美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：DSS5220TQ-7 编号：C5624754

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

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￥0.7886
50+
￥0.6941
150+
￥0.6536
500+
￥0.603

有货

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型号：DSS5140U-7 编号：C2760656

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。连续集电极电流 IC = -1A。峰值脉冲电流 ICM = -2A。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ IC = -1A。超小型表面贴装封装。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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￥0.8435
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￥0.7062
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￥0.6376
500+
￥0.5861

有货

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型号：FMMT558TA 编号：C74606

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。高连续集电极电流 IC = -150mA。峰值脉冲电流 ICM = -500mA。功耗 500mW。高达 -100mA 时具有出色的 hFE 特性。互补 NPN 类型：FMMT458。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的部件（FMMT558Q）

数据手册

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￥0.8602
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￥0.704
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￥0.6259
500+
￥0.5673

有货

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型号：DSS5240T-7 编号：C177043

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 Ic = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。低饱和电压-225mV 最大 @ Ic = -1A。 RCE(SAT) = 90mΩ 在-0.5A 时具有低等效导通电阻。 730mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。负载开关

数据手册

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￥0.9203
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￥0.7368
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￥0.6451
500+
￥0.5763

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型号：FMMTL718TA 编号：C460215

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：20V。 -1A 连续集电极电流。 -2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -320mV@ -1A。 hFE 特性高达 -1.5A，可保持高电流增益。 500mW 功率耗散。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥0.9624
50+
￥0.8582
150+
￥0.8135
500+
￥0.7577

有货

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型号：2DC4672-13 编号：C526219

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。 IC = 3A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 350mV @ 1A。互补 PNP 型: 2DA1797。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。螺线管、继电器和执行器驱动器

数据手册

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￥1.011
50+
￥0.8227
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￥0.7285
500+
￥0.6578

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型号：FMMT491QTA 编号：C508217

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

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￥1.0878
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￥0.8636
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￥0.7675
500+
￥0.6476

有货

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型号：DMMT3906-7-F 编号：C526572

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。本质匹配的 PNP 对。小表面贴装封装。 2% hFE 匹配公差。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

数据手册

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￥1.1386
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￥1.0153
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￥0.9624
500+
￥0.8964

有货

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型号：FMMT617TA 编号：C151825

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 15V。 IC = 3A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 50mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 12A 以实现高电流增益保持。应用：DC-DC / DC-AC 模块。稳压器

数据手册

5+
￥1.1546
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￥0.9192
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￥0.8183
500+
￥0.6924

有货

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型号：MJD32CUQ-13 编号：C460728

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 IC =-3A 高连续集电极电流。 ICM =-5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

数据手册

1+
￥1.272 ￥2.12
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￥0.945 ￥1.89
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￥0.716 ￥1.79
100+
￥0.664 ￥1.66
500+
￥0.644 ￥1.61
1000+
￥0.628 ￥1.57

有货

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型号：DPLS350E-13 编号：C460719

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构，非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/RoHS 合规。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.5287
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￥1.2481
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￥1.1279
500+
￥0.9779

有货

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型号：DJT4031N-13 编号：C460711

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动化组装工艺。有互补PNP类型（DJT4030P）。低集电极-发射极饱和电压。适用于中功率开关或放大应用。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.5901
50+
￥1.4244
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￥1.3534
500+
￥1.2648

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型号：FMMT720QTA 编号：C177045

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC E O >-40V。I_C =-1.5A 连续集电极电流。I_CM =-4A 峰值脉冲电流。低饱和电压 V_CE(sat) <-220mV @-1A。R_CE(SAT) = 163mΩ，低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥1.7763
50+
￥1.5839
150+
￥1.5014
500+
￥1.3985

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型号：FMMT625TA 编号：C212600

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。最大连续集电极电流 IC = 1A。 625mW 功率耗散。 hFE 特性高达 33A。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：DC-DC 模块。电源管理功能

数据手册

5+
￥2.1337
50+
￥1.6982
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￥1.5115
500+
￥1.2786

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型号：FCX591TA 编号：C211424

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC₍CE₎ >-60V。 I₍C₎ =-1A 高连续集电极电流。 I₍CM₎ =-2A 峰值集电极电流。 R₍CE(sat)₎ = 295mΩ 低等效导通电阻。 h₍FE₎ 在高达 2A 时具有高电流增益。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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5+
￥2.1412
50+
￥1.7147
150+
￥1.5319

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型号：ZTX694B 编号：C156385

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：集电极-发射极电压（VCEO）：120V。集电极电流（IC）为200mA时，增益为400。极低的饱和电压。应用：达林顿管替代。继电器/螺线管驱动器

