美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2DB1132R-13 编号：C460638

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -32V。 IC = -1A，高连续集电极电流。互补NPN类型。非常适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.647235 ￥1.1355
50+
￥0.470658 ￥1.0014
150+
￥0.34928 ￥0.944
500+
￥0.322751 ￥0.8723
2500+
￥0.310948 ￥0.8404
5000+
￥0.303844 ￥0.8212

有货

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型号：ZXTN25040DFLTA 编号：C460142

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

采用先进的工艺能力实现高电流增益保持，非常适合需要高脉冲电流的应用。

数据手册

5+
￥0.7098 ￥1.014
50+
￥0.48414 ￥0.8069
150+
￥0.3591 ￥0.7182
500+
￥0.3037 ￥0.6074
3000+
￥0.27905 ￥0.5581
6000+
￥0.26425 ￥0.5285

有货

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型号：DPBT8105-7 编号：C443634

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于中功率放大和开关。高集电极电流额定值。有互补版本。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色器件”。符合AEC-Q101高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.7121
50+
￥0.6012
150+
￥0.5458
500+
￥0.5042

有货

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型号：BCW68HTA 编号：C182495

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -45V。高连续集电极电流：IC = -800mA。低饱和电压：VCE(sat) < -300mV @ 100mA。互补NPN类型：BCW66H。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.76
50+
￥0.641
150+
￥0.5816
500+
￥0.537

有货

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型号：DCX53-16-13 编号：C508182

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补NPN类型。非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥0.819876 ￥1.2057
50+
￥0.616772 ￥1.0634
150+
￥0.481104 ￥1.0023
500+
￥0.444576 ￥0.9262
2500+
￥0.428304 ￥0.8923
5000+
￥0.41856 ￥0.872

有货

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型号：DMMT3906-7-F 编号：C526572

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。本质匹配的 PNP 对。小表面贴装封装。 2% hFE 匹配公差。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥0.825234 ￥1.0446
50+
￥0.635697 ￥0.9213
150+
￥0.512356 ￥0.8684
500+
￥0.473475 ￥0.8025
3000+
￥0.456129 ￥0.7731
6000+
￥0.445745 ￥0.7555

有货

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型号：2DB1182Q-13 编号：C176911

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -32V。 Ic = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。外延平面芯片结构。低集电极-发射极饱和电压。非常适合中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.9117 ￥1.5195
50+
￥0.67 ￥1.34
150+
￥0.50524 ￥1.2631
500+
￥0.46688 ￥1.1672
2500+
￥0.4498 ￥1.1245
5000+
￥0.43952 ￥1.0988

有货

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型号：DSS4160TQ-7 编号：C5248962

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 280 mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VCE(sat) < 280 mV @ 1A。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

5+
￥0.915
50+
￥0.744
150+
￥0.6585
500+
￥0.5943
3000+
￥0.543

有货

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型号：DNLS350Y-13 编号：C155323

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。连续电流 IC = 3.0A。提供互补 PNP 类型。非常适合自动化组装工艺。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：适用于中功率开关或放大应用

数据手册

5+
￥0.9881
50+
￥0.8214
150+
￥0.7381
500+
￥0.6756

有货

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型号：2DD1664P-13 编号：C460643

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 32V。最大连续电流 IC = 1A。外延平面管芯结构。有互补 PNP 类型。适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.27464 ￥1.356
50+
￥0.920556 ￥1.0959
150+
￥0.728456 ￥0.9844
500+
￥0.625522 ￥0.8453
2500+
￥0.579716 ￥0.7834
5000+
￥0.552262 ￥0.7463

有货

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型号：DXT3906-13 编号：C460067

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.280312 ￥1.4549
50+
￥0.917124 ￥1.1758
150+
￥0.718216 ￥1.0562
500+
￥0.61676 ￥0.907
2500+
￥0.571608 ￥0.8406
5000+
￥0.544476 ￥0.8007

有货

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型号：DXT5551P5-13 编号：C5260571

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：比SO7223小43%，比TO252小60%。最大高度仅1.1mm。额定功率高达2.25W。集电极-发射极击穿电压（BVCEO）> 160V。集电极电流（Io(sch)） = 0.6A。无铅，符合RoHS标准。应用：电信线路驱动器

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5+
￥1.5454
50+
￥1.3513
150+
￥1.2682

有货

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型号：ZTX553 编号：C3198559

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：100 Volt VCEO。 1 Amp continuous current。 Ptot = 1 Watt

1+
￥1.97
10+
￥1.73
30+
￥1.62
100+
￥1.5
500+
￥1.43
1000+
￥1.39

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型号：FCX558TA 编号：C212603

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。 IC = -200mA 高连续电流。 ICM = -500mA 峰值脉冲电流。高达 -100mA 时具有出色的 hFE 特性。低饱和电压 VCE(sat) < -200mV @ -20mA。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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5+
￥2.9047
50+
￥2.306
150+
￥2.0494

有货

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型号：FZT593TA 编号：C526625

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。高连续电流：IC = -1A。峰值脉冲电流：ICM = -2A。低饱和电压。互补NPN类型。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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1+
￥3.4944 ￥3.64
10+
￥2.5284 ￥2.94
30+
￥2.0064 ￥2.64
100+
￥1.7176 ￥2.26
500+
￥1.5884 ￥2.09
1000+
￥1.5124 ￥1.99

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型号：ZXTN2011GTA 编号：C460287

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 Ic = 6A 连续集电极电流。 IcM = 10A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 65mV 最大值 @ 1A。 RSAT = 36mΩ @ Ic = 6A 低等效导通电阻。 hFE 指定至 10A 高增益保持。应用：线路开关。电机驱动（包括直流风扇）

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1+
￥3.6096 ￥3.76
10+
￥2.924 ￥3.4
30+
￥2.4472 ￥3.22
100+
￥2.3104 ￥3.04
500+
￥2.2268 ￥2.93
1000+
￥2.1888 ￥2.88

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型号：ZXTN19100CZTA 编号：C460137

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 5.25A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 65mV @ 1A。 Rsat = 44mΩ 低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件。应用：PSU 启动开关。电机驱动

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1+
￥3.62
10+
￥2.89
30+
￥2.57
100+
￥2.18
500+
￥2.01
1000+
￥1.9

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型号：ZXTN2007ZTA 编号：C212312

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = 30V。 IC = 6.0A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 35mV @ 500mA。 Rsat = 23mΩ 低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

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1+
￥3.79
10+
￥3.07
30+
￥2.72
100+
￥2.36
500+
￥2.15

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型号：FZT1149ATA 编号：C460216

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -25V。最大连续电流 IC = -4A。峰值脉冲电流 IC = -10A。高增益保持 hFE > 195@IC = -2A。极低的等效导通电阻：RCE(CST) = 130mΩ，在 -2A 时。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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