美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBT4403-7-F 编号：C85183

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保产品

数据手册

20+
￥0.2677
200+
￥0.2148
600+
￥0.1854
3000+
￥0.1528

有货

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型号：MMBT2907A-7-F 编号：C106923

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构，适用于低功率放大和开关。互补NPN型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具备高可靠性。具备PPAP能力

数据手册

10+
￥0.272
100+
￥0.2217
300+
￥0.1966
3000+
￥0.1618
6000+
￥0.1467

有货

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型号：MMBTA05Q-13-F 编号：C5157736

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。互补PNP型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

10+
￥0.4047
100+
￥0.3202
300+
￥0.278
1000+
￥0.2463
5000+
￥0.221

有货

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型号：MMDT5551-7-F 编号：C500783

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。互补PNP型。适用于中功率放大和开关。超小型表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC标准，具有高可靠性

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10+
￥0.5223
100+
￥0.4071
300+
￥0.3495
3000+
￥0.3063

有货

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型号：DST3904DJ-7 编号：C144162

封装：SOT-963-6

品牌：DIODES(美台)

特性：VCEO = 40V。 IC = 200mA。外延平面管芯结构。非常适合自动化组装工艺。无铅、无卤素和无锑，符合RoHS标准。 “绿色”器件。超小型封装

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10+
￥0.5293
100+
￥0.4189
300+
￥0.3638
1000+
￥0.3224
5000+
￥0.2893

有货

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型号：MMBT3906T-7-F 编号：C508223

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-200mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑-“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.5402
100+
￥0.4491
300+
￥0.4035
3000+
￥0.3694

有货

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型号：FMMTL718TA 编号：C460215

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：20V。 -1A 连续集电极电流。 -2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -320mV@ -1A。 hFE 特性高达 -1.5A，可保持高电流增益。 500mW 功率耗散。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥0.71523 ￥0.883
50+
￥0.552877 ￥0.7787
150+
￥0.44774 ￥0.734
500+
￥0.413763 ￥0.6783
3000+
￥0.398635 ￥0.6535
6000+
￥0.389546 ￥0.6386

有货

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型号：DMMT3906W-7-F 编号：C151567

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -200mA 高集电极电流。一对本质匹配的 PNP 晶体管。电流增益（hFE）匹配度为 2%。基极-发射极电压（VBE）匹配度为 2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

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5+
￥0.7264
50+
￥0.5864
150+
￥0.5164
500+
￥0.4639

有货

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型号：ZXTN26020DMFTA 编号：C461825

封装：DFN-3(1.4x1.1)

品牌：DIODES(美台)

特性：高增益低饱和压降NPN晶体管。极低的集电极发射极饱和电阻。高脉冲峰值电流能力。连续集电极电流额定值为1.5A。超小表面贴装封装。符合AEC-Q101标准，可靠性高。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。 DC-DC转换

数据手册

5+
￥0.769782 ￥0.9869
50+
￥0.591872 ￥0.8704
150+
￥0.475832 ￥0.8204
500+
￥0.439698 ￥0.7581
3000+
￥0.423574 ￥0.7303
6000+
￥0.413946 ￥0.7137

有货

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型号：BFS17NTA 编号：C526479

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：3.2GHz单位增益，适用于RF开关应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：RF开关

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5+
￥1.213515 ￥1.3635
50+
￥0.949975 ￥1.2025
150+
￥0.782115 ￥1.1335
500+
￥0.722706 ￥1.0474
3000+
￥0.696279 ￥1.0091
6000+
￥0.680409 ￥0.9861

有货

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型号：ZXTN26070CV-7 编号：C460144

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = 70V。 IC = 2.0A 连续电流。 ICM = 5A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VLow(sat) < 30mV @ 100mA。 Rsat = 130mΩ 低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

1+
￥1.375 ￥2.75
10+
￥0.984 ￥2.46
30+
￥0.696 ￥2.32
100+
￥0.651 ￥2.17
500+
￥0.627 ￥2.09
1000+
￥0.612 ￥2.04

有货

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型号：2DA1971-7 编号：C531173

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。IC = -0.5A 连续集电极电流。ICM = 1A 峰值脉冲电流。高增益:hFE = 140 @ IC = -100mA。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。应用：高压开关

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5+
￥1.4995
50+
￥1.1904
150+
￥1.0579
1000+
￥0.8927
2000+
￥0.8191

