美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

特性：BVCEO > -20V。IC = -1.5A 连续集电极电流。ICM = -6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -200mV @ -1A。RCE(SAT) = 97mΩ 低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥1.3473
50+
￥1.1012
150+
￥0.9958
500+
￥0.8642

有货

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型号：DJT4031N-13 编号：C460711

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动化组装工艺。有互补PNP类型（DJT4030P）。低集电极-发射极饱和电压。适用于中功率开关或放大应用。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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5+
￥1.510595 ￥1.5901
50+
￥1.21074 ￥1.4244
150+
￥1.01505 ￥1.3534
500+
￥0.9486 ￥1.2648
2500+
￥0.91905 ￥1.2254
5000+
￥0.901275 ￥1.2017

有货

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型号：BSR33QTA 编号：C526480

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -80V。 IC = -1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -150mA。互补型 BSR43。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。 solenoid、继电器和执行器驱动器

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5+
￥1.785135 ￥1.9195
50+
￥1.287579 ￥1.5513
150+
￥1.017255 ￥1.3935
1000+
￥0.873518 ￥1.1966
2000+
￥0.80957 ￥1.109
5000+
￥0.771172 ￥1.0564

有货

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型号：ZTX455STZ 编号：C2960349

封装：TO-92-3

品牌：DIODES(美台)

特性：140伏VCEO。 1安培连续电流。总功率Ptot = 1瓦。 E-Line TO92兼容

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1+
￥1.8815 ￥2.65
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￥1.4213 ￥2.33
30+
￥1.122 ￥2.2
100+
￥1.0353 ￥2.03
500+
￥0.9996 ￥1.96
1000+
￥0.9741 ￥1.91

有货

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型号：ZXTN2010ZQTA 编号：C460140

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 5A 高连续电流。 RSAT = 30mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VESAT < 65mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A，高电流增益保持。互补 PNP 类型。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

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5+
￥2.5839
50+
￥2.1039
150+
￥1.8981

有货

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型号：ZTX658 编号：C6939312

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：400 Volt VCEO。 0.5 Amp连续电流。 Ptot = 1 Watt。应用：电话拨号电路

1+
￥2.64
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￥2.39
30+
￥2.26
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￥2.14
500+
￥2.06
1000+
￥2.02

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型号：ZXTP2008GTA 编号：C151587

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。 IC = -5.5A 连续集电极电流。 ICM = -20A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT)< -60mV 最大 @ -1A。 RSAT = 31mΩ @ -5.5A 低等效导通电阻。出色的增益线性度低至 -10mA。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

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1+
￥3.024 ￥3.78
10+
￥2.366 ￥3.38
30+
￥1.908 ￥3.18
100+
￥1.794 ￥2.99
500+
￥1.722 ￥2.87
1000+
￥1.686 ￥2.81

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型号：ZXTN19100CFFTA 编号：C460136

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

先进的制程能力被用于最大化该晶体管的性能。SOT23F封装与行业标准SOT23封装的引脚兼容，但对于功率密度至关重要的应用，它提供了更低的外形和更高的散热能力。

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1+
￥3.1
10+
￥2.44
30+
￥2.15
100+
￥1.79
500+
￥1.64
1000+
￥1.54

有货

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型号：FZT1051ATA 编号：C156327

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。高连续集电极电流 IC = 5A。峰值脉冲电流 ICM = 20A。低饱和电压 VCE(sat) < 120mV @ 1A。低等效导通电阻 RSAT = 50mΩ @ 5A。 hFE 指定至 10A，高增益保持。应用：螺线管、继电器和执行器驱动器。 DC 模块

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1+
￥4.67
10+
￥3.71
30+
￥3.24
100+
￥2.77
500+
￥2.48

有货

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型号：MMST3904-7-F 编号：C124192

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小型表面贴装封装。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑。绿色器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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20+
￥0.2236
200+
￥0.1832
600+
￥0.1608
3000+
￥0.1473

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型号：MMST5551Q-7-F 编号：C5249115

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补NPN类型。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备PPAP能力

10+
￥0.4604
100+
￥0.3683
300+
￥0.3223
1000+
￥0.2877
5000+
￥0.2601

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型号：MMSTA06-7-F 编号：C443629

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型。适用于中功率放大和开关。超小表面贴装封装。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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5+
￥0.696384 ￥0.7254
50+
￥0.51471 ￥0.5985
150+
￥0.406676 ￥0.5351
500+
￥0.3705 ￥0.4875
3000+
￥0.341544 ￥0.4494
6000+
￥0.327104 ￥0.4304

