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首页 > 热门关键词 > 美台三极管
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NPN 电流:5A 电压:15V
型号：ZXTN25015DFHTA 编号：C151384
封装：SOT-23
品牌：DIODES(美台)
采用先进的工艺能力和封装设计，以最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。
数据手册

  • 1+

    ￥2.6112 ￥2.72

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    ￥2.0812 ￥2.42

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    ￥1.7328 ￥2.28

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    ￥1.52 ￥2
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    NPN 电流:6A 电压:100V
    型号：DXT2011P5-13 编号：C155259
    封装：PowerDI-5
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 100V，IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值集电极电流。 PD 高达 3.2W。 比 SO1223 小 43%，比 TO252 小 60%。 最大高度仅 1.1mm。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。 使用射极跟随器的电压调节器
    数据手册

    • 1+

      ￥2.66 ￥2.8

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      ￥1.845 ￥2.46

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      ￥1.71 ￥2.28

    • 1000+

      ￥1.6875 ￥2.25
  • 有货
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    PNP 电流:2A 电压:100V
    型号：ZTX753 编号：C531148
    封装：TO-92
    品牌：DIODES(美台)
    特性：100V VCEO。 2A 连续电流。 低饱和电压。 总功率 Ptot = 1W
    数据手册

    • 1+

      ￥2.69

    • 10+

      ￥2.11

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      ￥1.86

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      ￥1.4

    • 1000+

      ￥1.32
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    PNP 电流:0.5A 电压:400V
    型号：FZT758TA 编号：C99123
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -400V。 IC = -500mA 高连续电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -50mA。 hFE > 40 指定至 -200mA 以实现高电流增益保持。 互补 NPN 类型。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 1+

      ￥3.25

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      ￥2.58

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    NPN 电流:2A 电压:60V
    型号：ZTX651 编号：C262768
    封装：TO-92
    品牌：DIODES(美台)
    特性：60伏集电极-发射极电压（VCEO）。 2安连续电流。 低饱和电压。 总功率（Ptot）为1瓦
    数据手册

    • 1+

      ￥3.75

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      ￥2.92

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      ￥2.56

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      ￥1.8
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    NPN 电流:6A 电压:100V
    型号：FZT853TA 编号：C435890
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 100V。 IC = 6A，高连续集电极电流。 ICM = 10A，峰值脉冲电流。 低饱和电压，VCE(SAT) < 150mV @ 2A。 RCE(SAT) = 50mΩ，低等效导通电阻。 hFE指定至10A，高增益保持。 互补PNP类型：FZT953。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，高可靠性
    数据手册

    • 1+

      ￥5.13

    • 10+

      ￥4.21

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      ￥3.01
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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT4401-7-F 编号：C151826
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 适用于中功率放大和开关。 互补PNP型。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2009

    • 200+

      ￥0.156

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      ￥0.1032
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    FMMT449TA
    型号：FMMT449TA 编号：C460074
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    数据手册

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      ￥1.4548

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    NPN 电流:1A 电压:80V
    型号：BCP5616QTA 编号：C460003
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.5602

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      ￥0.9215
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    NPN 电流:3A 电压:60V
    型号：FZT651TA 编号：C24098
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 60V。 IC = 3A 高连续电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。 互补 PNP 型。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑。“绿色”器件
    数据手册

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      ￥1.6359

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      ￥0.9526
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    NPN 电流:1A 电压:100V
    型号：FCX493TA 编号：C151570
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 100V。 IC = 1A，高连续电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 250mA。 互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。 螺线管、继电器和执行器驱动器
    数据手册

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    互补型中功率晶体管 NPN+PNP 电流:1.5A 电压:30V
    型号：ZXTC2045E6TA 编号：C84408
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    采用先进的制程能力来实现这款高性能器件。SOT26 封装将 NPN 和 PNP 晶体管相结合，为目标应用提供了紧凑的解决方案。
    数据手册