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型号：DXT696BK-13 编号：C3001630

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 180V。连续集电极电流高，Ic = 0.5A。脉冲峰值电流，IcM = 1A。高增益器件，在 Ic = 100mA 时 > 500。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。应用：电压调节晶体管。启动开关

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1+
￥1.672 ￥2.09
10+
￥1.288 ￥1.84
30+
￥1.044 ￥1.74
100+
￥0.966 ￥1.61
500+
￥0.93 ￥1.55
1000+
￥0.906 ￥1.51

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型号：ZTX551 编号：C460763

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-80V。高连续集电极电流：IC =-1A。峰值脉冲电流：ICM =-2A。最高结温TJ可达 +200℃，适用于高温操作。功耗：PD = 1W。完全无铅且完全符合RoHS标准。应用：LCD背光转换器。应急照明

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1+
￥1.8403 ￥2.39
10+
￥1.4137 ￥2.11
30+
￥1.1343 ￥1.99
100+
￥1.0488 ￥1.84
500+
￥1.0089 ￥1.77
1000+
￥0.9861 ￥1.73

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型号：BSR33TA 编号：C129775

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -80V。 IC = -1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -150mA。互补型 BSR43。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。 solenoid、继电器和执行器驱动器

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5+
￥2.2553
50+
￥1.7768
150+
￥1.5717
1000+
￥1.3158
2000+
￥1.2019

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型号：FZT651QTA 编号：C526627

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。

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1+
￥3.66
10+
￥2.98
30+
￥2.64
100+
￥2.3
500+
￥2.1
1000+
￥1.99

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型号：FZT792ATA 编号：C115948

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -70V。 Ic Max.-2A High Continuous Current。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：电池供电电路

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1+
￥3.9072 ￥4.44
10+
￥2.8626 ￥3.67
30+
￥2.2372 ￥3.29
100+
￥1.972 ￥2.9
500+
￥1.8224 ￥2.68
1000+
￥1.7408 ￥2.56

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型号：ZXTP2027FTA 编号：C460293

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。高连续集电极电流:IC = -4A。峰值脉冲电流:ICM = -10A。低饱和电压:最大 40mV @ IC = -1A。低等效导通电阻:IC = 1A 时,RCE(SAT) = 45mΩ。功率耗散:1.2W。应用：驱动 MOSFET 和 IGBT 的栅极。电机驱动

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1+
￥3.93
10+
￥3.2
30+
￥2.88
100+
￥2.49
500+
￥2.32
1000+
￥2.21

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型号：ZXTN2010GTA 编号：C326515

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。连续集电极电流 IC = 6A。峰值脉冲电流 ICM = 20A。低饱和电压 VCE(SAT) < 60mV 最大值 @ 1A。 RSAT = 35mΩ @ IC = 6A，低等效导通电阻。 hZ 指定高达 10A，高增益保持。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

数据手册

1+
￥3.99
10+
￥3.21
30+
￥2.83
100+
￥2.44
500+
￥2.21
1000+
￥2.1

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型号：FZT789ATA 编号：C460089

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-25V。 IC =-3A 高持续电流。低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-1A。 RCE(sat) = 93mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-6A，高增益保持。互补 NPN 类型：FZT689B。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。电池供电电路

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1+
￥4
10+
￥3.28
30+
￥2.92
100+
￥2.56
500+
￥2.35

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型号：ZXTP19060CZTA 编号：C780921

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

数据手册

1+
￥4.57
10+
￥3.71
30+
￥3.28
100+
￥2.85
500+
￥2.59

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型号：ZXT12N50DXTA 编号：C445022

封装：MSOP-8

品牌：DIODES(美台)

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1+
￥4.99
10+
￥4.21
30+
￥3.83
100+
￥3.45

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型号：MMBTA56-7-F 编号：C151827

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.327
100+
￥0.2675
300+
￥0.2377
3000+
￥0.2154
6000+
￥0.1976

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型号：BC847BS-7-F 编号：C156292

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >45V。超小表面贴装封装。非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.3526
100+
￥0.2854
300+
￥0.2518
3000+
￥0.2195

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型号：BC847BFA-7B 编号：C155299

封装：DFN-3(0.8x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。集电极电流高：IC = 100mA。功率耗散：PD = 435mW。封装占地面积0.48mm²，比SOT23小16倍。封装高度0.4mm，可减少板外轮廓。互补PNP型BC857BFA。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。有单独数据手册的汽车兼容部件（BC847BFAQ）

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