功率放大和开关。 超小型表面贴装封装。 互补PNP型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤和无锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4224
    • 100+

      ¥0.3432
    • 300+

      ¥0.3036
  • 有货
  • 特性:BVCEO >-40V。 IC =-200mA 高集电极电流。 外延平面芯片结构。 适用于中功率放大和开关。 超小型表面贴装封装。 互补 NPN 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4492
    • 100+

      ¥0.3763
    • 300+

      ¥0.3398
  • 有货
  • 特性:BVCEO >-60V。 IC =-600mA 集电极电流。 外延平面芯片结构。 超小表面贴装封装。 互补 NPN 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4538
    • 100+

      ¥0.3631
    • 300+

      ¥0.3178
    • 3000+

      ¥0.2838
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 40V。 高连续集电极电流:IC = 2A。 峰值脉冲电流:ICM = 3A。 低饱和电压:100mV Max @ IC = 1A。 低等效导通电阻:RCE(SAT) = 60mΩ at 0.5A。 功耗:730mW。 互补PNP型:DSS5240T。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,绿色环保器件。 符合AEC-Q101标准,高可靠性
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4907
    • 50+

      ¥0.4813
    • 150+

      ¥0.4751
    • 500+

      ¥0.4688
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型。 适用于中功率放大和开关。 无铅、无卤素和无锑,符合RoHS标准的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    数据手册
    • 10+

      ¥0.5068
    • 100+

      ¥0.4118
    • 300+

      ¥0.3642
  • 有货
  • 特性:BVCEO >-60V。 外延平面管芯结构。 非常适合自动化组装工艺。 互补NPN类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤和无锑,“绿色”器件。应用:中功率放大和开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.52352 ¥0.818
    • 50+

      ¥0.353484 ¥0.6546
    • 150+

      ¥0.252076 ¥0.5729
    • 500+

      ¥0.225104 ¥0.5116
    • 2500+

      ¥0.2035 ¥0.4625
    • 5000+

      ¥0.19272 ¥0.438
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 有互补NPN类型。 适用于低功率放大和开关。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5528
    • 50+

      ¥0.4512
    • 150+

      ¥0.4004
    • 500+

      ¥0.3513
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 互补对:NPN 型和 PNP 型。 适用于中功率放大和开关。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5832
    • 50+

      ¥0.4629
    • 150+

      ¥0.4027
  • 有货
  • 双极结型晶体管(BJT)旨在满足汽车应用的严格要求。
    • 5+

      ¥0.5961
    • 50+

      ¥0.483
    • 150+

      ¥0.4265
    • 500+

      ¥0.3841
  • 有货
  • 特性:BVCEO >-45V、-60V 和-80V。 IC =-1A 连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VUCE(sat) <-500mV @-0.5A。 增益组 10 和 16。 互补 NPN 类型:BCX54、55 和 56。应用:中功率开关或放大应用。 音频驱动和输出级
    • 5+

      ¥0.6649
    • 50+

      ¥0.5209
    • 150+

      ¥0.4489
    • 1000+

      ¥0.3949
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构,适用于低功率放大和开关。 有互补PNP类型可选。 超小表面贴装封装。 “无铅”,符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 ESD等级:400V-MM,8KV-HBM。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7943
    • 50+

      ¥0.6455
    • 150+

      ¥0.5711
    • 500+

      ¥0.5153
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 50V。 连续集电极电流 IC = 2A。 功率耗散 625mW。 低饱和电压:VCE(sat) < 200mV @ 1A。 RCE(sat) = 68mΩ,低等效导通电阻。 hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。应用:MOSFET 栅极驱动。 DC-DC / DC-AC 转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.073888 ¥1.4512
    • 50+

      ¥0.84471 ¥1.1415
    • 150+

      ¥0.746512 ¥1.0088
    • 500+

      ¥0.623968 ¥0.8432
    • 2500+

      ¥0.56943 ¥0.7695
    • 5000+

      ¥0.536648 ¥0.7252
  • 有货
  • 这款双极结型晶体管(BJT)专为满足汽车应用的严格要求而设计。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.119
    • 50+

      ¥0.9009
    • 150+

      ¥0.8075
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -150V。 IC = -600mA 高集电极电流。 适用于中功率开关或放大应用。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。应用:放大器。 电源
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7053
    • 50+

