美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMMT3904W-7-F 编号：C155305

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA高集电极电流。一对本质匹配的NPN晶体管。电流增益（HFE）匹配度为2%。基极-发射极电压（VBE）匹配度为2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

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10+
￥0.419
100+
￥0.3375
300+
￥0.2967
3000+
￥0.2661

有货

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型号：BCW66HTA 编号：C95984

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。高连续集电极电流：IC = 800mA。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 100mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

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5+
￥0.5503
50+
￥0.4471
150+
￥0.3955
500+
￥0.3568
3000+
￥0.3258

有货

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型号：FMMT591ATA 编号：C460079

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -1A，高连续电流。 ICM = -2A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ，低等效导通电阻。互补 NPN 型：FMM1491A。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

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5+
￥0.9967
50+
￥0.7875
150+
￥0.6979
500+
￥0.586
3000+
￥0.5362

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型号：FMMT495TC 编号：C5157727

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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5+
￥1.0031
50+
￥0.8105
150+
￥0.7143
500+
￥0.6421
2500+
￥0.5843
5000+
￥0.5554

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型号：FMMT593TA 编号：C500774

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压。高达 IC =-1A 时具有出色的 hFE 特性。互补 NPN 类型。应用：高端驱动器。负载断开开关

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5+
￥1.1319
50+
￥0.8874
150+
￥0.7651
500+
￥0.6733

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型号：DXT651-13 编号：C443640

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。高连续集电极电流：IC = 3A。峰值脉冲电流：ICM 高达 6A。功耗：2W。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 类型。应用：负载管理功能。电机控制

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5+
￥1.474
50+
￥1.1745
150+
￥1.0461
500+
￥0.8859

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型号：ZXTP25020BFHTA 编号：C672075

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件紧凑的尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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1+
￥1.484 ￥2.12
10+
￥1.309 ￥1.87
30+
￥1.232 ￥1.76
100+
￥1.141 ￥1.63
500+
￥1.099 ￥1.57
1000+
￥1.078 ￥1.54

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型号：FMMT723TA 编号：C211389

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 IC =-1A，高连续集电极电流。 ICM =-2.5A，峰值脉冲电流。低饱和电压VCE(sat) <-330mV @-1A。 RCE(sat) = 210mΩ，低等效导通电阻。 625mW功率耗散。应用：高端驱动器。负载断开开关

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5+
￥2.0594
50+
￥1.6445
150+
￥1.4667
500+
￥1.2448

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型号：FCX458TA 编号：C435832

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。 IC = 225mA 连续集电极电流。 ICM = 500mA 峰值脉冲电流。高达100mA时具有出色的hFE特性。低饱和电压 VCE(sat) < 200mV @ 20mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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5+
￥2.3597
50+
￥1.9099
150+
￥1.7171
1000+
￥1.4766

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型号：ZXTN4004KQTC 编号：C460146

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 hFE > 100（IC = 150mA，VCE = 0.25V）。 IC(cont) = 1A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：LED电视背光

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5+
￥2.5014
50+
￥1.9982
150+
￥1.7825
500+
￥1.5134

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型号：ZXTN07045EFFTA 编号：C460133

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

此低压NPN晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热性能。

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1+
￥2.93
10+
￥2.3
30+
￥2.03
100+
￥1.7
500+
￥1.55
1000+
￥1.46

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型号：ZXTN19100CFFTA 编号：C460136

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

先进的制程能力被用于最大化该晶体管的性能。SOT23F封装与行业标准SOT23封装的引脚兼容，但对于功率密度至关重要的应用，它提供了更低的外形和更高的散热能力。

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1+
￥3.2
10+
￥2.54
30+
￥2.26
100+
￥1.91
500+
￥1.75
1000+
￥1.66

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型号：FZT651QTA 编号：C526627

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。

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1+
￥3.92
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￥3.24
30+
￥2.9
100+
￥2.56
500+
￥2.36
1000+
￥2.25

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型号：FZT789ATA 编号：C460089

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-25V。 IC =-3A 高持续电流。低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-1A。 RCE(sat) = 93mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-6A，高增益保持。互补 NPN 类型：FZT689B。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。电池供电电路

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1+
￥4.16
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￥3.45
30+
￥3.09
100+
￥2.74
500+
￥2.53
1000+
￥2.42

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型号：ZTX853 编号：C78831

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：集电极-发射极电压（VCEO）：100V。连续电流：4A。峰值电流：高达10A。极低的饱和电压。总功率（Ptot）：1.2W

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1+
￥4.99
10+
￥4.06
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￥3.6
100+
￥3.14
500+
￥2.86
1000+
￥2.72

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型号：FZT951QTA 编号：C460221

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。 IC =-5A 高连续集电极电流。 ICM =-15A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) <-140 mV @-1 A。 RCE(SAT) = 55 mΩ 低等效导通电阻。 hFE 规定至-10A 以实现高增益保持。互补 NPN 类型：FZT851。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

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1+
￥5.63
10+
￥4.83
30+
￥4.42
100+
￥4.02
500+
￥3.66

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型号：FMMT413TD 编号：C193670

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

FMMT413是一款NPN硅平面双极晶体管，针对雪崩模式工作进行了优化。严格的工艺控制与低电感封装相结合，可产生具有快速沿的高电流脉冲，非常适合用于激光二极管驱动。

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1+
￥28.32
10+
￥24.72
30+
￥22.58
100+
￥20.41

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型号：MMBT3904T-7-F 编号：C239187

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小型表面贴装封装。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑。 “绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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20+
￥0.156
200+
￥0.1236
600+
￥0.1055
3000+
￥0.092

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型号：BC807-40-7-F 编号：C516610

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：理想适用于自动插入。外延平面芯片结构。有互补NPN类型（BC817）。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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20+
￥0.2496
200+
￥0.1981
600+
￥0.1694
3000+
￥0.1522

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型号：DST3904DJ-7 编号：C144162

封装：SOT-963-6

品牌：DIODES(美台)

特性：VCEO = 40V。 IC = 200mA。外延平面管芯结构。非常适合自动化组装工艺。无铅、无卤素和无锑，符合RoHS标准。 “绿色”器件。超小型封装

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10+
￥0.5533
100+
￥0.4454
300+
￥0.3915
1000+
￥0.351
5000+
￥0.3187

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型号：FMMT497TA 编号：C80781

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

-

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5+
￥0.8479
50+
￥0.6857
150+
￥0.6046
500+
￥0.5438

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型号：MMDT2227Q-7-F 编号：C460103

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：互补对：一个2222A型（NPN）和一个2907A型（PNP）。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力，在IATF16949认证工厂生产

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5+
￥0.9934
50+
￥0.7878
150+
￥0.6997
500+
￥0.5898
3000+
￥0.5368

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型号：2DB1182Q-13 编号：C176911

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -32V。 Ic = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。外延平面芯片结构。低集电极-发射极饱和电压。非常适合中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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5+
￥1.018065 ￥1.5195
50+
￥0.7638 ￥1.34
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￥0.593657 ￥1.2631
500+
￥0.548584 ￥1.1672
2500+
￥0.528515 ￥1.1245
5000+
￥0.516436 ￥1.0988

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型号：FMMT491ATA 编号：C110504

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。连续集电极电流 Ic = 1A。峰值脉冲电流 Icm = 2A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 195mΩ。功耗 500mW。 hFE 特性高达 2A，以保持高电流增益。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。具备 PPAP 能力

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