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价格(含税)

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NPN 电流:3A 电压:100V

型号：ZXTN25100BFHTA 编号：C154766

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 BVCEX > 170V，正向阻断电压。 BV ECO > 6V，反向阻断电压。 IC = 3A，高连续集电极电流。低饱和电压，VCE(SAT) < 80mV @1A。 RCE(SAT) = 67mΩ，低等效导通电阻。应用：灯继电器和螺线管驱动器。汽车和工业应用中的通用开关

数据手册

5+
￥2.3063
50+
￥1.8526
150+
￥1.6582
500+
￥1.4157

有货

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NPN+PNP 电流:1A 电压:60V

型号：ZXTD4591E6TA 编号：C155320

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管:BVCEO > 60V，IC = 1A连续集电极电流。低饱和电压（最大500mV @ 1A）。hFE特性可达2A。RSAT = 210mΩ @ 1A，低等效导通电阻。PNP晶体管:BVCEO > -60V，IC = -1A连续集电极电流。低饱和电压（最大-600mV @ -1A）。应用：MOSFET栅极驱动器。低功率电机驱动器

数据手册

1+
￥2.45
10+
￥1.94
30+
￥1.72
100+
￥1.45
500+
￥1.33
1000+
￥1.26

有货

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PNP 电流:5A 电压:60V

型号：FZT951TA 编号：C87951

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：5A 连续电流，高达 15A 峰值电流。极低的饱和电压。高达 10A 时具有出色的增益特性。Ptot = 3W。FZT951 具有极低的等效导通电阻；在 4A 时 Rceestat 为 55mΩ

数据手册

1+
￥3.67
10+
￥2.94
30+
￥2.62
100+
￥2.23
500+
￥1.91
1000+
￥1.8

有货

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低功率晶体管 NPN 电流:2A 电压:12V

型号：ZXTN25012EFLTA 编号：C460289

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力实现了高电流增益保持，使该器件非常适合需要高脉冲电流的应用。

数据手册

5+
￥0.21878 ￥1.0939
50+
￥0.1935 ￥0.9675
150+
￥0.18266 ￥0.9133
500+
￥0.16914 ￥0.8457
3000+
￥0.16312 ￥0.8156
6000+
￥0.15952 ￥0.7976

有货

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NPN 电流:600mA 电压:160V

型号：DZT5551-13 编号：C155393

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。连续集电极电流 IC = 600mA。低饱和电压（最大150mV @ 10mA）。 hFE在高达50mA时指定，以实现高增益保持。互补PNP类型：DZT5401。应用：高压放大应用。高压开关应用

数据手册

5+
￥1.428
50+
￥1.1356
150+
￥1.0103
500+
￥0.854
2500+
￥0.7844

有货

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NPN 电流:1A 电压:100V

型号：FCX493TA 编号：C151570

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 250mA。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。螺线管、继电器和执行器驱动器

数据手册

5+
￥1.452
50+
￥1.157
150+
￥1.0306
1000+
￥0.7612
2000+
￥0.691

有货

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NPN 电流:3A 电压:100V

型号：MJD31C-13 编号：C435909

封装：DPAK-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。Ic = 3A 高连续集电极电流。Icm = 5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 AEC Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.6238
50+
￥1.3035
150+
￥1.1663
500+
￥0.995
2500+
￥0.9188

有货

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PNP 电流:3A 电压:40V

型号：ZXTP25040DFHTA 编号：C211430

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：- BVCEO >-40V。 BVECO >-3V。连续集电极电流 IC =-3A。在-1A 时，VCE(sat) <-85mV。典型 RCE(sat) = 55mΩ。功率耗散 PD = 1.25W。应用：- MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥2.71
10+
￥2.17
30+
￥1.94
100+
￥1.65
500+
￥1.52
1000+
￥1.44

有货

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PNP 电流:0.5A 电压:400V

型号：FZT758TA 编号：C99123

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。 IC = -500mA 高连续电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -50mA。 hFE > 40 指定至 -200mA 以实现高电流增益保持。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

