美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-223-4

特性：BVCBO > -200V。 IC = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -5A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -160mV @ IC = -1A。 RSAT = 135mΩ，低等效导通电阻。增强的开关性能。应用：DC-DC 转换

数据手册

1+
￥3.38
10+
￥2.69
30+
￥2.39
100+
￥2.02
500+
￥1.85

有货

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型号：ZXTP19060CGTA 编号：C5124971

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 BV ECO > -7V。 IC = 5A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -80mV @ 1A。 RCE(sat) = 50mΩ。互补 PNP 型：ZXTN19060CG。应用：电机驱动。高端驱动器

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1+
￥3.82
10+
￥3.42
30+
￥3.22
100+
￥3.02
500+
￥2.9

有货

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型号：FCX1047ATA 编号：C526604

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 10V。 IC = 4A 高连续电流。 ICM = 20A 峰值脉冲电流。高增益保持 hFE > 300，IC = 1A。低等效导通电阻；RCE(sat) = 40mΩ，4A 时。高达 20A 时具有出色的 hE 特性。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

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1+
￥4.55
10+
￥3.74
30+
￥3.33
100+
￥2.93
500+
￥2.68

有货

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型号：ZXTN2011ZTA 编号：C150490

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 4.5A 高连续电流。 ICM = 10A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 31mΩ 低等效导通电阻。低饱和电压 VCE(sat) < 60mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A，实现高电流增益保持。应用：电机驱动。线路开关

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1+
￥4.72
10+
￥3.9
30+
￥3.49
100+
￥3.08

有货

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型号：FZT949TA 编号：C155288

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。高连续集电极电流：IC = -5.5A。峰值脉冲电流：IC = -20A。低饱和电压：VCE(sat) < -140mV @ -1A。 hFE 指定至 -20A，实现高增益保持。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。该器件符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具有高可靠性

数据手册

1+
￥4.97
10+
￥4.02
30+
￥3.55
100+
￥3.07
500+
￥2.79

有货

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型号：AC857BQ-7 编号：C3003075

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

双极结型晶体管 (BJT) 设计满足汽车应用的严格要求。

数据手册

10+
￥0.081189 ￥0.2619
100+
￥0.044016 ￥0.2096
300+
￥0.020174 ￥0.1834
3000+
￥0.018018 ￥0.1638
6000+
￥0.016291 ￥0.1481
9000+
￥0.015422 ￥0.1402

有货

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型号：MMBTA92-7-F 编号：C85182

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 300V。适用于中功率放大和开关。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。具备 PPAP 能力

数据手册

20+
￥0.2251
200+
￥0.1777
600+
￥0.1513

有货

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型号：BC847C-13-F 编号：C526464

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。适用于开关和AP放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，是“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.2621
100+
￥0.2132
300+
￥0.1888
1000+
￥0.1705

有货

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型号：BC846AW-7-F 编号：C507907

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。互补PNP类型。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

20+
￥0.26754 ￥0.273
200+
￥0.192456 ￥0.2187
600+
￥0.147108 ￥0.1886
3000+
￥0.13299 ￥0.1705
9000+
￥0.120744 ￥0.1548
21000+
￥0.114192 ￥0.1464

有货

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型号：BC817-16-7-F 编号：C507906

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。外延平面芯片结构。有互补PNP类型。用于开关和音频放大应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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10+
￥0.2956
100+
￥0.2371
300+
￥0.2078

有货

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型号：MMST4401-7-F 编号：C460237

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补PNP类型。超小型表面贴装封装。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

10+
￥0.297693 ￥0.3201
100+
￥0.215883 ￥0.2601
300+
￥0.168046 ￥0.2302
3000+
￥0.151621 ￥0.2077
6000+
￥0.138481 ￥0.1897
9000+
￥0.131911 ￥0.1807

有货

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型号：BC856AS-7 编号：C151329

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-65V，Ic =-100mA。高集电极电流。有互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。有符合汽车应用标准的型号