数据手册

1+
￥2.55
10+
￥2.32
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￥2.23
100+
￥2.1
500+
￥2.05

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型号：ZXTP25040DZTA 编号：C780923

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-3.5A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) <-90mV @-1A。 Rsat = 55mΩ，低等效导通电阻。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。 DC-DC转换器

数据手册

1+
￥3.09
10+
￥2.49
30+
￥2.24
100+
￥1.93
500+
￥1.78

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型号：ZXTD2090E6TA 编号：C17537238

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

1+
￥3.32
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￥2.96
30+
￥2.77
100+
￥2.59
500+
￥2.48
1000+
￥2.43

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型号：FZT853TA 编号：C435890

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 6A，高连续集电极电流。 ICM = 10A，峰值脉冲电流。低饱和电压，VCE(SAT) < 150mV @ 2A。 RCE(SAT) = 50mΩ，低等效导通电阻。 hFE指定至10A，高增益保持。互补PNP类型：FZT953。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，高可靠性

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥2.92
30+
￥2.58
100+
￥2.24

有货

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型号：ZXTD720MCTA 编号：C155327

封装：DFN-8-EP(3x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-3A 连续集电极电流。低饱和电压 (- 220mV @-1A)。 RSAT = 104mΩ 低等效导通电阻。 hFE 指定至-3A，保持高增益。双 NPN 节省空间和元件数量。应用：DC-DC 转换器。充电电路

数据手册

1+
￥3.88
10+
￥3.29
30+
￥3
100+
￥2.71
500+
￥2.53
1000+
￥2.44

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型号：ZX5T949GTA 编号：C151454

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。 Ic = -5.5A 高连续集电极电流。 Icm = -20A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat)。低至 -10mA 时具有出色的增益线性度。无铅表面处理，符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

数据手册

1+
￥4.05
10+
￥3.67
30+
￥3.47
100+
￥3.28
500+
￥3.16

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型号：ZXTN2007ZTA 编号：C212312

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = 30V。 IC = 6.0A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 35mV @ 500mA。 Rsat = 23mΩ 低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

数据手册

1+
￥4.3
10+
￥3.58
30+
￥3.23
100+
￥2.87
500+
￥2.66

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型号：FCX1047ATA 编号：C526604

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 10V。 IC = 4A 高连续电流。 ICM = 20A 峰值脉冲电流。高增益保持 hFE > 300，IC = 1A。低等效导通电阻；RCE(sat) = 40mΩ，4A 时。高达 20A 时具有出色的 hE 特性。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

数据手册

1+
￥4.59
10+
￥3.77
30+
￥3.36
100+
￥2.96
500+
￥2.72

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型号：ZHB6718TA 编号：C445537

封装：SOT-223-8

品牌：DIODES(美台)

特性：BJT H桥：2×NPN + 2×PNP。连续集电极电流：Ic = 2.5A。 NPN晶体管: -BVCEO > 20V。 -低饱和电压：VCE(sat) < 150mV @ 1A。 PNP晶体管: -BVCEO > -20V。 -低饱和电压：VCE(sat) < -200mV @ -1A。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

数据手册

1+
￥9.1
10+
￥8.42
30+
￥7.99
100+
￥7.56

有货

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型号：BC857BW-7-F 编号：C459865

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。有互补NPN类型。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

20+
￥0.082476 ￥0.2291
200+
￥0.04693 ￥0.1805
600+
￥0.02456 ￥0.1535
3000+
￥0.021968 ￥0.1373
9000+
￥0.019728 ￥0.1233
21000+
￥0.018528 ￥0.1158

有货

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型号：BC846B-7-F 编号：C183643

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。适用于开关和AP放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，是“绿色”器件

数据手册

54000+
￥0.08904
162000+
￥0.08533
486000+
￥0.083104
648000+
￥0.08162

我要订货

型号：BC847BT-7-F 编号：C156332

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。 IC = 100mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑“绿色”器件。有符合汽车标准的部件可在单独的数据手册中获取

数据手册

20+
￥0.2255
200+
￥0.1801
600+
￥0.1549

有货

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型号：MMST2907A-7-F 编号：C460106

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。 IC =-600mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

20+
￥0.2415
200+
￥0.1935
600+
￥0.1668

有货

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型号：MMBT3904LP-7 编号：C460099

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。集电极电流高：IC = 200mA。功率耗散：PD = 1000mW。封装占地面积：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。互补PNP类型：MMBT3906LP。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.261
100+
￥0.2106
300+
￥0.1854

有货

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型号：MMBT4401Q-13-F 编号：C526678

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构，适用于中功率放大和开关。互补PNP类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

10+
￥0.3456
100+
￥0.2809
300+
￥0.2485
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￥0.2242

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