美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBT2907AT-7-F 编号：C154716

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。超小表面贴装封装。也有无铅版本

数据手册

10+
￥0.4751
100+
￥0.3801
300+
￥0.3325
3000+
￥0.2969

有货

立即购买

型号：DSS5220TQ-7 编号：C5624754

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

5+
￥0.7886
50+
￥0.6941
150+
￥0.6536
500+
￥0.603

有货

立即购买

型号：BCX41TA 编号：C139719

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 125V。Ic = 800mA 高连续集电极电流。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的部件（BCX41Q）

数据手册

5+
￥0.8426
50+
￥0.6847
150+
￥0.6057
500+
￥0.5465

有货

立即购买

型号：FMMT497TA 编号：C80781

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

-

数据手册

5+
￥0.8712
50+
￥0.6976
150+
￥0.6109
500+
￥0.5458

有货

立即购买

型号：FMMT6517TA 编号：C155518

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 350V。集电极电流高：Ic = 500mA。功耗：350mW。 hFE为15（Ic = 100mA时）。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.1061
50+
￥0.9194
150+
￥0.8261
500+
￥0.756

有货

立即购买

型号：DPLS350E-13 编号：C460719

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构，非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/RoHS 合规。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.421691 ￥1.5287
50+
￥1.035923 ￥1.2481
150+
￥0.823367 ￥1.1279
500+
￥0.713867 ￥0.9779
2500+
￥0.665103 ￥0.9111
5000+
￥0.63583 ￥0.871

有货

立即购买

型号：ZXTD619MCTA 编号：C155261

封装：DFN-8-EP(3x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。IC = 4A 连续集电极电流。低饱和电压（1A 时最大 100mV）。RSAT = 68mΩ，低等效导通电阻。hEE 在高达 6A 时指定，保持高电流增益。双 NPN 节省电路板空间和元件数量。应用：DC-DC 转换器。MOSFET 栅极驱动器

数据手册

1+
￥1.9133 ￥3.61
10+
￥1.4147 ￥3.29
30+
￥1.0329 ￥3.13
100+
￥0.9834 ￥2.98
500+
￥0.9504 ￥2.88
1000+
￥0.9339 ￥2.83

有货

立即购买

型号：DSS60600MZ4-13 编号：C154848

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动化装配工艺。超低集电极-发射极饱和电压。有互补NPN类型。适用于中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的部件（单独的数据手册）

数据手册

5+
￥1.9519
50+
￥1.599
150+
￥1.4477
500+
￥1.259

有货

立即购买

型号：ZTX458STZ 编号：C2759905

封装：TO-92-3

品牌：DIODES(美台)

特性：400V VCE0。 0.5A 连续电流。 Ptot = 1W

数据手册

5+
￥2.1939
50+
￥1.7417
150+
￥1.5478
500+
￥1.306

有货

立即购买

型号：MJD32C-13 编号：C460727

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -3A 高连续集电极电流。 ICM = -5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥2.2793
50+
￥1.8237
150+
￥1.6284
500+
￥1.3848
2500+
￥1.2763

有货

立即购买

型号：ZTX450 编号：C155240

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：60V VCEO。 1A连续电流。 Ptot = 1W

数据手册

5+
￥2.300116 ￥2.5844
50+
￥1.650073 ￥2.0887
150+
￥1.294578 ￥1.8762
500+
￥1.111728 ￥1.6112
2500+
￥1.030239 ￥1.4931
4000+
￥0.981387 ￥1.4223

有货

立即购买

型号：FCX458TA 编号：C435832

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。 IC = 225mA 连续集电极电流。 ICM = 500mA 峰值脉冲电流。高达100mA时具有出色的hFE特性。低饱和电压 VCE(sat) < 200mV @ 20mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥2.3597
50+
￥1.9099
150+
￥1.7171

有货

立即购买

型号：FZT955TA 编号：C110508

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：连续电流4A（峰值电流10A）。极低的饱和电压。高达3A的出色增益特性

数据手册

1+
￥3.04
10+
￥2.53
30+
￥2.31
100+
￥2.03
500+
￥1.91

有货

立即购买

型号：ZXTD720MCTA 编号：C155327

封装：DFN-8-EP(3x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-3A 连续集电极电流。低饱和电压 (- 220mV @-1A)。 RSAT = 104mΩ 低等效导通电阻。 hFE 指定至-3A，保持高增益。双 NPN 节省空间和元件数量。应用：DC-DC 转换器。充电电路

数据手册

1+
￥3.24
10+
￥2.66
30+
￥2.36
100+
￥2.07
500+
￥1.9

有货

立即购买

型号：FZT757TA 编号：C526632

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -300V。IC = -0.5A 持续电流。ICM = -1A 峰值脉冲电流。互补 NPN 类型：FZT657。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

数据手册

1+
￥3.29
10+
￥2.63
30+
￥2.35
100+
￥2
500+
￥1.84

有货

立即购买

型号：FZT560TA 编号：C264100

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-500V。高连续电流：IC =-150mA。峰值脉冲电流：ICM =-500mA。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥3.3696
50+
￥2.7414
150+
￥2.4722
1000+
￥2.1363

有货

立即购买

型号：ZXTP25060BFHTA 编号：C460151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压 BVCEO >-60V。正向阻断电压 100V。连续集电极电流 IC =-3A。峰值脉冲电流 ICM =-9A。低饱和电压，VCE(sat) <-85mV @-1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 58mΩ。应用：MOSFET 驱动器。电源开关

数据手册

1+
￥3.38
10+
￥2.7
30+
￥2.41
100+
￥2.05
500+
￥1.88

有货

立即购买

型号：ZXTP2012GTA 编号：C508267

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO-60V。 IC =-5.5A 连续集电极电流。 ICM =-15A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) <-70mV 最大值 @-1A。 RSAT = 39mΩ @-5A，低等效导通电阻。 hFE 指定至-10A，高增益保持。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

数据手册