数据手册

10+
￥0.333126 ￥0.3582
100+
￥0.241613 ￥0.2911
300+
￥0.188048 ￥0.2576
3000+
￥0.169652 ￥0.2324
6000+
￥0.154979 ￥0.2123
9000+
￥0.147606 ￥0.2022

有货

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型号：BC857BTQ-7 编号：C5248623

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

10+
￥0.3369
100+
￥0.2728
300+
￥0.2407
3000+
￥0.2167

有货

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型号：MMBTA42Q-7-F 编号：C460101

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补PNP类型。适用于中功率放大和开关。也有无铅版本

数据手册

10+
￥0.3385
100+
￥0.2728
300+
￥0.2399

有货

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型号：2DA1774QLP-7 编号：C460637

封装：SMD

品牌：DIODES(美台)

PNP, 40V, 0.1A, DFN1006-3

数据手册

5+
￥0.361862 ￥0.6239
50+
￥0.265296 ￥0.5527
150+
￥0.196498 ￥0.5171
500+
￥0.186314 ￥0.4903
3000+
￥0.17822 ￥0.469
6000+
￥0.174154 ￥0.4583

有货

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型号：MMST4403-7-F 编号：C526686

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。提供互补NPN类型。超小表面贴装封装。无铅，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

数据手册

10+
￥0.3972
100+
￥0.293748 ￥0.3228
300+
￥0.231336 ￥0.2856
3000+
￥0.208737 ￥0.2577
6000+
￥0.190593 ￥0.2353
9000+
￥0.181602 ￥0.2242

有货

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型号：ZXTN2040FTA 编号：C460141

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该晶体管结合了高增益、大电流工作和低饱和电压的特点，非常适合用于功率MOSFET栅极驱动和低损耗功率开关。

数据手册

5+
￥0.4089
50+
￥0.4009
150+
￥0.3956

有货

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型号：FMMTA92TA 编号：C460082

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -300V。 IC = -200mA，高连续集电极电流。互补类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的部件（单独的数据手册中有介绍）

数据手册

10+
￥0.42
100+
￥0.3294
300+
￥0.2842

有货

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型号：MMBTA05-7-F 编号：C560263

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。互补PNP型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

10+
￥0.4542
100+
￥0.3583
300+
￥0.3104

有货

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型号：ZXTP2041FTA 编号：C443628

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-1A 高连续电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-1A。 RSAT = 350mΩ 低等效导通电阻。互补 NPN 型：ZXTN2041F。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

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单价：
￥0.284453 / 个

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型号：DSS5160V-7 编号：C526594

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。提供互补NPN类型。低集电极-发射极饱和电压VCE(SAT)。表面贴装封装，适合自动组装。超小型表面贴装封装。无铅/RoHS合规。 “绿色设备”

数据手册

5+
￥0.474982 ￥0.7661
50+
￥0.31876 ￥0.613
150+
￥0.22533 ￥0.5365
500+
￥0.201222 ￥0.4791
3000+
￥0.181944 ￥0.4332
6000+
￥0.172284 ￥0.4102

有货

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型号：BC847PNQ-7-F 编号：C559582

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

10+
￥0.4981
100+
￥0.4141
300+
￥0.3721

有货

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型号：ZXTN4240F-7 编号：C513079

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 2A 高连续集电极电流。 ICM = 3A 峰值脉冲电流。低饱和电压 100mV 最大 @ IC = 1A。 RCE(SAT) = 60mΩ 在 0.5A 时具有低等效导通电阻。 730mW 功率耗散。互补 PNP 型：ZXTP5240F。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.5283
50+
￥0.5199
150+
￥0.5142

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型号：MMBT3904LP-7B 编号：C154763

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。集电极电流高：IC = 200mA。功率耗散：PD = 1000mW。封装占地面积：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。互补PNP类型：MMBT3906LP。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册