美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZTX458STZ 编号：C2759905

封装：TO-92-3

品牌：DIODES(美台)

特性：400V VCE0。 0.5A 连续电流。 Ptot = 1W

数据手册

5+
￥2.3791
50+
￥1.9269
150+
￥1.7331
500+
￥1.4913

有货

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型号：ZXTP720MATA 编号：C508271

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-3A 连续集电极电流。低饱和电压（- 220mV 最大 @-1A）。 RSAT = 104mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-3A，高电流增益保持。低轮廓 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥2.5542
50+
￥2.0527
150+
￥1.8378
500+
￥1.5696

有货

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型号：FZT955TA 编号：C110508

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：连续电流4A（峰值电流10A）。极低的饱和电压。高达3A的出色增益特性

数据手册

1+
￥3.1
10+
￥2.59
30+
￥2.37
100+
￥2.09
500+
￥1.97

有货

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型号：FZT757TA 编号：C526632

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -300V。IC = -0.5A 持续电流。ICM = -1A 峰值脉冲电流。互补 NPN 类型：FZT657。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.84
30+
￥2.56
100+
￥2.21
500+
￥2.05

有货

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型号：ZX5T951GTA 编号：C460272

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。高连续集电极电流：IC =-5.5A。峰值脉冲电流：ICM =-15A。低饱和电压：VCE(sat) <-70mV @-1A。低等效导通电阻：RSAT = 39mΩ。高增益保持：hFE 指定至-10A。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 与 IGBT 栅极驱动器

数据手册

1+
￥3.84
10+
￥3.09
30+
￥2.78
100+
￥2.38
500+
￥2.2

有货

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型号：ZX5T851GTA 编号：C460271

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 20A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat)<-60mV @-1A。 RSAT = 35mΩ 低等效导通电阻。 nFE 指定至 10A 高增益保持。应用：应急照明电路。 MOSFET 与 IGBT 栅极驱动器

数据手册

1+
￥4.22
10+
￥3.44
30+
￥3.05
100+
￥2.67
500+
￥2.3
1000+
￥2.18

有货

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型号：ZDT6790TA 编号：C460114

封装：SOT-223-8

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管：BVCEO > 45V。VCE(sat) < 100mV @ Ic = 100mA。连续电流 Ic = 2A。 PNP晶体管：BVCEO > -40V。VCE(sat) < -250mV @ Ic = -500mA。连续电流 Ic = -2A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

1+
￥4.66
10+
￥3.77
30+
￥3.32
100+
￥2.88
500+
￥2.33

有货

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型号：FZT855TA 编号：C145106

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。高连续集电极电流：IC = 5A。峰值脉冲电流：ICM = 10A。极低饱和电压：VCE(sat) < 110mV @ 1A。低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。高增益保持：hFE 规定至 10A。互补 PNP 类型。无铅涂层。符合 RoHS 标准。无卤素和锑，绿色器件

数据手册

1+
￥4.82
10+
￥3.9
30+
￥3.44
100+
￥2.98
500+
￥2.45

有货

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型号：BC856B-13-F 编号：C5126684

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.17719 ￥0.2726
100+
￥0.141765 ￥0.2181
300+
￥0.124085 ￥0.1909
1000+
￥0.110825 ￥0.1705
5000+
￥0.100165 ￥0.1541
10000+
￥0.0949 ￥0.146

有货

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型号：BC847B-7-F 编号：C459862

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。适用于开关和AP放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，是“绿色”器件

数据手册

20+
￥0.1906
200+
￥0.1528
600+
￥0.1318
3000+
￥0.1189

有货

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型号：FMMT495TA 编号：C47296

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥0.5695
50+
￥0.4587
150+
￥0.4032
500+
￥0.3617
3000+
￥0.3284

有货

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型号：ZXTN618MATA 编号：C460290

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。 IC = 4.5A 连续集电极电流。低饱和电压（1A 时最大 150mV）。 RSAT = 47mΩ，低等效导通电阻。 hFE 高达 6A 时指定，高电流增益保持。低外形，高度 0.0mm，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥0.7779
50+
￥0.638
150+
￥0.5781
500+
￥0.5033
3000+
￥0.47
6000+
￥0.45

有货

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型号：ZXTN26020DMFTA 编号：C461825

封装：DFN-3(1.4x1.1)

品牌：DIODES(美台)

特性：高增益低饱和压降NPN晶体管。极低的集电极发射极饱和电阻。高脉冲峰值电流能力。连续集电极电流额定值为1.5A。超小表面贴装封装。符合AEC-Q101标准，可靠性高。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。 DC-DC转换

数据手册

5+
￥1.0757
50+
￥0.9591
150+
￥0.9092
500+
￥0.8469

有货

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型号：ZXTN619MATA 编号：C460147

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。 IC = 4A 连续集电极电流。低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 RSAT = 68mΩ，低等效导通电阻。 HFE 规定至 6A，高电流增益保持。低外形 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥1.1137
2500+
￥0.8798

有货

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型号：ZX5T955GTA 编号：C177097

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -140V。 IC = -4A 高连续集电极电流。 ICM = -10A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -120mV @ IC = -1A。 RSAT = 92mΩ 低等效导通电阻。 HPE 指定高达 -10A 高增益保持。应用：电机驱动。线路开关

数据手册

5+
￥1.1293
50+
￥0.9967
150+
￥0.9399
1000+
￥0.869
2000+
￥0.8375

有货

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型号：DNLS320E-13 编号：C144152

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。低集电极-发射极饱和电阻：在3A时，RCE(SAT) = 80mΩ。高直流电流增益：在IC = 2A时，hF > 400。有互补PNP类型。适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。无铅设计/符合RoHS标准。环保器件

