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NPN 电流:2A 电压:100V

型号：FZT653TA 编号：C155223

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。高连续电流：IC = 2A。峰值脉冲电流：ICM = 6A。低饱和电压：VCE(SAT) < 300mV @ 1A。互补PNP类型。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.9065
50+
￥1.4851
150+
￥1.3045
1000+
￥1.0553
2000+
￥0.955

有货

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PNP 电流:2A 电压:100V

型号：ZXTP25100BFHTA 编号：C460152

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 BVECO >-7V。连续集电极电流 IC =-2A。在-1A 时，VCE(SAT) <-130mV。典型 RCE(SAT) = 108mΩ。 PD = 1.25W。应用：MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥3.56
10+
￥2.81
30+
￥2.49
100+
￥2.09
500+
￥1.91
1000+
￥1.8

有货

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NPN 电流:3A 电压:100V

型号：ZXTN25100BFHTA 编号：C154766

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 BVCEX > 170V，正向阻断电压。 BV ECO > 6V，反向阻断电压。 IC = 3A，高连续集电极电流。低饱和电压，VCE(SAT) < 80mV @1A。 RCE(SAT) = 67mΩ，低等效导通电阻。应用：灯继电器和螺线管驱动器。汽车和工业应用中的通用开关

数据手册

1+
￥4.12
10+
￥3.39
30+
￥3.02
100+
￥2.66
500+
￥2.44
1000+
￥2.33

有货

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NPN 电流:3.5A 电压:300V

型号：FZT857TA 编号：C460220

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 300V。高连续集电极电流 IC = 3.5A。峰值脉冲电流 ICM = 5A。极低饱和电压 VCE(SAT) < 155mV @ 1A。低等效导通电阻 RCE(SAT) = 87mΩ。 hFE 高达 3A 时仍有高增益保持。互补 PNP 型：FZT957。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

1+
￥4.39
10+
￥3.43
30+
￥2.95
100+
￥2.47
500+
￥1.94
1000+
￥1.79

有货

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NPN 电流:1A 电压:60V

型号：DNBT8105-7 编号：C460714

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。高集电极电流额定值。有互补版本。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色器件”。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.8134
50+
￥0.6387
150+
￥0.5514
500+
￥0.4859
3000+
￥0.4335
6000+
￥0.4073

有货

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PNP 电流:1A 电压:60V

型号：FMMT591TA 编号：C141789

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。高连续集电极电流：Ic = -1A。峰值脉冲电流：ICM = -2A。低等效导通电阻：R(sat) = 295mΩ。高达 -2A 时具有高电流增益保持能力：hFE 特性。互补 NPN 类型：FMMT491。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8409
50+
￥0.6824
150+
￥0.6032
500+
￥0.5438
3000+
￥0.4589

有货

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NPN 电流:1A 电压:40V

型号：FMMT491ATA 编号：C110504

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。连续集电极电流 Ic = 1A。峰值脉冲电流 Icm = 2A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 195mΩ。功耗 500mW。 hFE 特性高达 2A，以保持高电流增益。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。具备 PPAP 能力

数据手册

5+
￥0.9791
50+
￥0.759
150+
￥0.6646
500+
￥0.5469
3000+
￥0.4945

有货

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PNP 电流:1.5A 电压:40V

型号：FMMT720TA 编号：C15332

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC E O >-40V。I_C =-1.5A 连续集电极电流。I_CM =-4A 峰值脉冲电流。低饱和电压 V_CE(sat) <-220mV @-1A。R_CE(SAT) = 163mΩ，低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥1.2424
50+
￥1.0047
150+
￥0.9029
500+
￥0.7758
3000+
￥0.6456

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：DXT2222A-13 编号：C154859

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 600mA 高集电极电流。互补PNP类型。适用于中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.2701
50+
￥1.0063
150+
￥0.8933
500+
￥0.7523
2500+
￥0.6895

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3904FA-7B 编号：C151577

封装：DFN-3L(0.6x0.8)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 Ic = 200mA高集电极电流。 PD = 435mW功耗。 0.48mm²封装尺寸，比SOT23小16倍。 0.4mm封装高度，最小化板外轮廓。互补PNP型MMBT3906FA。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤和无锑“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.2857
50+
￥1.048
150+
￥0.9461
500+
￥0.819
2500+
￥0.7625
5000+
￥0.7285