      ¥1.4318
    • 150+

      ¥1.3145
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。 IC = 600mA 连续集电极电流。 低饱和电压(最大 150mV @10mA)。 hFE 指定高达 50mA 以保持高增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用:高压放大
    数据手册
    • 5+

      ¥1.74555 ¥2.155
    • 50+

      ¥1.407132 ¥1.7372
    • 150+

      ¥1.262142 ¥1.5582
    • 1000+

      ¥1.034208 ¥1.2768
    • 2000+

      ¥0.953613 ¥1.1773
    • 5000+

      ¥0.905256 ¥1.1176
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 100V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性达到 2A 以保持高电流增益。 互补 PNP 类型:FMMT593。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合 AEC-Q101 标准,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7915
    • 50+

      ¥1.4256
    • 150+

      ¥1.2688
    • 500+

      ¥1.0731
  • 有货
  • 特性:BVCEO >-40V。 最大连续电流 IC =-1A。 低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-1A。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。应用:功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 低损耗功率开关
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3056
    • 50+

      ¥1.8633
    • 150+

      ¥1.6738
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 45V。 IC = 3A 高连续集电极电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。 高增益器件,在 6A 时 >400。 RCE(SAT) = 77mΩ,低等效导通电阻。 hFE 在高达 6A 时指定,高增益保持。应用:DC-DC 转换器。 电源开关
    数据手册
    • 1+

      ¥2.37
    • 10+

      ¥1.86
    • 30+

      ¥1.64
    • 100+

      ¥1.37
    • 500+

      ¥1.24
  • 有货
    • 1+

      ¥2.59
    • 10+

      ¥2.06
    • 30+

      ¥1.84
    • 100+

      ¥1.56
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 100V。 IC = 1A 高连续电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 低饱和电压。 互补 PNP 类型:FZT593。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高。 具备 PPAP 能力
    数据手册
    • 5+

      ¥2.7305
    • 50+

      ¥2.2578
    • 150+

      ¥2.0553
  • 有货
  • 此NPN晶体管专为需要高电压阻断的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23引脚兼容,但在功率密度至关重要的应用中,它提供了更低的外形和更高的功率耗散。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.78
    • 10+

      ¥2.26
    • 30+

      ¥2.04
    • 100+

      ¥1.76
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 60V。 连续集电极电流 IC = 6A。 峰值脉冲电流 ICM = 20A。 低饱和电压 VCE(SAT) < 60mV 最大值 @ 1A。 RSAT = 35mΩ @ IC = 6A,低等效导通电阻。 hZ 指定高达 10A,高增益保持。应用:应急照明电路。 电机驱动(包括直流风扇)
    数据手册
    • 1+

      ¥3.69
    • 10+

      ¥3.02
    • 30+

      ¥2.69
    • 100+

      ¥2.35
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 20V。 BVcBo > 20V。 高连续电流:IC = 3.0A。 在2A时hFE > 400,且饱和电压低。 在3A时VCE(sat) < 450mV。 互补PNP型。应用:达林顿管替代品。 闪光灯转换器和电池供电电路
    数据手册
    • 1+

      ¥3.71
    • 10+

      ¥3
    • 30+

      ¥2.69
    • 100+

      ¥2.31
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 100V。 Ic = 6A 连续集电极电流。 IcM = 10A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 65mV 最大值 @ 1A。 RSAT = 36mΩ @ Ic = 6A 低等效导通电阻。 hFE 指定至 10A 高增益保持。应用:线路开关。 电机驱动(包括直流风扇)
    数据手册
    • 1+

      ¥3.76
    • 10+

      ¥3.4
    • 30+

      ¥3.22
    • 100+

      ¥3.04
    • 500+

      ¥2.93
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -40V。 IC = -3A 高连续电流。 ICM = -5A 峰值脉冲电流。 极低的 VCE(sat) < -220mV(在 -1A 时)。 RCE(sat) = 66mΩ(在 -3A 时)。 PD = 2W。应用:电机驱动(包括直流风扇)。 螺线管、继电器和执行器驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

      ¥3.34
    • 30+

      ¥3
    • 100+

      ¥2.67
  • 有货
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