数据手册

1+
￥1.344 ￥2.1
10+
￥0.999 ￥1.85
30+
￥0.7656 ￥1.74
100+
￥0.7084 ￥1.61
500+
￥0.682 ￥1.55
1000+
￥0.6688 ￥1.52

有货

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型号：BFS17NTA 编号：C526479

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：3.2GHz单位增益，适用于RF开关应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：RF开关

数据手册

5+
￥1.3635
50+
￥1.2025
150+
￥1.1335
500+
￥1.0474

有货

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型号：ZXTN26070CV-7 编号：C460144

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = 70V。 IC = 2.0A 连续电流。 ICM = 5A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VLow(sat) < 30mV @ 100mA。 Rsat = 130mΩ 低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

1+
￥1.8126 ￥3.18
10+
￥1.363 ￥2.9
30+
￥1.0175 ￥2.75
100+
￥0.9657 ￥2.61
500+
￥0.8991 ￥2.43
1000+
￥0.8806 ￥2.38

有货

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型号：MJD340-13 编号：C443830

封装：DPAK-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 300V。高连续集电极电流：IC = 0.5A。峰值脉冲电流：ICM = 0.75A。适用于功率开关或放大应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥1.8952
50+
￥1.5063
150+
￥1.3396
500+
￥1.1316

有货

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型号：DSS60600MZ4-13 编号：C154848

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动化装配工艺。超低集电极-发射极饱和电压。有互补NPN类型。适用于中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的部件（单独的数据手册）

数据手册

5+
￥1.9558
50+
￥1.5526
150+
￥1.3798
500+
￥1.1641

有货

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型号：ZXTP08400BFFTA 编号：C156264

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

这款 PNP 晶体管专为需要高阻断电压的应用而设计。SOT23F 封装与行业标准 SOT23 封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热能力。

数据手册

1+
￥2.45
10+
￥2.18
30+
￥2.07
100+
￥1.93
500+
￥1.87
1000+
￥1.83

有货

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型号：DXT2011P5-13 编号：C155259

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V，IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值集电极电流。 PD 高达 3.2W。比 SO1223 小 43%，比 TO252 小 60%。最大高度仅 1.1mm。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。使用射极跟随器的电压调节器

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.57
30+
￥2.46
100+
￥2.35
500+
￥2.28
1000+
￥2.25

有货

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型号：ZXTN25040DFHTA 编号：C155357

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。IC = 4A 连续集电极电流。低饱和电压 VCE(sat) < 55mV @ 1A。RCE(sat) = 35mΩ。hFE 特性高达 10A。高 hFE 最小值 300 @ 1A。应用：MOSFET 栅极驱动器。电源开关

数据手册

1+
￥3.2
10+
￥2.53
30+
￥2.25
100+
￥1.89
500+
￥1.73

有货

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型号：FZT792ATA 编号：C115948

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -70V。 Ic Max.-2A High Continuous Current。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：电池供电电路

数据手册

1+
￥3.34
10+
￥3.02
30+
￥2.86
100+
￥2.7
500+
￥2.61

有货

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型号：FZT1151ATA 编号：C155344

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。高连续集电极电流：IC =-3A。峰值脉冲电流：ICM =-5A。低饱和电压：VCE(sat) <-140mV @-1A。 hFE指定高达-5A以实现高增益保持。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

1+
￥3.66
10+
￥2.97
30+
￥2.62
100+
￥2.28
500+
￥2.07
1000+
￥1.97

有货

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型号：ZXTP2012GTA 编号：C508267

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO-60V。 IC =-5.5A 连续集电极电流。 ICM =-15A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) <-70mV 最大值 @-1A。 RSAT = 39mΩ @-5A，低等效导通电阻。 hFE 指定至-10A，高增益保持。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

数据手册

1+
￥3.74
10+
￥3.05
30+
￥2.71
100+
￥2.37
500+
￥2.17

有货

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型号：FZT788BTA 编号：C141330

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -15V。BVCBO > -15V。IC = -3A 高连续电流。hFE > 300 @ -2A 和低饱和电压。极低的等效导通电阻 RCE(sat) 93mΩ @ -3A。互补 NPN 类型。应用：闪光灯转换器。电池供电电路

数据手册

1+
￥3.91
10+
￥3.22
30+
￥2.93
100+
￥2.56
500+
￥2.39
1000+
￥2.29

有货

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型号：FZT796ATA 编号：C526633

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -200V。 BVCBO > -200V。 IC = -500mA 连续电流。 hFE > 250，高增益 @ -0.3A。极低的 VCE(sat)。互补 NPN 型。应用：电池供电电路

数据手册

1+
￥4.76
10+
￥3.91
30+
￥3.48
100+
￥3.06
500+
￥2.6

有货

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型号：FZT849TA 编号：C154747

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 30V。高连续集电极电流：IC = 7A。峰值脉冲电流：ICM = 20A。功率耗散：PD = 3W。极低的等效导通电阻：RCE(SAT) = 36Ω（5A时）。极低的饱和电压。互补PNP型FZT949。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

1+
￥5.26
10+
￥4.38
30+
￥3.95
100+
￥3.51

有货

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型号：MMBT2907A-7-F 编号：C106923

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构，适用于低功率放大和开关。互补NPN型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具备高可靠性。具备PPAP能力

数据手册

20+
￥0.1915
200+
￥0.1538
600+
￥0.1328
3000+
￥0.1096

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