有货

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NPN 2A 45V

型号：FCX690BTA 编号：C460072

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCBO > 45V。 IC = 2A 高连续集电极电流。 ICM 高达 6A 峰值脉冲电流。高增益 hFE > 400 @ 1A。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) ≤ 300mV @ 1A。互补 PNP 类型：FCX790A。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.473
50+
￥1.1702
150+
￥1.0404
1000+
￥0.8785
2000+
￥0.8064

有货

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NPN 电流:1A 电压:150V

型号：FMMT625TA 编号：C212600

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。最大连续集电极电流 IC = 1A。 625mW 功率耗散。 hFE 特性高达 33A。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：DC-DC 模块。电源管理功能

数据手册

5+
￥1.8879
50+
￥1.5181
150+
￥1.3597
500+
￥1.1619

有货

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NPN 电流:2.5A 电压:100V

型号：ZXTN25100DFHTA 编号：C461151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。集电极电流 IC = 2.5A。低饱和电压 VCE(sat) < 95mV @ 1A。互补PNP快速ZXTP25100DFH。外延平面管芯结构。高增益。应用：DC-DC转换器。 DC风扇

数据手册

5+
￥2.0219
50+
￥1.5673
150+
￥1.3725
500+
￥1.1294
3000+
￥1.0211
6000+
￥0.9562

有货

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高性能晶体管 PNP 电流:2A 电压:100V

型号：FZT753TA 编号：C85794

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -2A High Continuous Current。 ICM = -6A Peak Pulse Current。低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -1A。互补NPN类型：FZT653。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

数据手册

5+
￥2.4535
50+
￥1.9996
150+
￥1.8051
1000+
￥1.5183
2000+
￥1.4103

有货

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NPN+PNP 电流:1A 电压:60V

型号：ZXTD4591E6TA 编号：C155320

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管:BVCEO > 60V，IC = 1A连续集电极电流。低饱和电压（最大500mV @ 1A）。hFE特性可达2A。RSAT = 210mΩ @ 1A，低等效导通电阻。PNP晶体管:BVCEO > -60V，IC = -1A连续集电极电流。低饱和电压（最大-600mV @ -1A）。应用：MOSFET栅极驱动器。低功率电机驱动器

数据手册

1+
￥3.06
10+
￥2.42
30+
￥2.15
100+
￥1.81
500+
￥1.66
1000+
￥1.57

有货

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NPN 电流:5A 电压:150V

型号：FZT855TA 编号：C145106

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。高连续集电极电流：IC = 5A。峰值脉冲电流：ICM = 10A。极低饱和电压：VCE(sat) < 110mV @ 1A。低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。高增益保持：hFE 规定至 10A。互补 PNP 类型。无铅涂层。符合 RoHS 标准。无卤素和锑，绿色器件

数据手册

1+
￥5.59
10+
￥4.52
30+
￥3.99
100+
￥3.46
500+
￥2.84

有货

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NPN+PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：MMDT3946-7-F 编号：C151354

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：互补对：一个类似3904的NPN型和一个类似3906的PNP型。超小表面贴装封装。外延平面管芯结构。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.3565
100+
￥0.2897
300+
￥0.2563
3000+
￥0.2285
6000+
￥0.2085

有货

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PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3906LP-7B 编号：C780859

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。高集电极电流：IC = -200mA。功耗：PD = 1000mW。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。互补NPN型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

数据手册

5+
￥0.3768
50+
￥0.30033 ￥0.3337
150+
￥0.24976 ￥0.3122
500+
￥0.23688 ￥0.2961
2500+
￥0.22656 ￥0.2832
5000+
￥0.22136 ￥0.2767

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：DMMT3904W-7-F 编号：C155305

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA高集电极电流。一对本质匹配的NPN晶体管。电流增益（HFE）匹配度为2%。基极-发射极电压（VBE）匹配度为2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

数据手册

10+
￥0.4244
100+
￥0.3418
300+
￥0.3005
3000+
￥0.2695
6000+
￥0.2447

有货

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低功率晶体管 NPN 电流:2A 电压:12V

型号：ZXTN25012EFLTA 编号：C460289

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力实现了高电流增益保持，使该器件非常适合需要高脉冲电流的应用。