1+
￥2.77
10+
￥2.2
30+
￥1.95
100+
￥1.64
500+
￥1.5
1000+
￥1.42

有货

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PNP 电流:5A 电压:100V

型号：FZT953TA 编号：C110507

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：5A 连续电流，高达 15A 峰值电流。极低的饱和电压。高达 10A 时具有出色的增益特性。Ptot = 3W。FZT951 具有极低的等效导通电阻；在 4A 时 Rceestat 为 55mΩ

数据手册

1+
￥3.44
10+
￥2.61
30+
￥2.25
100+
￥1.8
500+
￥1.6
1000+
￥1.48

有货

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PNP 电流:2A 电压:100V

型号：ZXTP25100BFHTA 编号：C460152

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 BVECO >-7V。连续集电极电流 IC =-2A。在-1A 时，VCE(SAT) <-130mV。典型 RCE(SAT) = 108mΩ。 PD = 1.25W。应用：MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.76
30+
￥2.44
100+
￥2.05
500+
￥1.87
1000+
￥1.76

有货

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NPN 电流:6A 电压:60V

型号：FZT851TA 编号：C87950

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。集电极连续电流高，Ic = 6A。脉冲峰值电流，ICM = 20A。低饱和电压，VCE(sat) < 100mV @ 1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 44mΩ。 hFE 在高达10A时指定，高增益保持。互补PNP类型：FZT951。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949认证的工厂生产

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥2.88
30+
￥2.52
100+
￥2.07
500+
￥1.88
1000+
￥1.76

有货

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小信号晶体管 PNP 电流:600mA 电压:40V

型号：MMBT4403-7-F 编号：C85183

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保产品

数据手册

20+
￥0.2465
200+
￥0.1978
600+
￥0.1707
3000+
￥0.1407
9000+
￥0.1266

有货

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NPN+PNP 电流:100mA 电压:45V

型号：BC847PN-7-F 编号：C145105

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延芯片结构。一个封装内有两个内部隔离的 NPN/PNP 晶体管。适用于中功率放大和开关。超小型表面贴装封装。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的部件（单独的数据手册 BC847PNQ）

数据手册

10+
￥0.2968
100+
￥0.2383
300+
￥0.2091
3000+
￥0.1872
6000+
￥0.1696

有货

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NPN 电流:0.5A 电压:45V

型号：BC817-40Q-7-F 编号：C459860

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

10+
￥0.3258
100+
￥0.2659
300+
￥0.2359

有货

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PNP 电流:1A 电压:60V

型号：FMMT591TA 编号：C141789

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。高连续集电极电流：Ic = -1A。峰值脉冲电流：ICM = -2A。低等效导通电阻：R(sat) = 295mΩ。高达 -2A 时具有高电流增益保持能力：hFE 特性。互补 NPN 类型：FMMT491。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9648
50+
￥0.783
150+
￥0.6921
500+
￥0.624
3000+
￥0.5266

有货

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PNP 电流:2.5A 电压:12V

型号：FMMT717TA 编号：C500779

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -12V。连续集电极电流 IC = -2.5A。峰值脉冲电流 IcM = -10A。低饱和电压，例如在 IC = -100mA 时最大为 -17mV。在 2.5A 时 RCE(sat) = 72mΩ，等效导通电阻低。功率耗散 625mW。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。负载开关

数据手册

5+
￥0.9988
50+
￥0.7943
150+
￥0.7067
500+
￥0.5973

有货

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NPN 电流:2.5A 电压:20V

型号：FMMT618TA 编号：C500762

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用：DC-DC 模块。栅极驱动器

数据手册

5+
￥1.0854
50+
￥0.8722
150+
￥0.7809
500+
￥0.6668
3000+
￥0.5466

有货

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NPN 电流:600mA 电压:160V

型号：DXT5551P5-13 编号：C5260571

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：比SO7223小43%，比TO252小60%。最大高度仅1.1mm。额定功率高达2.25W。集电极-发射极击穿电压（BVCEO）> 160V。集电极电流（Io(sch)） = 0.6A。无铅，符合RoHS标准。应用：电信线路驱动器