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      ￥2.5318

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      ￥2.0494

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      ￥1.3133
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    NPN 电流:5A 电压:50V
    型号：ZXTN2031FTA 编号：C92166
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 50V。 BVCEV > 80V 正向阻断电压。 IC = 5A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值集电极电流。 低饱和电压，VCE(SAT) < 40mV @1A。 RCE(SAT) = 24mΩ 低等效导通电阻。应用：MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 电机驱动
    数据手册

    • 1+

      ￥3.43

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      ￥2.85

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      ￥2.56

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      ￥2.28

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      ￥2.1

    • 1000+

      ￥2.01
  • 有货
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    NPN 电流:5A 电压:25V
    型号：FZT1049ATA 编号：C73835
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 25V。 连续集电极电流高：IC = 5A。 峰值脉冲电流：ICM = 20A。 低饱和电压：VCE(sat) < 70mV @ 1A。 低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。 hFE指定高达20A，实现高增益保持。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
    数据手册

    • 1+

      ￥3.87

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      ￥2.06

    • 1000+

      ￥1.94
  • 有货
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    NPN 电流:4A 电压:50V
    型号：ZXT13N50DE6TA 编号：C443662
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVC > 50V。 连续集电极电流 IC = 4A。 峰值脉冲电流 ICM = 10A。 低等效导通电阻，RCE(SAT) = 36mΩ。 低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 hEE 特性可达 10A。应用：DC-DC 转换器。 电源管理功能
    数据手册

    • 1+

      ￥3.9592 ￥4.04

    • 10+

      ￥2.8336 ￥3.22

    • 30+

      ￥2.2386 ￥2.87

    • 100+

      ￥1.9032 ￥2.44

    • 500+

      ￥1.7472 ￥2.24

    • 1000+

      ￥1.6614 ￥2.13
  • 有货
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    NPN+PNP 电流:2A 电压:100V
    型号：ZDT6753TA 编号：C155336
    封装：SOT-223-8
    品牌：DIODES(美台)
    特性：NPN晶体管：BVCEO > 100V。IC = 2A，高连续电流。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 1A。 PNP晶体管：BVCEO > -100V。IC = -2A，高连续电流。低饱和电压：VCE(sat) < -300mV @ -1A。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，高可靠性
    数据手册

    • 1+

      ￥6.4

    • 10+

      ￥4.698 ￥5.22

    • 30+

      ￥3.712 ￥4.64

    • 100+

      ￥3.248 ￥4.06

    • 500+

      ￥2.968 ￥3.71

    • 1000+

      ￥2.824 ￥3.53
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    NPN 电流:200mA 电压:160V
    型号：DMMT5551-7-F 编号：C445514
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 有互补PNP类型。 适用于低功率放大和开关。 本质匹配的NPN对。 HFE、VCE(SAT)、VBE(SAT)匹配公差为2%。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1663

    • 50+

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      ￥0.6766
  • 有货
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    NPN 电流:1A 电压:140V
    型号：ZTX455 编号：C155381
    封装：TO-92
    品牌：DIODES(美台)
    特性：140伏VCEO。 1安培连续电流。 总功率Ptot = 1瓦。 E-Line TO92兼容
    数据手册

    • 5+

      ￥1.35909 ￥1.5101

    • 50+

      ￥1.0772 ￥1.3465

    • 150+

      ￥0.89341 ￥1.2763

    • 500+

      ￥0.83223 ￥1.1889

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      ￥0.80493 ￥1.1499

    • 4000+

      ￥0.78855 ￥1.1265
  • 有货
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    PNP 电流:5.5A 电压:60V
    型号：DXT2012P5-13 编号：C78976
    封装：PowerDI-5
    品牌：DIODES(美台)
    特性：比SOT223小43%，比TO252小60%。 最大高度仅1.1mm。 额定功率高达3.2W。 集电极-发射极电压（VCEO）为60V。 集电极电流（IC）为5.5A。 峰值脉冲电流（Iem）为15A。应用：电机驱动器。 调节器电路
    数据手册