数据手册

5+
￥0.808896 ￥1.2639
50+
￥0.61425 ￥1.1375
150+
￥0.476696 ￥1.0834
500+
￥0.446952 ￥1.0158
3000+
￥0.433708 ￥0.9857
6000+
￥0.425744 ￥0.9676

有货

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NPN 电流:1A 电压:150V

型号：FMMT495TC 编号：C5157727

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥0.9655
50+
￥0.7638
150+
￥0.663
500+
￥0.5873
2500+
￥0.5268
5000+
￥0.4966

有货

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NPN 电流:600mA 电压:160V

型号：DZT5551-13 编号：C155393

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。连续集电极电流 IC = 600mA。低饱和电压（最大150mV @ 10mA）。 hFE在高达50mA时指定，以实现高增益保持。互补PNP类型：DZT5401。应用：高压放大应用。高压开关应用

数据手册

5+
￥1.0282
50+
￥0.9064
150+
￥0.8542
500+
￥0.789

有货

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PNP 电流:1A 电压:40V

型号：FMMT591ATA 编号：C460079

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -1A，高连续电流。 ICM = -2A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ，低等效导通电阻。互补 NPN 型：FMM1491A。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

数据手册

5+
￥1.0599
50+
￥0.848
150+
￥0.7571
500+
￥0.6438
3000+
￥0.5933

有货

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NPN 电流:2.5A 电压:20V

型号：FMMT618TA 编号：C500762

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用：DC-DC 模块。栅极驱动器

数据手册

5+
￥1.2148
50+
￥0.9762
150+
￥0.8739
500+
￥0.7463
3000+
￥0.6118

有货

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NPN 电流:3A 电压:15V

型号：FMMT617TA 编号：C151825

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 15V。 IC = 3A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 50mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 12A 以实现高电流增益保持。应用：DC-DC / DC-AC 模块。稳压器

数据手册

5+
￥1.2602
50+
￥1.0032
150+
￥0.8931
500+
￥0.7557

有货

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NPN 电流:2.5A 电压:20V

型号：FMMT618QTA 编号：C460212

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用：DC-DC 模块。栅极驱动器

数据手册

1+
￥1.3167 ￥2.09
10+
￥0.9805 ￥1.85
30+
￥0.7482 ￥1.74
100+
￥0.6923 ￥1.61
500+
￥0.6665 ￥1.55
1000+
￥0.6536 ￥1.52

有货

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高电压晶体管 PNP 电流:150mA 电压:400V

型号：FMMT558TA 编号：C74606

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。高连续集电极电流 IC = -150mA。峰值脉冲电流 ICM = -500mA。功耗 500mW。高达 -100mA 时具有出色的 hFE 特性。互补 NPN 类型：FMMT458。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的部件（FMMT558Q）

数据手册

5+
￥1.3968
50+
￥1.1196
150+
￥1.0008
500+
￥0.8525

有货

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PNP 电流:2.5A 电压:12V

型号：FMMT717TA 编号：C500779

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -12V。连续集电极电流 IC = -2.5A。峰值脉冲电流 IcM = -10A。低饱和电压，例如在 IC = -100mA 时最大为 -17mV。在 2.5A 时 RCE(sat) = 72mΩ，等效导通电阻低。功率耗散 625mW。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。负载开关

数据手册

5+
￥1.4301
50+
￥1.1086
150+
￥0.9708
500+
￥0.7988
3000+
￥0.7223

有货

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PNP 电流:0.3A 电压:200V

型号：FMMT596TA 编号：C150439

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

数据手册

3+
￥1.7439
30+
￥1.442
90+
￥1.3127
300+
￥1.1512
1500+
￥1.0794
3000+
￥1.0362

有货

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PNP 电流:3A 电压:60V

型号：FZT751TA 编号：C24099

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -3A，高连续电流。 ICM = -6A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。互补 NPN 型：FZT651。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动

数据手册

5+
￥1.8599
50+
￥1.4926
150+
￥1.3351
1000+
￥1.093

有货

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70万种现货SKU

品类不断扩充中
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最快4小时发货
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正品有保障

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