数据手册

5+
￥1.5454
50+
￥1.3513
150+
￥1.2682
500+
￥1.109
2500+
￥1.0628
5000+
￥1.0351

有货

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高压开关晶体管 PNP 电流:0.5A 电压:400V

型号：2DA1971-7 编号：C531173

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。IC = -0.5A 连续集电极电流。ICM = 1A 峰值脉冲电流。高增益:hFE = 140 @ IC = -100mA。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。应用：高压开关

数据手册

5+
￥1.6226
50+
￥1.3135
150+
￥1.181
1000+
￥1.0158
2000+
￥0.9422

有货

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NPN 电流:600mA 电压:160V

型号：DZT5551Q-13 编号：C674404

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

5+
￥1.8491
50+
￥1.4963
150+
￥1.3451
500+
￥1.1565

有货

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NPN 电流:5A 电压:50V

型号：ZXTN2031FTA 编号：C92166

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。 BVCEV > 80V 正向阻断电压。 IC = 5A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值集电极电流。低饱和电压，VCE(SAT) < 40mV @1A。 RCE(SAT) = 24mΩ 低等效导通电阻。应用：MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。电机驱动

数据手册

1+
￥2.02
10+
￥1.44
30+
￥1.15
100+
￥0.87
500+
￥0.69
1000+
￥0.6

有货

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互补型中功率晶体管 NPN+PNP 电流:1.5A 电压:30V

型号：ZXTC2045E6TA 编号：C84408

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

采用先进的制程能力来实现这款高性能器件。SOT26 封装将 NPN 和 PNP 晶体管相结合，为目标应用提供了紧凑的解决方案。

数据手册

1+
￥2.65
10+
￥2.14
30+
￥1.93
100+
￥1.65
500+
￥1.37
1000+
￥1.3

有货

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PNP 电流:2A 电压:100V

型号：ZTX753 编号：C531148

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：100V VCEO。 2A 连续电流。低饱和电压。总功率 Ptot = 1W

数据手册

1+
￥2.69
10+
￥2.11
30+
￥1.86
100+
￥1.54
500+
￥1.4
1000+
￥1.32

有货

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高性能晶体管 PNP 电流:2A 电压:100V

型号：FZT753TA 编号：C85794

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -2A High Continuous Current。 ICM = -6A Peak Pulse Current。低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -1A。互补NPN类型：FZT653。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.43
30+
￥2.19
100+
￥1.9
500+
￥1.71
1000+
￥1.63

有货

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NPN 电流:2.5A 电压:100V

型号：ZXTN25100DFHTA 编号：C461151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。集电极电流 IC = 2.5A。低饱和电压 VCE(sat) < 95mV @ 1A。互补PNP快速ZXTP25100DFH。外延平面管芯结构。高增益。应用：DC-DC转换器。 DC风扇

数据手册

1+
￥3.68
10+
￥2.86
30+
￥2.5
100+
￥2.06
500+
￥1.86
1000+
￥1.74

有货

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NPN 电流:5A 电压:60V

型号：ZXTN2018FTA 编号：C155309

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大限度地提升这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件尺寸紧凑且额定参数出色，非常适合空间有限的应用场景。

数据手册

1+
￥5.15
10+
￥4.18
30+
￥3.7
100+
￥3.22
500+
￥2.9
1000+
￥2.75

有货

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PNP 电流:2A 电压:200V

型号：FZT956TA 编号：C144161

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：连续电流4A（峰值电流10A）。极低的饱和电压。高达3A的出色增益特性

数据手册

1+
￥5.6
10+
￥4.56
30+
￥4.04
100+
￥3.53
500+
￥3.22
1000+
￥3.06

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3904Q-7-F 编号：C705324

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这种双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

20+
￥0.2313
200+
￥0.1854
600+
￥0.1599
3000+
￥0.1446

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：MMBT2222AT-7-F 编号：C151009

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。集电极电流IC = 600mA。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补PNP型。完全无铅,完全符合RoHS标准。无卤素和锑。绿色器件。符合AEC Q101标准,可靠性高

数据手册

10+
￥0.3308
100+
￥0.2663
300+
￥0.234
3000+
￥0.2071

有货

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