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型号：DSS5140U-7 编号：C2760656

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。连续集电极电流 IC = -1A。峰值脉冲电流 ICM = -2A。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ IC = -1A。超小型表面贴装封装。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥0.80976 ￥0.8435
50+
￥0.607332 ￥0.7062
150+
￥0.484576 ￥0.6376
500+
￥0.445436 ￥0.5861
3000+
￥0.315628 ￥0.4153
6000+
￥0.299972 ￥0.3947

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型号：ZX5T955GTA 编号：C177097

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -140V。 IC = -4A 高连续集电极电流。 ICM = -10A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -120mV @ IC = -1A。 RSAT = 92mΩ 低等效导通电阻。 HPE 指定高达 -10A 高增益保持。应用：电机驱动。线路开关

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5+
￥1.1293
50+
￥0.9967
150+
￥0.9399
1000+
￥0.869

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型号：DMMT3904WQ-7-F 编号：C526571

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：BVceo >40V。 Ic = 200mA 高集电极电流。一对本质匹配的 NPN 晶体管。电流增益（hFE）匹配度为 2%。基极-发射极电压 (VBE) 匹配度为 2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

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5+
￥1.1934
50+
￥0.9251
150+
￥0.8101
500+
￥0.6666

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型号：BCX5610TA 编号：C460186

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。外延平面芯片结构。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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5+
￥1.2539
50+
￥1.0151
150+
￥0.9127
1000+
￥0.785

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型号：ZXTP25020BFHTA 编号：C672075

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件紧凑的尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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1+
￥1.272 ￥2.12
10+
￥0.935 ￥1.87
30+
￥0.704 ￥1.76
100+
￥0.652 ￥1.63
500+
￥0.628 ￥1.57
1000+
￥0.616 ￥1.54

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型号：FZT751QTA 编号：C526629

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

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5+
￥2.2047
50+
￥1.7501
150+
￥1.5553
1000+
￥1.3122

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型号：ZTX694B 编号：C156385

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：集电极-发射极电压（VCEO）：120V。集电极电流（IC）为200mA时，增益为400。极低的饱和电压。应用：达林顿管替代。继电器/螺线管驱动器

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1+
￥2.448 ￥2.55
10+
￥1.9952 ￥2.32
30+
￥1.6948 ￥2.23
100+
￥1.596 ￥2.1
500+
￥1.558 ￥2.05
1000+
￥1.5352 ￥2.02

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型号：ZXTP25040DZTA 编号：C780923

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-3.5A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) <-90mV @-1A。 Rsat = 55mΩ，低等效导通电阻。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。 DC-DC转换器

数据手册

1+
￥2.523 ￥2.9
10+
￥1.7787 ￥2.31
30+
￥1.3735 ￥2.05
100+
￥1.1658 ￥1.74
500+
￥1.072 ￥1.6
1000+
￥1.0117 ￥1.51

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型号：FZT851TA 编号：C87950

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。集电极连续电流高，Ic = 6A。脉冲峰值电流，ICM = 20A。低饱和电压，VCE(sat) < 100mV @ 1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 44mΩ。 hFE 在高达10A时指定，高增益保持。互补PNP类型：FZT951。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949认证的工厂生产

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1+
￥3.58
10+
￥2.78
30+
￥2.43
100+
￥2
500+
￥1.81

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型号：ZXTD2090E6TA 编号：C17537238

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

1+
￥3.6
10+
￥3.24
30+
￥3.05
100+
￥2.87
500+
￥2.76
1000+
￥2.71

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型号：ZX5T949GTA 编号：C151454

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。 Ic = -5.5A 高连续集电极电流。 Icm = -20A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat)。低至 -10mA 时具有出色的增益线性度。无铅表面处理，符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

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1+
￥3.6855 ￥4.05
10+
￥2.9727 ￥3.67
30+
￥2.4637 ￥3.47
100+
￥2.3288 ￥3.28
500+
￥2.2436 ￥3.16
1000+
￥2.201 ￥3.1

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型号：ZXTN2018FTA 编号：C155309

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大限度地提升这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件尺寸紧凑且额定参数出色，非常适合空间有限的应用场景。

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1+
￥4.76
10+
￥3.79
30+
￥3.31
100+
￥2.83
500+
￥2.51
1000+
￥2.36

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型号：ZHB6718TA 编号：C445537

封装：SOT-223-8

品牌：DIODES(美台)

特性：BJT H桥：2×NPN + 2×PNP。连续集电极电流：Ic = 2.5A。 NPN晶体管: -BVCEO > 20V。 -低饱和电压：VCE(sat) < 150mV @ 1A。 PNP晶体管: -BVCEO > -20V。 -低饱和电压：VCE(sat) < -200mV @ -1A。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

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