    • 1+

      ￥1.44

    • 10+

      ￥1.2

    • 30+

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      ￥0.9506 ￥0.97

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      ￥0.9016 ￥0.92

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      ￥0.8624 ￥0.88
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    NPN 电流:3A 电压:100V
    型号：MJD31C-13 编号：C435909
    封装：DPAK-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 100V。Ic = 3A 高连续集电极电流。Icm = 5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 AEC Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4936

    • 50+

      ￥1.1734

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      ￥0.8649

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      ￥0.7886
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    PNP 200mA 300V
    型号：FMMT597TA 编号：C151596
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -300V。 IC = -0.2A 连续集电极电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。 互补 NPN 类型：FMMT497。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件，符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 5+

      ￥1.5317

    • 50+

      ￥1.2216

    • 150+

      ￥1.0887

    • 500+

      ￥0.9229
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    NPN 电流:6A 电压:60V
    型号：DSS60601MZ4-13 编号：C150451
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 60V。 Ic = 6A 高连续电流。 IcM = 12A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VREF(sat) < 60mV @ 1A。 互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 有符合汽车标准的型号
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8005

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      ￥1.406

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    中功率高电压晶体管 PNP 电流:0.2A 电压:400V
    型号：ZXTP08400BFFTA 编号：C156264
    封装：SOT-23F
    品牌：DIODES(美台)
    这款 PNP 晶体管专为需要高阻断电压的应用而设计。SOT23F 封装与行业标准 SOT23 封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热能力。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.156 ￥2.45

    • 10+

      ￥1.7004 ￥2.18

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      ￥1.4076 ￥2.07

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      ￥1.3124 ￥1.93

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      ￥1.2716 ￥1.87

    • 1000+

      ￥1.2444 ￥1.83
  • 有货
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    NPN 电流:4A 电压:45V
    型号：ZXTN07045EFFTA 编号：C460133
    封装：SOT-23F
    品牌：DIODES(美台)
    此低压NPN晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热性能。
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    PNP 电流:200mA 电压:400V
    型号：FZT558TA 编号：C211396
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-400V。 IC =-200mA 高连续电流。 高达-100mA 具有出色的 hFE 特性。 低饱和电压 VCE(sat) <-200mV @-20mA。 互补 NPN 类型。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    中功率晶体管 NPN 电流:4A 电压:100V
    型号：ZXTN2020FTA 编号：C460288
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。
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    PNP 电流:3A 电压:15V
    型号：FZT788BTA 编号：C141330
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -15V。BVCBO > -15V。IC = -3A 高连续电流。hFE > 300 @ -2A 和低饱和电压。极低的等效导通电阻 RCE(sat) 93mΩ @ -3A。互补 NPN 类型。应用：闪光灯转换器。电池供电电路
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    NPN 电流:500mA 电压:400V
    型号：FZT658TA 编号：C99122
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 400V。 高连续电流：IC = 500mA。 峰值脉冲电流：ICM = 1A。 低饱和电压：VCE(sat) < 250mV @ 50mA。 高电流增益保持：hFE > 40（指定至200mA）。 互补PNP类型：FZT758。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑。“绿色”器件
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    NPN 电流:4A 电压:100V
    型号：ZTX853 编号：C78831
    封装：TO-92
    品牌：DIODES(美台)
    特性：集电极-发射极电压（VCEO）：100V。 连续电流：4A。 峰值电流：高达10A。 极低的饱和电压。 总功率（Ptot）：1.2W
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    NPN 电流:7A 电压:30V
    型号：FZT849TA 编号：C154747
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 30V。 高连续集电极电流：IC = 7A。 峰值脉冲电流：ICM = 20A。 功率耗散：PD = 3W。 极低的等效导通电阻：RCE(SAT) = 36Ω（5A时）。 极低的饱和电压。 互补PNP型FZT949。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
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